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3. Caractérisation large signal d’amplificateur de puissance en présence de signaux

3.6 Conclusion

Si on met le DUT à l’accès 2, la puissance d’entrée de ce dernier est :

(

2

2 2

2 1

2 1

E

DUT b

P = − Γ

)

(III- 64) En combinant les équations III-62 et III-64, on obtient :

( )

2 2

2 3

2

1 1

E E m DUT

D D C

P P

Γ +

Γ

= − (III- 65)

Il faut donc déterminer D

C qui représente un terme équivalent à la désadaptation du générateur soit par la mesure soit par le calcul avec les paramètres de dispersion (relation III- 57 et III-58).

2- Cas d’un six-portes (P3 est mesurée par le détecteur de référence du six-portes):

Une fois le six-portes calibré (selon la procédure décrite dans 3.5.1 et 3.5.2.1), la puissance d’entrée du DST est la même que dans III-64 et s’exprime de la façon suivante :

( )

2 31

) 2 ( 1 3 1

2 1

1 10 3 1

E E V

f MES P

m A

K V P

MES

Γ +

Γ

× −

= (III- 66)

Par identification 1 12

KP = D et est obtenu lors du calibrage du six-portes en puissance d’une part, et

D

A31= C est équivalent à la désadaptation du générateur ΓG et est obtenu directement par calibrage du six-portes.

En conclusion, le six-portes tient bien compte directement de la désadaptation du générateur.

- La technique de détection « large bande » au moyen de détecteurs bas coût que sont les diodes Schottky « zero bias ».

- L’ajout d’une boucle de contrôle indépendante des impédances BF afin de prendre en compte dans la caractérisation l’effet des circuits de polarisation.

- L’ajout et le contrôle d’un analyseur de spectre pour les mesures de linéarité.

- La modification des procédures d’étalonnage des réflectomètres six-portes et de l’étalonnage en puissance.

L’ensemble de ces modifications a été validé par des procédures de vérification de mesure de puissance et de mesure de charges quelconques en présence de signaux CW, CW- pulsés et modulés QPSK. La réalisation de notre banc de mesure a nécessité la fabrication de réflectomètres six-portes en technologie microruban (figure III-35) donc faible coût, ainsi que le développement de programmes MATLAB pour l’acquisition et le traitement numérique de l’ensemble des données. En effet, ce travail conséquent de programmation s’avérait indispensable en vue de l’amélioration du traitement informatique puisque les anciennes versions étaient écrites en langage mixte « QuickBASIC/FORTRAN » devenu quelque peu obsolète. Le logiciel comprend comme principales parties :

- Un module de calibrage qui gère l’enregistrement des données (tensions) et qui effectue les calculs associés.

- Un module de contrôle des tensions et/ou courant de polarisation avec possibilité de tracer les caractéristiques statiques.

- Un module d’automatisation à puissance d’entrée constante de l’optimisation de la charge de sortie au fondamental suivant le critère choisi (linéarité, puissance, rendement).

- Un module de traçage des contours « load-pull ». Dans ce cas, lors de la recherche de la charge optimale, des points de mesures supplémentaires situés de part et d’autre du chemin d’optimisation sont effectuées. Ces mesures associées avec une méthode d’interpolation qui permet d’obtenir les contours souhaités

- Un module à puissance d’entrée variable et à impédances d’entrée ou de sortie fixes (fondamental ou basse fréquence) pour obtenir les courbes de linéarité, gain, puissance ou rendement en fonction de la puissance d’entrée.

Pour mettre en évidence l’ensemble des nouvelles potentialités du banc de caractérisation fonctionnelle, nous présentons dans le chapitre suivant les résultats de caractérisations non-linéaires d’un transistor de puissance à effet de champ.

Figure III- 35 : Six-portes en technologie micro-ruban réalisé pour notre banc de mesure.

BIBLIOGRAPHIE :

[1] Gerald BERGHOFF

« Mise en œuvre d’un banc de caractérisation non linéaire de transistors de puissance à partir de réflectomètres six-portes : Application aux mesures Source-Pull et Load-Pull multiharmoniques »

Thèse soutenue le 12 décembre 1997 à l’ENST Paris, numéro d’ordre 97E032.

[2] Olivier GIBRAT

« Caractérisation expérimentale de transistors de puissance RF : conception d’un banc de mesure multiharmonique source pull et load pull basé sur la technique six-portes » Thèse soutenue le 6 mars 2002 à l’ENST Paris, numéro d’ordre 2002E005.

