ANÁLISE E PROJETO DE UM OSCILADOR COLPITTS COM DUPLA REALIMENTAÇÃO POSITIVA OPERANDO EM ALTA FREQUÊNCIA E ULTRABAIXA TENSÃO DE ALIMENTAÇÃO
Rodrigo Eduardo Rottava
Orientador: Fernando Rangel de Sousa
Laboratório de Radiofrequência, UFSC
Sumário
1. Introdução
2. Topologia proposta 3. Análise
4. Projeto de um protótipo integrado 5. Simulações e resultados de medição 6. Conclusões
2/30
Sumário
1. Introdução
2. Topologia proposta 3. Análise
4. Projeto de um protótipo integrado 5. Simulações e resultados de medição 6. Conclusões
3/30
Introdução
Objetivo do trabalho:
Estudar e projetar um oscilador Colpitts com dupla realimentação positiva.
4/30
Introdução
Objetivo do trabalho:
Estudar e projetar um oscilador Colpitts com dupla realimentação positiva.
Motivação:
Hipótese de que a dupla realimentação será capaz de reduzir o consumo deste oscilador.
4/30
Introdução
Objetivo do trabalho:
Estudar e projetar um oscilador Colpitts com dupla realimentação positiva.
Motivação:
Hipótese de que a dupla realimentação será capaz de reduzir o consumo deste oscilador.
Aplicações:
WBANs (ultrabaixo consumo, energia extraída do ambiente).
4/30
Sumário
1. Introdução
2. Topologia proposta 3. Análise
4. Projeto de um protótipo integrado 5. Simulações e resultados de medição 6. Conclusões
5/30
ℜ{Y
out}⩽−ℜ { Y
L} ℑ{Y
out}=−ℑ {Y
L}
O oscilador Colpitts
Critérios de oscilação:
6/30
ℜ{Y
out}⩽−ℜ { Y
L} ℑ{Y
out}=−ℑ {Y
L}
O oscilador Colpitts
Critérios de oscilação:
6/30
ℜ{Y
out}⩽−ℜ { Y
L} ℑ{Y
out}=−ℑ {Y
L}
O oscilador Colpitts
Critérios de oscilação:
6/30
ℜ{Y
out}⩽−ℜ { Y
L} ℑ{Y
out}=−ℑ {Y
L}
O oscilador Colpitts
Critérios de oscilação:
Instabilidade G
eq< 0
6/30
ℜ{Y
out}⩽−ℜ { Y
L} ℑ{Y
out}=−ℑ {Y
L}
O oscilador Colpitts
Critérios de oscilação:
Ressonância B
eq= 0
6/30
A segunda realimentação
7/30
A segunda realimentação
Z
s= Z
g− j ω
tω
=−ω L
gω
tω Onde: ω
t= g
mC
gs7/30
A segunda realimentação
Z
s= Z
g− j ω
tω
=−ω L
gω
tω
i
ov
in= g
m1 −g
mω L
gω
tω
Onde: ω
t= g
mC
gs7/30
A segunda realimentação
Z
s= Z
g− j ω
tω
=−ω L
gω
tω
i
ov
in= g
m1 −g
mω L
gω
tω
A = g
mOnde: ω
t= g
mC
gsβ = ωL
g'
= A 1− A β
7/30
A segunda realimentação
Z
s= Z
g− j ω
tω
=−ω L
gω
tω
i
ov
in= g
m1 −g
mω L
gω
tω
Utilizando esta segunda técnica de realimentação obtemos a topologia
denominada oscilador Colpitts com dupla
realimentação positiva:
Onde: ω
t= g
mC
gsA = g
mβ = ωL
g'
= A 1− A β
7/30
Sumário
1. Introdução
2. Topologia proposta 3. Análise
4. Projeto de um protótipo integrado 5. Simulações e resultados de medição 6. Conclusões
8/30
Representação de pequenos sinais da topologia proposta
