Procedimentos Experimentais
L NAS COSTAS DAS
, com diâmetro de 3”, do limpas com a limpeza completo e cortadas
e texturização com NH
EXPERIMENTAIS
(ARC) de nitreto de Si sobre uma camada fina de óxido de Si (com espessura em torno de 5 nm) crescida sobre as lâminas de Si. Ar /125sccm de 3 mTorr), de Ar, potência ), foram CVD. Como discutido anteriormente, o óxido de Si serve para s nas lâminas
L NAS COSTAS DAS
, do tipo limpas com a limpeza completo e cortadas e texturização com NH4OH
Após a texturização é feita a difusã
temperatura de 950 °C, durante 20 minutos. O processo de difusão ocorre nas duas faces da lâmina. Na
Figura
É necessária a remoção da camada n de uma das faces das amostras ataque químico em uma das faces com buffer de HF par
remoção da camada
mostrada a junção pn após a remoção de uma das camadas n difundida.
Para a formação do BSF (Back Surface Field), é depositado por evaporação térmica 1 µm de alumínio na costas da lâmina (Figura 62).
recozimento para que o alu
recozimento foi feito em um forno convencional de quartzo com fluxo de nitrogênio (N temperatura de 800 °C durante 10 minutos, na Figura 63 é mostrado lâmina com BSF.
Após a texturização é feita a difusã
temperatura de 950 °C, durante 20 minutos. O processo de difusão ocorre nas duas faces da . Na Figura 60
igura 60: Série 5
É necessária a remoção da camada n de uma das faces das amostras ataque químico em uma das faces com buffer de HF par
remoção da camada
mostrada a junção pn após a remoção de uma das camadas n difundida.
Figura
Para a formação do BSF (Back Surface Field), é depositado por evaporação térmica 1 µm de alumínio na costas da lâmina (Figura 62).
recozimento para que o alu
recozimento foi feito em um forno convencional de quartzo com fluxo de nitrogênio (N temperatura de 800 °C durante 10 minutos, na Figura 63 é mostrado lâmina com BSF.
Após a texturização é feita a difusã
temperatura de 950 °C, durante 20 minutos. O processo de difusão ocorre nas duas faces da 60 é mostrada a difusão de fósforo em ambas as faces das
: Série 5-Difusão de fósforo com POCl
É necessária a remoção da camada n de uma das faces das amostras ataque químico em uma das faces com buffer de HF par
n, foi usada
mostrada a junção pn após a remoção de uma das camadas n difundida.
Figura 61: Série 5
Para a formação do BSF (Back Surface Field), é depositado por evaporação térmica 1 µm de alumínio na costas da lâmina (Figura 62).
recozimento para que o alumínio difundido vire dopante na parte traseira da lâmina. O recozimento foi feito em um forno convencional de quartzo com fluxo de nitrogênio (N temperatura de 800 °C durante 10 minutos, na Figura 63 é mostrado lâmina com BSF.
Após a texturização é feita a difusão
temperatura de 950 °C, durante 20 minutos. O processo de difusão ocorre nas duas faces da é mostrada a difusão de fósforo em ambas as faces das
Difusão de fósforo com POCl
É necessária a remoção da camada n de uma das faces das amostras ataque químico em uma das faces com buffer de HF par
, foi usada a solução de
mostrada a junção pn após a remoção de uma das camadas n difundida.
Série 5- Remoção de uma das camadas n de fósforo.
Para a formação do BSF (Back Surface Field), é depositado por evaporação térmica 1 µm de alumínio na costas da lâmina (Figura 62).
mínio difundido vire dopante na parte traseira da lâmina. O recozimento foi feito em um forno convencional de quartzo com fluxo de nitrogênio (N temperatura de 800 °C durante 10 minutos, na Figura 63 é mostrado lâmina com BSF.
o de fósforo em um forno de quartzo, com POCl temperatura de 950 °C, durante 20 minutos. O processo de difusão ocorre nas duas faces da
é mostrada a difusão de fósforo em ambas as faces das
Difusão de fósforo com POCl3 à temperatura de 950 °C, durante 20 minutos.
