Produção e caracterização de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por descarga...

U N IV E R S ID A D E D E

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P A U L O

IN S T IT U T O D E F is lC A D E S A O C A R L O S

P R O D U C A O E C A R A C T E R IZ A C A O D E F llM E S F IN O S D E S llic lO A M O R F O

H ID R O G E N A D O P O R D E S C A R G A lU M IN E S C E N T E A 6 0 H z

J o s e F e r n a n d o F r a g a / I i

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-T e s e a p re s e n ta d a a o In s titu to d e F is ic a d e S a o C a rlo s , p a ra O b te n ~ a o d o T itu lo d e O o u to r e m F is ic a B a s ic a .

O rie n ta d o r: P ro f. D r. V a n d e rle i S a lv a d o r B a g n a to

I F S C

U n iv e r s id a d e d e S a o P a u lo

In s titu to d e F is ic a d e S a o C a r lo s Fone(0162) 72-6222

Fax (0162) 74-9151

Av. Dr. Carlos Botelho, 1465 Caixa Postal 369

CEP 13560-970 • Sao Carlos· SP Brasil

KEKBROS DA COKISSAO JUlGADORA DA TESE DE DOUTORADO DE

~8S!~ER"'BB ~iIiat~I

APRESEMTADA AO IMSTITUTO DE FISICA DE SAD CARLOS. DA UN IYERS IDADE DE SAD PAUlO. Eft28/10/1994

proi.Dr.F~an[S[odas Cha9~~u~:

f\J ~ "",

m-~\.~.

-~~--

---Pro lair AntonioChitta

~

,.--..

A o m e u p a i V ic e n tin o ( in m e m o r ia n ) ,

Ao meu orientador, Prof. Dr. Vanderlei Bagnato, por todo apoio e amizade dedicados ao longo de todo 0 trabalho.

Ao sempre amigo e companheiro Lino, sem 0 qual este trabalho nao teria chegado ao fim. Nao existem palavras para agradecer sua dedica980 e amizade.

Aos companheiros de sala, em especial ao Gustavo e ao Norio, pela presen~a nos momentos de descontra980 e estudo.

Aos colegas e professores do Grupo de Optica pelo apoio recebido. To my american fellows, Greg Horner and Bob Backes.

To my "american family", Jim Bernard, Sarah Kurtz and little Benjamin for the friendship along the six monhs I lived at Golden.

To my NREL fellows, specially Dick Crandall, Simon Tsuo, Howard Branz, and Mellody, for the support along my stage at NREL.

Aos pesquisadores lituanos Vytas Grivickas e Jonas Kolenda pelo muito aprendido durante a permanencia deles no IFSC-USP.

Aos meus colegas do Departamento de Fisica da UNESP-Bauru, especial mente ao Prof. Humberto Silva e Prof. Carlos Fonzar pela amizade ao longo do ano e meio convivido naquela institui9ao.

A

minha cara amiga Rita David, pela convivencia nas viagens semanais ate Bauru.

Aos novos colegas do Departamento de Fisica da UDESC-Joinville, pelo apoio crucial nos ultimos meses deste trabalho.

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3.6.

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27

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33

35

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37

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D 9 L 9e Yu Wp Yp s p VtV g \r Z [Yp [V Wp Yp p T u WVZ RS p V E A

3.10.

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40

3.11.

S p Yp s [u YR^ p s p VtV fu p [VY

44

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4 -

S P fP S iU fa m P S P d T d g V a b c U g

46

4.1.

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46

F :D :C :a ` e` U` _ Vf e[g [VSVW F L

F :D :D :U ` _ Vf e[g [VSVW_ ` Z d Uf c` . G B

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o Z a Z o Z iU d S p T d T fd lb o S a d U S p C C C

Figura 2.1.

Modelo de DeposiCfao de a-Si:H a partir da Descarga

Luminescente de Silana.

10

Figura 2.2. Modelo de Reayaes

que ocorrem

na

Superficie

do

Substrato envolvendo Radicais.

11

Figura 3.1. Reator com Geometria de Triodo: a) com 0 Substrato no

Terceiro Eletrodo; b) com a Grade do Terceiro Eletrodo Aterrada. 17

Figura 3.4. Esquema das Grades usadas como Eletrodos Ativos no

Processo de Deposi~ao. 31

Figura 3.8. Curva de Resposta Temporal da Temperatura no

Porta-Substrato para Varias Correntes Eletricas que passam Atraves da

F ig u ra

3.9.

Vista Completa do Reator de Descarga Luminescente a

60

Hz usado para a Produyao de a-5i:H.

41

F ig u ra

3.10.

Vista Esquematica do Reator de Descarga Luminescente

a 60 Hz, com Destaque para

0

Painel de Operayoes.

42

F ig u ra 4.1.

Esquema

Experimental

usado

para

medir

a

Fotocondutividade.

50

F ig u r a 4.4. Esquema Experimental para medir 0 Comprimento de

Difusao Ambipolar pela Tecnica S S P G ( S te a d y S ta te P h o to c a r r ie r

G~~m·

~

F ig u r a 4.5. Vista Esquematica da Alimentayao Eletrica (Fonte DC) e

Leitura via L o c k - in para a Medida do Comprimento de Difusao

Ambipolar. No Desenho vemos com Enfase 0 Ponto de Incidimcia dos

dois feixes L a s e r , onde Eventualmente eles se interferem, criando uma

Grade de Periodo A, Perpendicular

a

Direyao x. 70

F ig u r a 4.6. Medida da Condutividade no Escuro e da

Fotocondutividade em Amostras depositadas a 60 Hz em Funyao da

Pressao de Deposiyao: a) para Fluxo de SiH₄ de 10 ml/min; b) para

Fluxo de SiH₄ de 100 ml/min. Em ambos os casos a densidade de

potencia usada foi de 0,01 W/cm2, e a temperatura do substrato usada

Figura

4.7.

Medida da Condutividade no Escuro e da Fotocondutividade em Amostras depositadas a 60 Hz em FunC;Boda

Temperatura do Substrato: a) para Fluxo de SiH₄ de 10 ml/min; b) para

Fluxo de SiH₄ de 100 ml/min. Em ambos os casos a densidade de

potencia usada foi de 0,01 W/cm2, e a pressBo de deposiC;BOusada foi

de 0,5 torr. 74

Figura 4.8.

Medida da Energia de Ativac;ao da Condutividade no Escuro de Amostras depositadas a 60 Hz em Func;ao da Pressao de

Deposic;ao:a) para Fluxo de SiH₄ de 10 ml/min; b) para Fluxo de SiH₄ de 100 ml/min. Em ambos os casos a densidade de potemciausada foi

de 0,01 W/cm2, e a temperatura do substrato usada foi de 150

a c .

7 5

Figura 4.9. Medida de Energia de Ativac;ao da Condutividade no

Escuro de Amostras depositadas a 60 Hz em Func;aoda Temperatura

do Substrato: a) para Fluxo de SiH₄ de 10 ml/min; b) para Fluxo de

SiH₄ de 100 ml/min. Em ambos os casos a densidade de potencia

usada foi de 0,01 W/cm2, e a pressao de deposic;ao usada foi de 0,5

torr. 76

Figura 4.10. Medida do Fator y de Amostras depositadas a 60 Hz em

Func;aoda Pressao de Deposic;ao:a) para Fluxo de SiH₄ de 10 ml/min;

b) para Fluxo de SiH₄ de 100 ml/min. Em ambos os casos a densidade

de potencia usada foi de 0,01 W/cm2, e a temperatura do substrato

usada foi de 150

a c .

7 7

Figura 4.11. Medida do Fator y de Amostras Depositadas a 60 Hz em

Func;ao da Temperatura do Substrato: a) para Fluxo de SiH₄ de 10

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ml/min; b) para Fluxo de SiH

₄

de 100 ml/min. Em ambos os casos a

densidade de potencia usada foi de 0,01 W /c m2 , e a pressao de

deposic;ao usada foi de 0,5 torr. 78

Figura

4.12.

Espectro de Transmissao Caracteristico do a-Si:H na

Regiao de Luz Visivel.

a

Desenho Mostra Todas as Regi6es de

Interesse discutidas no Texto.

82

Figura 4.13. Medida do G a p 6ptico de Amostras depositadas a 60 Hz

em Funyao da Pressao de Deposiyao: a) para Fluxo de SiH₄ de 10

ml/min; b) para Fluxo de SiH₄ de 100 ml/min. Em ambos os casos a

densidade de potencia usada foi de 0,01 W/cm2, e a temperatura do

substrato usada foi de 150

ac.

84

Figura 4.14. Medida do G a p Optico de Amostras depositadas a 60 Hz

em Func;aoda Temperatura do Substrato: a) para Fluxo de SiH₄ de 10

ml/min; b) para Fluxo de SiH₄ de 100 ml/min. Em ambos os casos a

densidade de potencia usada foi de 0,01 W/cm2, e a pressao de

deposiyao usada foi de 0,5 torr. 85

Figura 4.15. Dispositivo Experimental montado para a Tecnica C P M

( C o n s ta n t P h o to c u r r e n t M e th o d ) . 8 9

Figura 4.16. Espectro do Coeficiente de Absoryao Caracterisitico do a

-Si:H obtido pela tecnica C P M ( C o n s ta n t P h o to c u r r e n t M e th o d ) na

Regiao do Infra-Vermelho Pr6ximo. 90

Figura 4.17. Espectro do Coeficiente de Absoryao obtido pela Tecnica

60 Hz com Fluxo de SiH₄ a 10 mllmin; b) para Amostra depositada a

60 Hz com Fluxo de SiH₄ a 100 ml/min; c) para Amostra depositada a

RF. No caso das amostras depositadas a 60 Hz a pressao de

deposi980 usada foi de

0,5

torr, e a temperatura do substrato

170

°e.

