v.8b_JBM 26/08/2011
_________________________________________________________________________ UFRJ / POLI / DEL - Laboratório de Eletrônica III
AULA PRÁTICA #1 – RESPOSTA EM FREQUÊNCIA
I) Objetivos:• Projetar amplificador na configuração EMISSOR COMUM (EC) para atender às características especificadas. • Estimar a resposta em frequência de amplificadores.
• Comparar o desempenho das configurações EMISSOR COMUM (EC) e CASCODE.
II) Especificações
• Circuito da fig.1, sendo: Vcc=15 V, Q1=Q2=BC546/547/548, C5=C6=10pF e VCEQ2=1,5V. (manual:
http://www.datasheetcatalog.org/datasheets/150/128424_DS.pdf
)• Módulo do ganho de tensão o
80
Sv
V
Av
V
v
∆=
≥
;• Excursão de sinal na saída ≥ 2,0 V pico; •
Z
IN≥
3, 5
k
Ω
;• Frequência de corte inferior entre 30 e 80 Hz;
• Variação percentual da corrente de polarização
∆I
I
CQ CQ
≤ 15%
, considerando: - dispersão dos valores de hFE,- variação dos parâmetros (VBE, hFE , ICBO) com a temperatura, na faixa entre -15 e 55 oC. - distribuir o percentual da seguinte forma:
devido a VBE (6%), a hFE (8%) e a ICBO (1%). III) Projeto
• Projetar o amplificador EC da fig. 1 atendendo às especificações e escolhendo valores comerciais para os componentes; • Utilize o manual do transistor para verificar valores de hFE e de capacitâncias parasitas.
• Adote um hFE para o projeto. Sugestão: utilizar
h
FEproj= ⋅
2
(
h
FEmax⋅
h
FEmin) (
h
FEmax+
h
FEmin)
para que a variação percentual de ICQ2 seja simétrica com a variação de hFE para o máximo e para o mínimo.• Somente depois de definir todos os componentes, calcular e preencher a coluna “projetado”, nas tabelas anexas (EC e CASCODE).
C3 Q2 BC546B RS 1k C2 VCC Vo R1 R5 R3 VS R4 RL= 10k C4 C1 C5 ZOUT Q1 BC546B R2 R6 C6 ZIN RS 1k R6 R4 VCC Vo R1 VS R5 ZIN Q2 BC546B ZOUT C2 C5 C6 C4 RL= 10k R3 C3 C1 R2 Q1 BC546B
_________________________________________________________________________ UFRJ / POLI / DEL - Laboratório de Eletrônica III IV) Simulações
• Todas as simulações devem ser do tipo resposta em frequência, exceto a de excursão de sinal que deve ser do tipo resposta no tempo.
• Para o circuito da fig. 1:
o Ajustar a corrente de polarização (ICQ2) permitindo variação máxima de ±5% em relação ao valor adotado no projeto. Se necessário, varie somente o valor de R1, podendo fazer associações de resistores comerciais para obter o valor desejado.
• Repetir as simulações para o circuito da fig. 2.
• Para cada simulação coloque ao lado o esquema da montagem utilizada. • Apenas simulação no Orcad : Variação de Temperatura e hFE
o Variar a temperatura e o hFE dos transistores e medir a variação percentual da corrente de polarização (ICQ2) devido aos efeitos simultâneos da variação de VBE (efeito da temperatura) e de hFE (efeito da dispersão dos valores de hFE). Preencher a tabela correspondente.
o Para variar o hFE é necessário saber qual valor do parâmetro BF produz o hFE desejado (hFEmin, hFEproj e hFEmax). Deve-se fazer uma simulação com o seguinte procedimento:
- Nas definições de simulação, selecionar: análise do tipo “DC Sweep”, opção “model parameter”, “model type (NPN)”, “Model name (transistor usado: p.ex. BC546B)”, “Parameter name (BF)”. Selecionar ainda o tipo de varredura: “linear” na faixa desejada (valor inicial / valor final / incremento).
- Mandar plotar IC(Q2)/IB(Q2) e verificar qual valor de BF corresponde ao hFE desejado e usar estes valores de BF para fazer simulação com a variação de hFE.
- Para fazer simulações do tipo “Time Domain (transient)” ou “AC Sweep/Noise” com variação simultânea de hFE e temperatura, marcar as opções “Parametric Sweep” e “Temperature (Sweep)”.
Em “Parametric Sweep”, selecionar: “model parameter”, “model type (NPN)”, “Model name (transistor usado)”, “Parameter name (BF)” e colocar o valor desejado de BF em “Value list”.
Em “Temperature (Sweep)”, indicar a temperatura desejada para a simulação.
