Universidade
de São Paulo
Instituto
de Física
e Química de São Carlos
Análise Estrutural
de um
Complexo de Níquel e de
Vários Triterpenos por
Oifraçãodf! Raios
%
Dissertação apresentada
ao Instituto
de Física e Química de São Carlos
-uSP, para
obtenção
do título
de
Mestre em Física Aplicada.
_~~~~ __ ~._,.~. ~.+_i~---._,
SEkYIÇO DE BI8L:OTEC:" F !f";~;". ' ", \. li,,)SC FISICA
Departamento de Física de Ciência dos Materiais
Dr.
Yvonne P.Mascarenhas
Orientador
,,--.
. ./ ' " , . ',
~ . .-.. . /< .., ""'...
-'<i-s>,:,-',·, ..:~,.
".-Dr. Glaucius
Oliva
r(-/;"2; ,
1",/ '/ ~
L'- "0.01.,- .••••• ' ~ f / '
r/d.
José
I
iI .
A realização deste trabalho foi possível graças ao suporte financeiro
dado pelos Instituições de apoio
à
pesquisa: FAPESP, FINEP, CAPES e CNPq e
aos Departamento
de Física da Universidade
Federal de Ouro Preto e do
Para minha esposa Renata e minha
filha Maristella. ternas
companheiras
e
A g r a d e c
i m e n t o s
Profª. Drª. Yvonne P. Mascarenhas.
meu agradecimento
especial pela
orientação, apoio e pelos ensinamentos.
ProL Dr. Eduardo E. Castellano. pelo apoio e pela constante
disposição
em colaborar.
ProL Dr. José Rego de Souza e a Sra. Grácia Silva. pelo fornecimento
das
amostras cristalinas dos tríterpenos.
ProL Dr. César V. Franco e ao Sr. Noel M. Levy. pelo fornecimento
da
amostra cristalína do complexo de níquel.
Aos colegas: Carlos Alberto Simone, Carlos Paiva Santos e Stellu Muris
Fabiane. pelo apoio. estímulo e amizade.
L i s t a
d e s í m b o l o s
u s a d o s
Mr
peso molecular
a, b, c
parâmetros que definem a cela unitária
..•
a
àngulo entre os vetores b e
ê
R ~
1
....• ...•
p
angu o entre os vetores a e c
...•
y
ângulo entre os vetores
ã
e b
V
volu me da cela unitária
de
densidade do cristal calculada
llfator de absorção linear
À
com primento de onda
R.
índice de discordâncía entre o fator de estrutura observado e
o calculado
FlV)
fator de estrutura
Hv.J
intensidade
Z
número de moléculas por cela
rj
vetor de posição do
j
-ésimo átomo em relação à orige m
S.
vetor de espalhamento
p(r
L
densidade eletrônica
HIb-IL
fator de espalhamento atômico
$0.1)
fase
L.
fator de Lorentz
p
fator de polarização
a(x)
desvio padrão estimado
Tabela de
Conteúdo
Agradeci men tos
ÜTabela de Conte
ú
do
:
ív
Lista de Tab eIas
víi
Lista de Figur as
~
ix
Resu mo
"
xi
~t»stl"aLc:t
][i17I
ntl"od ução
_
1
CaLpítulo
I
~lguns
Fundamentos
daLTeol"ÍaLde Difl"aLçãode RaLios
X
pOI"
Cl"istai s
:
4
1.1
Geometria dos Cristais
5
1.1.1'
Introduç·ão
5
1.1.2
Sistemas Cristalinos-Simetrias
7
1.1.3
Retículos de Bravais
8
1.1.4
Grupos Puntuais
9
1.1.5
Grupos Espaciais
10
1.2
Espalhamento de Raios X por um Elétron
11
1.3
Espalhamento de Raios X por um Atomo
14
IA
Espalhamento de Raios X por um Grupo de Atomos
16
1.5
Difração de Raios X por um Cristal
17
1.5.1
Fator de Estrutura
17
1.5.2
Lei de Bragg
19
1.5.3
Retículo Recíproco
:
21
1.5.4
Construção de Ewald
22
1.5.5
Síntese de Fourier
23
1.5.6
Lei de Fríedel
24
Capítulo
1 1
Coleta e Análise
dos DaLdos
2 6
. I 1.1
Coleta de Dados
27
11.1.1
Descrição do Arranjo ExperimentaL
27
11.1.2
Obtenção dos Paràmetros da Cela ~
28
11.1.3
Medida das Intensidades
30
I 1.2
Red ução dos Dados
32
I I.2.1
Fator de Polarização
33
11.2.2
Fator de Lorentz
34
11.2.3
Fator de Trans missão
34
11.3
O Fator de Temperatura
3
S
I I
.5
Método de Wilson
37
Capítulo
I I I
Introdução aos Métodos de Determinação de Estruturas
39.
111.1 O'Problema da Fase
40
I I 1.1.1
Método de Patterson
40
a) Síntese de Fourier
42
b) Síntese de Fourier Diferença
44
I I 1.1.2
Métodos Diretos
44
a) Fatores de Estrutura Unitário e Normalizado
45
b) Estatística das Intensidades
47
c)
Teoria das Desigualdades
:
48
c.l)
Desigualdade de Harker-Kasper
48
c.2)
Determinante de Karle-Hauptman
49
c.3)
Equação de Sayre
52
d) Invariante e Semi-invariante
de Estrutura
53
e)
Definição da Orige m
55
e.l)
No Grupo Espacial P 1
55
e.2)
No Grupo Espacial P 1
56
e.3)
Origens Equivalentes
57
eA)
Regra Geral para Específicação da
Origem
) 8
f)
RelaÇÔesde Probabilidades
60
f.I)
Caso Centrossimétrico
61
f.2)
Caso não Centrossimétrico
63
g) O Método de Multi-solução
66
g.l )
Cálculo de lEI
67
g.2)
Determinação das Fases
:
68
g.2.1) Relações de fases
68
g.2.2) Escolha do Conjunto Inicial de
Fases
68
&.2.3) Deter minacão das Fases
69
g.2A) Fórmula da Tangente
:70
g.2.)
