Fonte de Alimentação convencional regulada

OBJETIVOS

 Desenvolver o layout para o circuito proposto;  Montar o circuito proposto;

DIAGRAMA ELÉTRICO

MATERIAL PARA DIAGRAMAÇÃO E MONTAGEM

 T1 = TRANSFORMADOR - (120/220V - 12+12/1A)  D1 e D2 = DIODOS 1N4007

 C1 = CAPACITOR eletrolítico 2200µF/25V  R1 = RESISTOR 470 Ohms (¼W)

 R2 = RESISTORE : 470 Ohms (¼W)

 LED1 = Diodo emissor de luz (LED) vermelho  Um suporte para o LED

 CI1 = Circuito Integrado Regulador LM317  CH = CHAVE LIGA DESLIGA

 PORTA FUSÍVEL PEQUENO  FUSÍVEL DE 0,5 A

 Um borne vermelho

 Um potenciômetro linear de 5 KΩ.  Um borne preto

 Caixa plástica específica para Fonte de Alimentação

 Rabicho com tomada macho (tomada + fio paralelo de 1,5mm²)  1 metro de cabinho preto

50  1 metro de cabinho vermelho

 Chave H-H (media)

PROCEDIMENTOS

1- Meça as peças adquiridas para a elaboração da vista superior. Para o LM317, consulte o apêndice 3.

2- Esboce uma vista superior com os componentes distribuídos e as ligações elétricas do circuito.

3- Faça o rebatimento do desenho para a vista inferior ao lado direito.

4- Separe uma placa virgem e com o auxílio e orientação do professor, proceda a limpeza e preparação da placa.

5- Com o uso da caneta de retro-projetor na cor azul ou preta, desenhe o layout executado no item anterior na placa de circuito impresso.

6- Usando o jaleco e auxiliado pelo professor, inicie o processo de corrosão por sal. 7- Com o auxílio do professor e usando o óculos de segurança e jaleco, proceda a

furação da placa.

7ª PRÁTICA

INTRODUÇÃO AOS COMPONENTES SMD

OBJETIVO

 Identificar os principais componentes SMD (surface mounted devices – dispositivos de montagem em superfície).

INTRODUÇÃO

Os dispositivos de montagem de superfície são componentes eletrônicos caracterizados por serem fixados à placa de circuito impresso através de soldagem na superfície, não utilizando furação na placa.

Principais vantagens desta tecnologia:

 Maior número de componentes por embalagem, menor área de

armazenamento e tamanho menor do produto final;

 Redução do tamanho final da placa de circuito impresso;

 Redução do peso, ideal para fabricação de dispositivos portáteis (ex.:

telefones celulares);

 Ausência de terminais, diminuindo o índice de falhas por impacto ou

vibração;

 Eliminação de corte e retrabalho de terminais;

 Maior número de conexões, proporcionalmente ao tamanho do

invólucro, pelo uso de tecnologias e invólucros parecidos, como de BGAs e PLCCs;

 Custo de produção menor, diminuindo consideravelmente o custo

final dos equipamentos, devido à alta demanda de produção dos componentes SMD.

As principais desvantagens:

 Manutenção mais difícil, pelo tamanho dos componentes e das

ferramentas especiais;

 Processo de fabricação mais sofisticado, dificultando a elaboração de

protótipos e aulas didáticas;

 Impossibilidade de executar montagens em proat-boards convencionais como os utilizados nos laboratórios de medidas.

TIPOS DE COMPONENTES SMD

Os componentes semicondutores SMD são feitos de silício (transistores, diodos, CIs) e é soldagem é executada no lado das trilhas, ocupando muito menos espaço numa placa de circuito impresso. Graças a esses componentes foi possível a invenção do telefone celular, dos notebooks, computadores de mão etc. Veja abaixo o exemplo de alguns tipos de componentes SMD:

52 Figura 1.1 - Resistores, capacitores e jumpers SMD

1. RESISTORES

Os resistores têm 1/3 do tamanho dos resistores convencionais. São soldados do lado de baixo da placa, pelo lado das trilhas, ocupando muito menos espaço. Têm o valor marcado no corpo através de três números, sendo o 3° algarismo correspondente ao número de zeros.

Ex: 102 significa 1.000  = 1 k.

Códigos para Resistores

Os valores são indicados por três ou quatro dígitos, sendo esta última notação mais rara. O último dígito é a quantidade de zeros a acrescentar aos primeiros. Quando o valor é menor que 10  há uma letra R no lugar da vírgula.

