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Academic year: 2021

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(1)

Applications of Ideal Quantum

Systems

Refs.: Huang, Landau & Lifshitz, Pathria

5.1

Introduction

Neste cap´ıtulo estudaremos algumas aplica¸c˜oes simples de sistemas ideais quˆanticos. Ini-cialmente, discutiremos o c´alculo de valores m´edios para sistemas fermiˆonicos utilizando a densidade de estados de uma part´ıcula. Em seguida, veremos o comportamento mag-n´etico de um g´as de Fermi – incluindo t´opicos como paramagnetismo de Pauli e diamag-netismo de Landau –, o g´as de f´otons e, finalmente, fˆonons.

5.2

Density of States for Fermionic Systems

Vamos agora generalizar a passagem para o cont´ınuo das integrais fermiˆonicas estudadas na Se¸c˜ao 4.4. Isto nos permitir´a obter resultados bastante gerais em termos da densi-dade de estados de uma part´ıcula, que ´e uma grandeza utilizada para descrever tanto sistemas n˜ao-interagentes quanto, ao menos de modo aproximado, sistemas interagentes.

´

E importante frisar que, na maioria dos casos, a presen¸ca de intera¸c˜oes faz com que se perca a individualidade das part´ıculas; isto ´e, os autoestados da Hamiltoniana com in-tera¸c˜ao n˜ao podem ser escritos como produtos sobre estados de uma part´ıcula. Apesar disto, pode-se obter uma densidade de estados em que as intera¸c˜oes sejam introduzidas atrav´es de aproxima¸c˜oes sistem´aticas.

Seja V o volume espacial (= Ld, para um hipercubo d-dimensional de lado L) ao qual as part´ıculas est˜ao confinadas. No limite termodinˆamico, o espa¸camento entre os n´ıveis de energia diminui, at´e formarem praticamente um cont´ınuo de estados. O n´umero de estados com energia entre " e " + d" ´e, ent˜ao, dado por D(")d", definindo a densidade de estados de uma part´ıcula D("). Por exemplo, para uma part´ıcula livre com spin-1/2 em trˆes dimens˜oes, com "p= p2/2m, j´a vimos que

D(") = 8⇡Vh3 p2m3 "1/2, (5.2.1)

(2)

enquanto que em d dimens˜oes,D(") ⇠ "(d 2)/2 (mostre!).

Assim, introduzindo o n´umero m´edio de ocupa¸c˜ao do n´ıvel de energia " (veja a Fig. 4.2),

f (") = 1

e (" µ)+ 1 (5.2.2)

[sup˜oe-se que a degenerescˆencia esteja inclu´ıda em D(")], a m´edia termodinˆamica de qualquer fun¸c˜ao da energia, Q("), fica

hQi = Z d" D(")f(")Q("). (5.2.3) Em particular, hEi = Z d" D(")f(")", (5.2.4) e hNi = Z d"D(")f("). (5.2.5)

A partir destes exemplos fica claro que frequentemente encontraremos integrais do tipo I =

Z 1

"0

d" G(")f ("), (5.2.6)

onde "0 ´e a menor energia dos estados de uma part´ıcula, e G ´e uma fun¸c˜ao de ".

De particular interesse ´e o comportamento destas integrais a baixas temperaturas. Para obtˆe-lo, suponhamos inicialmente que G seja uma fun¸c˜ao cont´ınua e infinitamente diferenci´avel em " = µ, e que seja lentamente vari´avel num intervalo da ordem de kBT

em torno deste ponto. Seja (") a primitiva de G("), isto ´e, 0(") = G("), de modo que a integra¸c˜ao por partes de (5.2.6) fornece

I = Z 1 "0 d" f (")d d" = f (") (") 1 "0 Z 1 "0 d" (")df d", (5.2.7) onde o primeiro termo no lado direito de (5.2.7) se anula porque f (1) = 0 e porque tamb´em sup˜oe-se que ("0) = 0.

´

E f´acil ver que, especialmente a baixas temperaturas, a fun¸c˜ao df /d" assume valores muito pequenos, a n˜ao ser num intervalo da ordem de kBT perto de " = µ; veja a Fig. 4.2.

Logo, podemos levar a expans˜ao de ("),

(") = (µ) + (" µ) 0(µ) +1

2(" µ)

2 00(") + . . . , (5.2.8)

na Eq. (5.2.7), para ser integrada termo a termo.

Estendendo o limite inferior das integrais para 1 (o que n˜ao causa altera¸c˜oes sig-nificativas, pois os integrandos se anulam neste limite), e usando os seguintes resultados

Z 1

1

d" df

(3)

Z 1 1 d" (" µ)n df d" = 0 (n impar), (5.2.10) Z 1 1 d" (" µ)n df d" = (kBT ) nZ 1 1 dx x nex (ex+ 1)2 = = 2 (kBT )nn! 1 21 n ⇣(n) (n par), (5.2.11) obtemos I = (µ) + 1 X r=1 2 1 21 2r ⇣(2r) (kBT )2r (2r)(µ). (5.2.12)

Nas equa¸c˜oes acima, ⇣(n) ⌘ P1l=1l n ´e a fun¸c˜ao ⇣ de Riemann, cuja rela¸c˜ao com os

n´umeros de Bernoulli, Br, ´e

⇣(2r) = 22r 1 ⇡ 2r (2r)!Br, (5.2.13) com B1 = 1 6, B2= 1 30, B3 = 1 42, B4= 1 30, B5 = 5 66. (5.2.14)

Substituindo-se 0(") por G(") temos Z 1 "0 d" G(")f (") = Z µ "0 d" G(") +⇡ 2 6 (kBT ) 2 G0(µ) +7⇡ 4 360(kBT ) 4 G000(µ) + . . . (5.2.15) Lembrando que a baixas temperaturas a diferen¸ca entre o potencial quimico e a energia de Fermi ´e muito pequena, da ordem de ("F/kBT )2, podemos efetuar a aproxima¸c˜ao

Z µ "0 d" G(")' Z "F "0 d" G(") + (µ "F) G("F). (5.2.16)

Com isto, a Eq. (5.2.15) pode finalmente ser escrita de uma forma que separa a con-tribui¸c˜ao do estado fundamental (como uma integral at´e "F) dos efeitos de temperatura

n˜ao-nula: I Z 1 "0 d" G(")f (") = Z "F "0 d" G(") + (µ "F)G("F) + ⇡2 6 (kBT ) 2G0(µ) + . . . (5.2.17)

A partir da´ı o leitor deve deduzir os seguintes resultados: ✓ @I @T ◆ µ = 1 3⇡ 2k2 BT G0("F) +O(T3), (5.2.18) ✓ @I @µ ◆ T = G("F) +O(T2), (5.2.19) e @I @T ◆ N = 1 3⇡ 2k2 BT 0("F)D("F) +O(T3), (5.2.20)

(4)

onde = G/D.

Em particular, pode-se mostrar (veja o Exerc´ıcio 5.2) que o potencial qu´ımico a baixas temperaturas ´e dado por

µ' "F " 1 ⇡ 2 6 ✓ d lnD(") d ln " ◆ "="F ✓ kBT "F ◆2# , (5.2.21)

e que o calor espec´ıfico (a volume constante) e a entropia s˜ao aproximadamente iguais entre si: CV ' S ' ⇡2 3 D("F) k 2 BT. (5.2.22) ´

E importante notar que o comportamento dominante do calor espec´ıfico com a temperatura pode ser obtido a partir de um argumento bem simples, com um pequeno erro nos pr´e-fatores num´ericos. O princ´ıpio de exclus˜ao de Pauli imp˜oe que apenas os f´ermions com energias pr´oximas `a energia de Fermi possam ser excitados termicamente; s˜ao apenas estes, portanto, que contribuem para a varia¸c˜ao da energia interna com a temperatura e da´ı para o calor espec´ıfico. O n´umero de f´ermions num intervalo da ordem de kBT em torno da energia de Fermi ´e

N ⇠ D("F)⇥ kBT, (5.2.23)

poisD fornece o n´umero de estados por intervalo de energia, e j´a inclui a degenerescˆencia de spin. A varia¸c˜ao na energia interna pode ent˜ao ser estimada como

E ⇠ N ⇥ kBT = (kBT )2D("F), (5.2.24)

o que nos d´a

CV ⇠ D("F)k2BT ; (5.2.25)

este resultado deve ser comparado com (5.2.22). Este argumento tamb´em explica porque, no regime degenerado, o calor espec´ıfico de um g´as de f´ermions tem um comportamento linear com a temperatura, para qualquer dimens˜ao espacial e para qualquer dispers˜ao, j´a que estas duas grandezas entram apenas na densidade de estados.

