Top PDF Propriedades eletrônicas e de transporte em nanoestruturas de metais de transição dicalcogenados

Propriedades eletrônicas e de transporte em nanoestruturas de metais de transição dicalcogenados

Propriedades eletrônicas e de transporte em nanoestruturas de metais de transição dicalcogenados

Para o c´ alculo de transporte, uma superc´ elula vertical composta por 6 camadas de cada um dos materiais da heterojun¸c˜ ao ´ e considerada. Na regi˜ ao central, 2 camadas de cada material, comp˜ oe a regi˜ ao de espalhamento, enquanto mais 4 camadas de cada esp´ ecie s˜ ao adicionadas acima e abaixo da regi˜ ao de espalhamento para formar os contatos. N´ os ent˜ ao usamos um modelo de duas sondas para calcular a condutˆ ancia quˆ antica das heterojun¸c˜ oes. A Figura 12e) descreve o sistema esquematicamente. O TMDC no topo da geometria gen´ erica retratada na Fig 12 tˆ em esp´ ecies atˆ omicas denominadas como ”a”, enquanto o material de baixo tem ´ atomos denominados como ”b”. O c´ alculo de estrutura eletrˆ onica e a otimiza¸c˜ ao da geometria ´ e feita apenas para a regi˜ ao central. Ap´ os isso, duas camadas (bicamadas) de cada material s˜ ao repetidas trˆ es vezes acima e abaixo da regi˜ ao central, como descrito anteriormente. Tendo a superc´ elula do transporte eletrˆ onico vertical, um c´ alculo de um ´ unico ponto ´ e realizado, afim de gerar o Hamiltoniano convergido e as matrizes de overlap necess´ arias para o c´ alculo de tranporte. Ap´ os esse procedimento, a condutˆ ancia quˆ antica do sistema ´ e calculada utilizando o formalismo de Landauer-B¨ uttiker [83], como implementado no c´ odigo TRANSFOR [84, 85]. Outras informa¸c˜ oes sobre o formalismo do transporte quˆ antico podem ser encontradas nas refs [85, 86] e nas referˆ encias nele contidas.
Mostrar mais

75 Ler mais

Estrutura eletrônica, propriedades ópticas, e dinâmica dos éxcitons no Vale dos dicalcogenetos de metais de transição 2H

Estrutura eletrônica, propriedades ópticas, e dinâmica dos éxcitons no Vale dos dicalcogenetos de metais de transição 2H

O MTB tem sido amplamente utilizado para o cálculo de estrutura eletrônica de moléculas e sólidos, quando comparado com o DFT o MTB possui uma velocidade de 3 a 4 ordens de mag- nitude mais rápido. Assim sendo ele é particularmente útil para sistemas amplos, com grandes quantidades de átomos, tais como: pontos quânticos (PQs), com amostras desordenadas e não homogêneas, sobre aplicação de pressão (strain), nanoestruturas em larga escalas (nanofitas, na- notubos), materiais com multicamadas torcidas, entre outros. O MTB se destaca em sistemas nos quais os efeitos da mecânica quântica sejam relevantes e o cálculo de primeiros princípios apre- sente um custo computacional muito alto. Para os materiais nanoestruturados compostos pelos DCMTs, a situação se torna ainda mais crítica, pois as bandas eletrônicas dos DCMTs são cons- tituídas por vários orbitais d, do metal de transição, e os orbitais p, provenientes dos calcogênios do grupo VI, o que torna a simulação de primeiros princípios muito mais desafiadora.
Mostrar mais

149 Ler mais

Estrutura eletrônica e propriedades de transporte quântico em nanoestruturas de grafeno e siliceno

Estrutura eletrônica e propriedades de transporte quântico em nanoestruturas de grafeno e siliceno