96

Figura 4.18.

Medida do Numero de Liga90es SiH e SiH₂ de Amostras

depositadas a 60 Hz em Funyao da Pressao de Deposi98o: a) para

Fluxo de SiH₄ de

10

ml/min; b) para Fluxo de

SiH

₄ de

100

ml/min. Em

ambos os casos a densidade de potencia usada foi de 0,01 W/cm2, e a

temperatura do substrato usada foi de 150

°e.

98

Figura 4.19. Medida do Numero de Ligac;oes SiH e SiH₂ de Amostras

depositadas a 60 Hz em Func;aoda Temperatura do Substrato: a) para

Fluxo de SiH₄ de 10 ml/min; b) para Fluxo de SiH₄ de 100 ml/min. Em

ambos os casos a densidade de potencia usada foi de 0,01 W/cm2, e a

pressao de deposic;ao usada foi de 0,5 torr. 99

Figura 4.20. Espectro de Transmissao no Infra-Vermelho Distante: a)

para Amostra depositada a 60 Hz com Fluxo de SiH₄ a 10 ml/min; b)

para Amostra depositada a 60 Hz com Fluxo de SiH₄ a 100 ml/min; c)

para Amostra depositada a RF. Nas amostras depositadas a 60 Hz a

densidade de potencia usada foi de 0,01 W/cm2, a temperatura do

substrato foi de 170

°e,

e a pressao de deposic;aofoi de 0,5 torr. 100

Figura 4.21. Medida da Taxa de Deposic;ao de Amostras depositadas

a 60 Hz em Func;aoda Pressao de Deposic;ao: a) para Fluxo de SiH₄

de 10 ml/min; b) para Fluxo de SiH₄ de 100 ml/min. Em ambos os

casos a densidade de potencia usada foi de 0,01 W/cm2, e a

D d c p m U2,00, g WV[VS VS rShS VW V Wa ` d[l ` VW S ^ ` decSd VWa ` d[eSVSd S H B c j W^ a f _ UO S`VS rW^ a WcSef cS V` p f T decSe` N S0 a ScS a ]f h` VW p [c₂ VW C B ^ ]]^ [_ O T 0 a ScS a ]f h` VW p [c<sub>2</sub> VW C B B^ ]A ^ [_ :Z ^ S^ T ` d ` d USd` d S VW_ d[VSVW VW a ` eW_ U[S f dSVS X` [ VW B 6 B C< d @C 6 , W S a cWddS`

R U V a e U3,/, m c` a c[WVSVWd V` d g W]Z ` cWd a []^ Wd VWa ` d[eSV` d S 4. c j a ScS a ]f h` VW p [c₂ S C B W C B B ^ ]A ^ [_ 6 U` ^ a ScSV` d U` ^ a []^ Wd

<presentamos neste trabalho uma tecnica altemativa para a obten7ao de filmes

finos de silicio amorfo hidrogenado 'a+Ri8G(, Mos depositamos a+Ri8G em urn sistema

de deposi7ao que utiliza descarga luminescente a baixas frequencias '4. Gz(, Oara

tanto* nos projetamos to do . reator para que este objetivo pudesse ser atingido,

Ns filmes obtidos por nos mostram propriedades opticas e eletronicas bastante

proximas aquelas dos filmes produzidos pela tecnica convencional de descarga

luminescente a nidio+frequencia '/1*34 LGz(, < temperatura do substrato otima para a

tecnica de descarga lurninescente a baixas frequencias esta na faixa /3.+/5. ©B*em

tomo de /..©B menor do que aquela usada para radio+frequencia,

Meste trabalho nos apresentamos medidas das propriedades dos fihnes*

incluindo condutividade no escuro* fotocondutividade* comprimento de difusao

ambipolar* absor7ao no infra+vermelho* e a m optico* e densidade de defeitos de niveis

profundos, Oara realizar parte destas medidas* nos construimos sistemas experimentais

Hn this work we present an alternative technique for producing hydrogenated

amorphous silicon thin films 'a+Ri8G(, Ve deposited a+Ri8G in a low+frequency '4.

Gz( glow+discharge deposition system, Eor this purpose* we designed completely the

She films we produced show electronic and optical properties nearly equivalent

to those of films prepared by the conventional radio+frequency '/1*34 LGz( glow+

discharge technique, She optimal substrate temperature for the low+frequency glow+

discharge technique is /3.+/5. ©B*about /..©B lower than that at radio+frequency,

Hn this work* we report measurements of film properties* including dark

conductivity* photoconductivity* ambipolar diffusion lenght* infrared absorption*

optical band gap* and deep defect density, So do these measurements* we assembled

experimental systems used to characterize a+Ri8G,

a

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444 ss _s1 f f41 6f466666666666 f 6666664 L r- N P N GF

T F D B Q 5

L P U S Q E V D B Q

Rilicio amorfo hidrogenado 'a+Ri8G( e suas ligas tern sido largamente usado como fGme fino semicondutor em aplica7.es tais como cBlulas solares fotovoltaicas* fotoreceptores para eletrofotografia* transistores de filmes fmos para . controle de

mostradores de tela plana* e sensores de imagens, Dste material tern elevado coeficiente de absor7ao optico na regiao da luz visivel e boas propriedades semicondutoras* quer intrinseco* quer quando dopado, Las a sua principal vantagem e que . a+Ri8Gpode ser facilmente depositado* a baixo custo* sobre substratos de quase qualquer forma e tamanho pelo metodo de deposi7ao a partir de vapor quimico assistido por plasma " m h a o i a a o o g o p d cb f d i g b a h s a m l n c d m l o g p g l k , A S C '

-< deposi7ao a partir de vapor quimico assistida por plasma e tambem chamada deposi7ao a descarga luminescente " e h l t c g o b f a n e d ' por causa da visivel luminosidade* que e principalmente resultante da de+excita7ao das especies atomicas e moleculares contidas no plasma, < descarga luminescente e sustentada por processos inehisticos envolvendo 9 impacto de eletrons sobre as especies do plasma* que sao iniciados por eletrons que adquirem energia suficiente do campo eletrico como resultado de sucessivas colisoes elasticas com as moleculas gasosas, Puando urn plasma de silano 'RiG₂₍ e usado*. processo inelastico conduz a especies neutras

reativas* tais como RiG*RiG

_z*

RiG1*Ri

z

G4* G e G w ) e especies ionizadas* tais como

RiG)* RiG

_z

)* RiG₁)* e assim por diante,

< descarga luminescente tern se tornado a tecnica mais comum para a deposi7ao

Ncampo eletrico usado para iniciar . plasma normalmente e urn campo de

nidio+frequencia 'QE( e eventualmente usa+se urn campo de corrente continua 'CB(, 9

objetivo deste trabalho e demonstrar* sob certas condi7.es de press6,o de deposi76,. e

temperatura do substrato* a viabilidade da obten76,o de filmes fmos de a+Ri8G com

qualidade eletronica usando urn campo eletrico altemado de 4. Gz, Ns resultados

experimentais mostram que as condi7.es de deposi76,. usando urn campo eletrico a 4.

Gz* onde obtivemos amostras com excelentes propriedades envolvem temperaturas de

substrato cerca de /..©B abaixo das temperaturas usando+se QE, lsto pode permitir .

uso desta tecnica para depositar filmes fmos de a+Ri8G em substratos altemativos* que

sejam sensiveis a temperaturas acima de /5. B, Tma outra vantagem evidente do uso

de urna tens6,o <B de 4. Gz para produzir . plasma e que podemos toma+Ha

diretamente da rede eletrica que assiste . laborat4rio,

< Re76,. 0 traz urn pequeno hist4rico da pesquisa do a+Ri8Gobtido por descarga

luminescente, Meste capitulo procuramos dar urna vis6,o geral do processo* destacando

os mecanismos envolvidos na deposi76,. de filmes de a+Ri8G,

Ma Re76,. 1 descrevemos . reator de descarga luminescente desenvolvido em

nosso laborat4rio, Mosso objetivo foi a substitui76,. da fonte usual de radio+frequencia

por urna fonte <B a 4. Gz* ate ent6,o n6,o estudada9 com isto pretendemos dar urna

contribui76,. no senti do de introduzir esta nova tecnica de obten76,. deste material

eletronico, Bomo introdu76,. ao projeto do reator* listamos os principais parametros

envolvidos na tecnica e seus possiveis efeitos sobre as propriedades fmais do filme,

Ma Re76,o 2 descrevemos com detalhes as tecnicas usadas para a caracteriza76,.

dos filmes fmos de a+Ri8G, Cuas foram as linhas gerais desta caracteriza76,o8

i( . estudo de propriedades 4pticas* tais como absNr76,. no infra+vermelho e

absNr76,. no visive/* em fun76,. das condi7.es de deposi76,.9

ii( . estudo de propriedades eletricas fundamentais* tais como condutividade no

escuro e fotocondutividade* em fun76,. das condi7.es de deposi76,.9

iii( . estudo de tecnicas e/etro+4pticas especificas para . a+Ri8G* para as

conhecidas como A l k o p a k p O f l p l b r n n d k p L d p f l c ) usada para determinar a densidade de defeitos presentes no e a m de energia* e R p d a c v R p a p d O f l p l b r n n d k p F n a p g k e ) usada para determinar . comprimento de difusao dos portadores no semicondutor,