Figuras de Mérito
:
71
g.3)
Mapas de E(b)
72
I I 1.2 Refinamento por Mínimos Quadrados
72
I 11.2.1 Álgebra do Método
72
I I 1.2.2
Estimativa do Desvio Padrão
75
I I 1.2.3
IÍldices de Discordância
77
Capítulo IV
A Estrutura Cristalina e Molecular de um CompleIo de
Níquel: (Nill(DPEHhJ(NOd2' 2H20
~
78
I
V.1
Introd ução
~
79
IV.2
Obtenção da Cela Unitária e a Coleta de Dados
80
IV,3
Análise dos Dados e Determinação do Grupo EspaciaL
81
IV.4 Solução e Refina mento da Estrutura
83
I
V .s
Descrição da Estrutura
87
Capítulo
V
As Estruturas
Cristalinas
e Moleculares
de .Alguns
T
r íter penos
9 2V.1
Introd ução
93
V.2
Obtenção das Celas Unitárias e as Coletas de Dados
95
V.3
Análise dos Dados e Determinação dos ,Grupos Espaciais
96
V.4
Solução e Refinamento das Estruturas
99
a)
Triterpeno T 1
102
b)
Triterpeno T2
104
c)
Triterpeno T3
105
d)
Triterpeno T4
107
e)
Triterpeno T5
109
V.5
Descrição das Estruturas
111
a)
Triterpeno T 1
111
b)
Triterpeno T2
113
c)
Triterpeno T3
116
d)
Triterpeno T4
118
e)
Triterpeno T5
120
Capítulo
VI
Consi der ações Finais
13 3
Apêndice
A
135
A pên dice B
144
A pên dice C
152
A pên dice D
166
A pêndice
E
172
A pên dice F
18 I
Bib liograf ia
188
Tabela 1.1
-Tabela
II!.l
-Tabela
II
1.2
Tabela III.3
Tabela IV.I
Tabela IV.2
-Tabela
I V A
-Tabela
IV.s
Tabela IV.6
Tabela V.1
Tabela V.2
-Tabela
V.7Tabela V.8
Tabela V.l O
Tabela V.II
-L i s t a
d e T a b e l a s
Os sete siste mas cristalinos
8
Alguns planos e linhas de Harker
42
Valores e distrib uições teóricas dos IErs
47
Mudança do sinal das reflexões com a mudança de
or ige m no gr u po es pacial P 1
56
Resumo dos dados cristalogrâficos
- complexo de NL
82
Picos e vetares interatômicos
do mapa de Patterson
-co
fil
p
lex o de Ní.
:
83
Coordenadas fracionárias
e os fatores de temperatura
isotrópicos equivalentes
- complexo de Ní..
85
Parâmetros
térmicos anisotrópicos - complexo de Ni.
86
Distâncias e ângulos das ligações - complexo de Ní.
88
Coordenadas ortogonalizadas
dos átomos dos dois
anéis piridil - com plexo de NL
89
Distâncías e ângulos das pontes de hidrogênio
-complexo de Ni
9O
Parâmetros das celas unitárias dos
5
triter penos
95
Parâmetros usados nas coletas de dados e o número
de refle xõe s coletad as
96
Grupos espaciais, número de moléculas e condições de
possíveis reflexões para os
5
triterpenos
97
Fatores de escala e de temperatura isotrópico médio
dados pelo método de Wilson para os cinco
tr iter penoso
99
Parâmetros relacionados com o refinamento das
es tr u
t
uras
1OO
Coordenadas fracíonárías e os fatores de temperatura
isotrópicos equivalentes - triterpeno T 1
102
Parâmetros térmicos anisotrópicos - triterpeno Tl.
I03
Coordenadas fracíonárias e os fatores de temperatura
isotrópicos equivalentes - tríterpeno T2
104
Coordenadas fracionárias e os fatores de temperatura
isotrópicos equivalentes - triterpeno
T 3
105
Parâmetros térmicos anisotrópicos - triterpeno T3
l06
Coordenadas fracionárias e os fatores de temperatura
Tabela
V.13 -
Coordenadas fracionárias e os fatores de temperatura
isotrópicos equivalentes - triterpeno TS
109
Tabela V.14 -
Parâmetros térmicos anisotrópicos - triterpeno T5
110
Tabela V.15 -
Angulos médios das Egações sp2 e sp3 para os 5
tr iter penos
122
Tabela
V.16 -
Conformação dos anéis de cada tríterpeno
122
Tabela V.17 -
Distâncias relevantes das pontes de hidrogênio no
tr
í
ter peno T
2
123
Tabela V.18 -
Angulos de torção (') do triterpeno T 1..
124
Tabela V.19.a - Ângulos de torção (") da 1
ª
molécula do triterpeno
T 2
125
~
Tabela V.19.b - Angulos de torção (') da
2ª
molécula do tríterpeno
T 2
126
Ângulos de torção (') do triterpeno T
3.
127
Ângulos de torção
(0)
do triterpeno T4
128
Ângulos de torção (') do triterpeno T5
129
-Figura I.1.a:
Figura 1.I.b:
Figura 1.2:
Figura 1.3:
Figura 1.4:
Figura 1.5
Figura 1.6
Figura 1.7
Figura 1.8
Figura 1.9
Figura 1.10
Figura 1.11
Figura 1.12
Figura I LI
Figura 11.2
Figura 11.3
Figura II 1.1
Figura II 1.2
Figura III.3
Figura 1IIA
Figura lII.5
Figura II I.6
Figura II I.7
Figura lV.1
Figura lV.2
Figura lV.3
Figura IV.4
Figura IV.5
Fig. lV.6
Figura V.1
Figura V.2
Figura V.3
-Figura
V.4-Figura
V.5-Lista de
Figuras
o
retícul0 tridimensional, mostrando a cela unitária
6
Parâ
fi
etros da cela unitária
6
Plano do retículo cujos índices de Míller são hkl..
7
Os 14 retículos de Bravais
9
Projeção do grupo P2j / c
11
Espalhamento por um elétron
13
Espalhamento por um átomo
15
Curvas de
f
x
sen
a
16
~
Grupo de átomos em uma ceia unitária
17
Reflexão nos planos (hkl)
19
Representação do vetor ~ perpendicular
ao plano
(hk1)
,
2 O
O
vetor de esp alha men to
2
O
Construção de Ewald
23
Dífratômetro automático CAD-4
28
Perfil da intensidade do feixe dífratado
31
Caminho do feixe dífratado em um cristaL
35
Diagrama representando
FU.Ü.• FcOJ.)+
FdtJJ
43
Varíação do valor do deter minante D3 com
$(
tJJ
+
$U;.)
