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DESIGN, FABRICATION AND RF CHARACTERIZATION OF KA-BAND SILICON IMPATT DIODE

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Academic year: 2017

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Fig. 1 The active layer of a reverse biased p – n junction
Fig. 2. Electric field E(x) profiles of silicon   SDR (p + nn + ) IMPATT Diode
Fig. 29. Bias current Vs Frequency Fig. 30. Typical Ka-band spectrum

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