<inda na Re~ao 2* apresentamos os resultados obtidos em filmes produzidos com nosso reator, Oara que tivessemos urna boa ideia a respeito da qualidade dos

nossos filmes* fizemos urna compara~ao das propriedades de nossos filmes com resultados em filmes produzidos em urn reator do tipo P E , F . l t C g o b f a n e d obtidos no Mational Qenewable Dnergy Kaboratory 'MQDK(*BN*TR<,

Ma Re~ao 3 apresentamos urn quadro resurno das propriedades de filmes finos de a+Ri8Gdepositados a 4. Gz* comparando+as com as de filmes obtidos de forma convencional,

F 6 4 3 C 0

D E C 5 H 4 3 C 5 6 7 :;A 6 F 3 A C E 7 C F D 6 ;3 G 6 4 B :4 3 5 6 5 6 F 4 3 E 8 3 ;H A :B 6 F 4 6 B G 6

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VUbqU;iUkU0 U-NbblmhYWhglY_nbXhjnUgXhY1YYXYihlbmUXhiYeh ikhWYllhXYXYlWUk_U enfbgYlWYgmYU MDU nkgUmYfiYkUmnkUXYlnVlmkUmhXYWYkWUXY230uA. < XhiU_Yf Y

UeWUgtUXUUXbWbhgUgXh-lYWhf WnbXUXhjnUgmbXUXYlfYXbXUlXY\hl\fU Y XbVhkUgU

U

fblmnkU_UlhlUgh kYUmhkiUkUhVmYkUfhlmkUlXhmbih8 hn Xhmbih9 :kYliYWmboUfYgmY.

Cf 1976, U ikbfYbkUWYFneUlheUk nlUgXh lbebWbhUfhk\h abXkh_YgUXh\hb

XYYliYllnkUYXYihlbmUXU,YYgmUhUe_nfUl WYgmYgUlXYUg_lmkhglXYU-NbXhiUXhWhf \6l\hkh )WUfUXUmbih8 / f \fUefYgmY,nkg YeYmkhXhXYUenfbgbh\hb YoUihkUXhlhVkYU

YlmknmnkUV ' M ' R iUkU\hkfUk nkg WhgmUmhXYVUbqUkYlblmYgWbUWhf U WUfUXUR ( ClmU ikbfYbkUWYeneUlheUkfhlmkUoUnkgUY\bWbYgWbUXY2,4 - jnUgXh lnVfYmbXUU UtUhXU

ens lheUk;XYab UmYhl XbUlXYahcYfnbmhmYkglbXh\YbmhiUkUUnkgYgmUkYlmUY\bWbYgWbU, lYgXhjnY WYkWUXYXnUlXYsYgUlXY_knihl gh fngXh mhXhXYlYgoheoYkUfWYeneUlWhf fUbl XY10- XYY\bWbYgWbUXYWhgoYklUh.

V UnkgYgmhgU Y\bWbYgWbUXY WYeneUllheUkYlY Xh XYlYfiYgah XY hnmkhl Xblihlbmbohl

U

VUlYXYlbebWbhUfhk\h abXkh_YgUXhYgoheoYU gYWYllbXUXYXYfYeahkUk Ul ikhikbYXUXYlXYmkUglihkmYXYihkmUXhkYlgYlmYlfUmYkbUbl.<eYf Xbllh, YqblmYf hnmkhlikhVeYfUl gYlmYlfUmYkbUbljnY gYWYllbmUflYkUmUWUXhlUmkUoYlXh kY\fh gUl mYWgbWUlXYXYihlbtUh.Pkg Xhl fUbl bfihkmUgmYlY jnY WYeneUllheUkYlXYU-NbiYkXYf Y\bWbYgWbUjnUgXhYqihlmUl

U

ens, XYobXhUhWhgaYWbXh6 H G M a S; a D G E P G W 'A W S R _ O MJYlmY0 ( WUlh,UY\bWbYgWbUXUlWYeneUlUi6l nkg ehg_h mYfih XYnlh YWhglbXYkUoYefYgmYfYghk Xh jnY A lYn oUehkbgbWbUe.BY\YbmhlfYmUYlmUoYbllbfbeUkYlUh6 H G M a S; a D G E P G W ' A W S R _ O M i,hXYf mUfVYflYkbgXnsbXhlmYkfbWUfYgmYhn ihk bgcYtUhXYihkmUXhkYljnUgXh nfU

Xb\YkYgtUXYihmYgWbUeYeYmkbWUYUiebWUXUgh \befY6.

Pkg hnmkhikhVeYfU Y hVmYkfUmYkbUblWhf VhUl ikhikbYXUXYl

U

mUqUlXY XYihlbtUh ln\bWbYgmYfYgmYYeYoUXUljnY iYkfbmUf U ikhXntUh XY\befYl Whfh nkgU UmbobXUXYYWhghfbWU.<mYU_hkU,U jnUebXUXYXh \befY Y U Y\bWbYgWbUXhl Xblihlbmbohl

XbfbgnYf

U

fYXbXUjnY UmUqUXYXYihlbtUhUnkgYgmU.

DbgUebsUgXhUeblmUXYikhVeYfUl,YqblmYUXb\bWneXUXYYgWhgmkUXUgUXhiU_Yf XY U-Nb:E Y lnUl eb_Ul.<iYgUl A Vhkh Y A \6l\hkh lUh nlUXhl khmbgYbkUfYgmYWhfh XhiUgmYliUkUYlmYlfUmYkbUbl.IYlkgh iUkUYlmYlXhiUgmYl,U Y\bWbYgWbUgU XhiU_Yf Y fnbmh VUbqU;ikhikbYXUXYlYeYmkbWUlbfihkmUgmYlXYfUmYkbUblXhiUXhl, mUblWhfh U XYglbXUXYXYeb_UthYlbglUmnkUXUl,YA mYfih XYobXUYA WhfikbfYgmhXYXb\nlUhXhl ihkmUXhkYllUh fnbmhknbgl7.MYWYgmYfYgmYAUlmbeahG aD PXYfhglmkUkUfUihllbVbebXUXY XYXhiUkU-NbWhf YeYfYgmhlmYkkUl-kUkUl0 jnY ihXYkbU8, WkbUkghoUl ihllbVbebXUXYlXh

< rtodq_z_n cd snc_r drs_r chehbtkc_cdr , _ a_hw_ dehbhdmbh_c_r bdktk_r rnk_qdr+

_ a_hw_ pt_khc_cd c_r khf_r+ _ cdfq_c_x_n hmctyhc_ onq kty+ _r a_hw_r s_w_r cd

cdonrhx_n+ d _ odptdm_ dehbhdmbh_cd cno_fdl , oncd drs_q m_ ldkgnq_ cnr oqnbdrrnr

cd cdonrhx_n- Drsdr cdudl rdq bnmctyhcnr mn rdmshcn cd ldkgnq_q / bnmsqnkdc_ bnlonrhx_n pthlhb_ d c_ pt_mshc_cd cd cdedhsnr cn ehkld cdonrhs_cn-

/

ldsncn tr_cn

m_ cdonrhx_n d nr o_q_ldsqnr tr_cnr mn oqnbdrrn cdsdqlhm_l _r oqnoqhdc_cdr cn Ba

Rh9G+s_hr bnln chrsnqxndr m_r khf_xndr+cdedhsnr onmst_hr+d cdedhsnr m_

lhbqndrsqtstq_-Onq rt_ udy+ drsdr cdedhsnr cdsdqlhm_l _r oqnoqhdc_cdr d0dsq5mhb_rcnr ehkldr+ s_hr

bnln drs_cnr cd cdedhsn oqdrdmsdr dl drs_cnr oqnetmcnr d mnp i ~ cd dmdqfh_+nr pt_hr

khlhs_l _ dehbhdmbh_c_ bnmudqr_n ensnunks_hb_- Drsdr cdedhsnr oncdl s_ladl

cdsdqlhm_q _ l_fmhstcd c_ cdfq_c_8_n hmctyhc_ onq hktlhm_8_n- Drstcnr rhrsdl_shbnr

r_n mdbdrr_mnr o_q_ qdk_bhnm_q_r bnmch8/dr cd cdonrh8_n _r oqnoqhdc_cdr cd

cdedhsnr-< mdbdrrhc_cd cd dmsdmcdq_r bnmch8/dr cd cdonrh8_n bnln tqm oqd,qdpthrhsn mn

ldkgnq_ldmsn c_r oqnoqhdc_cdr cn ehkld d _ q_y_n o_q_B hmsdqdrrdptd _kftmr fqtonr

sdqmmn ch_fmnrshbncn ok_rl_- Dwhrsds_ladl _kftqm drenq8/ mn rdmshcn cd cdrdmunkudq

ldsncnr cd cdonrh8_n _ksdqm_shunrbnl B naidshun cd dkhlhm_q_kftmr cnr oqnakdl_r

kdu_ms_cnr_bhl_-Dlanq_ nr ldsncnr cd cdonrh8_n bnmudmbhnm_hrtr_mcn cdrb_qf_ ktlhmdrbdmsd

sdmg_l oqnctyhcn ehkldr cd Ba = Jo 4 cd an_ pt_khc_cd+ dkdr odqlhsdl lthsn ontbn

bnmsqnkdrnaqd / oqnbdrrn cd cdonrh8_n- _r o_q_ldsqnr cd cdonrh8_n ptd oncdl rdq

tr_cnr o_q_ cdonrhs_q ehkldr cd dkdu_c_ pt_khc_cd drs_n hmsdqqdk_bhnm_cnrd _

nshlhy_8_n cd b_c_ tqm qdrhcd dl tl_ e_hw_a_rs_msd drsqdhs_-Bnln bnmrdptdmbh_

cdrs_ odqc_ cd bnmsqnkd+ontbnr ldkgnq_ldmsnr enq_l edhsnr _ o_qshqcdrs_ sdbqtb_ o_q_

