-
J
OURNAL OFN
ANO-
ANDE
LECTRONICP
HYSICS4
№
3, 03026(4cc) (2012)
Vol. 4 No 3, 03026(4pp) (2012)
2077-6772/2012/4(3)03026(4)
03026-1
2012
c
p
-
n
г г
1,2,
г г
1б г г
11
г г г
,
г
б йб
95007,
б
2
б
г
б зб
95007,
б
Э 31.08гзежзр online 07.11.2012)
г в
б г
: p-n б б
б б б
p-n .
PACS numbers: 71.22._i, 71.23.An
1.
в
в
г
в
в
.
в
в
б
в
г
б
в
б
в
p-n
.
2.
Ц
в
в
б
в
-
г
в
в
.
б
в
в
в
б
мее
-850
[ж]
.
,
б
в
p-n
б
,
[2]
б
г
г
в
б
б
г
б
в
в
г
б
,
в
в
г
«
в
»
б
в
в
-
г
в
в
в
г
б
[3, 4.]
в
б
в
б
в
г
[5,
6]
в
г
г
n-
-
Э
гжЮг
в
–
б
в
б
и [
4]
20 cm
2/c [7].
в
г
.
,
г
.
,
г г
г
-
.
.
4, 03026 (2012)
03026-2
г 1 – p-n
г 2 –
-n
п -
б
–
б
в
не%г
б
з
ебей
ебз
нлк
в
ибл
.
б
б
к%
[йб н]б
г
в
б
ибй ибл
зее
Э
г
3
в
Юг
в
ле%
г
в
Э
г
иб
Юг
нее оее
в
б
ке
ебз
б
ле%
г
г 3 –
- n- в
п -
р –
в
s
б
б
в
в
[нб об же].
в
[жжб жз]б
в
же
19-10
20 – 3г
в
жз%
Э
гз
).
3.
Щ
p-n
в
б
в
[жи]г
p
-
n
…
г
-
.
. 4, 03026 (2012)
03026-3
0( )
( )
,
r
x
x
x
(1)
в
:
( )
x
s( )
x
m( )
x
s( )
x
m( )
x
.
(2)
s+ m+
б
в
s– m–
б
N
PN
Bв
n
n,
p
pб
p
n,
p
n.в
ЭзЮ
п
( )
( )
( ),
0
( )
( )
( ),
0
n n n n
p p p p
x
x
x
я
x L
x
x
x
я
x L
(3)
n
p
г
в
в
Э
г
3).
г 4 – в
0 <
x
<
L
n:
( )
(
( )
( ))
n
x
e
N x
dN x
a(4)
б
N
aconst
б
в
ЭйЮ
п
( )
2
n s a
x
x
e
C erfc
N
Dt
.
(5)
0 <
x
<
L
б
N
a>
N
d,
в
п
( )
2
p a s
x
x
e
N
C erfc
Dt
(6)
в
ЭкЮ ЭлЮб
ке
%
в
в
Э
г
4).
г 5 –
4.
б
в
г
в
б
г
б
в
б
и
20 cm
2/c,
не%
ебей
ебз
в
нлк
0ибл г
б
в
б
к%
б
ибй ибл
зее
г
ле%
г
нее оее
б
ке
ебз
б
ле%
г
в
s
б
же
19–
10
20 –3г
12
%
в
г
б
б
в
в
в
ЭкЮ ЭлЮб
ке
%
в
в
г
г
.
,
г
.
,
г г
г
-
.
.
4, 03026 (2012)
03026-4
The Asymmetry of the Distribution Density Volume Uncompensated Charge at the
Metallurgical p-n Junction
A.S. Mazinov
1,2б гюг Shevchenko
1, M.A. Bykov
11
National Taurida V.I. Vernadsky University, 4 Vernadsky av., Simferopol 95007, Crimea, Ukrane
2Crimean Scientific Center of NAS and MES, 2 Vernadsky av., Simferopol 95007, Crimea, Ukrane
The features of the formation of shallow junction and its calculation for a solar cell based on single-crystal silicon with front boron were considered. The ambiguity of the calculated profiles recompensating impurity, which is dependent on the accuracy of the constants of diffusion equations, was shown.
Keywords: Shallow p-n junction, Doping profile of the crystal, Diffusion activation energy for diffusion,
Density of the charge distribution, Uncompensated charge p-n junction.
і
і
і
і
Ьє
c
і
і
p-n
г г
1,2б гІг
1б г г
11
г г г
,
.
, 4,
б
океемб
2
,
.
, 2,
б океемб
в
. , в
.
і : p-n , , є ,
, , p-n .
1. Solar Cells: Materials, Manufacture and Operation
(Ed. T. Markvart, L. Castafier) (Elsevier: 2005).
2. в
г я ( г
г д г . ). ( п :
1989).
3. г г , в
б п г я г
я
( п п 1989).
4. г б г б г б г б я г
гж ( г гд г ) ( п : 1986).
5. г г , в
( п : 1986).
6. г г , я ( :
- : 1961).
7. г г б г (
г г г б г г ) ( п в
: 1991).
8. г г , я в
Э п п жооз).
9. г , г г ж ( г
гд г ) ( п : 1984).
10. г г , я п
( п : 1991).
11. г г б г г , 39 № 6, 647
(2005) (O.V. Aleksandrov, N.N. Afonin, Semiconductors 39, 615 (2005)).
12. г г б г г б
( п п 1977). 13.D. Redfield, Appl. Phys. Lett.35, 182 (1979).
14. г , я в
( г г г г д г
