Ciência dos Materiais Solidificação e imperfeições no sólido. Professora: Maria Ismenia Sodero

Ciência dos Materiais

Solidificação e imperfeições no sólido

Professora: Maria Ismenia Sodero

Tópicos abordados

1.

Descrição dos processos de solidificação dos metais, mostrando a

diferença entre os dois tipos de nucleação: homogênea e heterogênea;

2.

Descrição

das

formas

de

energias

envolvidas

no

processo

de

solidificação;

3.

Distinguir entre monocristais e policristais;

4.

Descrever os tipos de defeitos podem ocorrer nos sólidos?

5.

Explicar o papel dos defeitos sobre as propriedades dos materiais

cristalinos;

Solidificação dos metais

Esquema ilustrativo das várias etapas da solidificação de metais: (a) formação de núcleos, (b) crescimento de núcleos formando cristais, (c) união dos cristais para formar grãos e os contornos de grãos. Observe que os grãos são orientados aleatoriamente.

Um conjunto de grãos, retirados a golpe de martelo de um lingote de titânio fundido a arco. O conjunto preservou as reais facetas de ligação entre as estruturas dos grãos da estrutura bruta de solidificação. (Aumento de 1/6.)

Depois da formação de núcleos estáveis no metal que está se solidificando, estes núcleos crescem e formam cristais. Em cada cristal, os átomos se arranjam em um modelo essencialmente regular, mas a orientação em cada cristal varia. Quando a solidificação se completa, os cristais, com diferentes orientações, juntam-se uns aos outros e originam contornos nos quais ocorrem variações de orientação com distância de alguns átomos.

Força motriz para solidificação

Gráfico G x T

T

_f

= temperatura de fusão. Substância pura

no estado líquido pode coexistir com essa

mesma substância no estado sólido.

T

₁

= decréscimo de G por conta da

transformação de um determinado

volume

Quanto maior o



T maior a força motriz para

Variação de energia livre

Balanço de energia



G

_T

=

-V

_s



G

_V

+

A

_{S L}



_SL



G

_V

= Energia volumétrica – força motriz



G

_S

= A

_{S L}



_SL

– energia de superfície

Digite a equação aqui.



GT

=

4

3

πr

3

∆𝐺

𝑣

+

4π𝑟

2

𝛾

Onde:

GT = variação total de energia livre; r= raio do embrião ou núcleo;

Gv =energia volumétria;

Raio crítico

V

G

r







2



*

Existe para um dado



T, um certo r * que está

associado com um máximo excesso de Energia livre

r*

r

ΔG

+

-

ΔG

_v

ΔG

_s

ΔG

_T

r*

3

16

*

Gv

Gv











Núcleo

r



r*

r



r*

o sistema pode diminuir energia se o núcleo crescer o sistema pode diminuir energia pela dissolução do sólido

Raio crítico x super-resfriamento

Quanto maior o grau de super-resfriamento T abaixo da temperatura de fusão do metal, maior é a variação de energia livre de volumeG_v

A medida que o grau de super-resfriamento aumenta, o tamanho do raio crítico diminui.

Variação do tamanho do raio crítico do núcleo em função do grau de super-resfriamento para o cobre.

T

H

T

r

f

m







2



*

Nucleação heterogênea

É a nucleação que ocorre no líquido sobre as paredes do recipiente (molde), como também sobre impurezas insolúveis ou até mesmo outros matérias estruturais capazes de reduzir a energia livre crítica necessária para formar um núcleo estável.

Nucleação que ocorre em sítios favoráveis, que são catalisadores do processo de nucleação (superfície, contornos de grão, impurezas);

(J.H. Brophy, R.M. Rose and John Wulff, “Structure and Properties of Meterists”, vol. 11: “Thermodynemics of Structure”, Wiley, 1964, p. 105.)

Figura 4.6 Nucleação heterogênea de um sólido sobre um agente nucleante.