_ rnkt8_n cnr oqnakdl_r khrs_cnr _bhl_- <kdl chrsn+ onq b_tr_ c_ bnlokdwhc_cd cn

oqnbdrrn+ dwhrsdl _hmc_lths_r ptdrsndr qdk_bhnm_c_r_nr ldb_qtrlnr cd bqdrbhldmsn

m_ cdonrh8_n onq cdrb_qf_ ktqmhmdrbdmsd-<rrhl+

d

hlonqs_msd hmudrshf_qldsncnr _ksdqm_shunrcd cdonrh8_n ptd onrr_l ldkgnq_q _ pt_khc_cd cnr ehkldr cd _,Rh9G d rt_r

khf_r+_tqmdms_qB dmsdmchldmsncnr ldb_qtrlnr cd bqdrbhldmsn cn ehkld+ d odqlhshq

qdrodhsncd oqnbdrrnr _ksdl_shunr cd cdonrhz_n cd _,Rh9Gd rt_r khf_r enh drbqhsnonq

Srtn d Ktes

L :

4 1 4 1N b a e a V p a b D e V d j8 p q e _ l

Tl_ u_qhdc_cdcd ldchc_r cd ch_fmnrshbn+

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pt_khc_cdcn ehkld+qdrodbshu_ldmsd-/ ok_rl_ m_nenhnaidsn cd drstcn cdrs_ Sdrd+cd

enql_ ptd bhs_qdlnr _pth _odm_r _r sdbmhb_rl_hr tr_c_r dl

rt_

b_q_bsdqhy_z_n-Pt_msn _ pt_khc_cd cn ehkld+_ Rdz_n 3 d snc_ d0_ cdchb_c_ _r sdbmhb_ronq mnr

tshkhy_c_ro_q_ drs_

b_q_bsdqhy_bq_n-<r ldchc_r cd ch_fmnrshbn cn ok_rl_ s y • s Z[ hmbktdl _ drodbsqnrbnoh_ cd l_rr_

: 8 2 F I _ drodbsqnrbnoh_ cd dlhrr_n noshb_: : 2 = F I _ drodbsqnrbnoh_ cd _arnqbq_ncd e_rd

f_rnr_+ _ drodbsqnrbnoh_ bndqdmsd Q_l_m _msh,Rsnjdr (1 0< = F I d _ ektnqdrbdmbh_

hmctyhc_ onq k_rdq: 7LGL Nauh_ldmsd+ _ drodbsqnrbnoh_ cd l_rr_ d _ drodbsqnrbnoh_ cd

dlhrr_n noshb_ r_n _r l_hr tshkhy_c_rcduhcn _ e_bhkhc_cdmn

_qq_mindwodzdms_k-< drodbsqnrbnoh_ cd l_rr_ d tr_c_ o_q_ ldchq hnmrd drodbhdr mdtsq_r mn ok_rl_:

tqm drodbsqnldsqn cd l_rr_ cd pt_cqtonkn chronmhudkbnldqbh_kldmsd+ bnmrhrshmcncd

tqm hnmhy_cnq+tqm pt_cqtonkn cd l_rr_+ d cd tqm cdsdsnq+d fdq_kldmsd tr_cn onq b_tr_

cd rt_ dkdu_c_ rdmrhahkhc_cd+mhohc_u_qqdctq_+an_ qdrnktbq_n+drb_k_ khmd_qcd l_rr_+ d

odptdmn s_l_mgn- O_q_ldkgnq_q _ rdmrhahkhc_cdd ldchq drodbhdr ontbn _atmc_msdr mn

ok_rl_+ d onrrhudk tr_q tqm hnmhy_cnq cn shon edhwd cd dkdsqnmr bnqqehm_cn

l_fmdshb_ldmsd d tqm drodbsqnldsqn cd l_rr_ trt_k: mdrsd b_rn+ _kb_mbq_,rdtqm_

oqdbhr_n cd 0 q_chb_kdl 0/5 _{lnkdbtk_r cd RhG}

3HN-< drodbsqnrbnoh_ cd dlhrr_n noshb_ m_r qdfhndr uhrhudk d tksq_,uhnkds_ d

bnltqmdmsd tr_c_ o_q_ cdsdqlhm_q _ oqdrdmbq_cd drodbhdr mdtsq_r d hnmhb_r mn

ok_rl_k d6< oqhmbho_ku_ms_fdl c_ a L c d ptd dk_ m_n odqstqa_ B ok_rl_+ d s_ladl

oncd rdq tr_c_ o_q_ lnmhsnmh,Hnpt_mcn d cdrdi_udk nasdq bnmchbndr qdoqnctshudhr o_q_

n ok_rl_- Bnmstcn+ _ I L c enldbd _odm_r c_cnr rdlhpt_mshs_shunr rnaqd _r

dwbhs_bq_n-N espectroscopia de absor~ao pode ser usada para identificar urn grande nfunero de moleculas estaveis em urn gas, Tma possibilidade e a utiliza~ao de urn laser de diodo sintonizavel na regiao do infra+vermelho para a detec~ao sensitiva e seletiva de

especies,

N espectroscopia coerente Qaman anti+Rtokes: s r 78 F e excelente para medir a

distribui~ao espacial de moleculas neutras* mesmo na presen~a de urna forte emissao de fundo proveniente do plasma, Dta pode ser usada para medir as concentra~oes de RiG~e G0 durante . processo de descarga luminescente de silana,

N fluorescencia induzida por laser : 5 ? 1 Fe urna forma de medir a distribui~ao das

especies neutras no plasma, Dla oferece urna grande resolu~ao espacial* maior sensibilidade e melhor seletividade do que a 6 08 d N 5 ? 1 pode detetar especies

complementares aquelas detetadas por A ; P R ) como por exemplo Ri e RiG,

6 3 7 3 O c a _ ie n g jn F iq jfq e b jn i_ E c ljn e D _ j b c _ 2 T e A I

Dxistem quatro estagios na forma~ao do a+Ri8Ga partir de urna descarga eletrica

em urn reator contendo silana, . primeiro* 9 processo de impacto de eletrons* e a dissocia~ao colisional primaria da silana* resultando em urna mistura de especies reativas consistindo de ions e radicais livres, . segundo estagio e a difusao ou arraste destas especies ate a superficie do substrato* acompanhada por urna multiplicidade de rea~oes secundarias envolvendo ions+moleculas* f4tons+moleculas* etc, . terceiro estagio e a rea~ao das especies do gas ou plasma com as suas adsor~oes na superficie do substrato, . quarto estagio e 9 processo pelo qual estas especies ou seus produtos de rea~ao incorporam+se no filme em crescimento* ou saC re+emitidos da superficie do substrato para a fase gasosa,

Jampas/0 _{estabeleceu que . processo de deposi~ao basico e a inser~ao de RiG} 0

nurna liga~ao Ri+Gpara produzir urn grupo excitado RiG₁ligado a urn atomo de silicio, <tomos de hidrogenio podem entao ser eliminados por urna variedade de formas9 por

exemplo*. grupo RiG₁liga+se a urna liga~ao insaturada para formar urn grupo Ri+RiG₁

Fallagherl1 _{fomeceu urn modelo para a deposi~ao de = a 8 Ao 3 a partir de silana}

pelo processo de descarga luminescente* como mostrado na Eigura 0,/, e na Eigura 0,0 ,, Ma Eigura 0,/, os processos de colisao envolvendo eletrons sao mostrados por

setas grossas* os processos envolvendo colisoes gasosas por setas mais fmas* e . transporte entre 9 gas e a superficie pelas setas mais fmas, <s rea~oes quimicas sao iniciadas por colisoes entre eletrons e moleculas de silana* produzindo ions e radicais neutros, Bolisoes sucessivas destes ions com moleculas de silana convertem estes ions em ions ainda mais pesados* em competi~ao com a velocidade de arraste dos ions para os eletrodos, . resultado destas rea~oes sob condi~oes tipicas e a significante* mas nao muito grande* fra~ao de ions ' multiplos de Ri( mais pesados, Re os ions mais pesados fossem produzidos em grandes quantidades* eles continuariam a crescer atraves da intera~ao entre ion+molecula*ate que eles nucleassem em particulados que destruiriam a qualidade do filme em deposi~ao, Oara impedir tal nuclea~ao*uma pequena distancia

eletrodo+substrato e desejada,

Ns radicais neutros reagindo com moleculas de silana conduzem a vanos processos, . mais importante e aquele em que 9 radical neutro dominante produzido pelo eletron inicialmente excitado 'hidrogenio atomico(* e convertido em radical RiG1

pela rea~ao com a silana, <o mesmo tempo* it pressoes de deposi~ao tipicas '.*/+/*.

torr(* os radicais RiG*RiG₀ e Ri reagem com moleculas de silana e hidrogenio para formar radicais di+silana e di+silicio*antes de atingirem a superficie do substrato, . resultado destas rea~oes envolvendo radicais neutros e da produ~ao de RiG1 pela

rea~ao ionica e a difusao do radical RiG₁para a superficie, <ssim* . radical RiG₁e .