+
$(
h - k )
5
O
Interpretação
da desigualdade
ID(b.) -
.sI ::;
r..
52
Gráfico de P+ .•
+
+ ~tgh x, onde x .• E(I}). E(!5)E(l}-!5L
62
Gráfico de P(~) versus ~
65
Gráfico de V
(h' ~)
vers us K
(h' ~)
66
Etapas do método de mu1ti-solução
67
Estrutura do ligante DPEH
79
Estrutura do complexo {Ni
ll
(DPEH)z]2+
80
O
gr u po es pacial Cc
82
Vista em perspectiva da molécula do complexo de Ni
87
Perspectiva do poliedro de coordenação do complexo
de N i
9 O
Projeção estereoscópica do complexo de Ni...
91
Fór mula estrutural dos tr iterpenos
93
O
gru po espacial P21
97
O
gr u po es paGial C2
98
O
gru po espacial P2 ,2,21
98
Figura V.6
Figura
V.7-Figura V.8
Figura V.9
Figura V.1 O
Figura V.11
Figura V.12
-Figura
V.13Figura V.14
Figura V.15
Figura V.16
Figura V.17
-Figura
V.l8Figura V.19
Figura V.20
-a e b - Distânci-as e ângulos d-as lig-ações - triterpeno
T
1...
1 12
Vista em perspectiva da molécula do triterpeno
T2
113
a e b - Distâncias e ângulos das ligações da 1
ª
molécula do triterpeno
T2
114
a e b - Distâncias e ângulos das ligações da 2ª
molécula do triter peno T2
115
Vista em perspectiva da molécula do triterpeno
T3
116
a e b - Distâncias e ângulos das ligações - triterpeno
T
3...
11 7
Vista e m perspectiva da molécula do triterpeno T4
118
a e b - Distâncias e ângulos das ligações - triterpeno
T 4
1 19
Vista em perspectiva da molécula do triterpeno T5
120
a e b - Distâncias e ângulos das ligações - triterpeno
T 5
12 1
Este trabalho consiste em uma introdução teórica dos fundamentos
básicos da difração de raios X por cristais, de uma descrição sucinta do
difra-tõmetro automático CAD-4 da Enraf -Nonius, e do método de Patterson e dos
metodos diretos usados na determinação de estruturas.
Foram resolvidas as estruturas cristalinas e moleculares de um
com-plexo de níquel(II) e de cinco triterpenos.
Os cinco triterpenos são produtos naturais extraídosl
77
1 da casca de
madeira
A
lI s t r o p le n c k ia
p o p llln e a
( C e la s t r a c e a e
) .
Monocristais desses
produtos foram analisados por difração de raios X usando um difratômetro
automático
CAD-4
e com radiação de MoKa
(1..
=
0,71 073Á) monocro~
matizada por cristal de grafita. Os principais dados cristalográficos estão
resumidos na tabela abaixo:
TI
T2
T3
T4
T5
Fórmula Química
I
C31H
48
0
4
C30H
4S03
C31H.~803 C31H5003 C30H
48
0
4
M
r
I
484,73
456,71
468,73
470,74
I
472,71
Grupo Espacial
P2t
Pl
C2
P2t2t2t
P2t
a(A)
6,697(2)
7,271(2)
12,109(2)
6,815(2)
14,695(2)
b(A)
14,714(7)
12,389(8)
7,346(2)
16,127(2) 13,699(2)
dA)
13,866(3)
15,632(2)
30,570(6)
24,695(4)
6,622(3)
atO)
90
74,95(2)
90
90
90
P'
t .
0)
103.53(2)
87.55(2)
99,83(2)
90
104,45(2)
y(O)
90
86,76(4)
90
90
I
90
Z
2
2
4
I
4
I
2
V(A3)
1328( 1)
1357(1)
2679(2)
2714(2)
1288(1)
d
ç(g. cm-3)
1,211
1,118
1,162
1,152
1,219
Jl(cm-t)
0,726
0,651
0,675
0,668
I
0,733
F(QOO)
I
532
I
504
1032
1040
I
520
R
I
0,0485
0,0996
0,0574
0,0545
0,0420
NQ refI.: 1 ) 30(1)
I
1395
1972
751
1438
838
o
complexo de níquel, [NiII(DPEHh](N03h· 2H20, foi sintetizadol70\ a
partir de uma solução alcoólica de 2 moles do ligante
DPEH(Diacetilmonooxi-ma-p-Piridil-(2)-Etilimina)
para cada moI de [Ni(OH2)6](N03h. Um
mono-cristal desse composto foi analisado por difração de raios X, usando um
difra-tômetro automático CAD-4 e radiacão de MoKa
(À
=
0,71 073A)
~ =
103,22(2)", V
=
2887(Z)À3, 2
=
4, de
=
1,448g· cm-
3, ~ =
7,36cm-
JfEOOO)
=1312, R '"
0,0594 e 1656 refleções com I
> 20(1).
O
átomo de Ni está
t:oordenado por seis átomos de N com uma configuração octaédríca dístorcída.
o
objetivo deste trabalho foi o domínio das técnicas de resolução de
estruturas
cristalinas de pequenas moléculas por difração de raios X e a
fa-mi1iarização com o uso do difratômetro automático CAD-4 da Enraf -Nonius e
com os programas correlatos.
A determinação da estrutura cristalina e molecular de compostos por
difração de raios
X
se faz necessário porque as informaçôes que são obtidas
da análise estrutural. tais como: existência de ligações de hidrogênio
inter-molecular e intrainter-molecular. o estudo das conformações de anéis, a
deter-minação de poliedros de coordenação e do empacotamento cristalino e o
cálculo das distâncias e ângulos interatômicos, são essenciais
à
Física do
Estado Sólido, Mineralogia, Metalurgia, Química, Biologia e outros ramos do
conhecimento.
Em função deste objetivo foram resolvidas as estruturas
cristalinas e
moleculares de alguns compostos. os quais representam
um trabalho de
pesquisa em colaboração com vários pesquisadores de outras instituições que
os obtiveram por síntese ou extração. São seis compostos, a saber:
- um
c o m p l e x o d eNi: [Nill(DPEHh](N03h· 2H20 ~ Dinitrato· de bis
(Díacetilmonooxima-p-Piridil-(2)-Etilimina)
níqueHIl)
dihidratado.