Alguns resistores de precisão mais novos, com 1% de tolerância, possuem um código diferente do habitual. Têm dois dígitos que indicam o valor através de uma tabela (a seguir) e uma letra que é a multiplicação: A = x1; B = x10; C = x100; D = xl000; E = xl0000; F = x100000; X ou S = x0,1; Y ou R = x0,01. Veja nos quadros a seguir o como se identificam os resistores neste caso.

a.

JUMPERS

Os jumpers (fios) vêm com a indicação 000.

2. CAPACITORES ELETROLÍTICOS

Alguns códigos dos capacitores eletrolíticos têm uma letra indicando a tensão de trabalho e um número que indica seu valor em pF: dois dígitos e um multiplicador. Outros têm o valor em µF e a tensão de trabalho marcados direíamente no corpo.

E = 2,5 V; G = 4 V; J = 6,3 V; A = 10 V; C = 16 V; D = 20 V; E = 25 V; V = 35 V; H = 50V.

54 Boa parte destes capacitores têm o corpo marrom ou cinza, sem a indicação do valor. Assim, as únicas soluções para saber seu valor são recorrer a um capacímetro ou usar o esquema elétrico do circuito. Porém, alguns têm o valor indicado no corpo através de uma ou duas letras seguidos de um número. A 1a_{letra indica o fabricante, a}

2a o valor, através de uma tabela (abaixo), e o número indica os zeros a acrescentar.

2. INDUTORES

As bobinas têm encapsulamento de epóxi semelhante ao dos transistores e diodos. Existem dois tipos de eletrolíticos: aqueles que têm o corpo metálico, tal como os eletrolíticos convencionais, e os com o corpo em epóxi, semelhante ao dos diodos. Alguns têm as características indicadas por uma letra (tensão de trabalho) e um número (valor em pF).

Ex: A225 = 2.200.000 pF = 2,2 μF x 10 V (letra "A"). Veja a seguir:

55 Os semicondutores compreendem transistores, diodos e CIs; são colocados e soldados ao lado das trilhas. Os transistores podem vir com três ou quatro terminais, porém a posição dos terminais varia de acordo com o código. Tal código vem marcado no corpo por uma letra, número ou sequência deles, porém que não corresponde à indicação do mesmo. Por ex.: o transistor BC808 vem com indicação 5BS no corpo. Nos diodos, a cor do catodo indica o seu código, sendo que alguns deles têm o encapsulamento de três terminais igual a um transistor. Os CIs têm duas ou quatro fileiras de terminais. Quando tem duas fileiras, a contagem começa pelo pino marcado por uma pinta ou à direita de uma "meia lua". Quando têm quatro fileiras, o primeiro pino fica abaixo, à esquerda do código. Os demais pinos são contados em sentido anti- horário. Veja abaixo alguns exemplos de semicondutores SMD.

Os componentes SMD ("superficial monting device") ou componentes de montagem em superfície têm dominado os equipamentos eletrônicos nos últimos anos. Isto devido ao seu tamanho reduzido comparado aos componentes convencionais. Veja abaixo a comparação entre os dois tipos de componentes, usados na mesma função em dois aparelhos diferentes:

APOSTILA DE PAINEL

1ª PRÁTICA

DIODO ZENER

OBJETIVOS

 Levantar a curva característica do Diodo Zener.

 Avaliar o comportamento do Diodo Zener com alteração da tensão aplicada e da carga.

INTRODUÇÃO

O Diodo Zener passa por um processo de dopagem específico, que lhe confere a característica de tensão de ruptura inversa baixa. É projetado para trabalhar nessa região (de ruptura inversa ou breakdown point), sendo sua condição normal de polarização a reversa. É nela que surge sua principal característica: ao atingir a tensão de ruptura inversa mantém praticamente constante essa tensão nos seus terminais, independente da carga a ele aplicada.

Os diodos Zener são construídos para tensões de Zener (Vz) de diversos valores, assim como sua capacidade de dissipação de potência (Pz) também abrange ampla faixa.

Estes dois dados, Vz e Pz, devem ser obedecidos integralmente, pois, em caso contrário, podem acarretar a destruição do componente. Estes parâmetros, dentre outros, estão disponíveis nos manuais técnicos dos fabricantes.

