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Semiholographic Approach in Calculation of Tunneling Current in Graphene with Deep Impurities

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Academic year: 2017

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Fig. 1 – Electron density of states for graphene with deep impurity: (a) ε 1   0.5 eV, ε 2   0.6 eV; (b) ε 1   0.7 eV, ε 2   0.8 eV  The peaks correspond to the impurity levels
Fig. 3  –  Dependence  of  ballistic  current  on  voltage  for  graphene  with  deep  impurity:  A  –   for  the  different  values  of  impurity  energy:  (a)  ε 1   0.5 eV,  ε 2   0.6  eV;  (b)  ε 1   0.7  eV,  ε 2   0.8  eV;  B – for  the  differen

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