°
inte-resse no estudo cristaloquímico desse complexo de niquelO I) está
relacio-nado com o fato de que muitos complexos de metais de transição são
essenci-ais para regular o metabolismo de organismos vivos.
- cinco triterpenos extraídos da casca da madeira do
A u stro p /e n c.kia
p o p u /n e a (
C e /a stra ce a e );
T r i t e r p e n o T 1 :
C31H4804~ 3-hidroxl-2-oxo-friedelan-
3-en-20a-carbometoxila.
T r i t e r p e n o
T2: C3oH4803"'" ácido- 3P-hidroxiolean-12-en-20a-óico.
T r i t e r p e n o
T3: C31H4803~ 3-oxo-olean-12-en-20a-carbometoxíla.
T r i t e r p e n o
T4:
C31H5003~ 3-oxo-friedelan-20a-carbometoxíla.
T r i t e r p e n o
T5:
C3ÜH4804"'"ácido-3P-hidroxi-2-oxo-.
20a-óico.
°
estudo desses triterpenos deve-se ao fato de que vários triterpenos
pentacic1icos apresentam
atividades farmacológicas (antíleucêmícos.
Este trabalho segue o padrão de desenvolvimento
usual de
determina-ção de estruturas e foi subdividido em seis capítulos, a saber:
C a p í t u l o
I :
são dados alguns fundamentos da teoria de difração de
raios X. De uma forma sucinta
é
feito o estudo da
geo-metria interna dos cristais e da interação dos raios X
com a matéria.
C a p í t u l o
lI:
é feita u ma descrição do difratõmetro automático
CAD-4 usado na coleta de dados e dos fatores que afetam a
intensidade.
C a p í t u l o 1 1 1 :
são descritos os métodos de Patterson e os metodos
diretos, os quais foram usados para resolver o
pro-blema da fase neste trabalho. Resolvido o propro-blema da
fase são descritos os processos para se completar a
estrutura
e o processo de refinamento
por mmimos
quadrados.
C a p í t u l o
IV: se refere à determinação da estrutura cristalina e
mo-lecular do complexo de níquel(I I).
C a p í t u l o
V:
se refere à determinação
das estruturas
cristalinas e
Capítulo
I
Alguns
Fundamentos
da Teoria
de Difração
de
II
Geometriados Cristais
It
I
A
forma externa regular dos cristais induziu os primeiros
observado-res a acreditar que eles eram formados pela repetição uniforme de blocos
constituintes
elementares.
Quando um cristal cresce, num ambiente mantido
em condições físicas constantes, sua forma permanece
imutável
durante
o
crescimento como se os blocos constituintes
elementares
estivessem
sendo
empílhados continuamente. Os blocos elementares
são contituídos por átomos
ou por grupos de átomos. Assim, um cristal é um arranjo tridimensional
peri-ódico de átomos.
As
primeiras observações experimentais
sobre a difração de raios
X
produzida por cristais foram relatadas
por Fríedríck e Kinipping. Em
1912.
Lauel21 apresentou
uma teoria elementar
para a difração de raios X
produ-zida por uma estrutura
periódica de átomos. Ficou decisivamente
mostrado
que os cristais são constituídos por uma estrutura
periódica de átomos.
O arranjo ordenado de átomos que constitui um cristal é conhecido
co-mo
e s tr u tu r a c r is tfJ 1 in aUm cristal ideal
é
construido pela repetição infinita de uma mesma
unidade estrutural.
A unidade estrutural
pode ser um único átomo, um
con-junto de átomos ou um grupo de moléculas. Logo, a estrutura
de todos os
cristais pode ser descrita em termos de um retículo com um grupo de átomos
ligados a cada ponto do reticulo. Este grupo
é
denominado de
b a s ee se
repe-te no espaço para formar a estrutura cristalína.
Um cristal ideal
é
composto por um arranjo de átomos num retículo
definido por três vetores fundamentais
ª'
º
e
ç,
de modo que as
configura-ções atômicas sejam exatamente iguais tanto para um observador
situado em
r
quanto para um observador situado em
r',
dado por:
o
conjunto de pontos
r'
especificados para todos os valores dos inteiros
fit,
n2 e n3 define um reticulo. que
é
um agrupamento
periódico regular de
pontos no espaco. O retículo assim definido
é
uma abstracão matemática.
Pa-ra se formar a estrutuPa-ra
cristalina
é
necessário que exista uma base de
Os
vetores
ª,
º
e ç
de translação são usualmente utilizados para definir
os eixos cristalográfícos.
O
paralelepípedo formado por estes vetares
é
deno-minado de
c e la u n itá r ia
e corresponde
à
cela de menor volume, dado por:
A cela unitária preencherá todo o espaço pela ação de operações de
translação conveníentes. A figura I.1.a mostra um retículo tridimensional,
mostrando também a cela. A figura I.l.b mostra os parâmetros
a, b, c e os
ângulos
a, ~,
y
entre os vetores
ª'
º
e
ç,
que definem a cela unitária.
Figura I.1.a: O retlculo
tridimensiona1.
Figura I.1.b: Parâmetros da cela unitária.
mostrando a cela unitária.
r·
-1=
x .. a
1 -+
Y"b
I -+
z.. c
1-em que as componentes
Xj, Yje
Zjsão as coordenadas atômicas do l-eSlmo
átomo, cujos valores são frações dos comprimentos axíais a, b, c na direção da
respectiva coordenada, sendo a origem um vértice da cela.
E de interesse especificar índices que definam os planos do retículo.
Esses indices são denominados de
in d ic e s
d e
A 1 .J 1 J e r
e são relacionados a uma
dos índices de Miller
é
feita da seguinte maneira: toma-se os inversos dos
números que caracterizam a interseção, reduzindo-os a três inteiros de
mes-ma razão e tem -se os índices de Miller (hkl).
o
-º-h
Como exemplo, se considerarmos um plano interceptando os eixos em:
-
-OA
=6a, OB
=2b e OC
=3c, os índices de Miller do primeiro plano a partir da
origem são (132).