Entrada

SiH •• SiH ••

Eletron~ ....- ...--...--1

Ions Radicais

I

~

Njt os ~ Bombeio

. • Colisoes Si ~ H 1Ii

_.l...

H2

S IHn •• --- - - r ' SiH

I'"

.

Si.2H~« SiH2••

_.~~---ff+

SI3Hn

4J

SiH -'Si H •• , Si H • Bombeio

Si"'" 2 n , 2 e . \

Radicais . (. ~

"Ilsputt7redll Olfusao .

• Arraste d~, ., (principalmenteSiH ) Si •. SIH3 , •

Ions para a Superflcle ~ 3 Rea~ao no Supjtrflcle

(principalmente SiHjl H H , H • H

CclnadaSuperficialH, ~ HJ)f H,sIJH H,sl)f~SI.Ji

H IS Alta H-Si H ~.. • ~

_____ H'_~~

!Vo---'---I----·~I

SI- Film.

Inter;ior~o Filme'Si - Si ~ /Si--~k,. __ Si, / \

HIS. BaIXO Si/.H'Si "'" Si-Si 'Si Si "Si---H si Si / " r' / " / "/,, /" ".

, . r " ,

Si S. Si-Si Si Si " S. S. S.

,/ / ,,/ 'Si Si/ 'Si/ 'SV

Radicais ejetados da superficie do substrato por bombardeamento de ions adicionam-se aqueles produzidos pela quimica do gas, e em certas condi90es SaD a fonte de radicais dominante. Di-silana e produzida na descarga luminescente de silana por rea90es superficiais de dois radicais SiH3. A fonte primana da molecula de

hidrogenio e a conversao de dois radicais SiH ligados a superficie em liga90es Si-Si

com a libera9ao de H2.

Na superficie do a-Si:H quase todas as liga90es superficiais estao presas a atomos de hidrogenio. Sob condi90es de descarga tipicas, apenas I em I()4 ou 105

destas liga90es envolvendo silicio SaD insaturadas (sem urn atomo de hidrogenio).

Assim, a produ9ao de fHmes de a-Si:H ocorre predominantemente pela rea9aO de radicais SiH com a superficie de silicio passivada por atomos de hidrogenio13.

Urn modelo da deposi9ao inicial na superficie do substrato e mostrado na Figura 2.2.13. Qualquer radical SiH2 ou outros radicais com mais de uma liga9ao insaturada

incorporar-se-ao imediatamente no filme de silicio coberto com hidrogenio. POToutro

I

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S C -

SERVI<;O DE BIBLlOTECA E INFQRvA~AO

_.'""'-la d o , 0 ra d ic a l S iH₃ n a o p o d e in c o rp o ra r-s e d ire ta m e n te

a

lig a ~ a o S iH , m a s p o d e

re m o v e r u rn a to m o d e h id ro g e n io p a ra p ro d u z ir S iH₄ e u m a lig a ~ a o in s a tu ra d a n a

s u p e rfic ie . U rn o u tro ra d ic a l S iH₃ m ig ra n d o a o lo n g o d a s u p e rfic ie o u v in d o

d ire ta m e n te d o g a s , p o d e e n m o in c o rp o ra r-s e n u rn a lig a ~ a o in s a tu ra d a . S e g u in d o 0

p a s s o in ic ia l d e in c o rp o ra ~ a o d o ra d ic a l S iH3 n a s u p e rfic ie c o m u rn a im ic a lig a ~ a o S

i-S i, d o is ra d ic a is S iH₃ p o d e m fa z e r lig a ~ o e s S i-S i a d ic io n a is , lib e ra n d o H_{2 .} E s te

p ro c e s s o re q u e r q u e o s d o is a to m o s d e S i te n h a m a p ro x im a d a m e n te 0 e s p a ~ o e a

m o rfo lo g ia d e u rn c ris ta l, p a ra q u e a lib e ra ~ a o d e h id ro g e n io to m e -s e e x o te rm ic a .

A s s im , a te n d e n c ia e 0 c re s c im e n to d e e s tru tu ra s p r6 x im a s a c ris ta is . A ta x a s d e

d e p o s i~ a o e le v a d a s , a e lim in a ~ a o d e h id ro g e n io p o d e s e r im p e d id a p e la e n g lo b a ~ a o d a s

s u p e rfic ie s c o b e rta s p o r h id ro g e n io , 0 q u e re s u lta n a fo rm a ~ a o d e v a z io s 16 .

£

SiH₄+b.B.A

~I

S E C A O

3

C O N S T R U C A O E O P E R A C A O D O R E A T O R D E D E S C A R G A

L U M IN E S C E N T E A B A IX A S F R E Q U E N C IA S

3 .1 . I n tro d

u~ao

o

objetivo desta Se~ao

e

mostrar a viabilidade da constru~ao de urn reator de

descarga lurninescente usando como fonte produtora do plasma urn transformador de

aha vohagem funcionando a 60 Hz~ a fim de produzir filmes finos de silicio amorfo

hidrogenado (a-Si:H) de qualidade eletronica.

A produ~ao de a-Si:H e suas ligas em urn reator de descarga luminescente ( g l o · w

d i s c h a r g e ) pelo processo de deposi~ao a partir de vapor quirnico ( C h e m i c a l V a p o u r

D e p o s i t i o n - C V D ) introduz riscos potenciais associ ados com a rnanipula~ao de gases

cornprimidos, toxicos, piroforicos, e inflamaveis, tais como silana, fosfina, diborana,

gennana, hidrogenio, argonio e nitrogenio.

A

exce~ao da gennana, para todos os

dernais gases nos projetamos e instalamos as linhas de gases dos cilindros ate 0reator.

No projeto de constru~ao do reator, todos os esfor~os foram tornados para

eliminar ou reduzir 0 risco da rnanipula~ao destes gases, durante a sua opera~ao e

rnanuten~ao.

A seguir, descreverernos 0 projeto de urn sistema de deposi~ao, dando enfase

aos principais parametros que devern ser levados em conta neste projeto. Por fun,

faremos urn relato completo das etapas de constru~ao do reator de descarga

luminescente a 60 Hz, e de todo 0 sistema auxiliar usado para a deposi~ao de filmes

finos de a-Si:H.

3 .2 . 0 P r o je to d e u m S is te m a d e D e p o s iC a o

Urn sistema de deposi~ao a plasma, como qualquer sistema de deposi~ao a partir

de vapor quimico, consiste geralmente de vanos subsistemas funcionais, tais como 0

bombeamento de alto vacuo, 0 sistema de efluencia de gases, e 0 circuito eletrico para

a gera~ao do plasma, seja e1eAC ou DC.

Na fabrica9ao de dispositivosp - i - n tres tipos de reatores tern sido usados:

i)urn reator de urna Unicacamara,

ii) urn reator do tipol o a d - l o c k com urna imica camara,

iii) e urn reator do tipo multicamara.

o

reator de urna imica camara e 0 mais simples, e consiste de uma imica camara

de deposi~ao, a qual

e

aberta a cada cicIo. Obviamente, este tipo de camara traz

problemas para 0 produto final obtido, principalmente no que diz respeito

a

contamina~ao. Uma possivel solu~ao para este problema e 0 uso de urna jaula de a~o

inoxidilvel totalmente fechada dentro da qual 0 substrato e colocado17, e onde ocorre a

descarga luminescente. 0 problema da contamina~ao e minimizado porque apenas urna pequena fra~ao da superficie da jaula e exposta ao plasma. Alem disso, 0 aquecimento

externo reduz a contamina~ao por desgaseifica~ao. Outra caracteristica deste projeto inclui a boa uniformidade de deposi~ao, sem qualquer acurnula~ao particular.

o

reator do tipo l o a d - l o c k1 8 e similar ao sistema de urna Unica camara~contudo, a

adi~ao de urn sistema l o a d - l o c k providencia 0 acesso it. camara principal sem a quebra do vacuo, ja que neste projeto existe urna pre-camara. A transferencia do substrato da

pre-camara para a camara principal e feita em pressoes da ordem de 0,5 torr em atmosfera de argonio~ apos 0 fechamento da valvula de contato entre estas duas camaras, urn fluxo de silana prepara a camara de processo para a sequencia de deposi~ao~apos a deposi~ao a camara de processo recebe urn fluxo de argonio a 0,5

torr, a valvula de contato e aberta, e a transferencia do substrato para a pre-camara e executada. Em urn sistema l o a d - l o c k tipico a camara principal e aberta para limpeza apos cerca de 30 deposi~oes~0 nivel mais elevado de impurezas depositadas na

amostra e observada na primeira deposi~ao apos a limpeza~isto pode ocorrer devido it.

o

reator de descarga luminescente com multicamaras19 consiste de urna sucessao

de camaras em sene, urna isolada da outra por vaIvulas. Em cada camara urn tipo

diferente de filme amorfo

e

depositado; a vantagem 6bvia

e

que 0 nivel de

contamina9ao

e

bastante reduzido neste sistema.

No projeto de urna camara de deposi9ao

e

necessario considerar alguns fatores, tais como a geometria dos eletrodos, 0 padrao de fluxo de gases e 0 projeto do

aquecedor; outras caracteristicas de projeto importantes sao as paredes quentes, as

pequenas distancias entre os eletrodos, 0 tamanho dos eletrodos, a elimina9ao das

regi5es de campo elevado, a sele9ao na frequencia de excita9ao e a aplica9ao de uma

tensao de polarizac;ao DC de controle. Todas estas caracteristicas de projeto ou de

processo podem afetar a qualidade do fUme. Dado que existem nurnerosas variac;oes e

considerac;oes de engenharia no projeto de urn sistema de deposic;ao a discussao sera

aqui limitada aqueles fatores que estao diretamente relacionados com a fisica e a

quimica do filme crescido.