A curva característica ao lado é semelhante à do diodo retificador. A principal diferença se encontra no valor da tensão de ruptura inversa (VR). No diodo retificador ela é alta e

não deve ser atingida, pois o produto dela pela corrente que passa a circular (o que dá a potência) certamente irá queimar o diodo. No Zener é baixa e, se o valor da corrente for limitado, a potência não danificará o diodo.

Como se vê no gráfico, a tensão inversa VR é aquela em que o diodo

começa a conduzir e a VZ fica no

joelho da curva, onde a tensão se torna aproximadamente constante, apesar da corrente variar intensamente.

APLICAÇÃO

Sua maior aplicação ocorre na estabilização de tensão, como, por exemplo, de uma fonte de alimentação.

58 O circuito básico para essa função é mostrado abaixo.

O resistor R1 é indispensável, pois limita a corrente pelo diodo, evitando sua queima.

Seu valor tem de ser tal que permita fluir uma corrente com intensidade suficiente para manter o diodo conduzindo (IZmin, obtida na folha de dados) e ainda alimentar a

carga.

A tensão V aplicada tem de ser maior que a tensão de zener. Nesse caso, o diodo conduz e mantém constante a tensão sobre RL (com valor VZ), pois fica em paralelo.

A diferença entre V e VZ fica sobre R1, causando perda de energia nesse resistor.

MATERIAL

 Fonte de Alimentação DC ajustável  Multímetro

 Protoboard

 Diodo Zener com V_Z= 5,6 V (ou 4,7 V ou 6,8 V) e PZ = 400 mW ou maior

 1 resistor de 2,2 k  1 resistor de 220  (R1)

 1 resistor de 330  (RL)

 1 resistor de 470  (R2)

PROCEDIMENTO

1. Monte o circuito abaixo.

2. Utilizando a fonte de alimentação ajustável, aplique na entrada os valores de Vi constantes na tabela. Para cada valor de Vi meça o valor correspondente

de Vo (tensão sobre o diodo) e de Id (corrente no diodo), preenchendo a

tabela. Em seguida determine o estado do diodo (condução – ON – ou corte – OFF).

OBS.: Para obter o valor de “0” volt não utilize a fonte; desligue-a do circuito e faça um curto-circuito entre os dois terminais de entrada.

Vi (V) Id (mA) Vo (V) Estado do diodo (ON/OFF)

10 8 6 4 2 1 0,5 0 -0,5 -1 -2 -4 -6 -8 -10

3. Esboce a curva característica do diodo, no gráfico abaixo, usando os valores da tabela.

I (mA)

V (V)

60 5. Ajuste a fonte de alimentação para 12 VDC e aplique ao circuito.

6. Para RL = 330 , meça:

I_R1 = ________ V_R1 = ________ I_dz = ________ V_dz = ________ I_RL = ________

7. Substitua o resistor de 330  pelo resistor de 470  e repita o procedimento do item anterior.

I_R1 = ________ V_R1 = ________ I_dz = ________ V_dz = ________ I_RL = ________

8. Ajuste a fonte de alimentação para 8 VDC e repita o procedimento do item 6.

I_R1 = ________ V_R1 = ________ I_dz = ________ V_dz = ________ I_RL = ________

9. Compare a variação de tensão sobre o diodo com a variação da tensão aplicada. O Diodo Zener estabilizou a tensão? Justifique.

10. Compare a variação de tensão sobre o diodo com a variação da corrente nele. São proporcionais? Justifique.

2ª PRÁTICA

GERADOR DE SINAIS

OBJETIVOS

 Ajustar os controles básicos (liga-desliga, forma de onda, nível, escala de freqüência, ajuste grosso e ajuste fino de freqüência).

 Selecionar a saída adequada de sinal.  Ajustar Duty Cycle, Offset,

 Medir amplitudes e intervalos de tempo no sinal.

INTRODUÇÃO

A principal função do Gerador de Sinais é produzir formas de onda de tensão com amplitude e freqüência determinadas pelo usuário. Além de escolher a forma de onda (senoidal, triangular e quadrada), a amplitude e a freqüência, o gerador analisado nesta prática também permite ajustar o nível DC do sinal (Offset), a proporção de tempo entre os semiciclos (Duty Cycle), obter amplitudes padronizadas para os circuitos lógicos TTL e CMOS e ser transformado em gerador de varredura (sua freqüência varia a partir de um sinal externo).

Serão descritas a seguir as funções e a operação do gerador de sinais ilustrado abaixo.

Controles e funções do gerador de sinais

PWR – chave liga-desliga.