Existem 7 sistemas de coordenadas tridimensionais
que são úteis para
descrever os cristais e que são a base de sua classificação. Em geral, a cela
unitária é caracterizada por seis parâmetros:
a,
p,
y,
a, b, c, já definidos.
A tabela 1.1 fornece a lista dos sistemas cristalinos com os parâmetros
da cela unit.ária que caracterizam cada uma.
No sistema monoclínico um dos eixos é único, no sentido de que ele é
perpendicular
aos outros dois. Por convenção esse eixo único é escolhido
como sendo o eixo b, de modo que
p )
90°.
As operações de simetria de um retícul0 são as operações que
trans-formam o retículo nele próprio. Estas operações são de dois tipos: rotação e
reflexão.
A
r o t a ç ã o
é
necessariamente em torno de um eixo e
é
designada como
sendo de ordem n se
é
uma rotação de 360
0de-signados por um inteiro e são possíveís somente rotações de ordem 1. 2,
3,
4,
e
6.
Sistema cristalino
Triclínico
Monoc1ínico
Ortorrômbico
Tetragonal
Romboédrico
Hexagonal
Cúbico
Parâmetros
a ;: b ;: c,
a ;:
p
;=y
a;:
b ;:
c,
a
= y=
90°,
P
;=90°
a
;=b ;:
c,
a
= ~ = y =
9 0°
a
=
b
;=c,
a
=
P
= y =
9 O
oa
=
b
=
c,
a
=
P
=
y;=
9 O
oa
=
b
=
c,
a
=
P
=
9 O
o,y =
12 O
oa
=
b
=
c, a
= ~ = y =
9 O
°-1
2 1 m
mmm
4 / m m m
-3m
6 / m m mm3m
Se existe um plano no retículo tal que a parte de um lado do plano está
relacionada especular mente com a parte do outro lado, o retículo possui um
p / m o
d e s i m e t r i a
ou um
p / a n o d e r e l l e x ã o
designado pela letra m.
Estes elementos podem ser combinados, tal como a operação
2 1 m ,que
combina um eixo de ordem 2 com um plano especular perpendicular a ele.
A operação 1, denominada de
i n v e r s ã o ,
é caracterizada por uma
refle-xão através de um ponto denominado
c e n t r o d e i n v e r s i a
Pode ocorrer também um outro conjunto de elementos de simetria que
combina um eixo de rotação com um centro de inversão (são os chamados
eixos impróprios).
C o m o e . 1 'e m p k ~
a operação 4 combina uma rotação de 90°
com uma inversão através do centro de simetria. Nesta operação, se um
ob-jeto tem coordenadas xyz, os demais obob-jetos a ele ralacionados por esta
ope-ração de simetria terão coordenadas:
y,
x,
z;
y,
x, z;
X,
y,
z, sendo o eixo de
rotação coincidente com o eixo z.
Existem sete retículos relacionados aos sete sistemas cristalinos (tabela
1.1), os quais têm o equivalente a um ponto por cela unitária. Tais retículos
são denominados de
p r i m i t i v o s
e são designados pela letra P precedendo o
símbolo de simetria (exceto para o romboédríco, para o qual se usa a letra R).
No seu estudo dos retículos, Bravais descobriu os retículos
n ã o p r i m i t i v o s
(faces ab). Se o retículo tem um ponto no centro da cela,
é
designado por L Se
todas as faces têm pontos em seus centros, o retículo
é
designado de
F.
~\ \0
\~---~
"'~ ~ ••••• --0""""----.Jct-c
pj P2Imb Q
lí-l
I7i
0~11
1 ,1l~
N
;-- -o
f
:L-
~o,h
0/ 0V
h'
1/
PrIlmm Cmmm
b c b c
/~\
\) .X \
, ~ , W
Q R3m
/~--o
:...+-I
I I I
)_ -o
c /'
V
,g-
P4/mmmo a
Considerando todos os grupos de elementos de simetria tem-se
.12
g r u p o s p l J n t l J i 1 1 : ~
Esses são divididos entre as 7 classes cristalinas. O retículo
que é caracteristico de cada classe sempre tem a simetria mais alta possível
dentro da classe e define o grupo puntual
holoédrico
que pode ser
acomodado dentro da classe. Veja tabela 1.1.
Quando se combina os 32 grupos puntuais com os 14 retículos de
Bravais resultam 230 grupos espaciais, os quais descrevem os únicos meios
em que objetos idênticos podem ser arranjados em um reticulo infinito. A
operação de translação no retículo introduz duas novas espécies de operações
de simetria:
e i x o s l J e J i c o i d a i se os planos de
r e l J e x ã o - t r i 1 1 l s / a ç a a("gUde"),
Quando essas operações são combinadas com os elementos de simetria
já
descritos resultam nos mesmos 230 grupos espaciais.
E i r a 1 l e J i c o i d a J :
é
a combinação de uma rotação e uma translação
correspondente a uma fração do parâmetro reticular paralela ao eixo de
rota-ção.
E
designado pelo inteiro n e um sub-índice m. Assim, 31 designa um eixo
helicoidal de ordem 3 (rotação de 120°) com uma translação entre os
suces-sivos pontos de 1/3 (m/n). Os eixos helicoidais possíveis são: 21; 31. 32; 41,
42;
61,62,63,64.6
5,
P / a n o d e r e l J e x a o - t r i 1 1 l s l a ç a o :
é
a combinação de um plano de reflexão
e uma translação paralela no plano. A translação em tal plano é ao longo de
um eixo ou ao longo da diagonal da face da cela unitária, de magnitude igual
à
metade do comprimento do eixo ou da diagona1.
E
designado por a, b ou c
se a translação
é
a/2, b/2 ou c/2, respectivamente,
por n se for (a+b)/2,
(a+c)/2 ou (b+c)/2 e d se for a/2 + b/2 + c/2.
Um grupo espacial
é
designado pela letra maiúscula identificando o
tipo do retículo (P, C etc.) seguido pelo símbolo do grupo puntual modificado
pela introdução dos elementos de simetria translacional se necessário.
O volume I da Internatíonal Tables for X-ray Crystallography!41
des-creve os 32 grupos puntuais e os 230 grupos espaciais.