9/30
Representação de pequenos sinais da topologia proposta
Perdas do circuito
9/30
Representação de pequenos sinais da topologia proposta
Perdas do circuito
v
g=α v
d+ β v
sv
gé uma combinação linear de v
de v
s:
onde: α (β)= 1
1 + C
gs(d)C
gd(s)− 1
ω
2L
gC
gd(s)9/30
Representação de pequenos sinais da topologia proposta
Perdas do circuito
v
g=α v
d+ β v
sv
gé uma combinação linear de v
de v
s:
onde: α (β)= 1
1 + C
gs(d)C
gd(s)− 1
ω
2L
gC
gd(s)9/30
Representação de pequenos sinais da topologia proposta
Perdas do circuito
9/30
Representação de pequenos sinais da topologia proposta
Perdas do circuito
9/30
Modelagem simplificada
Perdas do circuito
10/30
Modelagem simplificada
Perdas do circuito
Perdas do circuito
10/30
Modelagem simplificada
Perdas do circuito
Perdas do circuito
v
g=α v
d+ β v
sRelembrando: Transcondutância total de fonte:
Transcondutância total de dreno:
g
m1= g
ms−β g
mg
m2= g
md+ α g
m10/30
Modelagem simplificada
Perdas do circuito
Perdas do circuito
10/30
Modelagem simplificada
Perdas do circuito
Perdas do circuito
C
1eq= C
1+α C
gsC
2eq=C
2− β
ω
2L
gL
eq= 1 1
L
d+ α L
g10/30
Mínima transcondutância de fonte
Utilizando a relação: g
m= g
ms− g
mdn Transcondutância total de fonte:
g
m1= g
ms( 1−β/ n )+ g
mdβ/ n Transcondutância total de dreno:
g
m2= g
md( 1−α/ n )+ g
msα/ n
11/30
Mínima transcondutância de fonte
Utilizando a relação: g
m= g
ms− g
mdn Transcondutância total de fonte:
g
m1= g
ms( 1−β/ n )+ g
mdβ/ n Transcondutância total de dreno:
g
m2= g
md( 1−α/ n )+ g
msα/ n Condição de instabilidade:
ℜ{Y
out}⩽− G
P11/30
Mínima transcondutância de fonte
Utilizando a relação: g
m= g
ms− g
mdn Transcondutância total de fonte:
g
m1= g
ms( 1−β/ n )+ g
mdβ/ n Transcondutância total de dreno:
g
m2= g
md( 1−α/ n )+ g
msα/ n Condição de instabilidade:
ℜ{Y
out}⩽− G
Pg
ms≥g
md+ g
mdnC
2eq/ C
1eqn −β−α( 1+C
2eq/ C
1eq) ( 1 + g G
mdP( 1 + C C
12eqeq)
2)
11/30
Frequência de oscilação
ℑ{Y
out}≈ω C
1eqC
2eqC
1eq+ C
2eq=ω C
eqℑ{Y
L}= −1 ω L
eq12/30
Frequência de oscilação
Condição de ressonância:
ℑ{Y
out}=−ℑ {Y
L}
ℑ{Y
out}≈ω C
1eqC
2eqC
1eq+ C
2eq=ω C
eqℑ{Y
L}= −1 ω L
eq12/30
Frequência de oscilação
Condição de ressonância:
ℑ{Y
out}=−ℑ {Y
L}
ℑ{Y
out}≈ω C
1eqC
2eqC
1eq+ C
2eq=ω C
eqℑ{Y
L}= −1 ω L
eqf
o= 1
2 π √ L
eqC
eq12/30
Estratégias para redução do consumo
g
ms≥g
md+ g
mdnC
2eq/ C
1eqn −β−α( 1 +C
2eq/ C
1eq) ( 1 + g G
mdP( 1 + C C
12eqeq)
2)
A transcondutância de fonte g
msestá diretamente relacionada ao consumo do oscilador. Para que o circuito oscile:
13/30
Estratégias para redução do consumo