Neste trabalho apresentamos um estudo sistemático sobre as estruturas eletrônicas de novos materiais bidimensionais - Grafeno e Siliceno. Efeitos de interações spin-órbita, strain uniaxial e potencial elétrico sobre as estruturas eletrônicas de grafeno, siliceno e suas correspondentes nanofitas foram investigadas através de cálculos de tight-binding. Encontramos que o strain induz a mudanças nos pontos de Dirac e uma distorção da primeira zona de Brillouin. Como resultado, o strain possibilita o aparecimento de gaps nos pontos de Dirac K e K 0 e modula a estrutura de banda do siliceno em outros pontos k da rede recíproca. A intensidade dos efeitos de strain dependem fortemente da direção de aplicação do strain. Em adição, potenciais do tipo staggered pode ser utilizado para controlar estados de spin polarizado. A combinação de efeitos de spin-órbita intrínseco e campos externos aplicados podem induzir uma transição de fase topológica na nanofita de siliceno. Também realizamos um estudo sobre o transporte eletrônico de nanofitas de siliceno pelo método das funções de Green e fórmula de Landauer-Bütikker. A densidade de estados e condutância calculadas mostram a existência de estados de borda de energia zero para nanofitas do tipo zigzag, que são consideravelmente afetados por efeitos de spin- órbita. Nossos resultados demonstram a grande aplicabilidade dessas nanoestruturas em dispositivos baseados no grau de liberdade do spin do elétron, na denominada spintrônica.
Mostrar mais

92 Ler mais

Estudo de propriedades estruturais, eletrônicas e magnéticas de folhas de boro: (i) em interfaces MoSe2, WSe2 e SiO2-Amorfo; (ii) com adsorção de metais de transição

Estudo de propriedades estruturais, eletrônicas e magnéticas de folhas de boro: (i) em interfaces MoSe2, WSe2 e SiO2-Amorfo; (ii) com adsorção de metais de transição

Sevincli et al. ( 2008 ). O conhecimento de propriedades de transporte eletrônico, tais como as carac- terísticas da curva I-V (corrente e tensão) dentre outras, em materiais é de fundamental importância para aplicação em dispositivos como um todo. Nesse sentido, os cálculos de transporte eletrônico em materiais 2D tem chamado muita atenção nos ultimos anos. Por exemplo, Padilha et al. ( 2016 ) mostra que borofeno S0 apresenta uma anisotropia de corrente elétrica em relação a direção do transporte. Tal anisotropia pode ser controlada por meio de uma tensão ou compressão externa aplicada ao sistema. De forma semelhante, Shukla et al. ( 2018 ) aplicam uma tensão/compressão nas fases S1 e S2 do borofeno, os quais também apresentaram um certa anisotropia direcional em suas propriedades de transporte. Dessa forma, em ambos os casos é possível obter um controle das propriedades de transporte de acordo com as características desejadas por meio de uma tensão ou compressão relativamente baixas da estrutura do sistema, a figura ( 1.3 ) mostra algumas curvas características de corrente e voltagem (I-V) em função da tensão/compressão aplicada. Por outro lado, de Oliveira et al. ( 2018 ) estudou linhas de defeitos extensas no grafeno e adsorção de uma molécula doadora de elétrons, tetrathiafulvalene (TTF), em tais defeitos. Seus resultados mostram que a molécula induz uma magnetização próxima ao sítio na qual foi adsorvida. Tal magnetização pode ser aumentada ou diminuída mediante aplicação de um campo elétrico externo. Os cálculos de transporte eletrônico revelam que existe uma anisotropia de spin que é mediada pela ação do campo
Mostrar mais

145 Ler mais

Repositório Institucional UFC: Teste de pseudos-potenciais tipo Troullier-Martins para o pacote Siesta aplicados aos metais de transição dicalcogenados

Repositório Institucional UFC: Teste de pseudos-potenciais tipo Troullier-Martins para o pacote Siesta aplicados aos metais de transição dicalcogenados

O grande avan¸co das t´ecnicas experimentais para a s´ıntese e caracteriza¸c˜ao dos metais de transi¸c˜ao dicalcogenados, (do Inglˆes, Transition Metal Dicalcogenides - TMDCs) e as suas poss´ıveis aplica¸c˜oes como nanoestruturas bi-dimensionais tˆem motivado o seu estudo. Os TMDCs formam uma fam´ılia composta por mais de quarenta elementos dis- tintos, apresentando diversas propriedades f´ısico-qu´ımicas interessantes. Do ponto de vista da eletrˆonica, os TMDCs apresentam caracter´ısticas que v˜ao de super-condutores `a semicondutores de gap consider´avel. Sob esta perspectiva, o estudo das propriedades eletrˆonicas ´e de fundamental importˆancia para a indica¸c˜ao de poss´ıveis aplica¸c˜oes destes materiais em experimentos fact´ıveis. Em vista disso, neste trabalho n´os realizamos o teste de pseudo-potenciais de norma conservada do tipo Troullier-Martins, para diversas esp´ecies qu´ımicas (metais de transi¸c˜ao e calcogˆenios) associadas `a forma¸c˜ao dos TMDCs. Esses novos pseudo-potenciais (que incluem corre¸c˜oes relativ´ısticas) foram ent˜ao aplica- dos ao pacote SIESTA (Spanish Initiative for Electronic Simulations with Thousands of Atoms - SIESTA ) para o c´alculo da estrutura eletrˆonica desses materiais a partir da aplica¸c˜ao da teoria do funcional da densidade (do Inglˆes, Density Functional Theory - DFT ). Neste trabalho de TMDCs foram estudadas nas formas do cristal tridimensional (bulk), bicamada e monocamada. Os resultados obtidos com os novos pseudo-potenciais foram contrastados com resultados te´oricos e experimentais previamente publicados na literatura.
Mostrar mais

