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Microssistemas de RF

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Academic year: 2021

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(1)

Microssistemas de RF

Campus de Azurém, 4800-058 Guimarães, PORTUGAL Phone: +351-253-510190, Fax: +351-253-510189

http://lattes.cnpq.br/5589969124054528 João Paulo Carmo, PhD

Investigador Principal Universidade do Minho

Departamento de Electrónica Industrial

Centro MicroElectroMechanical Systems (CMEMS) de I&D

[email protected]

(2)

Sumário

1 Introdução

3 Receptores de RF

2 Emissores/receptores de RF

(3)

Evolução da tecnologia (a) Circuitos digitais (b) Circuitos analógicos

(c) Componentes optimizados para RF

Introdução

- Resistências de elevado valor e baixa tolerância - Condensadores optimizados para RF

- Indutâncias integradas com factor de qualidade razoável (até 10) - Camadas especiais para implementar protecções ESD

(d) CMOS

- Maior integração

- Menores consumos comparativos

- Produção em largas séries  menor custo unitário por dispositivo

(4)

Técnicas MCM

(a) Permite integrar diversas tecnologias heterogéneas no mesmo microssistema

Introdução

- on-chip

(b) Tipos de técnicas de integração

- on-package

- on-wafer

(5)

Transceiver genérico

- Blocos constituintes

Emissores-receptores de RF

RF transceiver

(6.4.7)

(6.4.6)

(6.4.5) (6.3.1)

(6.3.2) (6.4.6)

(6.3.4)

sinal a enviar Circuito

modulador

massa (GND) PA

LNA

Filtro

sinal recebido Processamento

na banda-base Circuito

desmodulador

fref

PLL

Antena

RF switch

(6.3.3)

Vdd

(1) Receptor (2) Emissor

(3) Comutador de RF

(6)

RF transceiver

(6.4.7)

(6.4.6)

(6.4.5) (6.3.1)

(6.3.2) (6.4.6)

(6.3.4)

sinal a enviar Circuito

modulador

massa (GND) PA

LNA

Filtro

sinal recebido Processamento

na banda-base Circuito

desmodulador

fref

PLL

Antena

RF switch

(6.3.3)

Vdd

Receptor

- Blocos:

Receptor de RF

(1) LNA: o primeiro andar por onde passa o sinal de RF captado - amplificar o sinal de RF sem degradar o SNR;

- sem distorcer significativamente o sinal à saída

(2) Desmodulador: converte o sinal RF no sinal desejado à saída do receptor - Requer ou NÃO um circuito misturador (produto analógico)

(4) Processamento na banda-base

- Efectuar ajustes no sinal desmodulado, por exemplo:

amplificação suplementar, filtragem, conversão analógica digital

(7)

RF transceiver

(6.4.7)

(6.4.6)

(6.4.5) (6.3.1)

(6.3.2) (6.4.6)

(6.3.4)

sinal a enviar Circuito

modulador

massa (GND) PA

LNA

Filtro

sinal recebido Processamento

na banda-base Circuito

desmodulador

fref

PLL

Antena

RF switch

(6.3.3)

Vdd

Receptor

- Blocos:

Receptor de RF

(1) LNA: o primeiro andar por onde passa o sinal de RF captado - amplificar o sinal de RF sem degradar o SNR;

- sem distorcer significativamente o sinal à saída

(2) Desmodulador: converte o sinal RF no sinal desejado à saída do receptor - Requer ou NÃO um circuito misturador (produto analógico)

(4) Processamento na banda-base

- Efectuar ajustes no sinal desmodulado, por exemplo:

amplificação suplementar, filtragem, conversão analógica digital

(8)

- LNA:

Receptor de RF

(1) Impedância igual à da antena: facilita a adaptação

Rg

R1

R2

R3

Z

in

=R

g

Z

in

=1/(g

m

+g

mb

)

(9)

RF transceiver (6.4.7)

(6.4.6)

(6.4.5) (6.3.1)

(6.3.2) (6.4.6)

(6.3.4)

sinal a enviar Circuito

modulador

massa (GND) PA

LNA

Filtro

sinal recebido Processamento

na banda-base Circuito

desmodulador

fref PLL

Antena

RF switch (6.3.3)

Vdd

Receptor

- LNA:

Receptor de RF

(1) Impedância igual à da antena: facilita a adaptação (2) Topologia de source comum

com degeneração indutiva:

- É a que torna mais fácil o

ajuste da impedância de entrada

Entrada

Saída

Ld

M2

M1 Lg

Cb

Ls Vbias

Rb

=50 Zin

s s

gs m gs

g

in

L sL

C g sL sC

Z   1  (

1

) 

(3) Impedância de entrada vista dos terminais da gate

(10)

- LNA:

Receptor de RF

(2) Significados dos valores

- Cgs: capacidade parasita entre a gate e a source de M1 - gm1: transcondutância de M1

- Ls e Lg: ligam à source e à porta de M1

(a) o ajuste de {Ls,Lg} ajuda Zin a se tornar puramente real e igual a Zant.

Entrada

Saída

Ld

M2

M1 Lg

Cb

Ls Vbias

Rb

in=50 Z

s s

gs m gs

g

in

L sL

C g sL sC

Z   1  (

1

) 

(1) Impedância de entrada

 

 

) 50

( 1 0

1 ant

m gs

s

gs g

s

Z C g

L

sL sC sL

(3) “Receita” de adaptação:

- Pressupostos: Sabe-se Cgs e gm1

- Obtenção de Ls: EQUAÇÂO VERDE - Obtenção de Lg: EQUAÇÂO ROXA

(11)

- LNA:

Receptor de RF

(a) Largura óptima Wopt de M1 (=M2) para LNA :

Entrada

Saída

Ld

M2

M1 Lg

Cb

Ls Vbias

Rb

in=50 Z

(1) Tamanho de M1 e M2

- Com consumo mínimo

- Com uma figura de ruído óptima

in ox C

opt f LC Z

W 6

 1

(b) Significados dos valores

- fC [Hz]: frequência de operação do LNA, - L [um]: comprimento do canal de M1,

- Cox [mF.m-2]: capacidade por unidade de área do óxido - Zin [oHm]: impedância de entrada do LNA

(2) “Receita” para dimensionar o LNA (a) Dados fC e Zin=50 : calcular Wopt

(b) Obter Cox [F.m-2], de M1, com Cox = OX/TOX (c) Obter Cgs [F]: Cgs=2/3W.L.Cox

(d) Polarizar M1 e obter gm1 (a partir de Vgs1 e Vgs2, i.e., a partir de Ids) (e) Obter Ls e depois Lg

(12)

Características dos LNAs conforme a topologia

Receptor de RF

Referências

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