Agente nucleante (substrato) que é molhado pelo líquido que está em processo de solidificação



G

*

_{(heterogênea) <<<}



_G

*

_(homogênea)



_MS

=



_ML

-



_SL

* cos



3 16 * Gv Gv    

Crescimento de cristais no meio liquido

O número de locais de nucleação disponíveis no metal para a solidificação afeta a estrutura de grão do metal sólido obtido.

Numero de locais pequenos– estrutura grosseira ou de grão grosso;

Refinador de grão: adicionado para obter grãos menores. Ex: ligas de alumínio adicionam-se: titânio, boro ou zircônio

Regiões das seções transversais de dois lingotes da liga 6063 (Al–0,7% Mg–0,4% Si) com 15 cm de diâmetro, que foram vazados por um processo semicontínuo de fundição direta em coquilha. No caso do lingote (a) não foi adicionado qualquer refinador de grão; notar os grãos colunares e as colônias de cristais com a forma de penas, próximo ao centro da seção. O lingote (b) foi vazado com adição de um refinador e apresenta uma estrutura de grão fina e equiaxial. (Reagente de Tucker; tamanho real.)

Formação de estrutura de grãos

Figura 4.7(a) Esquema da estrutura de grão de um metal solidificado em um molde frio. (b) Seção transversal de

um lingote da liga de alumínio 1100 (99,0% Al) fundido pelo processo Properzi (processo de fundição centrifuga). Note-se a consistência com que os grãos colunares cresceram perpendicularmente às paredes do molde.

Grãos equiaxiais: o elevado super-resfriamento que se verifica junto às paredes frias do molde origina uma concentração relativamente grande de núcleos – crescimento igual em todas as direções;

Grãos colunares: grosseiros, alongados e estreitos – gradiente de temperatura acentuado – poucos núcleos de solidificação;

Imperfeições Cristalinas

Defeitos cristalinos =

imperfeições ou irregularidade

na rede cristalina

Os cristais reais apresentam inúmeros defeitos, que são classificados por

sua “dimensionalidade”.

•

Defeitos Pontuais (dimensão zero)

Vacâncias

Impurezas intersticiais e substitucionais

•

Defeitos Lineares (dimensão um)

Discordâncias (dislocations)

•

Defeitos Planares (dimensão dois)

Interfaces e fronteiras de grão, contornos de macla, defeitos de falha de

empilhamento,

• Defeitos Volumétricos (dimensão três)

Defeitos Pontuais

Os defeitos de ponto são assim chamados apesar de possuírem um volume e de produzirem um campo de tensões no material.

A denominação vem da dimensão desses defeitos = diâmetro da ordem de 10-12_{(eletrônicos) a 10}-8 _cm

(atômicos) Vacância ausência de átomo Auto-intersticial átomo da própria rede ocupando um interstício Impureza Intersticial átomo diferente ocupando um interstício Impureza Substitucional átomo diferente ocupando uma vacância

Defeitos Pontuais

Vacância ou Lacuna

(a) Defeito pontual de lacuna;

Podem ser originadas durante a solidificação, como resultado de perturbações locais durante o crescimento dos cristais, ou podem ser criadas pelo rearranjo dos átomos de um cristal, devido à mobilidade atômica.

Podem ser introduzidas nos metais:

- deformação plástica - por meio de resfriamento rápido, com base em temperaturas elevadas até temperaturas baixas, de forma a enclausurar as lacunas;

Equilíbrio de defeitos de ponto

Uma característica muito importante das lacunas e átomos auto-intersticiais, em contraste com defeitos de linha e superfície, é o fato de eles poderem existir em equilíbrio termodinâmico a temperaturas superiores a 0K.

A formação de defeitos de ponto em um metal requer uma certa quantidade de calor. Logo, sendo dH=q, a entalpia do sistema aumenta. A entropia configuracional também aumenta - certo número de possibilidades de se colocar o defeito no sistema.

