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Micro and Nanotechnology Engineering

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Academic year: 2019

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Figure 1.1: Small-signal model for a general 3 terminal device in mid-band frequency, also known as hybrid-pi model [12].
Figure 2.1: TFT device structure used in this work: staggered bottom gate, top-contact
Figure 2.2: Equivalent circuit of static TFT model.
Figure 3.1: Second derivative method for V T extraction in real and Ideal FET.
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