3 .2 .1 . A G e o m e tr ia d o s E le tr o d o s

o

projeto do eletrodo e importante porque ele afeta as reac;oes entre eletrons e

moleculas gasosas, 0 transporte de especies geradas no plasma para 0 substrato, e as

reac;oes secundarias no substrato, e isto po de afetar a qualidade resultante do filme. Os

sistemas de deposic;ao de a-Si:H usuais usam urn projeto de reator do tipof l a t - b e d com

eletrodos intemos. Reatores tubulares com eletrodos extemos acoplados indutivamente

foram usados nos primordios da pesquisa em a-Si:H1.2. Contudo, reatores tubulares

saD dificeis de ser adaptados para a produc;ao industrial. Vma geometria de eletrodos

na forma de triodo com a aplicac;ao de urna tensao de polarizac;ao pode minimizar 0

dano pelo bombardeamento de ions no crescimento dos filmes. 0 confmamento do

plasma, por grades aterradas ou campos magneticos, minimiza a contamina~ao do

filme a partir das paredes, e pode prover urn campo eletrico mais uniforme. Reatores

com dois eletrodos sao chamados de reatores diodo, e reatores com tres eletrodos saD

Em reatores diodo 0 eletrodo que contem 0 substrato sobre 0 qual 0 filme e

depositado e tipicamente 0 eletrodo aterrado. A area combinada do eletrodo aterrado e

das paredes da camara aterradas e geralmente muito maior do que a area do eletrodo

carregado. Como resultado desta geometria assimetrica e pelo fato da mobilidade do

eletron ser muito maior do que a mobilidade dos ions, as duas regioes dos eletrodos

terao diferentes quantidades de queda de potencial, 0 que acelera ions na dire~ao dos

eletrodos e e1etrons para longe deles. A maior queda de potencial aparece no eletrodo carregado, 0 qual e mais negativo em relayao ao eletrodo aterrado. Esta e a razao pelo

qual 0 eletrodo carregado e frequentemente chamado de catodo e 0 eletrodo aterrado

de anodo. 0potencial aterrado e sempre negativo em rela~ao ao potencial do plasma, e entao a superficie do substrato sobre 0 eletrodo aterrado sofre 0 bombardeamento por

ions positivos.

As taxas de deposi9ao para substratos colocados no catodo sao sempre maiores do que as taxas de deposi9ao anodicas, porcausa da auto-polariza9ao negativa. Isto e consistente com 0 fato de que a gera9ao de radicais neutros toma lugar proxima ao

catodo.

No reator diodo os ions produzidos na descarga sao acelerados em regioes de campo elevado no plasma e bombardeiam a superficie do filme em crescimento. Para impedir 0 dano no filme pelo bombardeamento de ions positivos, uma tela catodica

(aterrada) e algumas vezes adicionada proxima ao substrato. Filmes crescidos sobre 0

catodo experimentam mais bombardeio de ions do que filmes depositados sobre 0 anodo aterrado. Filmes catodicos geralmente contem menos hidrogenio do que filmes anodicos, e uma pequena fra9ao esta na forma de grupos di-hidretos ou poli-hidretos;

este fato e atribuido ao efeito do bombardeamento de ions sobre os di-hidretos no filme em cresciment020.

o

uso de uma grade ou a configura9ao de triodo e1imina eficientemente 0

bombardeamento de ions sobre 0 filme em crescimentol3. Na geometria de triodo dois

bqdrbhcn-< sdmr_ncd onk_qhy_z_nd _okhb_c_dmsqd

/

lncn

d

/

sdqbdhqndkdsqncn-<

Ehftq_ 2-0-a- lnrsq_ tqm _qq_minmn pt_k / sdqbdhqndkdsqncn

d

tqm_ fq_cd ptd drs_

_sdqq_c_+d / rtarsq_sn

d

bnknb_cn rnaqd / _mncn ptd oncd drs_q rtaldshcn

_ tqm_

sdmr2/ cd onk_qhy_

x

2n CB dl

qdk_

x

2/

hs

fq_cd: bnl

drs_ bnmehftq_

x

2n /

anla_qcd_ldmsn cd hnmr

d

_sd

C B B B

udydr ldmnq cn ptd m_ bnmehftq_k:_ncd

chncn-Cdodmcdmcnc_ sdmr_ncd onk_qhy_z_n_okhb_c_+hnmr(drodbh_kldmsdnr l_hr odr_cnr)

oncdl rdq dwsq_hcnrcn ok_rl_ _sq_udrcd tqmonsdmbh_k

mdf_shun_okhb_cn_n rtarsq_snz

_rrhl+ hnmrRhG

₂4

oncdl _kb_mz_q

/

rtarsq_sn+_n o_rrn ptd nr l_hr kdudr

c 4

o_q_l m_

fq_cd-M_ _trdmbh_cd tl_ fq_cd cd sqhncn+_ eq_x_ncd q_chb_hrhmhbh_kldmsdoqnctyhcnr ptd _kb_mx_/ rtarsq_sn _msdrcd qd_fhqd hmcdodmcdmsdc_ oqdrr_n m_b_l_q_ cn

qd_snq-Sdk_r a_rs_msdsq_mro_qdmsdrtr_c_r _ tl_ odptdm_ chrs_mbh_cn rtarsq_sn+bnl tl_ qdcd ehm_(o_q_ hlodchq hmgnlnfdmdhc_cdr) oncdl rdq tr_c_r o_q_ nasdq s_w_r cd

cdonrhx_nqdk_shu_ldmsddkdu_c_rD C_:

` dro_x_ldmsn dmsqdnr dkdsqncnr_eds__ pt_khc_cd cn ehkld cdonrhs_cn onqptd dkdkhqmhs__ chrs_mbh_ptd nr q_chb_hruh_i_l _msdrcd _kb_mx_q_ rtodqehbhdcn ehkld dl bqdrbhldmsn+d dkd cdsdqlhm__ sdmr_ndkdsqhb_cd rtrsdms_x_nc_ cdrb_qf_ _sq_udrc_

Kdhcd O_rbgdm11-Drs_ kdh_elm_ ptd _ sdmr_n cd rtrsdms_x_n c_ cdrb_qf_ d tl_ etmx_n cn oqnctsn c_ oqdrr_n cnr f_rdr dmunkuhcnrmn oqnbdrrn odkn dro_x_ldmsn dmsqdnr dkdsqncnr-Tl_ sdmr_ndkdsqhb_khfdhq_ldmsdrtodqhnq _ptdk_ mdbdrr_qh_o_q_

rtrsdms_q_ cdrb_qf_ d shohb_ldmsdtr_c_ o_q_cdonrhs_q_,Rh9Gcd

_ks_pt_khc_cd-Dro_x_ldmsnr dmsqd0 d 4 bl r_n shohb_ldmsdtr_cnr m_ cdonrhx_n cd _,Rh9Gz dro_x_ldmsnr ldmnqdr cn ptd 0 bl r_n hmcdrdihkudhronqptd dkdr b_tr_l tl_

cdonrhx_nm_n,tmhenqldrnaqd _ _qd_cn

rtarsq_sn-5 1 4 1 4 1S b jp V l a b n ` ]Sc[j Sl S` a b C ljq o lg b

_eds_

/

shon d _r oqnoqhdc_cdrcd _cdr_n cnr oqdbtqrnqdr: dk_ _eds_oqhmbho_kldmsd

_r

oqnoqhdc_cdrcn ehkld odkn bnmsqnkdc_ dwsdmr_nd c_ dmdqfh_cnr anla_qcd_ldmsnr

cd

hnmrd dkdsqnmrctq_msd

B

bqdrbhldmsncn ehkld- Tl_ sdmr_ncd onk_qhy_z_nmdf_shu_d

lncdq_c_+ dwsdl_ldmsd _okhb_c_nt _tsn,hmctyhc_ odk_ fdnldsqh_ _rrhldsqhb_ cnr

dkdsqncnr+ldkgnq_ _r oqnoqhdc_cdrdkdsqhb_rd drsqtstq_hr cnr ehkldr cd _,Rh9G-Hrsn

nbnqqdonqptd

/

anla_qcdhn lncdq_cn cd hnmr+b_tr_cn onq tqm_sdmr_ncd onk_qhy_z_n

mdf_shu_+oncd qdlnudq rhshnrcd cdedhsnr_rrnbh_cnr bnl _ khf_z_n RhG

_112-13-14-

<kdl

chrrn+ dl cdonrhzndr cd cdrb_qf_ CB tr_mcn rhk_m_otq_+ tqm _tqmdmsnm_ dmdqfh_cd

anla_qcd_ldmsn

cd hnmr (oqhmbho_kldmsdRhG

₂4 0

e_unqdbd _ enql_z_n cd ehkldr

hrnsqnohbnrd gnlnfdmdnr cd _ks_cdmrhc_cd+bnqqdk_bhnm_cnrbnl _ oqdcnqmhllbh_cd

khf_zndr cd lnmn,ghcqdsnr15- Bnmstcn+/ anla_qcd_ldmsn dwbdrrhun cd hnmr d

dkdsqnmr16_{oncdl sdqdedhsnrc_mnrnr rnaqd _ pt_khc_cd cn ehkld- < rdfthq+tl_ aqdud}

cdrbqhz_ncnr u_mnr dedhsnrcd tl_ sdmr_ncd onk_qhy_z_nrnaqd _ s_w_cd cdonrhz_n+_ cdmrhc_cdcd • ~ s y • - _ q_y_nch,ghcqdsnrklnmn,ghcqdsnrd rnaqd _ dehbhdmbh_