V) Medidas
• Montagens:
o Observar que as diferenças entre os circuitos das fig.1 e fig.2 estão apenas nas ligações dos capacitores C1, C3 e C4.
o Desenhar as montagens utilizadas para as medidas das impedâncias de entrada e de saída, justificando o método.
• Para o circuito da fig. 1:
o
Ajustar a corrente de polarização (ICQ2) permitindo variação máxima de ±5% em relação ao valor adotado no projeto. Se necessário, varie somente o valor de R1, podendo fazer associações de resistores comerciais para obter o valor desejado. Observe que R1 pode ser diferente do usado na simulação. O importante é deixar as correntes de polarização aproximadamente iguais, nas três situações: projeto, simulação e montagem.• Repetir as medidas para o circuito da fig. 2.
• Imprimir e anexar as telas das medidas no osciloscópio.
VI) Escala de valores comerciais disponíveis no laboratório:
Aula prática
#1
(Resposta em frequência)
GRUPO:
Data:____________
MEMÓRIA DE CÁLCULO
1) Especificações:
• Módulo do ganho de tensão:
_____
o Sv
V
Av
V
v
∆=
≥
• Excursão de sinal na saída:
_____
op pico
v
≥
V
• Impedância de entrada: •
Z
IN≥
_____
k
Ω
• Frequência de corte inferior
_____
Hz
≤
f
L≤
_____
Hz
• Temperatura de operação:____
oC
≤
T
≤
____
oC
•V
CEQ2=
_____
V
•V
CC=
_____
V
•C
5=
C
6=
_____
pF
• Variação percentual da corrente de polarização:
_____
BE CQ CQ VI
I
∆
≤
_____
FE CQ CQ hI
I
∆
≤
_____
CBO CQ CQ II
I
∆
≤
2) Informações adicionais:
Verifique qual o tipo de transistor de pequenos sinais está disponível no conjunto de componentes recebidos para as aulas práticas.
Do manual do transistor selecione as características relacionadas a seguir:
Tipo: BC_________
h
FEmin=
______
h
FEmax=
______
I
CBO(25oC)=
______
nA
min max min max2
FE FE______
FE proj FE FEh
h
h
h
h
⋅
= ⋅
=
+
r
o=
_______
k
Ω
Considere ainda:
25
o projT
=
C
BE2, 5
oV
mV
T
C
∆
≅ −
∆
(
)
max 10 max2
1
25o T CBO CBO CI
I
∆
∆
≅
−
BE CQ BE CQ V REI
V
I
V
∆
= −
∆
CBO CQ B E CBO CQ I REI
R
R
I
I
V
∆
+
=
∆
(
max)
1
1
FE B CQ E FE CQ h FE FEprojR
I
R
h
I
h
h
+
∆
=
∆
+
⋅
3) Determinação de
R
5e
I
CQ2:
O roteiro deste projeto está baseado no método apresentado na apostila “Projeto de amplificador monoestágio” e consiste, basicamente, de um sistema de três inequações onde cada uma delas garante o cumprimento de um ou mais itens da especificação. São elas:
(
)
2 1min 2 min
CQ CC CEQ CEQ RE C
I
≤
V
−
V
−
V
−
V
⋅
G
→
(I) garante a polarização e a excursão do sinalsem saturação
(
)
(
)
2
CQ op f C op f L
I
≥
v
+
v
⋅
G
+
v
+
v
⋅
G
→
(II) garante a excursão do sinal sem corte2
40
40
CQ C L
K
K
I
≥
⋅
G
+
⋅
G
→
(III) garante o ganho de tensão3.1) Inequação (I)
A corrente de polarização (
I
CQ) é definida pelo transistor Q2. A estabilidade deI
CQem relação às variações deV
BE depende deV
RE (tensão sobre o resistor R6). Para obterV
REmin, calcule∆
T
max em relação à temperatura de projeto (T
proj=
25
oC
) e use a expressão da variação percentual deI
CQ devido àV
BE.1min
CEQ
V
garante a não saturação do sinal de saída. Para obtê-lo, use a especificação da amplitude do sinal (v
op).2
CQ C
I
≤
G
(I)
→
garante a polarização e a excursão do sinal sem saturaçãomin RE
V
=
V
max oT
C
∆
=
1min CEQV
=
V
3.2) Inequação (II)
Use a especificação da amplitude do sinal (
v
op).2
CQ C L
I
≥
G
+
G
(II)
→
garante a excursão do sinal sem corte3.3) Inequação (III)
Use a especificações do ganho (
Av
) e da impedância de entrada (Z
IN) para definir o valor mínimo do ganhoo
K
=
v v
B que atende à especificação.2
CQ C L
I
≥
G
+
G
(III)
→
