Alunos
Alex Ari Jânio Ramon VictorFaculdade de Tecnologia Senac
GTI – Modulo I
Organização de Computadores
Professor
Memória Principal
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Também chamadas de memória real, são memóriasque o processador pode endereçar diretamente, permitem armazenar dados, instruções e resultados. Abrangem memórias voláteis e não-voláteis. Devido a sua importância para o processamento das
informações no computador se criou o termo de memória principal. Existem 3 tipos de Memória Principal.
Memória RAM
Memória ROMTecnologia da Memória
RAM
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As memórias RAM (RandomAccess Memory
-Memória de Acesso Aleatório) constituem uma das
partes mais importantes dos computadores, pois são
nelas que o processador armazena os dados com os
quais está lidando.
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A memória principal se subdivide em SRAM, SDRAM,
DDR2, DDR3 e um último mas raramente utilizado o
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A DDR2 SDRAM ou DDR2 é uma evolução ao
antigo padrão DDR SDRAM, conforme
homologação da JEDEC. A nova tecnologia veio
com a promessa de aumentar o desempenho,
diminuir o consumo elétrico e o aquecimento,
aumentar a densidade e minimizar a interferência
eletromagnética (ruído). São esperados módulos
de até 4GB de memória.
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A DDR3 SDRAM: as memórias DDR3 são,
obviamente, uma evolução das memórias DDR2.
Novamente, aqui dobra-se a quantidade de
operações por ciclo de clock, desta vez, de oito.
Uma novidade aqui é a possibilidade de uso de
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MRAM (Magnetoresistive RandomAccess Memory
-RAM Magneto-resistiva): a memória M-RAM vem sendo
estudada há tempos, mas somente nos últimos anos é
que as primeiras unidades surgiram. Trata-se de um
tipo de memória até certo ponto semelhante à DRAM,
mas que utiliza células magnéticas. Graças a isso,
essas memórias consomem menor quantidade de
energia, são mais rápidas e armazenam dados por um
longo tempo, mesmo na ausência de energia elétrica.
O problema das memórias MRAM é que elas
Memorias DDR,
DDR2 e DDR3
Nome padrão Clock dos chips Ciclo de tempo Clock real Dados por segundos Nome do módulo Taxa de transferê ncia DDR2-400 100 MHz 10 ns 200 MHz 400 Milhões PC2-3200 3200 MB /s DDR2-533 133 MHz 7.5 ns 266 MHz 533 Milhões PC2-4200 PC2-4300 4266 MB /s DDR2-667 166 MHz 6 ns 333 MHz 667 Milhões PC2-5300 PC2-5400 5333 MB /s DDR2-800 200 MHz 5 ns 400 MHz 800 Milhões PC2-6400 6400 MB /s DDR2-1066 266 MHz 3.75 ns 533 MHz 1066 Milhões PC2-8500 PC2-8600 8533 MB /s DDR2-1300 325 MHz 3.1 ns 650 MHz 1300 Milhões PC2-10400 10400 M B/s
Nome padrão Clock de memória Tempo de ciclo Velocida de de clock Taxa de dados Nome do módulo Pico de taxa de transferê ncia Tempos DDR3-800 100 MHz 10 ns 400 MHz 800 MT/s PC3-6400 6400 MB/s 5-5-5 6-6-6 DDR3-1066 133 MHz 7.5 ns 533 MHz 1066 MT/s PC3-8500 8533 MB/s 6-6-6 7-7-7 8-8-8 DDR3-1333 166 MHz 6 ns 667 MHz 1333 MT/s PC3-10600 10667 MB/s 7-7-7 8-8-8 9-9-9 10-10-10 DDR3-1600 200 MHz 5 ns 800 MHz 1600 MT/s PC3-12800 12800 MB/s 8-8-8 9-9-9 10-10-10 11-11-11
Módulos de Memória
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Entendemos como módulo ou, ainda, pente, umapequena placa onde são instalados os encapsulamentos de memória. Essa placa é encaixada na placa-mãe por meio de encaixes (slots) específicos para isso. Eis uma breve descrição dos tipos mais comuns de módulos:
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SIPP*
SIMM*
SIPP (Single In-Line Pins Package): é um dos
primeiros tipos de módulos que chegaram ao
mercado. É formato por chips com encapsulamento
DIP. Em geral, esses módulos eram soldados na
placa-mãe;
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SIMM (Single In-Line Memory Module): módulos
deste tipo não eram soldados, mas encaixados na
placa-mãe. A primeira versão continha 30 terminais
de contato (SIMM de 30 vias) e era formada por um
conjunto de 8 chips (ou 9, para paridade).