A transcondutância de fonte g
msestá diretamente relacionada ao consumo do oscilador. Para que o circuito oscile:
g
ms≥g
md+ g
mdnC
2eq/ C
1eqn −β−α( 1 +C
2eq/ C
1eq) ( 1 + g G
mdP( 1 + C C
12eqeq)
2)
Duas estratégias foram utilizadas para reduzir g
msmínimo:
13/30
Estratégias para redução do consumo
A transcondutância de fonte g
msestá diretamente relacionada ao consumo do oscilador. Para que o circuito oscile:
g
ms≥g
md+ g
mdnC
2eq/ C
1eqn −β−α( 1 +C
2eq/ C
1eq) ( 1 + g G
mdP( 1 + C C
12eqeq)
2)
Duas estratégias foram utilizadas para reduzir g
msmínimo:
1. Razão capacitiva ótima:
K
otm= C
2eqC
1eq otm= √ G
P+ g G
mdP+α g
m13/30
Estratégias para redução do consumo
A transcondutância de fonte g
msestá diretamente relacionada ao consumo do oscilador. Para que o circuito oscile:
g
ms≥g
md+ g
mdnC
2eq/ C
1eqn −β−α( 1 +C
2eq/ C
1eq) ( 1 + g G
mdP( 1 + C C
12eqeq)
2)
Duas estratégias foram utilizadas para reduzir g
msmínimo:
2. Segunda realimentação positiva:
Para α e β < 0 e K
otmreal
L
g< 1
ω
2( C
gd+ C
gs( 1 + g
mdg +G
m P) )
13/30
0 -10 -20 -30 -40 G
OUT[ m S ]
0 1 2 3 4 5 6 7 8
L
g[nH]
0 1 2 3 4 5 6 7 8
L
g[nH]
30 20 10 0 -10 B
OUT[ m S ]
Relação de Y
outcom L
gParâmetro C1 C2 Cgs Cgd n gms gmd Valor 2 pF 2 pF 2 pF 0 1,15 14 mS 0
14/30
Sumário
1. Introdução
2. Topologia proposta 3. Análise
4. Projeto de um protótipo integrado 5. Simulações e resultados de medição 6. Conclusões
15/30
Fluxo de projeto
Caracterização DC
gms, gmd, Cgs, Cgd
16/30
Fluxo de projeto
Caracterização DC Indutor de porta
L
g< 1
ω
2( C
gd+ C
gs( 1 + g
mdg +G
m P) )
16/30
Fluxo de projeto
Indutor de porta Razão capacitiva ótima Caracterização DC
K
otm= C
2eqC
1eq otm= √ G
P+ g G
mdP+α g
m16/30
Fluxo de projeto
Razão capacitiva ótima
gms > necessário?
Indutor de porta Caracterização DC
g
ms≥g
md+ g
mdnC
2eq/ C
1eqn −β−α( 1 +C
2eq/ C
1eq) ( 1 + g G
mdP( 1 + C C
12eqeq)
2)
16/30
Fluxo de projeto
gms > necessário?
Aumentar VDD Não
Razão capacitiva ótima Indutor de porta
Caracterização DC
g
ms≥g
md+ g
mdnC
2eq/ C
1eqn −β−α( 1 +C
2eq/ C
1eq) ( 1 + g G
mdP( 1 + C C
12eqeq)
2)
16/30
Fluxo de projeto
Aumentar VDD
Oscilador de baixa tensão otimizado Não
Sim Razão capacitiva ótima Indutor de porta
Caracterização DC
gms > necessário?
16/30
Fluxo de projeto de circuito integrado
Projetista Foundry
Especificações Projeto do CI
Simulação Design Kit
Layout
Extração parasitas
Tape out Fabricação
Testes e medições
17/30
Especificações do projeto
Frequência: 2,4 GHz;
Tecnologia: IBM CMOS 0,13 μm, utilizando transistor zero-V
T; Buffer para adaptar oscilador ao analisador espectro.