O procedimento adotado aqui, em termos da densidade de estados, ser´a utilizado na pr´oxima se¸c˜ao.

5.3

Magnetic Behaviour of an Ideal Fermi Gas

Metais apresentam um comportamento paramagn´etico bastante diferente de isolantes (estes foram discutidos na Se¸c˜ao 3.3). Em particular, veremos que a baixas temperaturas n˜ao h´a satura¸c˜ao do momento magn´etico resultante, e que a suscetibilidade n˜ao depende da temperatura. Para isolantes, ao contr´ario, existe satura¸c˜ao do momento magn´etico e a suscetibilidade diverge como 1/T a baixas temperaturas. A sugest˜ao de Pauli, em 1927, de que os el´etrons de condu¸c˜ao em metais alcalinos deveriam ser tratados como um

(5)

g´as de f´ermions degenerado, possibilitou a compreens˜ao deste fenˆomeno, hoje conhecido como paramagnetismo de Pauli.

Enquanto o paramagnetismo ´e proveniente do acoplamento do momento magn´etico intr´ınseco dos el´etrons com o campo, a quantiza¸c˜ao de suas ´orbitas helicoidais, em pre-sen¸ca do mesmo campo, d´a origem ao diamagnetismo, fenˆomeno que n˜ao tem an´alogo cl´assico. Este efeito, que foi previsto primeiramente por Landau em 1930, ´e caracteri-zado por uma suscetibilidade negativa. A altas temperaturas a suscetibilidade tem um comportamento do tipo lei de Curie; quando T ! 0 ela independe de T , mas depende da densidade de part´ıculas. Mais ainda, para campos fortes, a suscetibilidade a baixas temperaturas ´e oscilat´oria, com per´ıodo da ordem de 1/H, onde H ´e o campo aplicado. Este comportamento ´e conhecido como efeito de Haas-van Alphen em homenagem a quem o observou pela primeira vez, em 1930; sua explica¸c˜ao, todavia, s´o foi dada por Peierls em 1933.

Mais recentemente (c. 1980), o confinamento de el´etrons a uma regi˜ao bastante estre-ita, numa das interfaces de uma heteroestrutura semicondutora (i.e., uma justaposi¸c˜ao de camadas de materiais semicondutores), possibilitou o estudo de el´etrons (quase) bi-dimensionais em presen¸ca de campo magn´etico. Descobriu-se que a resistividade Hall, ao inv´es de ter um comportamento linear com o campo aplicado, como previsto classi-camente, apresentava platˆos correspondentes a sub-m´ultiplos de um quantum de resis-tividade. Este fenˆomeno ficou conhecido como Efeito Hall Quˆantico (conhecido pela sua sigla em inglˆes, QHE). Medidas subsequentes mostraram que, na realidade, havia dois tipos de QHE: o inteiro (IQHE) e o fracion´ario (FQHE). O FQHE ainda ´e, hoje, objeto de intensa investiga¸c˜ao: uma das mais promissoras explica¸c˜oes para sua ocorrˆencia lan¸ca m˜ao de concep¸c˜oes intrigantes como a de part´ıculas compostas e de fracionaliza¸c˜ao da carga.

A seguir, discutiremos o paramagnetismo e o diamagnetismo de Landau separada-mente; basicamente, nosso objetivo ser´a calcular a magnetiza¸c˜ao e a suscetibilidade em cada caso. Em sequˆencia, faremos uma discuss˜ao elementar do QHE, apresentando algumas das novas ideias.

5.3.1 Pauli Paramagnetism

Consideremos inicialmente N f´ermions sem carga, com massa m e momento magn´etico µµµ, em presen¸ca de um campo externo H. A Hamiltoniana de cada part´ıcula ´e

H = p

2

2m µµµ· H, (5.3.1)

representando o acoplamento de seu momento magn´etico intr´ınseco com o campo. Ana-lisaremos aqui o caso de spin-1/2, de modo que o momento magn´etico tem apenas duas orienta¸c˜oes poss´ıveis com rela¸c˜ao a H: µ =±µB, onde µB ´e o magneton de Bohr.

Este sistema pode ser imaginado como se fossem dois gases coexistindo em equil´ıbrio: um, composto de part´ıculas com spin paralelo ao campo, e outro, com spin antiparalelo

(6)

F

(a) H = 0

D( )

D( )

F

(b) H = 0

/

D( )

D( )

BH +µ µBH

Figure 5.1: Schematic density of states for each spin channel, =", #, for the three dimensional Fermi gas: (a) zero field; (b) non-zero field.

ao campo.1 A Fig. 5.1(a) mostra a densidade de estados (no eixo horizontal; a energia aparece no eixo vertical) para estas duas esp´ecies de part´ıculas com H = 0. Quando o campo ´e aplicado, todos os n´ıveis de energia para as part´ıculas com spin paralelo [antiparalelo] ao campo sofrem o mesmo deslocamento de µBH [+µBH]. Portanto,

como indicado na Fig. 5.1(b), a densidade de estados associada ao ‘canal’ de spin ( = " $ = +1; = # $ = 1) corresponde `a densidade de estados sem campo, transladada de µBH:

D (") = 12D(" + µBH), (5.3.2)

ondeD ´e dado por (5.2.1) no caso tri-dimensional com dispers˜ao quadr´atica; o fator 1/2 se deve ao fato de os estados que contribuem paraD tˆem agora degenerescˆencia g = 1. O n´ıvel de Fermi ´e o mesmo para as duas esp´ecies e ´e determinado pela posi¸c˜ao em que a soma das ´areas das duas curvas ´e igual ao n´umero total de part´ıculas. Fica tamb´em aparente da figura que a maioria das part´ıculas tem spin paralelo ao campo, dando origem a uma magnetiza¸c˜ao resultante, ao contr´ario do caso em que H = 0.

Para obter a magnetiza¸c˜ao e a suscetibilidade devemos calcular N" e N#, o que ´e feito adaptando-se as express˜oes da Se¸c˜ao 5.2. Assim,

N = Z 1 1 d" D (") f(") = Z 1 1 d" 1 2D(" + µBH) f ("). (5.3.3) Consideremos inicialmente T = 0, quando a fun¸c˜ao de Fermi, f ("), restringe os

1De agora em diante usaremos a express˜ao ‘spin paralelo ao campo’ como sinˆonimo de ‘momento

(7)

limites superiores das integrais acima: N = Z "F µBH d" 1 2D(" + µBH) = Z "F+ µBH 0 d" 1 2D("), (5.3.4) onde se supˆos, como na Fig. 5.1, que a menor energia poss´ıvel para os f´ermions ´e µBH.

No caso da densidade de estados (5.2.1), a integra¸c˜ao em (5.3.4) ´e imediata, e obtemos a magnetiza¸c˜ao como M = µB(N+ N ) = µB 4⇡V (2m)3/2 3h3 n ("F+ µBH)3/2 ("F µBH)3/2 o . (5.3.5) Como µBH ⌧ "F, temos M ' 4⇡V (2m) 3/2 3h3 µB " 1/2 F (3µBH) = 3 2 N µ2BH "F , (5.3.6)

onde N ´e o n´umero total de part´ıculas e "F ´e dado por (4.4.7) com g = 2, de modo que

0 ⌘ 1 N @M @H = 3 2 µ2 B "F . (5.3.7)

Estes ´ultimos resultados s˜ao muito importantes, e devem ser comentados. A magne-tiza¸c˜ao por part´ıcula ´e pequena – o termo µB vem multiplicado por um fator da ordem

de µBH/"F –, quando comparada com a obtida em isolantes que, a T = 0, atinge a

satura¸c˜ao; isto ´e M = M/N = µB. Esta ausˆencia de satura¸c˜ao ´e devido `a apreci´avel

energia de ponto zero que ocorre no g´as de Fermi, de modo que flutua¸c˜oes quˆanticas perturbam o alinhamento total. Assim, um pequeno campo n˜ao ´e capaz de aumentar a magnetiza¸c˜ao significativamente, o que se reflete na suscetibilidade finita a T = 0. No caso dos isolantes, a suscetibilidade diverge a T = 0 porque um pequeno campo consegue um alinhamento consider´avel.