FUNCTION – seleciona a forma de onda do sinal fornecido na saída principal (Output 50 ): senoidal, triangular ou quadrada.

62 AMPL – ajusta a amplitude do sinal fornecido na saída principal (Output 50 ). A

posição padrão deste botão é empurrado. Ao puxá-lo, o sinal na saída é atenuado de 20 dB, permitindo obter amplitudes menores, adequadas a amplificadores de alto ganho, por exemplo.

TTL/CMOS – se empurrado, fornece uma onda quadrada positiva, com amplitude de 5 V, na saída digital (Output TTL/CMOS), adequada a circuitos lógicos digitais com tecnologia TTL. Se puxado, fornece uma onda quadrada positiva, com amplitude ajustável entre 5 V e 12 V, na mesma saída, adequada a circuitos lógicos digitais com tecnologia CMOS.

OFFSET – se puxado, acrescenta uma tensão contínua (nível DC) ao sinal fornecido, que pode ser ajustada em valor e polaridade (positiva ou negativa) nesse controle.

DUTY – altera a relação de tempo entre os semiciclos do sinal. Na forma de onda senoidal deve ser mantido totalmente girado no sentido anti-horário, para não distorcê-la. Na forma de onda triangular sua ação a transforma em uma dente-de-serra. Na forma de onda quadrada sua ação a transforma em uma onda retangular, fazendo com que a parte positiva dure mais que a negativa (botão empurrado) ou que a parte negativa dure mais que a positiva (botão puxado).

OUTPUT 50  – é a saída principal de tensão.

OUTPUT TTL/CMOS – saída de tensão adequada a circuitos lógicos digitais. INPUT VCF – entrada para um sinal externo que transforma esse instrumento em

um gerador de varredura. Aplicando uma onda triangular ou dente- de-serra, a freqüência do sinal de saída irá variar proporcionalmente à amplitude da onda aplicada, varrendo uma faixa de freqüências a partir da ajustada.

GATE – seleciona o tempo que o freqüencímetro interno leva para fazer uma nova leitura do sinal de saída. Esse tempo está relacionado com a faixa de freqüências escolhida. Assim, os botões logo abaixo permitem selecionar faixas de freqüências da ordem de unidades, dezenas e centenas de hertz (Hz); de unidades, dezenas e centenas de quilohertz (kHz) e unidades de megahertz (MHz).

FREQUENCY – o ajuste da freqüência de saída é feito nos controles descritos abaixo. Sua leitura se faz no mostrador do freqüencímetro interno (display) e deve-se observar nesse mostrador a indicação de Hz ou kHz, à esquerda, para correta interpretação.

Coarse – ajuste grosso (varia muito a freqüência); Fine – ajuste fino (varia pouco a freqüência).

PROCEDIMENTOS

1. Ligue o osciloscópio, localizando o traço e ajustando o brilho e o foco.

2. Conecte o osciloscópio (CH1) ao gerador de sinais (Output 50 ) e ajuste para senóíde com freqüência de 5 kHz.

3. Selecione a escala vertical e a base de tempo adequadas para observação do sinal.

4. Ajuste o trigger, para uma perfeita estabilização.

5. Ajuste a posição, para permitir o posicionamento mais adequado da onda na tela.

6. Ajuste a amplitude no gerador para 2 Vpp. Puxe o controle de amplitude do gerador (sem girá-lo!) e meça o novo valor da tensão. Anote: ____________. Empurre o controle de volta à posição original.

7. Atue no controle OFFSET (puxe e gire em ambos os sentidos) e veja o efeito no sinal (o osciloscópio precisa estar com acoplamento DC). Esboce a imagem em duas situações, nas reproduções de tela abaixo. Depois volte à posição original (empurre).

Escala vertical: _____ V/div Escala vertical: _____ V/div Escala horizontal: _____ s/div Escala horizontal: _____ s/div

8. Atue no controle DUTY (gire no sentido anti-horário) e veja o efeito no sinal senoidal. Depois repita para onda triangular e onda quadrada (nesta, também puxe o controle e veja o efeito). Esboce a imagem as quatro situações, nas reproduções de tela a seguir. Depois volte à posição original (empurre e gire para a esquerda).