F = H – TS

A energia livre de Gibbs alcançará um mínimo para um certo número (n) diferente de zero. A ok, o termo entrópico (TS) é anulado e a concentração de equilíbrio é zero;

𝑛

𝑁

= 𝑒

−𝐻_𝑓 𝐾𝑇 H F -TS n

Variação da energia livre de Gibbs com a concentração de defeitos

Cocentração de equilíbrio de vacâncias em função da temperatura para o alumínio

Onde: n= número de defeitos;

N=locais atômicos = numero de sítios Hf= entalpia de formação de defeitos

K= constante de Boltzman T= temperatura

Para formar defeitos é necessário dispor de energia. Normalmente esta energia é dada na forma de energia térmica. Isto quer dizer que quanto maior a temperatura, maior será a concentração de defeitos.

Para muitos tipos de defeitos vale o seguinte:

Onde:

C_D = concentração de defeitos

N_D = número de lacunas em condições de equilíbrio N = número total de sítios

Q_D = energia de ativação para o defeito k = constante de Boltzmann

T = temperatura absoluta em Kelvin

Concentração de defeitos

C

_D



N

D

N



exp



Q

_D

kT









N=

𝑁𝐴𝜌 𝐴

N= numero de sítios atômicos N_A= número de Avogadro 𝜌 = densidade

Defeitos Pontuais

Lacuna/Vacância - Autointersticial

(b) defeito pontual autointersticial ou intersticial na rede compacta de um metal sólido.

Formação deste defeito não é muito provável – introduz distorções relativamente grandes na sua vizinhança– pode ser introduzido por irradiação. Podem ser originadas durante a solidificação,

como resultado de perturbações locais durante o crescimento dos cristais, ou podem ser criadas pelo rearranjo dos átomos de um cristal, devido à mobilidade atômica.

Soluções sólidas metálicas

A maior parte dos metais em engenharia é combinada com outros metais ou não metais para melhorar resitência mecância, corrosão ou outras propriedades desejadas.

Liga metálica: mistura de dois ou mais metais ou de um metal e um não metal. Example:

 Latão Cu -Zn.

 Iconel 718 (mais de 10 elementos)

Solução sólida: é o tipo mais simples de liga. Constituído por dois ou mais elementos disperses atomicamente em uma única fase.

Solvente

- na solução representa o elemento que

está presente em maior quantidade;

Soluto

- na solução representa o elemento que está

presente em menor quantidade.

Por que átomos de impureza são

adicionados intencionalmente?

• aumentar resistência mecânica,

• aumentar resistência à corrosão,

• aumentar condutividade elétrica,

Adição de átomos de impureza

•

solução sólida,

•

segunda fase.

Solução Sólida Substitucional

Nos defeitos substitucionais , os átomos de soluto repõem ou

substituem os átomos do solvente.

A solubilidade máxima dos átomos do soluto na rede do solvente

depende de:

Fator tamanho atômico;

Estrutura cristalina

Eletronegatividade

Valência

Solução sólida substitucional. Os círculos escuros representam um tipo de átomos, e, os claros, outro. O plano atômico é o plano (111) de uma rede cristalina CFC.

Átomos de soluto

Átomos de solvente

Liga Ni-Cu

Monofásica

Ex. substitucional: Cu-Ni, completamente solúveis um no outro

R

_Cu

= 0,128nm

R

_Ni

= 0,125nm

Ambos CFC

Eletronegatividades 1,9 e 1,8

Valências: Cu (mais comum +1, às vezes +2); Ni (+2)

Solubilidade sólida

Regras de Hume-Rothery

A solubilidade dos sólidos é maior se:

• Os diâmetros atômicos dos elementos não diferir mais do que cerca de 15%; • Os dois elementos apresentarem estrutura cristalina similar;

• As eletronegatividades dos dois elementos não devem ser consideravelmente diferentes, de modo a não se formarem compostos;