m_cno_fdl-e` V` S _ ` Vo

rf TdecSe`

s WcUW[l

Z ]Wec` l l l Q p

U Se` V`

l Sl l ]Sd^ S

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S _ ` V`

Dl tqm qd_snqcd cdrb_qf_ ktlhmdrbdmsd _ QE+rhl-dsqhbn+dkdsqncnrbnl fdnldsqh_

cd chncn tr_mcn o_qdcdr ptdmsdr

) r z Z ] i v v • ,

pt_mcn

0//%

cd rhk_m_

d

tr_c_+ _ s_w_cd

cdonrhP_n chqmhmth

cd 1+2 ml.r _

,00/

U CB cd onk_qhy_P_no_q_

0+8

ml.r pt_mcn m_n

g_ onk_qhy_x_nd o_q_ 0+4mlHr _ *7/

U17-

Dl tqm qd_snqbnl fdnldsqh_ cd sqhncn+_

s_w_cd cdonrhx_n chlhmth cd

0

mlHr _ ,4//

U

CB o_q_ /+2 mlHr _ /

U18-

Pt_mcn tqm_

sdmr_n cd onk_qhy_x_nmn rtarsq_sn mdf_shu_dl qd0_x_n_n lncn

d lncdq_c_ (,4/ _ ,

04/

U)+ _ pt_khc_cd cn ehkld ldkgnq_- Onq ntsqn k_cn+tqm_ sdmr_n cd onk_qhy_x_ncd ,

0//

U qdrtks_ dl tqm fq_mcd _tqmdmsnm_bnmctshuhc_cd mn drbtqn d tqm_chlhmthx_n m_

ensn,rdmrhshuhc_cd-n

dedhsn cd tqm_ sdmr_n cd onk_qhy_z_nrnaqd _ cdmrhc_cd cd • ~ s y • cdodmcd c_

cdmrhc_cd cd onsdmbh_ c_ QE dl tqm qd_snq bnl fdnldsqh_ cd chncn-

<

a_hw_r

onsdmbh_rcd QE m_n dwhrsdchedqdmz_m_ cdmrhc_cd cd • ~ s y • pt_mcn gbhnt m_n tqm_

sdmr_n cd onk_qhy_z_n_okhb_c_:onq ntsqn k_cn+_ tqm_ cdmrhc_cd cd onsdmbh_dkdu_c_+

pt_mcn m_n gbhtqm_ sdmr_n cd onk_qhy_z_n_ cdmrhc_cd cd • ~ s y • _tqmdms_cd tqm e_snq

0// dl bnlo_q_z_n bnl _ rhst_z_n cd a_hw_ cdmrhc_cd cd onsdmbh_+_n o_rrn ptd _

cdmrhc_cd cd • ~ s y • odql_mdbd bnmrs_msd m_ bnmchz_n cd sdmr_n cd onk_qhy_z_n

mdf_shu_2/-n

dedhsn cd tqm_ sdmr_n cd onk_qhy_z_n rnaqd / sdnq cd ghcqnfdmhn d lthsn

odptdmn+ d _ q_y_n ch,ghcqdsn.lnmn,ghcqdsn _tqmdms_cd /+4 o_q_ /+74 pt_mcn _ sdmr_n

cd onk_qhy_z_n_tqmdms_cd / o_q_ 40// U- <kdl chrrn+ tqm_ sdmr_n cd onk_qhy_z_n

mdf_shu_e_unqdbd _ khf_z_n cd lnmn,ghcqdsnr+ dmpt_msn ptd tqm_ sdmr_n cd onk_qhy_z_n

onrhshu_ e_unqdbd _ enql_z_n cd ch,ghcqdsnr20- O_q_ _ fdnldsqh_ cd sqhncn _ pt_khc_cd

cn ehkld (o_q_ cdonrhz_n tr_mcn rhk_m_)d ldkgnq_c_ onq tqm_ sdmr_n cd onk_qhy_z_n

mdf_shu__bhl_ cn lxdk cd sdmr_n 5shln: tqm _bqdrbhln _chbhnm_km_ sdmr_n mdf_shu_

(_kdl cd ,1// _ ,2// U) bnmcty _ cdsdqhnq_z_nm_ pt_khc_cd cn ehkld: bnl tqm_ sdmr_n

cd onk_qhy_z_n mdf_shu_ _cdpt_c_ _ hmbnqonq_z_n cd RhG d oqnln uhc_ l_r _

hmbnqonq_z_ncd RhG₁ d cdoqhlhc_+ / ptd qdrtks_ mtqm_ ldkgnq_ m_ pt_khc_cd cn

`

dedhsncd tqm_sdmr_ncd onk_qhy_z_nrnaqd _ dehbhdmbh_

m_hmbnqonq_z_n

cd anqn

mnehkld cd _,Rh9Gd a_rs_msdrhfmhehb_shu_-

Ul_ sdmr_ncd onk_qhy_z_nonrhshu_cd 0//

U ldkgnq_ _ bnmctshuhc_cdmn drbtqn cd _lnrsq_r cd _,Rh9Gcno_c_r bnl anqn onq

l_hr cd sqdr nqcdmrcd fq_mcdy_zbnlo_q_c_ bnl _lnrsq_r cdonrhs_c_r bnl mdmgtl_

sdmr_n_okhb_c_

_T1-2

_{Mn b_rn cd tqm_sdmr_ncd onk_qhy_z_n_okhb_c_mnrtarsq_snz tqm_}

sdmr_nonrhshu_ldkgnq_ _ hmbnqonq_z_n

cd enrenqn d tqm_sdmr_nmdf_shu_ldkgnq_ _

hmbnqonq_z_n

cd anqn

22-5 1 4 1 22-5 12 C ljc e jV ib jq l a l P g V p iV

`

lnuhldmsn cn dkdsqnmmn ok_rl_ oncd rdq e_bhkldmsdhmektdmbh_cn

onq tqm

b_lon l_fmdshbn- Tqm b_lon l_fmdshbn _okhb_cn _n ok_rl_ fdq_kldmsd a_hw_ _

sdlodq_stq_ cnr dkdsqnmr+qdctyhmcn _ odqc_ onq chetr_n c_r o_qshbtk_r b_qqdf_c_r m_

chqdz_n odqodmchbtk_q_n b_lon l_fmdshbn+ d hrsn _eds_/ sdnq cd ch,ghcqdsnr d lnmn,

ghcqdsnr mnr ehkldr23- / b_lon l_fmdshbn _n knmfn cn ok_rl_ _st_ bnln tqm ehksqncd

hnmrzdkd oncd dwbkthqhnmr G* kdudr cn rtarsq_sn ptd sdmcdl _ e_ydq tl_ cdb_o_fdl

m_ rtodqehbhd cn ehkld cdonrhs_cnz bnmstcn+ hnmr l_hr odr_cnr oncdl chqhfhq,rd _n

rtarsq_sn d qdlnudq ghcqnfdmhnkhf_cn _ rtodqehbhd+drodbh_kldmsd _ptdkd khf_cn bnln

Rh,G_1¥

Tl_ enql_ cd bnmehm_q/ ok_rl_ d bnknb_qnr l_fmdsnr rna / b_sncn+ bqh_mcntqm

b_lon l_fmdshbn dmsqddkd d B _mncn: drsd oqnbdrrn cd cdonrhz_n d bnmgdbhcn bnln

ldsncn cd ok_rl_ _rrhrshcn onq l_fmdsqnm24- < chetr_n cd dkdsqnmrm_ chqdz_n c_r

o_qdcdr d rtoqhlhc_ odkn b_lon l_fmdshbn+ d hrsn qdrtks_ dl tqm _tqmdmsnm_ cdmrhc_cd

cnr dkdsqnmrmn ok_rl_+ d B bnmrdptdmsd _tqmdmsnm_ s_w_ cd cdonrhz_n onq b_tr_ c_

dkdu_c_ bnmbdmsq_z_ncd q_chb_hrcduhcn _n bnmel_ldmsn cd

dkdsqnmr-n

bnmehm_ldmsncn ok_rl_ on cd s_ladl rdq nashcn tr_mcn,rd sdk_r _sdqq_c_r _n

hmudrcd b_lon l_fmdshbn- Drs_r sdk_r bnmel_l _ onsdmbh_c_ QE- Drstcnr qdfhrsq_l

ptd+ ok_rl_r cd rhk_m_ bnmel_cnr onq sdk_r _sdqq_c_r oqnctydl ehkldr bnl

drs_ahkhc_cd sdqlhb_ ldkgnq cn ptd _ptdkdr nashcnr bnl ok_rl_ m_n,bnmel_cnr+ d

s_ladl _tqmdms_l _ s_w_cd cdonrhz_n

rhfmhehb_shu_ldmsd25-Icp b 0

r Z p u d . : M m CD9T d T g d m s Z U S Z C -n~ a nU eP O6 . S U s ( - z

,--7 3 6 3 8 3P YX^ tWT XtctY _ l_ m o e mb c L g lp m c s _ n

Uazamentos de vacuo externos* vazamentos virtuais* e retorno de 4leo de bombas

na camara do reator podem introduzir impurezas indesejaveis no filme depositado,

Oara urn sistema de deposi7ao de a+Ri8Git descarga luminescente* a taxa de vazamento

deve ser mantida em urn nivel abaixo de HxHN+3 torr°litros-s, Eilmes de a+Ri8G de