A temperaturas finitas procedemos de modo an´alogo. A magnetiza¸c˜ao fica M = µB(N" N#) = µB

Z d" 1

2{D(" + µBH) D(" µBH)} f("). (5.3.8) Supondo µBH⌧ "F podemos expandirD, obtendo

= M H = µ2 B N Z 1 0 d" D0(")f ("), (5.3.9) ondeD0(")⌘ dD/d".

A baixas temperaturas usamos a Eq. (5.2.20), com = µ2BD0/D, para obter

✓ @ @T ◆ N = ⇡ 2 3Nµ 2 BkB2TD("F) ✓ d2lnD d"2 ◆ "="F . (5.3.10)

(8)

Integrando com rela¸c˜ao `a temperatura vem, finalmente, = µ 2 BD("F) N ( 1 +1 6⇡ 2(k BT )2 ✓ d2lnD d"2 ◆ "="F + . . . ) . (5.3.11) ´

E interessante notar que a suscetibilidade a T = 0 traz a assinatura da densidade de estados no n´ıvel de Fermi. Este aspecto se torna particularmente importante porque muitas vezes a intera¸c˜ao entre as part´ıculas ´e incorporada – de modo aproximado, ´e claro – como uma modifica¸c˜ao na densidade de estados. Logo, medidas experimentais da suscetibilidade a baixas temperaturas revelam, por exemplo, se a densidade de estados no n´ıvel de Fermi ´e grande ou pequena.

Especializando para el´etrons livres em trˆes dimens˜oes, i.e., comD(") dado por (5.2.1), obtemos M ' 3 2 µ2 B "F H " 1 ⇡ 2 12 ✓ kBT "F ◆2# , (5.3.12) e ' 3 2 µ2 B "F " 1 ⇡ 2 12 ✓ kBT "F ◆2# . (5.3.13)

No limite de altas temperaturas, kBT "F, podemos tomar f (") ' e (" µ) na

Eq. (5.3.9) que, integrada por partes, fornece

' µ

2 B

kBT

. (5.3.14)

Como esperado, este resultado independe da densidade de estados e ´e semelhante ao comportamento paramagn´etico de isolantes, do tipo lei de Curie.

5.3.2 Landau Diamagnetism

Na sub-se¸c˜ao anterior exploramos a intera¸c˜ao do momento magn´etico intr´ınseco de um f´ermion com um campo magn´etico, dando origem ao paramagnetismo. Todavia, uma part´ıcula carregada em presen¸ca de um campo magn´etico, H = H ˆz, tem uma trajet´oria helicoidal, com eixo na dire¸c˜ao z do campo; isto ´e, o movimento no plano xy ´e circular, e na dire¸c˜ao z ´e o de uma part´ıcula livre. Poder´ıamos pensar que o movimento circular d´a origem a um outro momento magn´etico (n˜ao intr´ınseco), que tende a se alinhar antiparalelamente ao campo. Apesar de atraente, esta imagem cl´assica n˜ao ´e suficiente para explicar o diamagnetismo, como previsto pelo Teorema de van Leeuwen: o fenˆomeno do diamagnetismo n˜ao existe na F´ısica Cl´assica; a demonstra¸c˜ao deste teorema ´e pedida no Exerc´ıcio 5.3.

Consideremos, portanto, o problema sob o ponto de vista quˆantico, partindo de um g´as de el´etrons independentes; n˜ao levaremos em conta nesta discuss˜ao o spin do el´etron, pois queremos enfatizar as altera¸c˜oes no movimento orbital. O problema de uma part´ıcula carregada em presen¸ca de campo uniforme ´e exatamente sol´uvel (veja, p.ex.,

(9)

Landau e Lifshitz, Quantum Mechanics): os movimentos nas dire¸c˜oes perpendicular e paralela ao campo s˜ao separ´aveis, sendo que o primeiro contribui com a energia de um oscilador harmˆonico uni-dimensional, e o segundo com a de uma part´ıcula livre. Os n´ıveis de uma part´ıcula s˜ao, portanto, dados por

" = ✓ j +1 2 ◆ ~! + p2z 2m, j = 0, 1, 2, . . . , (5.3.15) onde ! ´e a frequˆencia de revolu¸c˜ao

! = eH

mc. (5.3.16)

A contribui¸c˜ao tipo oscilador harmˆonico para este espectro corresponde aos chamados n´ıveis de Landau. Para um g´as tri-dimensional, a cada um dos n´ıveis de Landau se soma um espectro cont´ınuo devido ao movimento livre ao longo da dire¸c˜ao z; ´e um espectro sem gaps. Se, por outro lado, o g´as est´a confinado `as duas dimens˜oes perpendiculares ao campo, o espectro corresponde apenas aos n´ıveis de Landau, e apresenta gaps.

A Fig. 5.2 mostra esquematicamente os espectros dos movimentos bi-dimensionais, com e sem campo magn´etico. Pode-se imaginar que v´arios n´ıveis do sistema sem campo colapsam em um ´unico n´ıvel do sistema com campo. Assim, todos os g estados do quase-cont´ınuo cujas energias estiverem numa faixa de largura~! estar˜ao associados ao estado quantizado mais pr´oximo. Quantitativamente, g ´e dado pela ´area do espa¸co de fase correspondendo `a energia naquela faixa:

g = L 2 h2 Z Z j~!<p2x+p2y 2m <(j+1)~! dpxdpy = L2 h2 Z j~!<p2 2m<(j+1)~! 2⇡p dp = L 2eH hc . (5.3.17)

Note que g/L2 representa o n´umero de ´orbitas, por n´ıvel de Landau, que podem ser

aco-modadas em cada cm2; isto ´e, fornece uma medida quˆantica da incerteza na localiza¸c˜ao

da ´orbita circular do el´etron.

Os bons n´umeros quˆanticos para f´ermions sem spin em presen¸ca de campo magn´etico s˜ao, portanto, ⌘ {pz, j, ↵}, com ↵ = 1, 2, . . . , g. Assim como no caso sem campo, ´e

mais conveniente trabalhar no ensemble gran-canˆonico, no qual a fun¸c˜ao de parti¸c˜ao ´e fatorada como um produto sobre estados de uma part´ıcula:

Z =Y ⇣1 + ze " ⌘. (5.3.18)

Tomando o logaritmo, vem

lnZ =X ln⇣1 + ze " ⌘= g X ↵=1 1 X j=0 X pz ln⇣1 + ze "(↵,j,pz)⌘= = gV 1/3 h Z 1 1 dp 1 X j=0 ln⇣1 + ze " ⌘, (5.3.19)

(10)

(a) H = 0

h

h

h

h

(b) H = 0

/

j =

j =

j =

j =

0

1

2

3

Figure 5.2: Planar contribution to the single-particle energy levels (schematic): (a) H = 0, and (b) H6= 0. e, lembrando que hNi = z @ @zlnZ = X hn i, (5.3.20) obtemos hNi = gV 1/3 h Z 1 1 dp 1 X j=0 1 z 1e "+ 1. (5.3.21)

Analisemos agora os casos limites. A altas temperaturas devemos ter o comporta-mento cl´assico com z ⌧ 1, e podemos expandir (5.3.19) e (5.3.21) em potˆencias de z, mantendo apenas o termo em ordem mais baixa,

lnZ ' zgV 1/3 h Z 1 1 dp 1 X j=0 e  p2 2m+~!(j+1/2) = zV eH hc 1 ⇤ ⇢ 2 sinh ~! 2kBT 1 , (5.3.22) e, portanto, hNi ' ln Z ' zV ⇤3 x sinh x, (5.3.23) com x µ0H kBT , (5.3.24) onde µ0 eh 4⇡mc (5.3.25)

(11)

A magnetiza¸c˜ao ´e obtida da maneira usual, isto ´e, M = 1 VkBT ✓ @ @H lnZ ◆ z,V,T = z ⇤3µ0 ⇢ 1 sinh x x cosh x sinh2x = nµ 0L(x), (5.3.26)

onde n⌘ hNi/V e a fun¸c˜ao de Langevin ´e definida por L(x)⌘ coth x 1

x. (5.3.27)

O resultado (5.3.26) ´e muito semelhante ao obtido pela Teoria de Langevin para dipolos cl´assicos, sendo que a diferen¸ca fundamental est´a no sinal de M que, sendo negativo, caracteriza o diamagnetismo. Outra observa¸c˜ao importante diz respeito ao aspecto pu-ramente quˆantico deste efeito: µ0 ! 0 quando h ! 0, concordando com a demonstra¸c˜ao mais formal do Teorema de van Leeuwen (veja Exerc´ıcio 5.3).