• Os dois elementos devem possuir a mesma valência

Sistema

Diferença do raio

atômico

Diferença na

eletronegatividade

Solubilidade

sólida

Cu-Zn 3.9% 0.1 38.3% Cu-Pb 36.7% 0.2 0.17% Cu-Ni 2.3% 0 100%

Solução Sólida Intersticial

Esquema mostrando uma solução sólida intersticial de carbono em ferro CFC em um plano (100) imediatamente acima de 912ºC. Note-se a distorção dos átomos de ferro  (raio = 0,129 nm) em volta dos átomos de carbono (raio = 0,075 nm). Diferença atômica é de 42%.

O raio do maior interstício do CFC é 0,053 nm de raio, e uma vez que o raio atômico do C é 0,075, não é de se surpreender que a solubilidade máxima do carbono no Fe seja apenas 2,08%.

No FeCCC, o raio do maior interstício é apenas de 0,036nm e, como resultado, imediatamente abaixo de 7230_C

apenas pode se dissolver intersticialmente 0,025%C.

Defeitos Pontuais cristais iônicos

Representação bidimensional de um cristal iônico mostrando um defeito de Schottky e um defeito de Frenkel.

Manter a condição de eletroneutralidade = número iguais de cargas positivas e negativas.

Defeito de Frenkel: um cátion deixa sua posição normal e se move para o interior de um interstício.

Defeito de Schottky: remoção de um cátion e de um ânion em uma superfície externa, seguido pela colocação de ambos os íons em uma superfície externa.

Solução sólida em compostos

Formação da solução sólida aleatória substitucional de NiO no MgO. Neste caso, o Ni+2_{e Mg}+2_.

Formação da solução sólida de Al₂O₃no MgO, pois a valência mais alta do Al+3_{geraria uma carga positiva líquida}

para o composto óxido, criando uma condição instável. Para manter a neutralidade de carga, tendo apenas dois íons Al+3 _{preenchendo cada três sítios do Mg}+2_{, o que deixa um sítio vago de Mg}+2 _{para cada duas}

Produção do defeito de ponto

Os defeitos de ponto intrínsecos de um metal (lacunas e intersticiais) existem em certas concentrações de equilíbrio, porém, pode-se aumentar esta concentração de defeitos por:

- deformação plástica: o movimento das discordâncias pode resultar em defeitos de ponto, como os movimentos não conservativos de jogs e aniquilação de discordâncias paralelas de sinal contrário, produzindo uma fila de lacunas ou intersticiais;

A deformação introduz concentrações muito mais elevadas de lacunas e intersticiais, mas produz alterações subestruturais, pois introduz discordâncias que interagem fortemente com os defeitos de ponto.

Irradiação do metal:

por partículas com alta energia (nêutrons, elétrons raios ), gerando átomos deslocados por colisões. Na maior parte dos casos, os átomos “viajam” por algumas distâncias atômicas e se aloja em um interstício. Consequentemente, produz uma lacuna e um auto-intersticial.

Têmpera:

concentração de lacunas é da ordem de 10-4 _{perto do ponto de fusão, sendo 10}-8 _a

temperaturas iguais a metade da temperatura de fusão. Para manter a concentração elevada, é necessário uma taxa de resfriamento tal que as lacunas não se possam difundir para os “poços” sumidouros, tais como: contornos de grão, discordâncias ou superfície;

- Ouro: teria que ser resfriado de 1330K até Tamb com uma taxa de 1011_k/s;

- Resfriamento em água gelada– taxa de 105_{k/s– consegue-se taxas de lacunas bem elevadas;}

Difusão

A figura mostra como a migração atômica se torna possível sem grande distorção na estrutura cristalina por meio do mecanismo de migração de vacâncias ou mecanismo de difusão intersticial

Embora cada átomo do Cu tenha probabilidade igual de “caminhar” aleatoriamente em qq direção, a concentração inicial mais alta de Cu no lado esquerdo fará com que esse movimento aleatório produza interdifusão.