18/30
Especificações do projeto
Frequência: 2,4 GHz;
Tecnologia: IBM CMOS 0,13 μm, utilizando transistor zero-V
T;
18/30
Buffer para adaptar oscilador ao analisador espectro.
Especificações do projeto
Frequência: 2,4 GHz;
Tecnologia: IBM CMOS 0,13 μm, utilizando transistor zero-V
T;
18/30
Buffer para adaptar oscilador ao analisador espectro.
Especificações do projeto
Frequência: 2,4 GHz;
Tecnologia: IBM CMOS 0,13 μm, utilizando transistor zero-V
T;
O sc il ad or
18/30
Buffer para adaptar oscilador ao analisador espectro.
Especificações do projeto
Frequência: 2,4 GHz;
Tecnologia: IBM CMOS 0,13 μm, utilizando transistor zero-V
T;
B uf fe r
18/30
Buffer para adaptar oscilador ao analisador espectro.
Especificações do projeto
Frequência: 2,4 GHz;
Tecnologia: IBM CMOS 0,13 μm, utilizando transistor zero-V
T;
A na lis ad or + B ia s T
18/30
Buffer para adaptar oscilador ao analisador espectro.
Layout
Tecnologia: CMOS 0,13 μm Área total: 0,9 mm
2 *19/30
Layout
Tecnologia: CMOS 0,13 μm Área total: 0,9 mm
2 *Área: 0,46 mm
219/30
Sumário
1. Introdução
2. Topologia proposta 3. Análise
4. Projeto de um protótipo integrado 5. Simulações e resultados de medição 6. Conclusões
20/30
Simulação pós-layout
70 60 50 40 30 20 10 0.0
Tempo [ns]
V
OSC[ m V ]
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
-30 -50 -70 -90 -110
P N [ dB c/ H z]
10
310
410
510
610
7Δf [Hz]
V
DD= 40 mV P
DC= 4 μW f
O= 2,12 GHz
21/30
Simulação pós-layout
70 60 50 40 30 20 10 0.0
Tempo [ns]
V
OSC[ m V ]
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
-30 -50 -70 -90 -110
P N [ dB c/ H z]
10
310
410
510
610
7Δf [Hz]
V
DD= 40 mV P
DC= 4 μW f
O= 2,12 GHz
30 mV
21/30
Simulação pós-layout
70 60 50 40 30 20 10 0.0
Tempo [ns]
V
OSC[ m V ]
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
-30 -50 -70 -90 -110
P N [ dB c/ H z]
10
310
410
510
610
7Δf [Hz]
V
DD= 40 mV P
DC= 4 μW f
O= 2,12 GHz
30 mV
*
-91,5 dBc/Hz
21/30
Resultados preliminares de medição
V
DD= 53 mV P
DC= 0,9 μW f
O= 1,86 GHz
-85 -86 -87 -88 -89 -90 -91
-92 1,7 1,75 1,8 1,85 1,9 1,95 2 freq [GHz]
P
OUT[ dB m ]
22/30
Resultados preliminares de medição
Medições on-waffer
Esperamos obter resultados melhores ao fixar o circuito integrado em uma PCB, e utilizar fontes de alimentação de baixo ruído.
23/30
Comparação
Parâmetro [2] [3]a [3]b [4] Este
trabalho
Tecnologia (nm) 130 180 180 180 130
Tensão (mV) 475 600 400 350 53
Frequência (GHz) 4,90 5,60 5,60 1,40 1,86
Potência (mW) 2,70 3,00 1,10 1,46 0,0009
PN (dBc/Hz) -136,2
1-118,0
2-114,0
2-128,6
2-
[2] T. Brown, F. Farhabakhshian, A. Guha Roy, T. Fiez, and K. Mayaram.
[3] H.-H. Hsieh and L.-H. Lu.
[4] K. Kwok and H. Luong.
¹ @ 3 MHz
² @ 1 MHz