50 Ler mais

Sínteses, caracterizações e estudo de propriedades físicas de nanocristais de ZnO dopados com íons metais de transição

Sínteses, caracterizações e estudo de propriedades físicas de nanocristais de ZnO dopados com íons metais de transição

Óxido de zinco (ZnO) é um semicondutor que possui diversas propriedades físicas interessantes, que podem ser modificadas ou melhoradas a depender do metal de transição (MT) incorporado em sua estrutura cristalina. Quando dopado, esse material é chamado de semicondutor magnético diluído e suas propriedades se devem à forte interação de troca sp-d entre os portadores de carga dos nanocristais (NCs) e os elétrons desemparelhados do MT. Neste trabalho, foi investigado o efeito da concentração de Mn e Co nas propriedades físicas de NCs de ZnO, sintetizados pelo método de precipitação química via solução aquosa. Essas propriedades foram investigadas por espectroscopia Raman, difração de raios-X (DRX), espectroscopia de absorção óptica (AO), fluorescência (FL) e ressonância paramagnética eletrônica (RPE). Para investigar a incorporação dos íons na estrutura cristalina do ZnO, foram utilizados refinamento Rietveld nos dados de DRX, teoria do campo cristalino (TCC) nos espectros de AO e resultados de RPE. Os resultados mostraram que é possível controlar as propriedades de NCs de ZnO, Zn 1-x Mn x O, Zn 1-x Mn x O/ZnMn 2 O 4 e Zn 1-x Co x O/ZnCo 2 O 4 a partir da variação da concentração de dopante. Acredita-se que esses resultados possam despertar grande interesse na comunidade científica, quanto à síntese e processamento de materiais a partir da metodologia adotada neste trabalho, contribuindo para o entendimento das propriedades de nanoestruturas semicondutoras e/ou semimagnéticas.
Mostrar mais

84 Ler mais

Crescimento de cristais de Laspargina monohidratada dopada com metais de transição e propriedades vibracionais a altas temperaturas

Crescimento de cristais de Laspargina monohidratada dopada com metais de transição e propriedades vibracionais a altas temperaturas

An´alise t´ermica ´e um conjunto de t´ecnicas que permite medir as mudan¸cas de uma propriedade f´ısica ou qu´ımica de uma substˆancia ou material em fun¸c˜ao da temperatura ou do tempo enquanto a substˆancia ´e submetida a uma programa¸c˜ao controlada de tem- peratura. ´ E tamb´em uma boa ferramenta para estudar processos como cat´alise e cor- ros˜ao, propriedades t´ermicas e mecˆanicas como expans˜ao t´ermica e equil´ıbrio de fases e transforma¸c˜oes [66,67]. No presente trabalho foram realizadas medidas de an´alise termo- gravim´etrica (TGA) e Calorimetria Diferencial de Varredura (DSC) nos cristais de LAM pura para se tentar ganhar um melhor entendimento do que ocorre com o material acima de 363 K.
Mostrar mais

112 Ler mais

Estudo da interação entre metais e nanoestruturas de carbono por primeiros princípios

Estudo da interação entre metais e nanoestruturas de carbono por primeiros princípios