Fluxo de átomos

Fluxo de vacâncias

Defeitos Lineares

Discordâncias

Podem ser originadas durante a solidificação ou, mais comumente durante a deformação;

São defeitos lineares. Existe uma linha separando a seção perfeita, da seção deformada do

material.

São responsáveis pelo comportamento mecânico dos materiais quando submetidos a

cisalhamento. Tensão de cisalhamento teórica: Exemplo:

whiskers de carboneto de Si

com resistência superior a 40GPa.

São responsáveis pelo fato de que os metais sofram escoamento em níveis de tensão muito

menores do que a tensão teórica.

Existem dois tipos fundamentais de discordâncias:

• Discordância em linha (edge dislocation)

• Discordância em hélice (screw dislocation)

Discordâncias

(a) Discordância em cunha positiva em uma rede cristalina. Aparece um defeito linear na região imediatamente acima do “tê” invertido, ⊥, onde um semiplano atômico foi introduzido.

Discordância

em linha

Campo de deformação ao redor da discordância

(a) Discordância em cunha

Os átomos acima da linha da discordância são pressionados uns contra os outros – compressão;

Enquanto que os átomos abaixo da linha da discordância são puxados uns para longe dos outros –tração

Discordância em Hélice

Discordância

Vetor de Burgers, b

Neste caso o vetor de Burgers é

paralelo a discordância.

Uma boa analogia para o efeito

deste tipo de discordância é

Discordância mista

Linha da discordância

O vetor de Burgers mantém uma direção fixa no espaço. Na extremidade inferior esquerda, onde a discordância é pura hélice, b é paralelo a discordância.

Na extremidade superior direita, onde a discordância é pura linha, b é perpendicular a discordância.

Discordâncias e deformação mecânica

A tensão cisalhante crítica é o valor máximo, acima do qual o cristal

começa a cisalhar.

No entanto, os valores teóricos são muito maiores do que os valores

obtidos experimentalmente.

As discordâncias reduzem a tensão necessária para cisalhamento, ao

introduzir um processo sequencial, e não simultâneo, para o rompimento

das ligações atômicas no plano de deslizamento.

1

2

3

4

5

6

tensão cisalhante

tensão cisalhante

tensão cisalhante

tensão cisalhante

   

Direção do movimento

Linha: mov. na direção da tensão Hélice: mov. normal a direção da tensão. O efeito final é o mesmo.

Discordâncias e def. mec. (cont.)

Discordâncias e deformação plástica

A habilidade de um metal em ser deformado de maneira plástica

depende da habilidade das discordâncias em se moverem;

PLANO DE ESCORREGAMENTO – SISTEMA DE ESCORREGAMENTO.

As discordâncias não se movem com o mesmo grau de facilidade sobre

todos os planos cristalográficos e em todas as direções. Existe um plano

preferencial, e neste plano existem direções específicas para ocorrer o

movimento das discordâncias.

A restrição ou impedimento do movimento de discordâncias confere maior

dureza e mais resistência ao material; -

mecanismo de aumento de

resistência em metais

Sistemas de deslizamento (cont.)

Estrutura Cristalina Planos de Deslizamento Direções de Deslizamento Número de Sistemas de Deslizamento Geometria da

Célula Unitária Exemplos

CCC {110} {211} {321} <111> 6x2 = 12 12 24 -Fe, Mo, W CFC {111} <110> 4x3 = 12 _Al, Cu, -Fe, Ni HC {0001} {1010} {1011} <1120> 3 3 6 Cd, Mg,  -Ti, Zn

Sistemas de escorregamento

HC:

O plano basal (0001) é o único de grande densidade atômica, sendo os eixos diagonais <1120> as direções compactas. Uma vez que existe apenas um plano basal por célula unitária e três direções <1120> , a estrutura hc possui apenas 3 sistemas de deslizamento – apresentam baixa ductilidadee fortementedependente da orientação.

