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Estudo de Propriedades Físicas de Nanocristais de ZnTe e Zn

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Academic year: 2019

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Figura  I.1.  Região  de  controle  do  gap  de  energia  de  vários  semicondutores  em  função  do  tamanho  do  nanocristal
Figura I. 2. Fotografias de amostras vítreas contendo NCs de Zn 1-x Mn x Te, com concentrações variando de  x =  0,000 a x = 0,800
Figura II. 1. Estrutura cristalina do tipo zincblende (ASHCROFT e MERMIN, 1976) para semicondutores ZnTe  (a) e Zn 1-x A x Te (A = Mn; Co) (b)
Figura II. 3. Estrutura de bandas para a fase cúbica de ZnTe (modificada a partir de (WU et al., 2005))
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