Fazendo a hip´otese adicional de que µ0H ⌧ kBT , temos que

L(x)' x/3, (5.3.28) de modo que M ' nµ02H 3kBT , (5.3.29) e ' nµ02 3kBT , (5.3.30)

evidenciando que o car´ater diamagn´etico n˜ao depende do sinal da carga da part´ıcula. Ademais, a suscetibilidade total ´e obtida somando-se as contribui¸c˜oes (5.3.14) e (5.3.30) onde, nesta ´ultima, a massa da part´ıcula que aparece na defini¸c˜ao de µ0deve ser entendida como sua massa efetiva no sistema (p.ex., em um cristal):

' n kBT ✓ µ2B 1 3µ 02 ◆ ; µ0H⌧ kBT. (5.3.31)

Se µ0 = µB, note que a contribui¸c˜ao diamagn´etica para el´etrons ´e 1/3 da paramagn´etica,

a altas temperaturas.

Vejamos agora o outro extremo, isto ´e, o comportamento a baixas temperaturas, kBT ⌧ "F. Suponhamos que µ0H ⌧ kBT , de modo que a soma em j na Eq. (5.3.19)

possa ser feita com o aux´ılio da f´ormula de Euler,

1 X j=0 f (j + 1/2)' Z 1 0 f (x) dx + 1 24f 0(0), (5.3.32) com o resultado lnZ = eV H h2c "Z 1 0 dx Z 1 1 dp ln ✓ 1 + ze (2µ0Hx+2mp2) ◆ 1 12 µ0H kBT Z 1 1 dp 1 z 1e 2mp2 + 1 # . (5.3.33)

(12)

H

V

H

I

V

t

w

Figure 5.3: Esquema de medida das tens˜oes longitudinal, V , e transversa (Hall), VH, em

uma amostra de largura w e espessura t, percorrida por uma corrente I, em presen¸ca de um campo magn´etico perpendicular H.

Os c´alculos de ambas as integrais s˜ao simplificados neste limite (veja Pathria, se¸c˜ao 8.2 para detalhes), de modo que a corre¸c˜ao em ordem mais baixa, devido `a quantiza¸c˜ao das ´

orbitas, fornece para a suscetibilidade a baixas temperaturas

' 1

2 nµ02

"F

, (5.3.34)

que, mais uma vez, traz a assinatura do diamagnetismo, independentemente do sinal da carga da part´ıcula. Note tamb´em que, ao contr´ario da contribui¸c˜ao paramagn´etica [Eq. (5.3.7)], a suscetibilidade diamagn´etica a T = 0 depende da densidade de part´ıculas. Supondo agora que µ0H ' kBT ⌧ "F, pode-se mostrar (veja Pathria, Se¸c˜ao 8.2) que

a suscetibilidade cont´em termos oscilat´orios em H: ' ⇡3nµ02 2"F kBT "1/2F (µ0H)3/2 sin(⇡"F/µ0H ⇡/4) sinh(⇡2/ µ0H) . (5.3.35)

Este efeito, conhecido como ‘de Haas-van Alphen’, permite a determina¸c˜ao experimental da energia de Fermi do sistema atrav´es da medida do per´ıodo da suscetibilidade, 2µ0/"F.

5.3.3 The Quantum Hall E↵ect

Imagine uma corrente I passando por uma amostra. Ao aplicarmos um campo magn´etico, H, perpendicular `a corrente (veja a Fig. 5.3), as cargas ser˜ao defletidas em dire¸c˜ao `a ex-tremidade anterior, devido `a for¸ca de Lorentz. Esta acumula¸c˜ao de cargas gera um campo el´etrico transverso, E?, cujo sentido depende do sinal dos transportadores. Uma nova situa¸c˜ao de equil´ıbrio ocorre quando a for¸ca de Lorentz fˆor contrabalan¸cada por

(13)

esta for¸ca eletrost´atica; isto ´e, a corrente volta a fluir quando E? = v

c H (CGS), (5.3.36)

onde v ´e a velocidade dos transportadores, determinada pela corrente I ou, equivalente-mente, pela densidade de corrente j:

v = j nq =

I

n wt q. (5.3.37)

Nesta equa¸c˜ao, n ´e a densidade de transportadores com carga q, e w e t s˜ao, respec-tivamente, a largura e a espessura da se¸c˜ao reta da amostra; como veremos adiante, ´e conveniente definir a densidade superficial de transportadores como ns= n t.

Medindo-se a voltagem, V , ao longo da corrente (veja a Fig. 5.3), obtemos a magnetor-resistˆencia R = V /I. Podemos tamb´em definir a magnetor-resistˆencia Hall como a raz˜ao entre a voltagem perpendicular, VH, e a corrente: RH = VH/I. Expressando VH em termos

de E?, I em termos de j, e, usando (5.3.36) e (5.3.37), obtemos, finalmente, que a resistˆencia Hall depende linearmente do campo magn´etico,

RH =

1 nsqc

H, (5.3.38)

conforme observado por Edwin Hall, em 1879. Este resultado ´e not´avel, j´a que um ´unico parˆametro caracter´ıstico do material – a densidade eletrˆonica superficial, ns – define a

proporcionalidade entre RH e H, independentemente da forma da amostra.

O desenvolvimento de t´ecnicas de deposi¸c˜ao bastante apuradas, a partir de 1980, permitiu a fabrica¸c˜ao de heteroestruturas semicondutoras com alto grau de pureza, como MOSFET’s (Metal-oxide-semiconductor field-e↵ect transistors) de Sil´ıcio, compostos de uma camada de Si em contato com uma de SiO2.2 Estes dispositivos s˜ao capazes de

confinar el´etrons `a interface entre as camadas, formando, essencialmente, um g´as bi-dimensional. A restri¸c˜ao a duas dimens˜oes inibe a imers˜ao do espectro da Fig. 5.2(b) em um cont´ınuo de estados associados ao movimento livre na dire¸c˜ao z; e, como veremos a seguir, a presen¸ca de gaps ´e crucial para os efeitos interessantes que surgem.

Quando submetidos a temperaturas de 4K e a campos magn´eticos da ordem de 20 T, estes dispositivos entram num regime no qual espera-se que o efeito Hall seja dominado por efeitos quˆanticos, j´a que os gaps no espectro se tornam compar´aveis `a energia t´ermica. Os resultados obtidos3 e mostrados na Fig. 5.4, foram surpreendentes. Em primeiro lugar, o crescimento de RH com H se d´a atrav´es de platˆos, ao inv´es do

comportamento linear previsto classicamente; veja a Eq. (5.3.38). Em segundo lugar, da mesma figura se nota que o valor de RH nestes platˆos ´e quantizado,

RH =

1 ⌫

h

e2, ⌫ = 1, 2, . . . , (5.3.39)

definindo o que passou a ser conhecido como o quantum de resistˆencia, h/e2 ' 25.8

k⌦. E, finalmente, a magnetorresistˆencia apresenta valores extremamente baixos nos intervalos de H correspondentes aos platˆos na resistˆencia Hall.

2Para uma discuss˜ao mais detalhada, veja, p.ex., H. L. Stormer, Rev. Mod. Phys. 71, 875 (1999). 3K. von Klitzing et al., Phys. Rev. Lett. 45, 494 (1980)

(14)

Figure 5.4: Medidas t´ıpricas de resistˆencia como fun¸c˜ao do campo magn´etico. A curva com platˆos corresponde `a resistˆencia Hall, RH, em undidades do quantum de resistˆencia,

h/e2; as setas indicam o valor de ⌫ na Eq. (5.3.39). A resistˆencia longitudinal ex-ibe m´aximos entre os platˆos de RH e se anula nos platˆos. [Segundo HL Stormer,

Rev.Mod.Phys.71, 875 (1999)].

A compreens˜ao destes resultados ´e obtida por etapas. Em primeiro lugar, para entender a existˆencia de uma regi˜ao de magnetorresistˆencia nula, lembremos que a re-sistividade se deve a algum mecanismo de espalhamento (por vibra¸c˜oes da rede, por impurezas, ou por outros el´etrons), que leva el´etrons com energias perto da energia de Fermi a estados finais com energias tamb´em pr´oximas a "F. Imagine agora que algum

efeito coletivo no sistema cause a abertura de um um gap em torno de "F, de modo que

os estados finais poss´ıveis est˜ao agora separados dos estados iniciais por um limiar de energia. Nestes processos de espalhamento as energias dispon´ıveis para os el´etrons n˜ao s˜ao suficientes para vencer o gap, de modo que a transi¸c˜ao entre estados eletrˆonicos n˜ao ocorre, e o transporte se d´a sem resistˆencia. Isto sugere que os gaps entre os n´ıveis de Landau, presentes no movimento bi-dimensional (perpendicular a H) sejam a fonte de queda na magnetorresistˆencia.

