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Gamma-ray irradiation and post-irradiation at room and elevated temperature response of pMOS dosimeters with thick gate oxides

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Academic year: 2017

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Fig ures 1(a) and 2(a) rep re sent the DV T  = f(D) de pend ence  dur ing  irradiation of pMOS do sim e ters with a gate ox ide tick of 100 nm and 400 nm, re spec  -tively
Fig ures 3(a) and 4(a) show the be hav ior of DN ft dur ing  ir ra di a tion  for  pMOS  do sim e ters  with  gate  ox  -ide thick ness of 100 nm and 400 nm, respectively
Fig ure 4. The change in the ar - -eal den sity of fixed traps, DN ft , dur ing  (a)  ir ra di a tion,  (b)  spon  ta ne ous  an neal ing,  and  (c)  an  -neal ing at 120 °C for a pMOS do sim e ter  with  ox ide  thick ness of 400 nm

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