N´os realizamos c´alculos, por primeiros princ´ıpios, para investigar as propriedades estrutu- rais e eletrˆonicas do nanotubo de carbono semicondutor (10,0) sob compress˜ao radial aplicada por superf´ıcies (111) de ouro ou de diamante hidrogenado. N´os observamos que o achatamento do tubo causa uma redu¸c˜ao progressiva do gap de energia de 0,77 eV para zero. No caso do sistema Au(111)/tubo(10,0), para um parˆametro de achatamento s da ordem de 0,25 ou maior, o gap de energia do tubo fecha, mudando as propriedades eletrˆonicas do nanotubo de semicondutor para met´alico. Essa transi¸c˜ao semicondutor- metal ocorre para um diˆametro comprimido (ou altura aparente) em torno de 5,98 ˚ A, correspondendo a um valor de for¸ca compressiva por unidade de comprimento do nanotubo de aproximadamente 4,13 N/m. Esse resultado est´a em pleno acordo com o trabalho experimental de Barboza et al. [104]. No caso do sistema C-diamante(111)/tubo(10,0), observamos uma transi¸c˜ao semicondutor-metal ocorrendo para um parˆametro de achata- mento s pr´oximo a 0,46 e diˆametro comprimido de aproximadamente 4,30 ˚ A. A for¸ca compressiva por unidade de comprimento do nanotubo necess´aria para ocorrer essa transi- ¸c˜ao ´e de aproximadamente 5,65 N/m, nesse caso.
Mostrar mais

149 Ler mais

Transporte eletrônico em nanoestruturas fotovoltaicas de heterojunção orgânica

Transporte eletrônico em nanoestruturas fotovoltaicas de heterojunção orgânica

Neste capítulo são abordados os aspectos experimentais relacionados ao processo de preparação dos filmes finos para a camada fotoativa e a técnica de confecção do eletrodo metálico que compõe os dispositivos fotoelétricos poliméricos. Por fim, concluiremos com a descrição da caracterização eletrônica por meio da espectroscopia de impedância elétrica e da caracterização óptica com a espec- troscopia de absorção na região UV-VIs e a espectroscopia de fotoluminescência. Veremos que, desta maneira, podemos modelar a cinética de injeção, transporte, acúmulo e recombinação dos portadores de cargas e, com isso, estabelecer um modelo físico que conduza a informações importantes sobre o mecanismo de conversão de energia nas células solares orgânicas em estudo.
Mostrar mais

90 Ler mais

Nanoestruturas de Ag2S : síntese e propriedades antifúngicas

Nanoestruturas de Ag2S : síntese e propriedades antifúngicas

A origem da palavra prata vem do latim “argentum” que significa brilhante. A prata é um metal de transição dúctil, de cor prateada que se encontrando no décimo primeiro grupo da tabela periódica, entre o paládio e o cádmio 19 . Em contraste com o cádmio, que pertence ao mesmo período na tabela periódica, a prata não é tóxica, no entanto, a maior parte dos seus sais são prejudiciais ao ser humano. Estes compostos podem ser absorvidos pelo corpo e permanecerem no sangue até se depositarem nos tecidos, provocando a argiria, que se manifesta pela pigmentação cinzenta da pele e mucosas 19,20 . Contudo, há outros compostos de prata, como o nitrato de prata (I), que são bastante usados na medicina, no tratamento de irritações nas membranas mucosas da boca e garganta 19, 20 .
Mostrar mais

149 Ler mais

Propriedades eletrônicas de grafeno com defeitos

Propriedades eletrônicas de grafeno com defeitos

No limite de baixas energias, o grafeno pode ser descrito por uma teoria de férmions livres sem massa. Neste trabalho, escrevemos uma métrica não-Euclidiana que representa o grafeno e introduzimos um campo de gauge não-Abeliano devido a presença de defeitos topológicos (desclinações). Neste pano de fundo, estudamos o espalhamento elástico de férmions por esses defeitos. Depois, obtemos o ângulo de mudança de fase e a amplitude de espalhamento. Discutimos também a influência destes resultados em pro- priedades de transporte. Nesta abordagem, aplicamos um campo magnético uniforme e perpendicular a folha de grafeno. Assim, o sistema também passa a ser descrito por um campo de gauge Abeliano e observamos que ocorre a quebra da degenerescência dos níveis de Landau com possíveis implicações físicas para o estudo do efeito Hall quântico no grafeno. Além disso, estu- damos a dinâmica dos spinores de Dirac na presença de um potencial con- finante, como o Oscilador de Dirac, e o confinamento espacial dos elétrons em uma estrutura de grafeno no formato de um anel com defeito topológico. Finalmente, encontramos que a dinâmica dos spinores é afetada por esta geo- metria e pelas desclinações.
Mostrar mais