Para ver como isto ocorre, consideremos inicialmente um sistema totalmente puro, para o qual a densidade de estados corresponde a fun¸c˜oes- igualmente espa¸cadas, local-izadas nos n´ıveis de Landau; veja a Fig. 5.5(a). A raz˜ao entre o n´umero de el´etrons e a degenerescˆencia de cada n´ıvel de Landau define o fator de preenchimento,

⌫ = N g = nshc e 1 H, (5.3.40)

(15)

Figure 5.5: Densidade de estados para um g´as de el´etrons bi-dimensional em um campo magn´etico: (a) na ausˆencia de impurezas, e (b) na presen¸ca de impurezas. As impurezas causam um alargamento dos n´ıveis de Landau, que se tornam bandas de estados deslo-calizados (regi˜oes hachuradas), ao mesmo tempo em que introduz estados localizados entre sucessivos n´ıveis de Landau.

cujo inverso mede a ‘disponibilidade’ do n´ıvel. ´E importante notar a dependˆencia de 1/⌫ com H, para uma densidade de el´etrons fixa: se H = H1 ⌘ nshc/e, s´o o n´ıvel de

Landau de mais baixa energia estar´a (totalmente) preenchido. `A medida em que H diminui a partir deste valor, o n´ıvel mais baixo passa a n˜ao acomodar todos os el´etrons e inicia-se uma ‘migra¸c˜ao’ para o segundo n´ıvel. Quando H = H1/2, os dois n´ıveis de

Landau mais baixos est˜ao totalmente preenchidos; uma diminui¸c˜ao maior de H leva a uma migra¸c˜ao em dire¸c˜ao ao terceiro n´ıvel, e assim por diante. Pode-se se pensar que, para H diminuindo entre H1 e H1/2, o n´ıvel de Fermi permanece ‘grudado’ no segundo

n´ıvel de Landau; quando H < H1/2, "F salta para o terceiro n´ıvel de Landau, ficando

grudado at´e que H < H1/3, etc.

Vemos ent˜ao que valores do campo H = H1/⌫ s˜ao especiais por representarem

preenchimento completo de ⌫ n´ıveis de Landau. Levando estes valores na Eq. (5.3.38), obtemos a quantiza¸c˜ao de RH, descrita pela Eq. (5.3.39). Como para estes campos (ou

valores de ⌫) os gaps de Landau separam estados totalmente ocupados de estados total-mente desocupados, a resistˆencia ´e nula.

A discuss˜ao acima, no entanto, n˜ao explica a presen¸ca de platˆos nem o fato da mag-netorresistˆencia se anular em torno dos ⌫ inteiros. A origem destes efeitos est´a no fato de que, por mais cuidadoso que seja o processo de crescimento, o sistema sempre apresenta impurezas, as quais causam dois efeitos importantes. Em primeiro lugar, os n´ıveis de Landau se alargam, virando mini-bandas de estados deslocalizados (i.e., el´etrons nestes estados podem conduzir corrente quando submetidos a um campo el´etrico), represen-tadas na Fig. 5.5(b) pelas regi˜oes hachuradas. Em segundo lugar, as impurezas

(16)

apri-Figure 5.6: FQHE: Resistˆencia Hall (RH) e Magnetorresistˆencia (R) como fun¸c˜oes do

campo magn´etico aplicado, agora no caso de heteroestruturas de GaAs/AlGaAs. Deve ser notado o aparecimento de mais platˆos em RH e de mais quedas em R do que na

Fig. 5.4. [Segundo HL Stormer, Rev.Mod.Phys.71, 875 (1999)].

sionam alguns el´etrons, que ficam em estados localizados, n˜ao participando, portanto, da condu¸c˜ao; estes estados ocupam as regi˜oes entre as bandas de Landau, como mostra a Fig. 5.5(b). Suponha agora que, para um dado valor de H, o n´ıvel de Fermi esteja no meio de uma das bandas de Landau; neste caso a magnetorresistˆencia n˜ao ´e nula, e RH n˜ao est´a em um platˆo. `A medida em que H diminui, o n´ıvel de Fermi agora

au-menta continuamente, passando pela regi˜ao de estados localizados, como indicado pela reta pontilhada na Fig. 5.5(b). Nesta regi˜ao, os el´etrons deslocalizados sentem um gap efetivo e, como no caso puro, n˜ao apresentam resistˆencia; ademais, como as bandas de Landau permanecem totalmente preenchidas, RH se mant´em nos valores quantizados.

Posteriormente, os MOSFET’s de Si foram substitu´ıdos por heteroestruturas de GaAs/AlGaAs, com um ganho significativo na mobilidade dos el´etrons; isto ´e, diminu´ıram significativamente a presen¸ca de impurezas e a rugosidade nas interfaces [veja HL Stormer, op. cit.]. Isto, aliado `a disponibilidade de campos magn´eticos mais intensos, permitiu es-tabelecer a presen¸ca de platˆos tamb´em para valores racionais n˜ao-inteiros de ⌫, dando origem ao Efeito Hall Quˆantico Fracion´ario (FQHE); veja a Fig. 5.6.

A origem do FQHE reside na intera¸c˜ao entre os el´etrons, sendo, portanto, um efeito de muitos corpos. Todavia, a an´alise pode ser reduzida, de modo engenhoso, a um outro

(17)

problema de part´ıculas n˜ao interagentes. Para ver isto, devemos notar inicialmente que um campo magn´etico H, cujo fluxo ´e dado por = HL2 (L2 ´e a ´area), aplicado a uma distribui¸c˜ao uniforme de carga produz v´ortices, cada um dos quais associado a um quantum de fluxo magn´etico 0 = hc/e. A Eq. (5.3.17) nos permite escrever a

degenerescˆencia de cada n´ıvel em termos de uma raz˜ao entre fluxos como g =

0

, (5.3.41)

de modo que a Eq. (5.3.40) fornece

= N

⌫ 0. (5.3.42)

O efeito das intera¸c˜oes entre os el´etrons pode ser levada em conta, de modo efetivo, ao ‘fixarmos’ quanta de fluxo nos el´etrons, criando as chamadas part´ıculas compostas (PC’s). Isto leva a uma transmuta¸c˜ao estat´ıstica, pois ao trocarmos duas PC’s, a fun¸c˜ao de onda fica multiplicada por um fator de fase ( 1)1+ / 0. Assim, el´etrons com um

n´umero par de quanta de fluxo s˜ao f´ermions compostos, enquanto que el´etrons com um n´umero ´ımpar de fluxos se tornam b´osons compostos. A partir destas id´eias pode-se compreender uma boa parte dos platˆos e das correspondentes magnetorresistˆencias nulas [veja HL Stormer, op. cit., RB Laughlin, Rev. Mod. Phys. 71, 863 (1998), e referˆencias l´a citadas].

5.4

Thermodynamics of Blackbody Radiation

Uma das mais importantes aplica¸c˜oes da estat´ıstica de Bose-Einstein ´e na descri¸c˜ao de radia¸c˜ao eletromagn´etica em equil´ıbrio termodinˆamico, chamada de radia¸c˜ao de corpo negro. Ela pode ser pensada como um ‘g´as’ de f´otons. A linearidade das equa¸c˜oes da eletrodinˆamica implica na ausˆencia de intera¸c˜oes entre os f´otons, de modo que este g´as ´e, de fato, um g´as ideal.