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DIMM (Double In-Line Memory Module): os
módulos DIMM levam esse nome por terem
terminais de contatos em ambos os lados do
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Dual channel – Dois canais
Voltagem das Memórias
Em comparação com outros itens de um
computador, as memórias são um dos componentes
que menos consomem energia. O interessante é
que esse consumo diminuiu com a evolução da
tecnologia.
Algumas pessoas com bastante conhecimento no
assunto fazem overclock nas memórias
aumentando sua voltagem. Com esse ajuste,
quando dentro de certos limites, é possível obter
níveis maiores de clock.
Tipos de encapsulamento de memória
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O encapsulamento correspondente ao artefato que dá forma física aos chips de memória. Eis uma brevedescrição dos tipos de encapsulamento mais utilizados pela indústria:
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DIP (Dual In-line Package): um dos primeiros tipos deencapsulamento usados em memórias, sendo
especialmente popular nas épocas dos computadores XT e 286. Como possui terminais de contato "perninhas" -de gran-de espessura, seu encaixe ou mesmo sua
colagem através de solda em placas pode ser feita facilmente de forma manual;
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SOJ (Small Outline J-Lead): esse encapsulamento recebeeste nome porque seus terminais de contato lembram a letra 'J'. Foi bastante utilizado em módulos SIMM (vistos mais à frente) e sua forma de fixação em placas é feita através de solda, não requerendo furos na superfície do dispositivo;
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TSOP (Thin Small Outline Package): tipo deencapsulamento cuja espessura é bastante reduzida em relação aos padrões citados anteriormente (cerca de 1/3 menor que o SOJ).
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CSP (Chip Scale Package): mais recente, oencapsulamento CSP se destaca por ser "fino" e por não utilizar pinos de contato que lembram as tradicionais
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Estática
Memória ROM
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As memórias ROM (Read-Only Memory - Memória Somente de Leitura) recebem esse nome porque os dados são gravados nelas apenas uma vez. Depois disso, essas informações não podem ser apagadas ou alteradas, apenas lidas pelo computador, exceto por meio de procedimentos especiais.*
PROM (Programmable Read-Only Memory): esse é
um dos primeiros tipos de memória ROM. Uma vez
que ocorre a gravação, os dados gravados na
memória PROM não podem ser apagados ou
alterados;
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EPROM (Erasable Programmable Read-Only
Memory): as memórias EPROM têm como principal
característica a capacidade de permitir que dados
sejam regravados no dispositivo. Nesse processo, os
dados gravados precisam ser apagados por
completo. Somente depois disso é que uma nova
gravação pode ser feita;
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EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-OnlyMemory): este tipo de memória ROM também permite a
regravação de dados, no entanto, ao contrário do que acontece com as memórias EPROM, os processos para apagar e gravar dados são feitos eletricamente, fazendo com que não seja necessário mover o dispositivo de seu lugar para um aparelho especial para que a regravação ocorra;
A Memória ROM é constituída por
três tipos de programas:
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BIOS (Basic Input/Outpu System)
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POST (Power-On Self Test)
Memória Cache
Na área da computação, cache é um dispositivo de
acesso rápido, interno a um sistema, que serve de
intermediário entre um operador de um processo e o
dispositivo de armazenamento ao qual esse operador
acede. A vantagem principal na utilização de uma cache
consiste em evitar o acesso ao dispositivo de
armazenamento - que pode ser demorado ,
armazenando os dados em meios de acesso mais
rápidos.
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Memória cache L1 – encontra-se dentro do processadorou cache interna.
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Memória cache L2 – encontra-se na motherboard oudentro do processador (mais recentemente). Quando é
externa, a sua capacidade depende do chipset presente na motherboard.
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Memória Cache L3 -Terceiro nível de cache de
memória. Inicialmente utilizado pelo AMD K6-III (por
apresentar o cache L2 integrado ao seu núcleo)
utilizava o cache externo presente na
placa-mãe
como
uma memória de cache adicional
Finalizando
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Com o passar do tempo, a evolução das tecnologias dememórias não somente as torna mais rápidas, mas também faz com que passem a contar com maior capacidade de
armazenamento de dados. Memórias ROM do tipo Flash, por exemplo, podem armazenar vários gigabytes. No que se
refere às memórias RAM, o mesmo ocorre. Por conta disso, a pergunta natural é: quanto utilizar? A resposta depende de uma série de fatores, no entanto, a indústria não para de
trabalhar para aumentar ainda mais a velocidade e a
capacidade desses dispositivos. Portanto, não se espante: quando menos você esperar, vai ouvir falar de uma nova
tecnologia de memória que poderá se tornar um novo padrão de mercado.