99 Ler mais

Propriedades eletrônicas dos isolantes topológicos

Propriedades eletrônicas dos isolantes topológicos

Motivado por um trabalho experimental recente, onde o germanano (germaneno hi- drogenado) foi isolado [23], Seixas et al. [154] propuseram uma maneira de observar o QSHE em germaneno, removendo os ´atomos de hidrogˆenio de uma forma padr˜ao, criando uma nano estrada de germaneno dentro do germanano. Ao fazer isso, o germaneno, que ´e um isolante topol´ogico, fica em contato com o germanano que por sua vez ´e um isolante trivial. Assim, estados de borda topologicamente protegidos aparecem na interface da nano estrada. Estes estados de interface s˜ao semelhantes aos apresentados pelas nanofitas de germaneno [155]. Neste tipo de situa¸c˜ao, em que a estrutura do germaneno est´a com- pletamente exposta a partir do germanano, alguns problemas poderiam estar presentes: (1) os ´atomos de hidrogˆenio se forem removidos em apenas um lado da estrada, podem dar origem ao magnetismo [156], degradando as propriedades topol´ogicas do material; (2) o SOC do germaneno tamb´em ´e pequeno (29 meV), de modo que em temperaturas mais altas o efeito n˜ao ser´a observado; (3) a regi˜ao em que os ´atomos de hidrogˆenio foram removidos ´e muito reativa, sendo poss´ıvel a adsor¸c˜ao de outros ´atomos que degradam as propriedades topol´ogicas do sistema.
Mostrar mais

183 Ler mais

Propriedades estruturais e eletrônicas de um wormhole de grafeno.

Propriedades estruturais e eletrônicas de um wormhole de grafeno.

Neste trabalho construímos geometrias com arranjo não trivial de átomos de carbono, criando uma topologia representada por wormholes de bicamada e monocada de grafeno. Via DFT investigamos os efeitos deste tipo de geometria nas propriedades eletrônicas do grafeno. Em especial, investigamos os efeitos na estrutura eletrônica devidos: à conexão de planos de grafeno por meio do tubo; à curvatura; à interação entre bicamadas; ao comprimento dos tubos; à interação do wormhole com imagens periódicas em uma rede triangular. Observamos que: (i) a conexão de planos por meio do tubo (formação de wormholes) leva a uma estrutura eletrônica completamente diferente daquela do grafeno com defeito; (ii) a curvatura da junção tubo/grafeno é determinante para confinamento de estados eletrônicos na região do nanotubo; (iii) a estrutura eletrônica de wormholes de camada dupla é muito diferente da superposição das estruturas eletrônicas dos wormholes de camada única que os formam; (iv) a interação entre wormholes em uma rede triangular leva a abertura de gaps cujo valor cai assintoticamente com a distância entre wormholes vizinhos.
Mostrar mais

58 Ler mais

Funcionalização de Fibras Poliméricas com Metais de Transição.

Funcionalização de Fibras Poliméricas com Metais de Transição.

Para todas as fibras funcionalizadas foi possível observar que houve uma diminuição da estabilidade térmica, onde ocorre uma maior perda de massa nos eventos térmicos iniciais e os eventos referente a decomposição de toda a cadeia polimérica ocorrem em temperaturas iniciais menores, com exceção à fibra funcionalizada com ferro, quando comparados com o copolímero puro, sendo a diminuição da estabilidade térmica condizente com os fenômenos encontrados na literatura para esse tipo de análise. Foi possível observar uma menor resistência das fibras devido a inserção dos metais tornando o material mais flexível para todos os casos, sendo as fibras formadas pelo complexo contendo cromo a mais flexível, essa maior flexibilidade para os produtos obtidos os torna mais adequados para o manuseio uma vez que isso torna o material menos quebradiço.
Mostrar mais

91 Ler mais

Síntese, modificação superficial e propriedades de nanoestruturas de semicondutores