Para tratar a radia¸c˜ao em um meio material – e n˜ao no v´acuo – ainda como um g´as ideal, a intera¸c˜ao entre os f´otons e a mat´eria deve ser pequena. Para gases, esta condi¸c˜ao ´e satisfeita para todo o espectro, com exce¸c˜ao de frequˆencias pr´oximas dos picos de absor¸c˜ao; para meios materiais mais densos, a intera¸c˜ao s´o pode ser considerada pequena a altas temperaturas. Por outro lado, deve-se ter em mente que a mat´eria deve sempre estar presente, pois ´e ela que fornece o mecanismo – atrav´es da emiss˜ao e absor¸c˜ao de f´otons – para a radia¸c˜ao atingir o equil´ıbrio termodinˆamico. Por esta raz˜ao, o n´umero de f´otons N n˜ao ´e definido, ao contr´ario do que ocorre em um g´as material. Assim, para radia¸c˜ao em equil´ıbrio em uma cavidade de volume V , `a temperatura T (fixos), N deve ser determinado a partir das condi¸c˜oes de equil´ıbrio do sistema; a condi¸c˜ao de m´ınimo da energia livre do g´as de f´otons fornece

✓ @A @N ◆ T,V = µ = 0, (5.4.1)

(18)

ou seja, o potencial qu´ımico do g´as de f´otons ´e zero. Esta condi¸c˜ao ocorre sempre que as part´ıculas em estudo corresponderem a excita¸c˜oes de algum sistema como, por exemplo, fˆonons, m´agnons, etc.

Os f´otons se distribuem entre os diferentes modos normais, caracterizados por vetores de onda k, com energias "k=~!k e rela¸c˜ao de dispers˜ao ! = c|k|; os valores poss´ıveis

de k dependem das condi¸c˜oes de contorno impostas `a cavidade. Consideraremos sempre condi¸c˜oes de contorno peri´odicas em uma caixa c´ubica de volume V , que fornecem

k↵ =

2⇡

V1/3 n↵, n↵= 0,±1, ±2, . . . , (5.4.2)

onde ↵ = x, y, z. O n´umero m´edio de f´otons com vetor de onda k ´e dado pela Eq. (4.3.2) com µ = 0,

hnki =

1

e ~!k 1 , (5.4.3)

que ´e a conhecida distribui¸c˜ao de Planck.

Supondo o volume grande o suficiente, podemos passar para uma distribui¸c˜ao cont´ınua de modos normais. O n´umero de modos com vetores de onda no intervalo dk centrado em k ´e (V /(2⇡)3)dk, que, devido `a isotropia da rela¸c˜ao de dispers˜ao, deve ser o mesmo que o n´umero de modos, com m´odulo do vetor de onda no intervalo dk centrado em k. Temos ent˜ao, para a densidade de modos (isto ´e, o n´umero de modos por intervalo)

g(k) = V (2⇡)3 4⇡k

2. (5.4.4)

Para relacionar g(k) com g(!), usamos a rela¸c˜ao de dispers˜ao e notemos que o campo eletromagn´etico tem apenas duas dire¸c˜oes de polariza¸c˜ao (denotadas por ˆe1 e ˆe2, de

modo que a densidade de modos com frequˆencia entre ! e ! + d! fica, finalmente, g(!) = 2 V

2⇡2c2 !

2. (5.4.5)

O n´umero de f´otons com frequˆencia neste intervalo ´e obtido multiplicando-se a Eq. (5.4.3) por g(!)d!:

dN!= V

⇡2c3

!2d!

e ~! 1. (5.4.6)

A energia irradiada nesta faixa do espectro ´e obtida como~! · dN!, ou

dE! = V~

⇡2c3

!3d!

e ~! 1, (5.4.7)

que ´e conhecida como a f´ormula de Planck para a radia¸c˜ao de corpo negro; veja a Fig. 5.7. A baixas frequˆencias (~! ⌧ kBT ), recupera-se o resultado de Rayleigh-Jeans,

dE! =

V !2

(19)

Figure 5.7: Distribui¸c˜ao espectral da energia [(u0⌘ dE!/d!, Eq. (5.4.7)] na radia¸c˜ao de

corpo negro, mostrando os resultados de Planck, Rayleigh-Jeans e Wien; x⌘ ~!/kBT .

enquanto que a altas frequˆencias obtemos a lei de Wien, dE! =

V~ ⇡2c3!

3e ~!d!. (5.4.9)

Para o c´alculo de outras grandezas termodinˆamicas necessitamos a fun¸c˜ao de parti¸c˜ao,

Z = X {nk},ˆe e Pk,ˆe~!knk,ˆe =Y k,ˆe 1 X n=0 e ~!kn=Y k,ˆe 1 1 e ~!k, (5.4.10)

cujo logaritmo nos d´a

ln Z = X

k,ˆe

ln(1 e ~!k) = 2X

k

ln(1 e ~!k). (5.4.11)

A energia interna ´e dada por

E = @ @ ln Z = X k 2~!ke ~!k 1 e ~!k = X k 2~!khnki, (5.4.12)

ondehnki ´e dado pela Eq. (5.4.3) e n˜ao inclui a degenerescˆencia devido aos dois modos

transversos de polariza¸c˜ao. De modo an´alogo, a press˜ao fica P = 1 @ @V ln Z = 1 3V X k 2~!khnki, (5.4.13)

(20)

onde deve-se lembrar que a dependˆencia em V vem atrav´es de !k= ck, com k dado pela

Eq. (5.4.2). Comparando as Eqs. (5.4.12) e (5.4.13), obtemos a equa¸c˜ao de estado, P V = 1

3E, (5.4.14)

que ´e um resultado bastante conhecido para a press˜ao da radia¸c˜ao de corpo negro. Deve-se notar que o fator 1/3 repreDeve-senta, na realidade, a raz˜ao entre o expoente s da rela¸c˜ao de dispers˜ao ("p ⇠ ps) e a dimens˜ao espacial d.

Tomando agora V ! 1, as somas em k podem ser substitu´ıdas por integrais, e

E = V (2⇡)3 Z dk 4⇡k2 ~ck e ~ck 1 = V~ ⇡2c3 Z 1 0 d! ! 3 e ~! 1, (5.4.15) ou E V = ⇡2 15 (kBT )4 (~c)3 . (5.4.16)

O calor espec´ıfico do g´as de f´otons fica sendo CV =

4⇡k4B 15(~c)3 T

3, (5.4.17)

Devemos comparar as diferentes contribui¸c˜oes do calor espec´ıfico a baixas temperat-uras. Para o g´as de b´osons materiais a 3 dimens˜oes, temos CV ⇠ T3/2 e para o g´as de

f´otons tamb´em a 3 dimens˜oes, CV ⇠ T3. Estes resultados podem ser generalizados da

seguinte forma: CV ⇠ Td/s para um g´as de b´osons. Esta dependˆencia com o expoente

da rela¸c˜ao de dispers˜ao e com a dimensionalidade do sistema deve ser contrastada com o comportamento de um g´as de f´ermions, CV ⇠ T , para quaisquer s e d.

5.5

Phonons

O problema de modos vibracionais de um s´olido pode ser estudado considerando o sistema tanto como um conjunto de osciladores harmˆonicos, quanto como um g´as de quanta de som, os chamados fˆonons. Para ilustrar isto, consideremos a Hamiltoniana de um s´olido cl´assico de N ´atomos, cujas posi¸c˜oes no espa¸co s˜ao especificadas pelas coordenadas (x1, x2, x3, . . . x3N). As vibra¸c˜oes dos ´atomos em torno de suas posi¸c˜oes

de equil´ıbrio (¯x1, ¯x2, ¯x3, . . . ¯x3N) s˜ao descritas pelos deslocamentos ⇠i = (xi x¯i), onde

i = 1, . . . 3N . A energia cin´etica do sistema na configura¸c˜ao {xi} ´e, ent˜ao, dada por

Ec = 1 2m 3N X i=1 ˙x2i = 1 2m X i ˙⇠2 i, (5.5.1)

e a energia potencial por = (xi) = (¯xi) + X i ✓ @ @xi ◆ {xi}={¯xi} ⇠i+ X i,j 1 2 ✓ @2 @xi@xj ◆ {xi}={¯xi} ⇠i⇠j+ . . . (5.5.2)

(21)

O termo (¯xi) representa a energia (m´ınima) do s´olido, 0, quando todos os N ´atomos

est˜ao em repouso em suas posi¸c˜oes de equil´ıbrio. O termo seguinte ´e identicamente nulo porque deve ter um m´ınimo em (¯xi). Os termos de segunda ordem

represen-tam, ent˜ao, a componente harmˆonica das vibra¸c˜oes atˆomicas. Trabalharemos aqui na aproxima¸c˜ao harmˆonica, baseada na hip´otese de que as vibra¸c˜oes tˆem pequenas ampli-tudes, permitindo-nos desprezar termos de ordem mais alta. Podemos ent˜ao escrever a Hamiltoniana como H = 0+ 8 < : X i 1 2m ˙⇠ 2 i + X i,j ↵ij⇠i⇠j 9 = ;, (5.5.3) onde ↵ij = 1 2 ✓ @2 @xi@xj ◆ , (5.5.4)

inclui tamb´em o acoplamento entre vibra¸c˜oes em torno de diferentes s´ıtios.