É necessária a remoção da camada n de uma das faces das amostras ataque químico em uma das faces com buffer de HF par
a solução de 2HF : 15 HNO
mostrada a junção pn após a remoção de uma das camadas n difundida.
Remoção de uma das camadas n de fósforo.
Para a formação do BSF (Back Surface Field), é depositado por evaporação térmica 1 µm de alumínio na costas da lâmina (Figura 62). Terminado a deposição do alumínio foi feito o mínio difundido vire dopante na parte traseira da lâmina. O recozimento foi feito em um forno convencional de quartzo com fluxo de nitrogênio (N temperatura de 800 °C durante 10 minutos, na Figura 63 é mostrado lâmina com BSF.
de fósforo em um forno de quartzo, com POCl temperatura de 950 °C, durante 20 minutos. O processo de difusão ocorre nas duas faces da
é mostrada a difusão de fósforo em ambas as faces das
à temperatura de 950 °C, durante 20 minutos.
É necessária a remoção da camada n de uma das faces das amostras ataque químico em uma das faces com buffer de HF para a remoção do óxido
2HF : 15 HNO3 : 5 CH
mostrada a junção pn após a remoção de uma das camadas n difundida.
Remoção de uma das camadas n de fósforo.
Para a formação do BSF (Back Surface Field), é depositado por evaporação térmica 1 µm Terminado a deposição do alumínio foi feito o mínio difundido vire dopante na parte traseira da lâmina. O recozimento foi feito em um forno convencional de quartzo com fluxo de nitrogênio (N temperatura de 800 °C durante 10 minutos, na Figura 63 é mostrado lâmina com BSF.
de fósforo em um forno de quartzo, com POCl temperatura de 950 °C, durante 20 minutos. O processo de difusão ocorre nas duas faces da
é mostrada a difusão de fósforo em ambas as faces das lâmina
à temperatura de 950 °C, durante 20 minutos.
É necessária a remoção da camada n de uma das faces das amostras. Para isso é feito um a a remoção do óxido
: 5 CH3COOH
mostrada a junção pn após a remoção de uma das camadas n difundida.
Remoção de uma das camadas n de fósforo.
Para a formação do BSF (Back Surface Field), é depositado por evaporação térmica 1 µm Terminado a deposição do alumínio foi feito o mínio difundido vire dopante na parte traseira da lâmina. O recozimento foi feito em um forno convencional de quartzo com fluxo de nitrogênio (N temperatura de 800 °C durante 10 minutos, na Figura 63 é mostrado lâmina com BSF.
de fósforo em um forno de quartzo, com POCl temperatura de 950 °C, durante 20 minutos. O processo de difusão ocorre nas duas faces da
lâminas.
à temperatura de 950 °C, durante 20 minutos.
ara isso é feito um a a remoção do óxido nativo. P
COOH. Na Figura
Para a formação do BSF (Back Surface Field), é depositado por evaporação térmica 1 µm Terminado a deposição do alumínio foi feito o mínio difundido vire dopante na parte traseira da lâmina. O recozimento foi feito em um forno convencional de quartzo com fluxo de nitrogênio (N temperatura de 800 °C durante 10 minutos, na Figura 63 é mostrado lâmina com BSF.
de fósforo em um forno de quartzo, com POCl3 à
temperatura de 950 °C, durante 20 minutos. O processo de difusão ocorre nas duas faces da
ara isso é feito um nativo. Para a Figura 61 é
Para a formação do BSF (Back Surface Field), é depositado por evaporação térmica 1 µm Terminado a deposição do alumínio foi feito o mínio difundido vire dopante na parte traseira da lâmina. O recozimento foi feito em um forno convencional de quartzo com fluxo de nitrogênio (N2) e
60
Figura
Para a formação dos contatos elétricos dianteiros e traseir evaporação
e definição
forno convencional temperatura
Terminadas as fabricações das cinco séries de células, foram execut corrente-
próximo capítulo.