CFC:

Os planos {111} e as direções <110> formam os sistemas compactos. Existem 8 planos {111} na célula unitária, no entanto os planos das faces opostas são paralelos entre si, o que acarreta a existência de apensa quatro grupos de planos compactos. Cada plano contém 3 direções <110> , desta forma, a rede cfc possui12 sistemas de deslizamento;

CCC:

Esta estrutura não é compacta como a CFC, ou HC, não apresentando plano de densidade atômica predominantecomo a (111) da CFC e o (0001) na estrutura HC.

Os planos {110} apresentam maior densidade atômica na estrutura CCC, mas sem grande superioridade em relação ao outros planos. No entanto, a direção <111> do CCC é tão compacta quanto a direção <110> do CFC. Desta forma, nos metais CCC o deslizamento pode ocorrer nos planos {110} {112} {123}, enquanto que a direção é sempre [111]. Desta forma, existem 48 sistemas de deslizamento possíveis, mas como os planos não são tão compactos quanto os da estrutura CFC, são geralmente necessárias maiores tensões de cisalhamento para produzir deslizamento.

Defeitos Planares

Interfaces

As imperfeições cristalinas podem se estender em duas dimensões, como nas

superfícies externas ou nos contornos de grão.

Superfícies externas

:

Os átomos superficiais têm vizinhos de apenas um lado, portanto, têm energia mais alta

que os átomos internos. Se os átomos adicionais forem depositados na superfície,

deve haver desprendimento de energia, tal como na combinação de 2 átomos

individuais;

As ligações interatômicas destes átomos de superfície não está completadas e dão

origem a uma energia de superfície;

Para reduzir esta energia, os materiais tentam minimizar a área total da superfície, como

superfícies esféricas de gotículas de líquidos, o que não é possível em sólidos.

Defeitos Planares

Contorno de grão

Sólidos cristalinos geralmente consistem em um grande número de grãos separados por contornos. Cada grão (ou subgrão) é uma monocristal, sendo portanto, uma região de transição entre vizinhos;

O contorno de grão é uma interface que separa dois grãos ou cristais que possuem diferentes orientações cristalográficas em materiais policristalino.

Dentro da região do controno (espessura do contorno) existem alguns desencontros atômicos na transição da orientação cristalina de um grão para aquela de outro grão adjacente.

São possíveis vários graus de desalinhamento cristalográfico entre grão adjacentes.

Separa cristais que possuem diferentes orientações cristalográficas

Fronteira de baixo ângulo

• São possíveis vários graus de desalinhamento

cristalográficos entre os grãos adjacentes. Quando este desencontro é pequeno, da ordem de apenas poucos graus, = contorno de grão de baixo ângulo ou contorno de inclinação (tilt boundary)

• O mais simples contorno de grão consiste em um arranjo de discordâncias em cunha entre os dois grãos.

• A figura mostra alguns planos verticais terminados no contorno e cada terminação é representada por uma discordância em cunha. A desorientação no contorno é relacionada ao espaçamento entre discordâncias D, pela relação

𝐷 = 𝑏

𝜃 (𝑝𝑎𝑟𝑎 𝜃 𝑝𝑒𝑞𝑢𝑒𝑛𝑜)

Onde b= vetor de Burgers

• O ângulo de rotação é pequeno (< 15º).

• O corntono de baixo ângulo tem tendência de se combinar e formar contornos de maior desorientação, pois a junção de duas interfacer de baixo ângulo, formando um contorndo de alto ângulo sempre resulta em decréscimo de energia.