Síntese, modificação superficial e propriedades de nanoestruturas de semicondutores

sistemas físicos, químicos e biológicos em escalas que vão desde os átomos individuais ou moléculas até às dimensões submicrométricas, bem como a integração desses materiais em estruturas de maiores dimensões. A investigação nesta direcção tem sido estimulada pela disponibilidade recente de instrumentação apropriada e métodos que permitem a investigação das propriedades da matéria com uma resolução ao nível atómico. Sendo assim, a síntese de novos materiais, processos e fenómenos à nanoescala, bem como o desenvolvimento de novas técnicas teóricas e experimentais, oferecem novas oportunidades para o desenvolvimento de nanosistemas inovadores e materiais nanoestruturados. A Nanotecnologia tem um impacto profundo na economia e na sociedade, comparável à tecnologia da informação ou da biologia molecular e celular. A Ciência e a investigação tecnológica prometem grandes avanços em diversas áreas, nomeadamente a dos materiais, nanoelectrónica, medicina, energia biotecnologia e tecnologia de informação. Daí ser comum afirmar-se que provavelmente a Nanotecnologia irá ser a base da próxima revolução tecnológica.
Mostrar mais

277 Ler mais

Propriedades eletromecânicas de nanoestruturas por microscopia de varredura por sonda

Propriedades eletromecânicas de nanoestruturas por microscopia de varredura por sonda

No regime de longo alcance (distância sonda-amostra >10-50nm), somente forças eletrostáticas entre a ponta e a superfície são significantes. A ponta pode ficar estática (detecção da deflexão) ou oscilando (detecção dinâmica), sendo esta última uma medida com maior sensibilidade. A amplitude de oscilação é, geralmente, muito menor que a separação entre a sonda e a superfície, permitindo uma extração relativamente fácil, a partir dos dados experimentais, do gradiente de força (para a alavanca movimentada mecanicamente) ou da força (para a alavanca movimentada eletrostaticamente). Para tal, é necessário apenas que sejam conhecidas as propriedades da alavanca como, por exemplo, sua constante elástica e a sensibilidade do conjunto alavanca/fotodetector. A quantificação das propriedades da superfície, a partir dos dados de gradiente de força, é complicada porque a forma exata da ponta e da alavanca deve ser levada em conta, principalmente para grandes separações sonda-amostra.
Mostrar mais

164 Ler mais

Transporte em nanoestruturas: métodos de movimento Browniano e teoria de circuitos

Transporte em nanoestruturas: métodos de movimento Browniano e teoria de circuitos

Na descri¸ca˜o usual da teoria de matrizes aleat´orias, a matriz de espalhamento da cavidade ´e distribu´ıda de acordo com o n´ ucleo de Poisson e as propriedades de transporte, como a c[r]

249 Ler mais

Estudo de propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte em grafeno depositado sobre talco, nitreto de boro e dióxido de silício

Estudo de propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte em grafeno depositado sobre talco, nitreto de boro e dióxido de silício

O grafeno, um cristal bidimensional composto apenas de átomos de carbono, é um semicon- dutor de gap nulo e com elétrons que comportam-se como Férmions de Dirac. Entretanto, suas propriedades intrínsecas são sensíveis ao substrato no qual está suportado. É esperado que deformações estruturais do grafeno, bem como interações coulombianas com defei- tos ou cargas localizadas no substrato reduzam consideravelmente o livre caminho médio e mobilidade eletrônica. Essas limitações motivam a busca por novos substratos atomica- mente planos, livres de defeitos e abundantes. Neste trabalho apresentamos um estudo das propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte do grafeno depositado em três materiais: o talco, o nitreto de boro hexagonal e o dióxido de silício. Observamos por medidas elétricas e de magneto transporte que a mobilidade eletrônica é significativa- mente maior no grafeno atomicamente plano sobre o nitreto de boro em comparação com o grafeno rugoso sobre o dióxido de silício. O grafeno sobre o talco também tem uma su- perfície atomicamente plana, mas observamos baixa mobilidade eletrônica, acompanhada de histereses em sua condutância, forte dopagem tipo-p e instabilidades na dependência da sua resistência elétrica com a temperatura. Tais instabilidades podem decorrer de fortes interações entre a superfície do talco e o grafeno. Em algumas circunstâncias observamos deformações morfológicas e até rompimento físico do cristal de grafeno sobre o talco. Os resultados ainda são inconclusivos e utilizaremos outras técnicas experimentais para eluci- dar tais fenômenos.
Mostrar mais

145 Ler mais

Show all 10000 documents...

temas relacionados