Figura 63: Série 5-
Para a formação dos contatos elétricos dianteiros e traseir evaporação 30 nm de titânio (Ti), 15 nm de pa
e definição dos contatos dianteiros foi usado uma máscara mecânica. forno convencional
temperatura em 450° C
Figura
Terminadas as fabricações das cinco séries de células, foram execut
-tensão (I-V) para extração dos parâmetros dos dispositivos, que serão apresentados no próximo capítulo.
Recozimento do alumínio em
Para a formação dos contatos elétricos dianteiros e traseir 30 nm de titânio (Ti), 15 nm de pa
dos contatos dianteiros foi usado uma máscara mecânica. forno convencional em ambiente de
450° C, durante 2 minutos.
Figura 64: Série 5- Deposição dos contatos elétricos traseiros e dianteiros
Terminadas as fabricações das cinco séries de células, foram execut
V) para extração dos parâmetros dos dispositivos, que serão apresentados no
Recozimento do alumínio em
Para a formação dos contatos elétricos dianteiros e traseir 30 nm de titânio (Ti), 15 nm de pa
dos contatos dianteiros foi usado uma máscara mecânica. em ambiente de argônio (
durante 2 minutos.
Deposição dos contatos elétricos traseiros e dianteiros
Terminadas as fabricações das cinco séries de células, foram execut
V) para extração dos parâmetros dos dispositivos, que serão apresentados no
60
Recozimento do alumínio em 800°C com fluxo de nitrogênio, formando o BSF.
Para a formação dos contatos elétricos dianteiros e traseir
30 nm de titânio (Ti), 15 nm de paládio (Pd) e 1 µm de prata (Ag). P dos contatos dianteiros foi usado uma máscara mecânica.
argônio (Ar), com o fluxo de gás de 1 l/min
Deposição dos contatos elétricos traseiros e dianteiros
Terminadas as fabricações das cinco séries de células, foram execut
V) para extração dos parâmetros dos dispositivos, que serão apresentados no
PROCEDIMENTOS
800°C com fluxo de nitrogênio, formando o BSF.
Para a formação dos contatos elétricos dianteiros e traseir
ládio (Pd) e 1 µm de prata (Ag). P dos contatos dianteiros foi usado uma máscara mecânica.
com o fluxo de gás de 1 l/min
Deposição dos contatos elétricos traseiros e dianteiros
Terminadas as fabricações das cinco séries de células, foram execut
V) para extração dos parâmetros dos dispositivos, que serão apresentados no
PROCEDIMENTOS
800°C com fluxo de nitrogênio, formando o BSF.
Para a formação dos contatos elétricos dianteiros e traseiro foi depositado ládio (Pd) e 1 µm de prata (Ag). P
dos contatos dianteiros foi usado uma máscara mecânica. Foi feito a sinterização em com o fluxo de gás de 1 l/min
Deposição dos contatos elétricos traseiros e dianteiros
Terminadas as fabricações das cinco séries de células, foram executadas as curvas de V) para extração dos parâmetros dos dispositivos, que serão apresentados no
PROCEDIMENTOSEXPERIMENTAIS
800°C com fluxo de nitrogênio, formando o BSF.
o foi depositado ládio (Pd) e 1 µm de prata (Ag). Para a deposição
Foi feito a sinterização em com o fluxo de gás de 1 l/min, com a
Deposição dos contatos elétricos traseiros e dianteiros
adas as curvas de V) para extração dos parâmetros dos dispositivos, que serão apresentados no
EXPERIMENTAIS
800°C com fluxo de nitrogênio, formando o BSF.
o foi depositado por ara a deposição Foi feito a sinterização em com a
adas as curvas de V) para extração dos parâmetros dos dispositivos, que serão apresentados no