C o m o
e x e m p l o .
seja o grupo espacial P21/C, o qual
é
relacionado ao
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
_o-+-l ~~o_
1 / 4
I
1 / 4I
I
I
I
plano de reflexão-translação
c, perpendicular
ao plano de
prol' eção
(y
=1 e
y
= ~.).4
4
I
I
I~ol~o
I
~
eixo
21
paralelo ao plano de
projeção (z
~; x = 0, x = ~
e x
=
1).
r~
objeto.
(1) --"
x.
y,
z. Operando
primeiro
21
tem-se:
(2)
-+X, Y
+1.
Z
+1,
lem-brando que
1 -
x
==
-x. De
(1).
operando
o plano de reflexão-translação
c,
tem-se
t3)
-+x.
i-
y. z
+i.
De (2), operando
o plano de reflexão-translação
c.
tem-se
(4)
-+X.
V .
z.
O eixo
21
e o plano de reflexão-translação
produz um
centro de inversão. Logo (I) e (4), (2) e (3) estão relacionados
por este centro
de inversão.
L2
Espal.bameotode Haios
.r
P o r
um
fflétroo
15)
o
r 'a ioX é uma radiação eletromagnética
que se encontra
na região do
espectro eletromagnético
entre a radiação
ultra-violeta
e a radiação
gama. O
comprimento
de onda dos raios X tem um alcance aproximado
de
0.1
a
IOoA.
Estaremos
interessados
em raios X monocromáticos,
tendo um comprimento
de onda da ordem de lÁ.
A interação
do feixe de raios X com um centro
espalhador
é
usual-mente considerada
em termos do espalhamento
por um único elétron e isso
ocorre em dois processos: o espalhamento
Thomson ou coerente
e o espalha,:"
mento Compton ou incoerente.
Além das duas radiaçõés
oriundas
desses dois
processos
de espalhamento.
uma terceira
radiação
denominada
de radiação
fluorescente
deve ser considerada.
Essa radiação surge do processo de
Quando um fóton de raio X incide em um átomo ocorrem transições
eletrôni-cas dentro do átomo, havendo emissão da radiação fluorescente.
No espalhamento Compton
l61
o comprimento de onda da radiação
es-palhada é maior que o comprimento de onda da radiação incidente, devido a
uma perda de energia no proce~sso de colisão dos f~tons de raios X com o
elétron. A diferença
de comprimento
de onda depende
do ângulo de
espalhamento, sendo maior quanto maior for o ângulo de espalhamento.
Na difração de raios X por um cristal o espalhamento coerente e
coope-rativo de muitos átomos é significativamente
maior que a soma das
contri-buições incoerentes, o que faz com que, normalmente,
se ignore o
espalha-mento incoerente na cristalografia de raios X e a fluorescência pela escolha
adequada do comprímento de onda da radiação utilizada.
Assím, será descrito apenas o espalhamento
Thomson ou coerente,
quando um feixe de raios X incide sobre um elétron.
E s p a l h a m e n t o
T h o m s o n
I7.
8 )Quando uma onda eletromagnética choca-se com um elétron, o campo
eletromagnético oscilante incidente força o elétron a oscilar com a mesma
freqüência da onda incidente. A carga oscilante (acelerada) age como uma
fonte secundária de emissão de ondas eletromagnéticas, as quais têm a
mes-ma freqüência da radiação incidente.
o
feixe de raios X é espalhado em todas as direções por um elétron,
mas a intensidade do feixe espalhado depende do ângulo de espalhamento.
j.
j.
Thomson encontrou que a intensidade I
e
do feixe espalhado por um único
elétron de carga e, massa m e a uma distância r do elétron, válida para uma
onda plana e polarizada é dada por:
10 ~
intensidade do feixe incidente,
e ~
carga do elétron,
m ~
massa do elétron,
c
=3
x
1 08m/s, velocidade da luz,
Seja um feixe incidente
na direção
01
(fígura
1.5),
o qual encontra
o
-+
e l é t r o n
em O. Esse feixe não polarizado tem o vetor campo elétrico
E situado
no plano yz. Esse feixe pode ser resolvido
em duas componentes
plano
pola-2
2
2
fizadas, tendo os vetores campo elétrico E
ye
E
z,onde E
=
Ez
+E
y.Na média
-+
E
y =Ez, desde que a direção do vetor E é aleatória. Como I
o:E2, vem:
1
:r
10
=
Ioy
=
Io
zSupondo um feixe espalhado
na direção OD, a qual faz um ângulo 28
com a direção do feixe incidente,
a intensidade
do feixe espalhado
nessa
di-reção e a uma distância r do elétron será a soma das duas componentes
es-palhadas
I
ey
e I
ez.
A componente
E
ydo feixe incidente
acelera
o elétron
na direção y
( a
90'). Logo, a intensidade
espalhada
I
ey
é dada por:
A componente
Ez do feixe incidente
acelera
o elétron
na direção
z
(a
90' -
28),
resultando
para a intensidade
espalhada
Iez:
~,,,~-~~-,.~ ...~.-.",'.. ,•....•..."..•.•. _~....,:"."~-'--"'-.•...•.•..•.
~
'SERViÇO DE BIBLIOTECA ;: '~H 21.\ "".' .. (~
A intensidade da radiação espalhada na direção ODe a u ma distância r
do elétron vale:
A quantidade
1
+
~s228
=
P é denominada de
f a t o r d e p o J a r i z a ç ã aComo I
e
O<:_1_, implíca que os elétrons são os únicos espalhadores
efe-m
2
tivos, poís a massa do próton é
1837
vezes a massa do elétron, tornando o
próton um espalhador secundário.
1 . 3
E s p a l ó a m e n / o d e B a i o s X p o r u m A / a m o
191
Em um átomo, os elétrons ocupam um volume finito. sendo necessário
encontrar uma distribuição espacial para os mesmos. Essa distribuição pode
ser caracterizada pela função densidade eletrônica p(r), isto
é,
em cada
ele-mento de volume dV do átomo o número de elétrons é p(r)dV. Se o átomo
é
atingido por uma onda eletromagnética plana (caracterizada pelo versor §o),a
amplitude da onda esférica espalhada (caracterizada pelo versor
§)
pelo
ele-mento de volume dV
é
proporcional ao número de elétrons nesse elemento
de volume. A amplitude total da onda espalhada pode ser obtida por
super-posição das ondas parciais emitidas por cada elemento de volume. Para se
realizar essa soma, deve-se levar em conta que as fases dessas ondas parciais
são diferentes para cada elemento de volume dV. Como referência para os
cálculos das fases será usada a figura 1.6.