Escala vertical: _____ V/div Escala vertical: _____ V/div Escala horizontal: _____ s/div Escala horizontal: _____ s/div

64 9. Com sinal senoidal, varie a freqüência para 2 kHz e 20 kHz, sem alterar a

base de tempo do osciloscópio. Descreva o que ocorreu: ______________________________

______________________________________________________________ ________

10. Coloque a freqüência em 10 kHz e troque a saída para TTL/CMOS, ajustando adequadamente o osciloscópio. Com o controle TTL/CMOS empurrado, observe o sinal ao girar esse controle; descreva o que ocorreu: _______________________________; esboce a forma de onda na reprodução de tela abaixo. Agora puxe o controle TTL/CMOS e observe o sinal ao girá-lo; descreva o que ocorreu: __________________ ______________________________________________________________ _______; esboce a forma de onda na reprodução de tela abaixo, para o valor máximo.

Escala vertical: _____ V/div Escala vertical: _____ V/div Escala horizontal: _____ s/div Escala horizontal: _____ s/div

3ª PRÁTICA

POLARIZAÇÃO DO TRANSISTOR DE JUNÇÃO

BIPOLAR (BJT)

OBJETIVOS

 Conceituar polarização dos transistores.

 Colocar o P.O.E. (Ponto de Operação Estático) do transistor em cada uma das três regiões de operação – de saturação, ativa e de corte – através de ajustes no circuito de polarização.

INTRODUÇÃO

Polarizar um transistor consiste em calcular o valor de resistores que visam à distribuição de tensões e correntes contínuas para que atue em determinada região de operação. A escolha dessa região determina a aplicação do transistor.

Como amplificador de pequenos sinais, o Ponto de Operação Estático (P.O.E.) deve ficar, aproximadamente, no meio da reta de carga, ou seja, a tensão entre coletor e emissor (VCE) deve valer cerca da metade da tensão VCC (fonte),

enquanto que a corrente de coletor (IC) deve valer cerca da metade da corrente

máxima, a qual é calculada pela relação VCC / RC para o circuito proposto.

Como chave, o transistor deve ficar polarizado em uma das situações extremas: corte (VCE = VCC e IC = 0) ou saturação (VCE = 0 e IC = VCC / RC),

comandado por um sinal externo para alterar seu estado entre esses extremos. É possível ajustar a polarização tanto por meio de um potenciômetro no circuito, como também através da alteração da tensão na fonte de alimentação. Entretanto, na maioria dos circuitos transistorizados a polarização é constante, fornecida por resistores fixos e fontes idem.

MATERIAL

 Fonte de Alimentação  Multímetro  Protoboard  Resistores de 2,2 k e 47 k  Potenciômetro linear de 100 k  Transistor BC 548 (dois)

PROCEDIMENTOS

1) Monte o circuito com os valores indicados. R1 = 47 k

R2 = 2,2 k

P = 100 k T = BC 548

2) Ajuste o potenciômetro para obter o P.O.E. indicado na primeira coluna da tabela abaixo.

3) Meça as tensões e as correntes – em conjunto – e anote na tabela. 4) Determine a região de operação para cada caso, anotando na tabela.

P.O.E. VR2 VCE VBE IC IB Região de operação

VCE = VCC/2

VCE = VCC

VCE  0,3V

5) Ajuste o potenciômetro para obter VCE = VCC / 2. Em seguida, sem tocar no

potenciômetro, substitua o transistor por um outro do mesmo tipo e meça a tensão VCE.

1 transistor VCE = VCC / 2 = __________ V

2 transistor VCE = ______________ V

6) Elabore uma conclusão sobre os resultados obtidos.

7) Avaliação: escolha a melhor opção, nas questões a seguir. a) Quando a corrente do coletor aumenta, a tensão no coletor

( ) diminui. ( ) aumenta.

( ) permanece a mesma.

Transistor

67 b) Para diminuir a corrente do coletor, é necessário que o resistor da base tenha o

seu valor

( ) diminuído. ( ) aumentado.

( ) qualquer (esse resistor não tem influência sobre tal corrente). c) Para diminuir VCE, é necessário que do resistor da base tenha o seu valor

( ) diminuído. ( ) aumentado.

( ) qualquer (esse resistor não tem influência sobre tal tensão).

d) No circuito em questão, um LED é ligado em série com o resistor do coletor. Para que o LED acenda com o brilho máximo, o transistor deve trabalhar na região

( ) de corte. ( ) ativa.

( ) de saturação.

( ) ativa ou na de saturação, tanto faz.

e) Para apagar o LED, o transistor deve trabalhar na região ___________________.

f) Na região de corte o transistor é comparado a uma chave ( ) aberta.