garante o ganho de tensão3.4) Interpretação gráfica e cálculo de
R
CmaxEsboce o gráfico das três inequações, indicando a região de solução. Calcule o ponto de interseção e determine
R
Cmax=
1
G
Cmin3.5) Escolha de
I
CQ2e
R
5Escolha um valor comercial para
R
5 e calcule a correnteI
CQ2 e verifique se o valor escolhido paraI
CQ2 pode variar±
20%
sem sair da região de solução.Valores escolhidos: max C
R
=
k
Ω
5R
=
k
Ω
I
CQ2=
mA
2 CQI
CG
LG
−
4) Cálculo de
R
6Escolha um valor comercial para
R
6, considerandoR
6>
V
REminI
CQ2.5) Cálculo das polarizações de base
As variações percentuais de
I
CQ2 devido àI
CBO eh
FE dependem do valor deR
B adotado na polarização de base do transistorQ
2.Observe que o valor de
R
B muito alto pode prejudicar a estabilidade deI
CQ2 e o valor muito baixo pode prejudicar a impedância de entradaZ
IN.5.1) Cálculo de
R
BCalcule
∆
I
CBOmax considerando∆
T
maxCalcule max CBO
B I
R
. Use a expressão da variação percentual deI
CQ2 devido àI
CBO.Calcule max FE
B h
R
. Use a expressão da variação percentual deI
CQ2 devido àh
FE. Considere∆
h
FE=
h
FEmax−
h
FE projCalcule 2 T fe CQ
V
r
h
I
π=
. UseV
T=
25
mV
eh
fe=
h
FE proj=
______
. 6R
=
k
Ω
max CBOI
mA
∆
=
max CBO B IR
=
k
Ω
max FE B hR
=
k
Ω
r
π=
k
Ω
Calcule
R
Bmin de modo a garantir a especificação deZ
IN.5.2) Cálculo de
R
1e
R
2Usando as expressões abaixo, calcule
R
2e escolha um valor comercial:2 2 max
1
BQ B CCV
R
R
V
≤
−
e
V
BQ2=
I
CQ2R
6+
V
BECalcule
R
1 usando a expressão: 1 22
1
CC BQV
R
R
V
=
−
Calcule
R
Be verifique seR
Bmin≤
R
B≤
R
Bmax5.3) Cálculo de
R
3e
R
4Para que as impedâncias de entrada do EC e CASCODE fiquem aproximadamente iguais, considere
R
4=
R
2.Calcule
R
3 usando a expressão: 3 41
1
CC BQV
R
R
V
=
−
, ondeV
BQ1=
I
CQ2R
6+
V
CEQ2+
V
BE,e escolha um valor comercial.
min B
R
=
k
Ω
1R
=
k
Ω
2R
=
k
Ω
BR
=
k
Ω
3R
=
k
Ω
4R
=
k
Ω
6) Resumo
R1 R2 R3 R4 R5 R6OBS.: Neste projeto, para simulação e montagem, o valor de
R
1 deve ser ajustado para que a correnteI
CQ2 fique dentro de±
5%
do valor nominal adotado no projeto.
7) Verificação (CONFIGURAÇÃO EMISSOR COMUM)
Com os valores de todos os resistores já definidos, faça análise do circuito para verificar se todas as especificações na banda média e polarização e foram atendidas:
7.1) Cálculo de
I
CQ2Se necessário, altere o valor de
R
1(pode ser valor não comercial) para que a correnteI
CQ2 fique igual ao valor nominal adotado no projeto.7.2) Cálculo de
V
CEQ27.3) Cálculo de
V
CEQ17.4) Cálculo da i
mpedância equivalente de coletor (Rac=RC//RL)7.5) Cálculo da excursão máxima do sinal de saída sem corte nem saturação
Excursão máxima sem corte
(
v
op sem corte)
:C3 Q2 BC546B RS 1k C2 VCC Vo R1 R5 R3 VS R4 RL= 10k C4 C1 C5 ZOUT Q1 BC546B R2 R6 C6 ZIN 2 CQ
I
=
mA
=
Ω
acR
k
2=
CEQV
V
1=
CEQV
V
Excursão máxima sem saturação
(
v
op sem saturação)
:min(
,
)
op op sem corte op sem saturação
v
=
v
v
7.6) Cálculo do ganho de tensão
(
Av
=
v v
o S)
7.7) Cálculo da impedância de entrada
( )
Z
in7.8) Cálculo da impedância de saída
(
Z
out)
7.9) Cálculo da impedância de saída do coletor de Q1
( )
R
O1Utilizar a expressão:
1
,
1
fe b O o Eeqh
R
r
R
r
onde
k
k
R
π
+
=
+
=
+
8) Cálculo dos capacitores responsáveis pela freqüência de corte inferior
Calcule todos os capacitores considerando cada um deles como sendo responsável pela frequência de corte inferior e os demais em curto. Escolha um valor comercial para C3.Multiplique os capacitores C1 e C2, em ordem decrescente de valor, respectivamente, por 10 e 50. Multiplique C4 por 250.