Para simplificar as fórmulas finais, é conveniente que os versores ~ e
§o tenham módul0 ~.
A diferença de percurso entre a onda espalhada pelo elemento de
vo-lume na orígem e o elemento vovo-lume em r é dada por:
oc -
OP
=
I{
r .~-r .~)
=
Àr' (~- ~)
=
Àr' ~
onde ~
é
o
v e t o r d e e s p a J ! J a m e n t o .õ.+.
=
2n . Àr' S
=
2n r· S
-Figura 1.6 - Espalhamentl) plH' um át·omo.
A onda espalhada
na direção ~ pelo elemento
de volume
em [, será:
plr)d V exp( 2ni r· ~).
f(~)
=
J
P(t)exp(2Jlit~) dV
Vohme d>atomo
A expressão
(1.2)
representa
o
f a t o r d e e s p a J . b a m e n t o a t ô m i c aOs
fato-res de espalhamento
atômico dependem
do comprimento
de onda e do
mó-dul0 de ~, supondo que o átomo tenha simetria
esférica. Com isso, f depende
de
Â
e do ângulo de espalhamento
2B.
Se o átomo tem simetria
esférica, f é
real, pois plr)
=p(-r). Os valores de f foram calculados e são tabelados
na
In-ternational
Tables for X-ray Crystallography14l,
voI. II L A figura
1.7
abaixo
mostra algu mas curvas de
f
x
sen
B .
Â
Se ~
=
O, f(0)
=
f
p(r) dV
=
Z, onde Z é o número
total de elétrons
no
atamo.
Efeitos secundários
surgem
quando o comprimento
de onda do feixe
incidente
está perto da borda de absorção do elemento
espalhado!'.
A
corre-ção desse efeito faz-se necessária.
Esse efeito é denominado
de
e s p f J 1 . b a O l e n t o': l t l O m f J 1 o[101
e ao considerá-io
duas correções no fator de espalhamento
atô-mico são introduzidas:
M'
e
M " ,para cada espécie de átomo.
M'
é um termo
de correção real (usualmente
negativo)
e M" é o termo de correção da
f
= f + M '+ í M "anômalo
. Figura. 1.7 - Curvas de
f
x
sen
9 .1
f .
4'
Espal1Jamcoto dc Haios X por um Grupo dc Atamos
19J
Seja um grupo de N átomos, em que
rj
é o vetar de posíção do j-esímo
átomo em relação à origem da cela unitária. Na equação (1.2), o vetar
r
no
es-palhamento pelo j-ésímo átomo torna-se: (
+fi.
Assím, o espalhamento
do
átomo
j
em relação
à
origem da cela vale:
GCat)j
=
f
p(r)ex~ 2Jti(r
+
ri}~JdV
Volane do ó.tomoou
G(at)i
=fiel ~
l)ex~2Jti{j"~)
G(§)
=
.!
fíex~21tití'§)
1=1
onde G(S) é uma função complexa.
I.5
Oifraçao
de
.Haios
r
por
um
Crista/I
,l
Para se analisar em detalhe a influência de um arranjo atômico
perió-dico na duração de raios X por um cristal, primeiro analisa-se a difração de
um arranjo unidimensional, composto de n átomos, sendo cada átomo
separa-do separa-do seu vizinho por um vetar distância
ª'
Na direção correspondente
ao vetar de espalhamento
~, a onda total
espalhada é dada por:
A(
§)
=
f
a .f
ex
J
21t
i
(j -
1) ~.
§J
(
1.5 )
1=1
tt
onde f
a
é o fator de espalhamento. atômico. Esta expressão pode ser
simplifi-cada, de modo que a intensidade de espalhamento esteja relacionada com
Pela expressão vê-se que a intensidade será máxíma, ísto
é,
a difração
somente será observada se a diferença de fase
2n
ª'
§
entre as sucessivas
on-das espalhaon-das for igual a um múltiplo de
21t.
Logo,
SERViÇO DE BI8L.,ºH~,A E INFORMAÇÃO _ IFQSC
2n a· S
=
2nh ou a·
S
=
h, onde h é inteiro.
-
-
-Em três dimensões, onde a cela unitária
édefinida pelos vetores
ª,
º
e
ç.
as condiÇÕes de difração tornam -se:
onde h. k. 1 são inteiros. Essas equações são conhecidas como as
e q u a ç õ e s d eL a u e .
Pelo teorema da convolução (símbolo
* ) 1111 ,a densidade eletrônica do
cristal
é
dada pela convolução de densidade eletrônica da cela com um
con-junto de funções
t >de Dirac, caracterizando o retículo direto
Periltal(r)
=
Pcela(r)
-1
r-
(n
i ~ +n2
º
+n3
ç)J
onde nla n2 e n3 são inteiros.
A onda total dífratada
pelo cristal tem amplitude Gcristal(§)
determi-nada pela transformada
de Fourier (TF) de Pcristal(r),
A transformada
de Fourier de
~r-nlª-n2º-n3çJ
é uma nova função
t >de Dirac, caracterizando o reticulo recíproco.
Assim, G
c
ristal(§) ... F(b)
aoF(hkl), é dado por: F(b) ... TF[Pcela(r))
. t > ( § - h ª * - k Q * - I F )
que fornece uma amostragem da transformada
de Fourier
da densidade
eletrônica da cela unitária em pontos discretos do retículo
recíproco, em que
b-
= =(h ..k,
O.
Logo,
F(hkl)
=F(~)
=. !
fi
( I ~ I)
ex~2n
itj'~)
( 1 .1 O ). 1 = 1
onde F(b)
é
o fator de estrutura, que
é
uma quantidade complexa, para o caso
de grupos espaciais não centrossimétrícos.
r " h
=
x · a · h + Y . b · h + z · C · h=
x ·h+ v . k + z ·1N
Se
h
""
º,
F(OOO)
==!
fi ""
n
Qde elétrons na cela unitária.
i
=
1
A intensidade do feixe dífratado é relacionada com o fator de
estrutu-ra, através da equação
1 . 5 . 2
L e i d e B r a g g l t 2 1
Bragg(l913)113J deduziu uma equação muito simples tratando a
dura-ção de raios X como "reflexão" nos planos do retículo. Considere um feixe de
raios X incidindo em alguns planos paralelos, cuja distância interplanar
é
dhkl.
o
feixe difratado terá intensidade máxima se as ondas estão em fase. A
diferença de percurso vale:
BD
+
CD
=
2d
sen
e
2
sen
e
=
_1_
(I .13 )
Á
dhkl
pois a reflexão de planos com índices (nh nk nO é a reflexão de n-ésíma
or-dem dos planos com índices (hkl).