( ) fechada.

g) Na região de saturação o transistor é comparado a uma chave ( ) aberta.

68 .

4ª PRÁTICA

ESTABILIZAÇÃO DO PONTO DE OPERAÇÃO NO

TRANSISTOR BJT

OBJETIVO

 Manter o ponto de operação (POE) estabilizado, independente do  (beta) e das variações de temperatura, mediante ajustes no circuito de polarização.

 Medir o ponto de operação estático do transistor.

INTRODUÇÃO

A estabilização do POE do transistor consiste de técnicas apropriadas de polarização que permitem que esse ponto de operação fique estável, ou seja, não se altere em razão da temperatura (quando o transistor se aquece durante sua operação) ou da variação do ganho de corrente  (quando o transistor é substituído por outro que, ainda sendo do mesmo tipo, pode apresentar diferença no ganho ).

Apresentamos nesta prática o circuito divisor de tensão na base que, em conjunto com o resistor de emissor, permite que os efeitos devidos às variações do  do transistor e da temperatura sejam minimizados.

MATERIAL

 Fonte de Alimentação  Multímetro  Protoboard  Ferro de soldar  Resistores de 1 k, 2,2 k, 47 k e 1 M  Potenciômetro linear de 47 k  Transistores BC 548B e 2N2484

PROCEDIMENTO

1) Monte o circuito. Será usado um tipo de transistor de cada vez. RC = 2,2 k RE = 1 k RB = 47 k P = 47 k T1 = BC 548B T2 = 2N2484

69 2) Com o transistor BC 548B, ajuste P para obter VCE = VCC / 2.

3) Meça as tensões e as correntes indicadas a seguir e anote.

VCE = ________________________ IC = _________________________

VBE = ________________________ IB = _________________________

4) Substitua o transistor pelo 2N2484, mas não altere o ajuste de P. Meça as tensões e as correntes e anote.

VCE = __________________ IC = ___________________

VBE = __________________ IB = ___________________

O que ocorreu, comparando com o outro transistor?

5) Aproxime um ferro de soldar do transistor em uso (2N2484) e verifique possíveis variações de IC. O que ocorreu?

6) Monte o circuito. Será usado um tipo de transistor de cada vez. RB = 1 M

RC = 1 k

T1 = BC 548B

70 7) Meça as tensões e as correntes com o transistor BC 548B.

VCE = ________________ IC = __________________

VBE = ________________ IB = __________________

8) Meça as tensões e as correntes com o transistor 2N2484.

VCE = __________________ IC = __________________

VBE = _________________ IB = ___________________

9) Aproxime um ferro de soldar do transistor em uso (2N2484) e verifique possíveis variações de IC. O que ocorreu?

10) Determine o beta (hFE) dos dois transistores.

BC 548B,  = _______________

 = IC / IB

2N2484,  = _______________

11) Compare os dois circuitos e determine o que obteve maior estabilidade do ponto de operação.

12) Meça os betas dos transistores, usando o multímetro, e compare com os valores calculados.

5ª PRÁTICA

POLARIZAÇÃO EM CIRCUITOS COM FET

OBJETIVOS

 Montar os circuitos propostos, correspondentes aos arranjos de polarização mais usados com o FET.

 Medir tensões e correntes quiescentes.  Identificar regiões de operação.

INTRODUÇÃO

O Transistor de Efeito de Campo de Junção (JFET), ao contrário do BJT, necessita de polarização inversa na estrutura de entrada típica (Porta-Fonte ou Gate-Source) para o funcionamento correto.

Essa polarização é usualmente obtida pelo resistor de Fonte (RS), cuja queda

de tensão aparece com polaridade invertida na Porta, através de RG, já que nesse

outro resistor não há queda de tensão por não haver corrente contínua através da Porta.

A queda de tensão em RS é provocada pela corrente média de Dreno, a qual

pode ser alterada pela substituição do FET, em caso de falha no componente. Isso acarretaria uma outra tensão contínua Porta-Fonte, podendo levar o FET ao corte ou à saturação, distorcendo o sinal.

Para diminuir a dependência da polarização das características específicas do componente usado, emprega-se, além de RS, um divisor de tensão na Porta,

formado por RG1 e RG2, o que também permite alterar o valor de Rs para otimizar as

características dinâmicas do estágio.

No documento APOSTILA DE MEDIDAS APOSTILA DE MONTAGEM e CIRCUITO IMPRESSO APOSTILA DE PAINEL (páginas 50-93)