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J. Microw. Optoelectron. Electromagn. Appl. vol.16 número3

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Academic year: 2018

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Fig. 1. Flow chart of the proposed methodology for the power amplifier design.
Fig. 4. DC and Pulsed IV characteristics for the NE76038 GaAs HEMT device.
Fig. 6. Proposed non linear large signal equivalent circuit for microwave transistors.
Fig. 9. Large signal two tone output power performance centered at 2GHz and tone spacing of 4MHz at Vds DC =2V and  Vgs DC =-0.2V
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