Agora introduzimos uma transforma¸c˜ao linear, das coordenadas ⇠i para as chamadas

coordenadas normais, qi, de modo que a nova express˜ao para a Hamiltoniana n˜ao cont´em

termos cruzados, H = 0+ X i 1 2m( ˙q 2 i + !2i qi2), (5.5.5)

onde os !i, i = 1, 2, . . . , 3N s˜ao as frequˆencias caracter´ısticas dos chamados modos

normais do sistema. Elas s˜ao determinadas, essencialmente, pelos ↵ij, que refletem

detalhes do potencial de intera¸c˜ao (xi). Ademais, a Eq. (5.5.5) sugere que o s´olido se

comporta como um conjunto de 3N osciladores harmˆonicos n˜ao-interagentes com um espectro de frequˆencias naturais, !i.

Classicamente, ent˜ao, cada um dos 3N modos normais corresponde a uma distor¸c˜ao dos pontos da rede; isto ´e, a uma onda sonora. Quˆanticamente, estes modos d˜ao origem a quanta, chamados de fˆonons, em analogia com os modos do campo eletromagn´etico dando origem a f´otons. Uma diferen¸ca importante entre estes dois casos ´e que, enquanto o n´umero de modos normais no caso do campo eletromagn´etico ´e indefinido, o n´umero de modos normais no caso de s´olidos ´e especificado pelo n´umero de s´ıtios da rede. Todavia, o n´umero de fˆonons, bem como o n´umero de f´otons, ´e tamb´em indefinido, resultando num potencial qu´ımico identicamente nulo; veja a Se¸c˜ao 5.4. Estas diferen¸cas se manifestam apenas nos comportamentos termodinˆamicos envolvendo modos de altas frequˆencias, como pode ser verificado pelos resultados que ser˜ao deduzidos nesta se¸c˜ao.

A contribui¸c˜ao dos fˆonons para a termodinˆamica do s´olido pode ent˜ao ser obtida da maneira usual, lembrando, em primeiro lugar, que os autovalores da Hamiltoniana quˆantica s˜ao dados por

E{ni} = 0+ X i ✓ ni+ 1 2 ◆ ~!i, (5.5.6)

onde os n´umeros ni definem o estado de excita¸c˜ao dos diversos osciladores;

(22)

interna do sistema ´e, ent˜ao, E(T ) = ( 0+ X i 1 2 ~!i ) +X i ~!i e~!i/kBT 1. (5.5.7)

A express˜ao entre colchetes ´e a energia do s´olido no zero absoluto e determina a energia de liga¸c˜ao da rede. O ´ultimo termo ´e que determina o calor espec´ıfico,

CV(T ) = ✓ @E @T ◆ V = kB X i (~!i/kBT )2e~!i/kBT (e~!i/kBT 1)2 (5.5.8)

Para prosseguirmos al´em deste ponto necessitar´ıamos de informa¸c˜oes sobre o espectro de frequˆencias, o qual n˜ao ´e simples de ser obtido a partir de primeiros princ´ıpios. Alter-nativamente, lan¸ca-se m˜ao de espectros obtidos experimentalmente, ou faz-se hip´oteses simplificadoras a seu respeito. No modelo de Einstein (1907), sup˜oe-se que todas as frequˆencias tˆem o mesmo valor: !i = !E 8i. O calor espec´ıfico ´e, ent˜ao, dado por

CV(T ) = 3N kBE(x), (5.5.9)

onde a fun¸c˜ao de Einstein ´e

E(x) = x 2ex (ex 1)2, x = ~!E kBT ⌘ ⇥E T , (5.5.10)

definindo a temperatura de Einstein ⇥E. A altas temperaturas, T ⇥E, obtemos

CV ⇠ 3NkB, que ´e o resultado cl´assico (c.f., o teorema da equiparti¸c˜ao da energia)

como deveria ser. J´a a baixas temperaturas, T ⌧ ⇥E, temos CV ⇠ e x, que decai muito

mais r´apido que o previsto experimentalmente (em 3 dimens˜oes) ⇠ T3. Como vimos

anteriormente, o comportamento exponencial do calor espec´ıfico sinaliza a presen¸ca de um gap de energia que, neste caso, ´e atribu´ıdo `a artificialidade do modelo.

No modelo de Debye (1912) considera-se um espectro cont´ınuo, at´e uma determinada frequˆencia de corte, !D, a qual ´e determinada impondo que o n´umero total de modos de

vibra¸c˜ao seja igual a 3N ; isto ´e, Z !D

0

g(!) d! = 3N, (5.5.11)

onde g(!)d! fornece o n´umero de modos normais entre ! e ! + d!. Para g(!) podemos usar a express˜ao (5.4.5), desde que adaptada para levar em conta os seguintes aspectos: (1) os modos de vibra¸c˜ao podem ser longitudinais e transversais (estes ´ultimos s˜ao du-plamente degenerados); (2) as velocidades de propaga¸c˜ao dos modos longitudinais (cL)

e transversais (cT) podem ser diferentes. Assim,

g(!) = V ! 2 2⇡2c3 L + V ! 2 ⇡2c3 T , (5.5.12)

(23)

Figure 5.8: Distribui¸c˜ao de frequˆencias, g(!), para o Al. A linha cheia ´e obtida por espalhamento de raios-X [C B Walker, Phys. Rev. 103 547, (1956)] e a linha tracejada corresponde `a aproxima¸c˜ao de Debye.

que, levado em (5.5.11), fornece

!D3 = 18⇡2N V ✓ 1 c3L+ 2 c3T ◆ 1 . (5.5.13)

Deste modo o espectro de frequˆencias de Debye ´e dado por g(!) =

(

(9N/!3D) !2, se !  !D

0, se ! > !D.

(5.5.14) Neste ponto devemos fazer duas observa¸c˜oes. Em primeiro lugar, o espectro de freq¨uˆencias de Debye ´e, claramente, uma idealiza¸c˜ao, como fica aparente ao ser com-parado com um espectro real t´ıpico; veja a Fig. 5.8. Se para os modos de baixa frequˆencia – os chamados fˆonons ac´usticos – a aproxima¸c˜ao de Debye ´e razo´avel, para os modos de alta frequˆencia – fˆonons ´oticos – as discrepˆancias s˜ao aparentes. Felizmente, para quanti-dades m´edias como a energia interna e, por conseguinte, para o calor espec´ıfico, detalhes finos do espectro n˜ao s˜ao muito importantes. Em segundo lugar, os modos longitudinais e transversais tˆem suas pr´oprias frequˆencias de corte, !D,Le !D,T, ao inv´es de um valor

comum, !D, simplesmente porque h´a 2N modos transversos e N longitudinais. Todavia,

ambas as frequˆencias de corte correspondem a um mesmo comprimento de onda m´ınimo,

min= (4⇡V /3N )1/3, que ´e da ordem da distˆancia interatˆomica no s´olido.

Retomando os c´alculos na aproxima¸c˜ao de Debye, e lembrando que na Eq. (5.5.8) a passagem para o cont´ınuo contribui com g(!)/ !2, obtemos

(24)

onde D(x0) ´e a fun¸c˜ao de Debye, D(x0) = 3 x3 0 Z x0 0 dx x 4ex (ex 1)2, (5.5.16) com x0 = ~!D kBT ⌘ ⇥D T , (5.5.17)

o que define a temperatura de Debye para o s´olido. Fazendo a integral em (5.5.16) por partes, obtemos D(x0) = 3x0 ex0 1 + 12 x3 0 Z x0 0 dx x 3 ex 1. (5.5.18)

Para T ⇥D, a fun¸c˜ao D(x0) pode ser expressa em uma s´erie de potˆencias em x0:

D(x0)' 1

x20

20, (5.5.19)

e o calor espec´ıfico neste limite fica

CV ' 3NkB, (5.5.20)

que ´e o resultado cl´assico. A baixas temperaturas, T ⌧ ⇥D, podemos estender o limite

superior de integra¸c˜ao para1 em (5.5.18), D(x0) = 12 x3 0 Z 1 0 dx x 3 ex 1+ O(e x0), (5.5.21)

recaindo nas conhecidas integrais bosˆonicas, gn(z); veja Eq. (4.5.8). Logo,

D(x0)' 12 x3 0 (4)g4(1) = 4⇡4 5 ✓ T ⇥D ◆3 , (5.5.22) e, portanto, CV ' NkB 12⇡4 5 ✓ T ⇥D ◆3 , (5.5.23)

reproduzindo o comportamento conhecido como a Lei-T3de Debye, indicando a ausˆencia

de um gap, contrariamente ao previsto pelo modelo de Einstein. Deve-se notar que a dependˆencia de CV com T a baixas temperaturas pode ser extra´ıda sem nos referirmos

`

as integrais bosˆonicas: com efeito, a integral em (5.5.21) contribui com um n´umero, enquanto que a dependˆencia com T j´a est´a contida em x03 que, por sua vez, resultou de uma mudan¸ca de vari´avel de integra¸c˜ao.