=
Ω
inZ
k
=
vA
V V
=
opv
V
=
Ω
outZ
k
1=
Ω
oR
k
9) Verificação das frequências de corte
Frequência de corte inferior
Frequência de corte superior
10) Cálculo da variação percentual de
I
CQ2devido às variações de temperatura e
h
FE∆
∆
∆
∆
=
+
+
BE CBO FE CQ CQ CQ CQ CQ CQ V CQ I CQ hI
I
I
I
I
I
I
I
1=
µ
C
F
C
2=
µ
F
C
3=
µ
F
C
4=
µ
F
=
Lf
Hz
=
Hf
kHz
10.1) Variação percentual de
I
CQ2considerando
T
mine
h
FEmin10.2) Variação percentual de
I
CQ2considerando
T
maxe
h
FEmax11) Verificação (CONFIGURAÇÃO CASCODE)
Com os valores de todos os resistores já definidos, faça análise do circuito para verificar se todas as especificações na banda média e polarização e foram atendidas:
11.1) Cálculo da excursão máxima do sinal de saída sem corte nem saturação
Excursão máxima sem corte
(
v
op sem corte)
:Excursão máxima sem saturação
(
v
op sem saturação)
:min(
,
)
op op sem corte op sem saturação
v
=
v
v
11.2) Cálculo do ganho de tensão
(
Av
=
v v
o S)
=
vA
V V
%
CQ CQI
I
∆
=
%
CQ CQI
I
∆
=
=
opv
V
11.3) Cálculo da impedância de entrada
( )
Z
in11.4) Cálculo da impedância de saída
(
Z
out)
11.5) Cálculo da impedância de saída do coletor de Q1
( )
R
O1Utilizar a expressão:
1
,
1
fe b O o Eeqh
R
r
R
r
onde
k
k
R
π
+
=
+
=
+
12) Verificação das frequências de corte
Frequência de corte inferior
Frequência de corte superior
=
Ω
inZ
k
=
Ω
outZ
k
1=
Ω
oR
k
=
Lf
Hz
=
Hf
kHz
Configuração emissor comum (EC)
Parâmetros do circuito
Unid Projetado Simulado Medido OBS
T=25 ºC hFEproj =_________ Polarização Ajustar ICQ2
(
5%
)
nomI
±
mA VEQ2 V VCEQ1 V VCEQ2 VImpedância equivalente de coletor (Rac=RC//RL) kΩ X
Excursão máxima de sinal na saída (Vopmax) V
Ganho (Av=Vo/Vs) V/V
Frequência de corte
inferior (fL) Hz
superior (fH) kHz
Impedância de entrada (Zin) kΩ
Impedância de saída (Zout) kΩ
Impedância de saída do coletor de Q1 (Ro1) kΩ X
Variação de Temperatura e hFE Unid Projetado Simulado Medido OBS
Tmin=______ºC hFEmin=_________ BFmin=_________ VBEQ2 V X X Vopmax V X X Ganho (Av=Vo/VS) V/V X X ICQ2 mA X Variação percentual de ICQ2 % X Tmax=______ºC hFEmax=________ BFmax=________ VBEQ2 V X X Vopmax V X X Ganho (Av=Vo/VS) V/V X X ICQ2 mA X Variação percentual de ICQ2 % X
Configuração CASCODE
Parâmetros do circuito Unid Projetado Simulado Medido OBS
Excursão máxima de sinal na saída (Vopmax) V
Ganho (Av=Vo/Vs) V/V
Frequência de corte
inferior (fL) Hz
superior (fH) kHz
Impedância de entrada (Zin) kΩ
Impedância de saída (Zout) kΩ
Impedância de saída vista para dentro do
coletor de Q1 (Ro1) kΩ
X
Comparação: EC x CASCODE
Parâmetros do circuito Unid Simulado Medido OBS EC CASCODE EC CASCODE
Excursão máxima de sinal na saída (Vopmax) V
Ganho (Av=Vo/Vs) V/V
Freqüência de corte
inferior (fL) Hz
superior (fH) kHz
Impedância de entrada (Zin) kΩ
Impedância de saída (Zout) kΩ
Impedância de saída vista para dentro do
coletor de Q1 (Ro1) kΩ
X X