Contornos de grão

Os átomos estão ligados de maneira menos regular e menos compacta ao longo de um contorno de grão – magnitude da energia é função do grau de desorientação – maior para contornos de alto ângulo. Consequentemente, existe uma energia interfacial, ou do contorno de grão, que é semelhante à energia de superfície. A magnitude desta energia é uma função do grau de desorientação, sendo maior para contornos de alto ângulo.

Devido à sua energia mais alta e mais aberta (menos compacta), os cg são regiões quimicamente mais reativa. Além disso, favoráveis `a nucleação e ao crescimento de precipitados – favorece também a difusão mais rápida por esta região.

A energia interfacial

Os contorno de grão crescem quando se encontram a temperatura elevadas, a fim de reduzir a energia de contorno total

Papel dos contornos de grão na deformação plástica

a) A temperaturas baixas (T<0,5T_f), os contornos de grão agem como obstáculos fortes ao movimento das discordâncias. Discordâncias podem empilhar-se nos contornos de grão, dando origem a concentrações de tensões que podem ser relaxadas pelo início do deslizamento múltiplo cruzado;

b) Há uma exigência de compatibilidade entre grãos vizinhos durante a deformação de policristais, isto é a deformação de cada grão deve ser acomodada por seus vizinhos, levando a altas taxas de encruamento. Quanto menor o tamanho de grão, maior será a superfície total dos contornos por unidade de volume – logo o volume total de material encruado aumento com o decréscimo no tamanho de grão.

c) Os contornos de grão funcionam como sítios de fraqueza a temperaturas altas, pois pode ocorrer deslizamento dos contornos de grão levando à fluência e abertura de vazios ao longo dos contornos;

d) Contornos de grão podem agir como fontes e sumidouros para lacunas a temperaturas altas – mecanismo de fluência de Nabarro-Herring (envolve o fluxo de lacunas dentro de um grão) – para aumentar a resistência a fluência, deve-se aumentar o tamanho de grão;

Macla (twin)

É um tipo especial de contorno - simetria específica em espelho da rede cristalina;

Uma força de cisalhamento pode produzir, por deslocamentos atômicos tal que um dos

lados de um plano os átomos ficam localizados em posições de imagem em espelho

em relação aos átomos no outro lado do plano.

Formadas pela aplicação de tensão mecânica ou em tratamentos térmicos de recozimento (annealing) Plano de macla (twin plane) (c ) 2 0 0 3 B ro o k s/ C o le Pu b lish in g / T h o ms o n L ea rn in g

Contorno de Macla

Maclas de deformação:

• mais comum em CCC e HC, sob condições de rápida taxa de carregamento e baixas temperaturas; • auxilia no processo de deformação quando o processo de escorregamento está restrito;

• muito importante pois reorienta alguns planos, de forma a colocar novos sistemas de escorregamento em orientações favoráveis.

Maclas de recozimento

:

• Principalmente em cfc. A presença de maclas de recozimento é uma boa indicação que o material tenha sido deformado mecanicamente antes do recozimento, uma vez que há indicação que elas cresçam a partir de núcleos introduzidos durante a deformação;

• Formadas em TT de recuperação, recristalização e crescimento de grão; • Para alguns autores, deve ser incluída na contagem de tg;

Defeitos volumétricos

Normalmente introduzidos no processo de fabricação e podem causar grandes

influências nas propriedades dos materiais.

•

Poros

•

Trincas

•

Inclusões

•

Outras fases

Referências Bibliográficas

1) Askeland, D. R.; Phule, P. P. Ciência e engenharia dos materiais. São

Paulo: CENGAGE, 2008;

2) Callister Jr., W. D. Fundamentos da ciência e engenharia de materiais. Rio

de Janeiro: LTC Editora, 2006;

3) Callister Jr., W. D. Ciência e engenharia de materiais. Rio de Janeiro: LTC

Editora, 2008;

4) Shackelford, J. E. Ciência dos materiais. São Paulo: Prentice Hall, 2008;

5) Smith, W. Hashemi, J. Fundamentos de Engenharia e Ciência dos