Medidas experimentais do calor espec´ıfico de s´olidos a baixas temperaturas servem de teste para o modelo de Debye, atrav´es de estimativas para ⇥D, que devem ser comparadas

com as obtidas a partir de constantes el´asticas; o resultado favorece a teoria de Debye. Valores t´ıpicos de ⇥D cobrem o intervalo de 100 a 1000K.

Finalizando, esta an´alise indica que se o calor espec´ıfico a baixas temperaturas de um dado sistema obedece `a lei-T3, ent˜ao suas excita¸c˜oes t´ermicas s˜ao explicadas apenas por fˆonons.

(25)

5.6

Exercises

1. Obtenha os resultados (5.2.18), (5.2.19) e (5.2.20).

2. Mostre que, para um g´as de f´ermions a baixas temperaturas temos, de uma maneira geral, µ' "F " 1 ⇡ 2 6 ✓ d ln g(") d ln " ◆ "="F ✓ kBT "F ◆2# e CV ' S ' ⇡2 3 k 2 BT g("F),

onde g(") ´e a densidade de estados de uma part´ıcula. Discuta estes resultados para um g´as com espectro de energia "p = apn em um espa¸co d-dimensional.

3. Mostre que o diamagnetismo n˜ao existe na F´ısica Cl´assica. [Sugest˜ao: A Hamiltoniana para part´ıculas carregadas em presen¸ca de um campo magn´etico B =r ⇥ A ´e uma fun¸c˜ao de pj + (ej/c)A(rj). Deve-se mostrar, ent˜ao, que a fun¸c˜ao de parti¸c˜ao do

sistema ´e independente do campo aplicado.]

4. Considere um g´as ideal de el´etrons bi-dimensional, cuja densidade (n´umero de el´etrons pela ´area do sistema) ´e n. Obtenha a contribui¸c˜ao dos momentos magn´eticos intr´ınsecos para a suscetibilidade deste sistema a T = 0.

5. Considere el´etrons n˜ao interagentes em 3 dimens˜oes, em presen¸ca de um campo magn´etico uniforme H; a Hamiltoniana de uma part´ıcula ´e dada pela Eq. (5.3.1). (a) Mostre que a energia de uma dada configura¸c˜ao de spins pode ser escrita como

E =X

p

Ep(np", np#),

onde np (= 0 ou 1) ´e o n´umero de part´ıculas com spin = ±1 (ou ", #) e

momento p, e

Ep(np", np#) = np

p2

2m mpµBH, com np⌘ np"+ np# e mp⌘ np" np#.

(b) Mostre que a gran-fun¸c˜ao de parti¸c˜ao pode ser escrita como Z = Z0(µ + µBH)Z0(µ µBH), onde Z0(⌫) = Y p h 1 + e (⌫ p2/2m)i. (c) Mostre que o gran-potencial pode ser expresso como

J = kBT V ⇤3 h f5/2(ze µBH) + f 5/2(ze µBH) i , onde as integrais fermiˆonicas f5/2(w) foram definidas na Eq. (4.4.11).

(26)

(d) Denotando por N o n´umero m´edio de part´ıculas com spin , mostre que o n´umero total de el´etrons e a magnetiza¸c˜ao s˜ao dados por

N = N"+ N#= V ⇤3 h f3/2(ze µBH) + f 3/2(ze µBH) i , e M = µB(N" N#) = µB V ⇤3 h f3/2(ze µBH) f 3/2(ze µBH) i , respectivamente.

(e) Discuta os limites de altas e baixas temperaturas, comparando com os resultados da Se¸c˜ao 5.3.1.

6. Considere um g´as ideal de f´ermions de massa m e spin-1/2, com um espectro de uma part´ıcula "(k).

(a) Qual a probabilidade de ocupa¸c˜ao, p(n; "), `a temperatura T (ou sua inversa, ⌘ 1/kBT ) de um estado arbitr´ario com energia ", sendo n = 0, 1 a ocupa¸c˜ao

do estado? Certifique-se de que esta probabilidade est´a normalizada.

(b) Mostre que a probabilidade do estado com energia µ+ ( ´e uma energia constante arbitr´aria) estar ocupado ´e igual `a probabilidade do estado com energia µ estar desocupado. Comente.

Suponha, de agora em diante, que o espectro destes f´ermions admita energias positivas e negativas, com dispers˜ao

"±(k) =±pm2c4+~2c2k2,

onde c ´e uma constante.

(c) `A temperatura nula, todos os estados de energia negativa est˜ao ocupados, en-quanto que os de energia positiva est˜ao desocupados; logo, µ(T = 0) = 0. Baseado no resultado do item (b), o que se pode afirmar sobre µ(T > 0)?

(d) Mostre que a energia m´edia de excita¸c˜ao deste sistema, `a temperatura T > 0, ´e dada por E(T ) E(0) = 4V (2⇡)3 Z d3k "+(k) e "+(k)+ 1,

onde V ´e o volume a trˆes dimens˜oes.

(e) Suponha que estes f´ermions n˜ao tenham massa; obtenha a dependˆencia com a temperatura da capacidade calor´ıfica deste g´as. Como este resultado se compara com o caso em que o espectro ´e limitado inferiormente? Discuta.

(f) Suponha agora f´ermions massivos a baixas temperaturas; obtenha a dependˆencia com a temperatura da capacidade calor´ıfica deste g´as. Comente.

(27)

Figure 5.9: Problema 6

7. Ondas de spin s˜ao perturba¸c˜oes a baixas temperaturas sobre um estado com spins (cl´assicos) totalmente alinhados [parte (a) da figura abaixo]. Elas correspondem, essencialmente, a um desvio transversal sendo compartilhado por todos os spins; veja a parte (b) da figura abaixo. M´agnons s˜ao os quanta destas excita¸c˜oes, que tˆem rela¸c˜ao de dispers˜ao ! = Ak2, onde A ´e uma constante.

(a) Fa¸ca esbo¸cos das densidades de estados de m´agnons, D("), como fun¸c˜oes da energia ", para dimens˜oes espaciais d = 1, 2 e 3. Coloque no mesmo gr´afico o n´umero m´edio de m´agnons com energia ".

(b) Obtenha o n´umero m´edio total de m´agnons em um sistema de dimens˜ao d. (c) Discuta cuidadosamente seus resultados. Comente, em particular, as consequˆencias

para o alinhamento quando d 2.

(d) Suponha agora que lim"!0g(") = , onde ´e uma constante positiva. Como isto alteraria as conclus˜oes do ´ıtem anterior?

8. Supondo que a rela¸c˜ao de dispers˜ao para vibra¸c˜oes em s´olidos seja ! = Aks, mostre que a respectiva contribui¸c˜ao para o calor espec´ıfico a baixas temperaturas ´e propor-cional a T3/s. Generalize este resultado para d dimens˜oes. (Obs.: s = 1 corresponde

a fˆonons, e s = 2 corresponde a m´agnons.)

9. Um g´as ideal de b´osons se movimenta em bloco com velocidade v em rela¸c˜ao a um referencial inercial.

(a) Mostre que o n´umero m´edio de ocupa¸c˜ao hnpi de um estado com energia "p ´e

dado por

hnpi =

1

e ("p µ v·p) 1 ,

onde µ ´e o potencial qu´ımico.

(b) Mostre, a partir da´ı, que a densidade de ‘massa inercial’ de um g´as de fˆonons, com rela¸c˜ao de dispers˜ao ! = ck, movendo-se em bloco com velocidade v ´e

⇢ = 16⇡ 5(k BT )4 45h3c5 1 (1 v2/c2)3.

(28)

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