Essencialmente a lei de Bragg contribui para identificar os inteiros h, k,
1 das equações de Laue, com os índices de Miller dos planos do retículo. As
equações
0.7)
podem ser reescritas na seguinte forma:
a
b
c
h . ~
=
1,
k . ~
=
1
e
T' ~
=
1
A subtração das duas primeiras equações dá:
(~-~).s=o
h k
~
a qual significa l'ue o vetar S
~
-
é
perpendicular
ao vetar
ª _
h
º .
k
De modo
sími-a
c
lar pode ser mostrado
que o vetar ~ é perpendicular
ao vetar
~
_ ~. Esses
dois vetares definem um plano cujos índices de Miller são hkl. Então o vetar
~ é perpendicular
ao plano (hkl). Figura 1.10.
Mas ~ é um vetar na direção do bissetor do feixe incidente e difratado.
desde que Isol
=
Is\
=
_1 ,
Figura 1.11.
- - j..
/
/
/
/
/
/
/
Figura 1.10 -
Representação
do vetor
S Figura 1.11 -
Ovetor de espalhamento,
perpendicular
ao plano (hkD.
A distãncia
dhkl dos planos
(hkl) é a distância
perpendicular
do
a
P
c
d'
- d S .
vé-se que dhkl é a projeção
de ~, ~
ou
T
sobre o versor
da
Ireçao e~, Isto
a
S
1
dhkl
=
11'
N
=
I
SI
A expressão mostra que a distância interplanar
é
o inverso do módulo do
ve-tor de espalhamento.
(L14)
Da figura 1.11, tem-se:
logo,
'1
2
sen
e
=
---dbkl
À
a qual
é
idêntica
à
equação
0.13),
que foi obtida por Bragg.
As direções dos feixes de raios X difratados são determinadas a partir
do conhecimento
dos valores de ~ que são soluções das equações de
Laue (1.7).
A primeira equação, ~.
ª
=h,
é
equivalente a estabelecer que a
proje-ção de ~ em
ª
é
constante para um valor fixo de h, isto
é,
as extremidades do
vetar ~ se encontram sobre um plano perpendicular a
ª'
Se h
é
zero. o plano
passa pela origem; se h
=
1. o plano faz um certo intercepto em
ª;
se h
=2, ele
faz o dobro do intercepto; e assim por diante. Em. outras palavras, um
con-junto de planos de espaçamento
constante
é
estabelecido, cada plano do
conjunto correspondendo
a um particular valor de h. De modo similar, um
conjunto de planos equidístantes
perpendiculares
a
º
serão estabelecidos,
cada plano correspondendo a um valor particular de k; um último conjunto
de planos perpendiculares
a ç corresponderão
a diferentes valores de 1. A
interseção desses planos representa os pontos que são as extremidades
dos
vetares ~ que satisfazem simultaneamente
as três equações de Laue. Estes
conjuntos de planos definem um retícul0 de pontos -
o
r e i / c u J o r e c i p r o c a
A cela unitária do retículo recíproco
é
definida por três vetores
ª.~,
!?>: e
~. ~* = 1,
~* .
º
= ª*.
ç
=
o
b'b*=l,
b*·a=b*·c=O
-
-
-
-bXc
cXa
aXb
a*
=
-=---=--
b*
= --
e c*
=
-=--=--
V'
-
V
-
V
em que
V
=
I
~(Q
x~)
I
é
o volume da cela unitária no espaço direto.
(1.16)
o
vetar de espalhamento tem como componentes, no espaço reciproco,
os vaiores h, k, 1,isto
é
S ;;: h
=
ha'«
-
+
kb
-
* +
1c*
-
(1.17)
A condição de difração de raios X por cristais pode ser expressada em
termos da lei de Bragg ou em termos das equações de Laue. Ewald propõs
uma construção geométrica simples que encerra as duas leis acima, a qual
é
muito útil na descrição da difração.
Uma esfera é desenhada com centro no cristal (C) e raio
1.
A origem do
À
retículo
é
colocada em O, onde o feixe direto intercepta a esfera. A condição
de que um raio CB seja um raio difratado
é
que B seja um ponto do retículo
-recíproco (hkl), isto
é ,
o vetar OB
é
o vetor do retículo recíproco,
Q.
=hª*
+kQ*
+lç*.
Para que a reflexão hkl se encontre na posição de difração o cristal
deve girar, para que este ponto particular do retículo recíproco corte a esfera
de reflexão.
E
conveniente. em termos práticos, trabalhar com uma esfera de
refle-xão de raio unitário, de modo que os vetares do espaço recíproco tornam-se
quantidades adimensionais. Assim, o módulo de
S
ou
D
é
dado por
1
I
À
S
=-- dhltl
para que seja mantida a relação com a lei de Bragg. Nestas condições a esfera
de reflexão terá sempre o mesmo diâmetro. independente
do comprimento
de onda. Mas, uma variação em
À
tem o efeito de encolher (pequenos ;() ou
Considerando
p(r)
como sendo a densidade eletrônica no ponto
[(x, y.
z), o qual encerra um elemento de volume dV da cela unitária, o fator de
es-trutura pode ser determinado da equação:
F(b) =
f
PCr.)exr{2n
i
f.'
b) dV
v
onde a integral
é
sobre todo o volume da cela unitária.
A densidade eletrônica é calculada pela transformada
de Fourier de
F(g), isto
é,
pCr.) =
f
F(b)ex~-2nir.'
b)dV*
(1.19)
V*
onde a integral
é
feita sobre todo o volume do espaço recíproco em que
9
é
definido.
eletrônica seja
periódica em três dimensões, o que implica que a mesma pode
ser representada por uma série de Fourier tridimensional. Esta suposição é
justifícada pela própria definição de um cristal. Então,
(6