qualidade eletronica contem menos do que 3x l'(%i6cmt1 de oxigenio* 3x l'(l6 cm%\%1de

carbono* e 3x Hfg n _{cm~1de nitrogeni.15,}

< densidade de defeitos aurnenta rapidamente quando a concentra7ao de oxigenio

excede Hx:-a A Y cm°1*e a concentra7ao de nitrogenio excede HxH'j/7 cmf1 em amostras

de a+Ri8Gnao dopadas16,

7 3 7 3Q n R _ m _ g c o m jn b c E c ljn e D _ j

Oorque existem nurnerosas varia7.es nos projetos de sistemas de deposi7ao a

descarga luminescente* os parametros de deposi7ao 4timos variam de sistema para

sistema* e sao geralmente otimizados empiricamente para cada sistema, < densidade de

potencia de QE* a temperatura do sub strato * a pressao na camara* a concentra7ao dos

gases na camara e . fluxo de gases sao os parametros de deposi7ao basicos que afetam

a qualidade do filme, <s propriedades estudadas inc/uem a taxa de deposi7ao 'inerente

ao processo(* a densidade de defeitos* . teor total de hidrogenio incorporado* . @= F de

energia* . teor de di+hidretos* a razao di+hidreto-mono+hidreto* a fotocondutividade* e a

razao fotocondutividade-condutividade no escuro, Ns efeitos dos parametros de

deposi7ao estao normalmente interrelacionados* e nao podem ser expressos como urna

simples rela7ao linear,

7 3 7 3 5 3E c in e b _ b c b c R jo c ia e _ b c S G

Ma descarga luminescente de mono+silana* a taxa de deposi7ao aurnenta

monotonicamente com a densidade de potencia QE* ate que esta seja limitada pelo

fluxo do gas06, < dilui7ao com hidrogenio 'a urn fluxo de gas constante( reduz a taxa

de deposi7a.1., Dm deposi7.es usando di+silanas a dependencia da taxa de deposi7ao

Oara fTmes a partir de mono+silana* a densidade de o m g k oem fun~ao da potencia

de QE depende das condi~oes de deposi~ao* tais como tensao de polariza~ao nos

eletrodos~ na condi~ao sem tensao de polariza~ao a densidade de o m g k oaumenta mais

de duas ordens de grandeza t medida que a potencia de QE e aurnentada de urn fator

1.1., Oara filmes a partir de di+silana* a densidade de ! ' m g k odiminui -t temperatura do substrato entre 0.. e 1.. B( com 9 aumento da potencia QE1.,

Dm rela~ao ao teor de hidrogenio incorporado nos filmes* existem resultados

controversos, Ce acordo com Jnights1.* 9 teor de hidrogenio em filmes a partir da

mistura silana-argonio* inicialmente cresce e entao decresce 'permanecendo constante

na faixa de 1 6 ,1 7 z ) 1 0 a,a,( com 9 aurnento da potencia QE 'na faixa de 2+1. V(, lei de

acordo com Qoss e laklik2o* 9 teor total de hidrogenio aurnenta de forma monotona

com . aurnento de potencia, Dm filmes a partir de di+silana*. teor total de hidrogenio

diminui com . aurnento da potencia QE de acordo com Jurneda2/* mas aurnenta de

acordo com Latsuda e colaboradores20,

Y efeito da potencia de QE sobre . e a m de energia em filmes depositados a partir de descarga luminescente de mono+silana e inicialmente urn aurnento no e a m e entao

urna diminui~ao nesta grandeza*

a

medida que 9 nivel de potencia aumenta21, 9 aurnento no e a m de energia com a potencia QE a niveis de baixa potencia e devido ao

aurnento no teor de hidrogenio* urna vez que . e a m aumenta linearmente com .

aumento do teor de hidrogenio22, N niveis de potencia bastante elevados* a forma~ao de silicio micro+cristalino causa urn decrescimo reipido em ambos* 9 teor de hidrogenio

e 9 e a m optico23,

Dm filmes a partir de mono+silana* urn aumento na densidade de potencia

aumenta 9 teor de di+hidretos e a razao di+hidretos-mono+hidretos24, Dm filmes a partir

de di+silana . oposto e verdade25,

Ce acordo com Mishikawa e colaboradores26 a condutividade no escuro e a

fotocondutividade de filmes a partir de mono+silana inicialmente decrescem e entao

ch,rhk_m_lnrsq_l

tqm _tqmdmsnd dms_n tqm_ r_stq_b:_n m_r bnmctshuhc_cdr bnl

B

_tqmdmsnc_ onsdmbh_

QE36-`

_tqmdmsnm_ cdmrhc_cd cd onsdmbh_s_ladl

_tqmdms__ drsqtstq_ qmsbqn,

bnktm_q

12-

Drsd shon cd drsqtstq_ d hmcdrdi_udkonqptd d0_ qdrtks_ dl oqnoqhdc_cdr

dkdsqnmhb_r

onaqdr o_q_

/

ehkld- / bqdrbhldmsncd s_hrlhbqndrsqtstq_r drs_ _rrnbh_cn

bnl _ oqdrdmx_cd u_yhnrd fqtonr cd onkh,rhk_m_

(RhG

_z

)m

D G :

O_q_ cdonrhx_n cd ehkldr cd

Ba = Jo 4

cd _ks_ pt_khc_cd tr_mcn cdrb_qf_

ktqmhmdrbdmsd

_

QE+

_ onsdmbh_d fdq_kldmsd l_mshc_ _ tqm lxdk kdudldmsd _bhl_ cn

lhmhln mdbdrr_mno_q_ l_msdq

/

ok_rl_- U_knqdrshohbnr+s_msno_q_ cdonrhxndr bnl

lnmn,rhk_m_ pt_msn o_q_ ch,rhk_m_drs_n m_ nqcdl cd /+0

V.bl1-5 1 V.bl1-5 1 4 1S b im b o V q r o V a l R r X p q o V q l

Z cd bnmbnqc_mbh_fdq_k ptd _ sdlodq_stq_ cd cdonrhz_n nshl_ o_q_ _ cdonrhz_n _

o_qshqcd cdrb_qf_ ktlhmdrbdmsd _ QE cd _,Rh9G _ o_qshqcd lnmn,rhk_m_ nt ch,rhk_m_

drs_ dmsqd1// d 2//}B- < s_w_ cd cdonrhz_n o_q_ ehkldr _ o_qshqcd lnmn,rhk_m_

d

qdk_shu_ldmsd hmcdodmcdmsdc_ sdlodq_stq_ cn rtarsq_s/38- Hrsn rhfmhehb_ptd nr+

bndehbhdmsdrcd _cdr_n cnr oqdbtqrnqdr c_ cdonrhz_n r_n qdk_shu_ldmsdhmcdodmcdmsdr

c_ sdlodq_stq_ cn rtarsq_sn+ d _ s_w_ cd cdonrhz_n

d

khlhs_c_ odkn rtokdldmsn cd

oqdbtqrnqdr _ o_qshqcn ok_rl_- O_q_ehkldr _ o_qshqcd ch,rhk_m_+_ s_w_ cd cdonrhz_n

o_qdbd rdq bnmrs_msdbnl / _tldmsn c_ sdlodq_stq_ cn rtarsq_sn _ tl_ onsdmbh_cd QE

dkdu_c_+d chlhmth bnl / _tldmsn c_ sdlodq_stq_ cn rtarsq_sn _ a_hw_r onsdmbh_rcd

QE4/-` sdnq sns_k cd ghcqnfdmhn chlhmth bnl / _tldmsn c_ sdlodq_stq_ cn rtarsq_sn

dl ehkldr cdonrhs_cnr _ o_qshqcd lnmn,rhk_m_E ` <sub>d ch,rhk_m_F ` 6l_r / sdnq cd ghcqnfdmhn</sub>

chrodqrn _tldms_- Cd lncn rhlhk_q+/ HBP noshbn cd ehkldr cdonrhs_cnr _ o_qshqcd

lnmn,rhk_m_ d ch,rhk_m_40_{chlhmth bnl / _tldmsn c_ sdlodq_stq_ cn}

rtarsq_sn-< cdmrhc_cd cd 0 h ~ s y • chlhmth bnl / _tldmsn c_ sdlodq_stq_ cn rtarsq_sn dl

_lanr nr ehkldr cdonrhs_cnr _ o_qshqcd lnmn,rhk_m_ d _ o_qshqcd ch,rhk_m_pt_mcn _

sdlodq_stq_ cn rtarsq_sn

d

ldmnq cn ptd 2// B41- Drsd e_sn drs_ oqnu_udkldmsd

ghcqdsnr dl ehkldr cdonrhs_cnr _ sdlodq_stq_r ldmnqdr cn ptd 1// }B42- / mhtmdqn

cdrsdr dro_znr u_yhnr chlhmth bnl / _tldmsn c_ sdlodq_stq_- Qdrtks_cnr lnrsq_l

ptd

ehkldr cd _,Rh9G cdonrhs_cnr _ sdlodq_stq_r cd rtarsq_sn _bhl_ cd

7 A 5 ` H

sdqm

cdmrhc_cdr oq5whl_r c_r cn rhkhbhnbqhrs_khm/

43-Dl ehkldr _

o_qshq

cd _lanr+ ch,rhk_m_d lnmn,rhk_m_+nr sdnqdr cd ch,ghcqdsnr d

onkh,ghcqdsnr,*n+

d _ q_y_n ch,ghcqdsnr.lnmn,ghcqdsnr

35

_chlhmtdl

_bnl

_/

_{_tldmsn c_}

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