[3] AGILENT

« Schottky Barrier Diode Video Detectors » Application Note 923.

[4] AGILENT

« Surface Mount Zero Bias Schottky Detector Diodes » Technical Data HSMS-285x Series.

[5] AGILENT

« The Zero Bias Schottky Detector Diode » Application Note 969.

[6] J.F SEVIC; K.L. BURGER; M.B. STEER;

«A novel envelope-termination load-pull method for ACPR optimization of RF/microwave power amplifiers»

Microwave Symposium Digest, 1998 IEEE MTT-S International, Volume: 2, 7-12 June 1998 Pages:723 - 726 vol.2

[7] N. LE GALLOU ; J.M. NEBUS ; E. NGOYA ; H. BURET ;

«Analysis of low frequency memory and influence on solid state HPA intermodulation characteristics»

Microwave Symposium Digest, 2001 IEEE MTT-S International, Volume: 2 , 20-25 May 2001 Pages:979 - 982 vol.2

[8] N. LE GALLOU ; E. NGOYA ; J.M. NEBUS ; H. BURET ; M. ZOYO ;

«Impédances basses fréquences : Impact sur l’intermodulation dans les amplificateurs de puissance»

12eme Journée Nationales Microondes, 16-17-18 mai 2001-POITIERS.

[9] D.J WILLIAMS; J. LECKEY; P.J. TASKER;

«Study of the effect of envelope impedance on intermodulation asymmetry using a two- tone time domain measurement system »

CELERITEK.

[10] H. YAMADA; S. OHARA; T. IWAI; Y. YAMAGUCHI; K. IMANISHI; K.

JOSHIN;

«The effect of source impedance on linearity in InGaP/GaAs power HBTs»

Microwave Symposium Digest, 1996, IEEE MTT-S International, Volume: 2, 17-21 June1996, Pages: 555558 vol.2.

[11] H. YAMADA; S. OHARA; T. IWAI; Y. YAMAGUCHI; K. IMANISHI; K.

JOSHIN;

«Self-linearizing technique for L-band HBT power amplifier: effect of source impedance on phase distortion»

Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on , Volume: 44 , Issue: 12 Dec.1996 Pages:2398 – 2402.

[12] T. IWAI; S. OHARA; H. YAMADA; Y. YAMAGUCHI; K. IMANISHI; K.

JESHIN;

«High efficiency and high linearity InGaP/GaAs HBT power amplifiers: matching techniques of source and load impedance to improve phase distortion and linearity»

Electron Devices, IEEE Transactions on, Volume: 45, Issue: 6, June 1998 Pages:1196 – 1200.

[13] K-H. AHN; Y-H JEONG; S-H LEE;

«Effects of source and load impedance on the intermodulation products of GaAs FETs»

Microwave Symposium Digest., 2000 IEEE MTT-S International , Volume: 1 , 11-16 June2000 Pages:469 – 472.

[14] E. BERGEAULT; B. HUYART; G. GENEVES; L. JALLET;

«Characterization of diode detectors used in six-port reflectometers»

Instrumentation and Measurement, IEEE Transactions on,Volume: 40, Issue: 6, Dec.

1991 Pages:1041 – 1043.

[15] C. POTTER; A. BULLOCK;

« Nonlinearity correction of microwave diode detectors using a repeatable attenuation step »

Microwave Journal, Vol. 36, No. 5, May 1993, pp 272-279

[16] G.F ENGEN

«Calibration of an arbitrary Six-Port Junction for Measurement of Active and Passive Circuit Parameters»

Instrumentation and Measurement, IEEE Transactions on, Volume: 22, Issue: 4, Dec.

1973. Pages:295 – 299.

[17] G.F ENGEN; C.A HOER;

«“Thru-Reflect-Line”: An improved Technique for Calibrating the Dual Six-Port Automatic Network Analyser»

Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on,Volume: 27, Issue: 12, Dec 1979. Pages:987 - 993.

[18] U. STUMPER

«Finding initial estimates needed for the Engen method of calibrating single sixport reflectometers»

Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on,Volume: 38, Issue: 7, July 1990. Pages:946 – 949.

[19] Frank WIEDMANN

« Développements pour des applications grand public du réflectomètre sixportes:

algorithme de calibrage robuste, réflectomètre à très large bande et réflectomètre intégré MMIC »

Thèse soutenue le 8 juillet 1997 à l’ENST Paris, numéro d’ordre 97E014.

Chapitre IV : Caractérisation

fonctionnelle en présence de signaux modulés : Application à un transistor à

effet de champ.