11–14 марта 2019 г., Нижний Новгород

Such renormalization results in the increase of the slope of the critical field of the phase transition line Hc2(T) in the vicinity of Tc0: dHc2/dT #)0/2S[0", where. Their existence and stability are analyzed under the influence of second harmonic and crossover length.

Fig. 1. Typical plots of experimental dependencies H c2 (T) pre- pre-sented for n D = 3·10 13 cm -2 (graphics indexed by a) and n D = 4.3·10 13 cm -2 (graphics indexed by b) in pairs for the same fractions of the resistance drop

Investigation of magnetic reversal depending on the model parameters in ĳ 0 -Josephson

Implementation of the Gauss-Legendre implicit method and the capabilities of the Wolfram Mathematica are combined in the user software developed for numerical study of magnetic momenta in JJ [5]. Numerical error Table 1 presents the results of comparing the stability of the fourth-step explicit Runge-Kutta method and the implicit Gauss-Legendre method.

Table 1. Comparison of stability of fourth order Runge-Kutta method and Gauss-Legendre method

Kashiwaya 7 , Y. Maeno 10

Gaug of the

C. Diam

Trugenb

Vinokur

In QCD, the reverse of the string confinement mechanism is the so-called asymptotic freedom, i.e. the ratio of the width of the string to the length of the string is 📞୲୰୧୥Ȁ ܭɛଶȀ ђୡ঻, where ܭ is the numerical constant.

Caroli – de Gennes – Matricon states in full shell proximitized nanowires

The following constraint on the value of the angular momenta |P|kFwRw is used to produce the plots. In this case, however, one would expect to see two series of the sub-gap states, which are split by the Zeeman field.

Fig. 1. Colorplot of the differential conductance for the first Little-Parks lobe (n = 1) in arbitrary units

Profound surface superconductivity in conventional and unconventional

M. Krasnov

Physically, this may imply the decisive role of sub-barrier tunneling in the c-axis transport, and dependence may arise from the temperature-dependent renormalization of the tunneling matrix element through a coupling with adiabatic phonons. 5, 7]. This work was carried out within the framework of the state task under the theme “Electron” (no. AAAA.

Vortex lattice transition in FeSe single crystals

For the vortex structure analysis, we performed Delaunay triangulation of the real-space conductivity maps. One of the authors (C.D.G.) would like to acknowledge partial support from MIUR (Ministry of Education, Universities and Research of the Italian Government).

Chirality selective spin interactions mediated by the superconducting current

In Figure 2 we present 2D color-coded plots of the ground state phase ➮଴ in different planes. Depending on the position of the skyrmion center along the x-axis, the ground state phase difference can take an arbitrary value other than ⨊.

Resistive state of SFS Josephson junctions in the presence of moving domain walls

The voltage induced on the Josephson junction is calculated within the resistive shunt Josephson junction (RSJ) model, neglecting the junction capacitance. Here we consider the current in the form of a rectangular pulse φếϐặ ൌ φεẺϐặặ UAH ა ϐặ of longitude T and find an analytical solution for the voltage at the junction over time.

LQDPHVRVFRSLFVXSHUFRGXFWRU

Dependence of the free energy and the normalized zero-bias conductance at the disk edge on the magnetic field. The change in vorticity 쮮 뮮 ൅ ͳ in this case results in a decrease in the screen current density and a corresponding increase in the superconductivity at the disk edge.

Figure 2 shows the magnetic field dependence of the free energyܨ and the zero bias conductance ܩ ௅ at the Fermi level for a small disk radius ܴ ൌ Ͷߦ ଴ and two tem-peratures ܶ ൌ ͲǤͳܶ ୡୱ (symbol ) and ܶ ൌ ͲǤʹܶ ୡୱ

Nanofabrication by current stimulated atomic migration

Tilt-angle scanning electron microscopy images of virgin (left) and after electro-annealing (right) Nb constriction. In ref.[9] we extend this approach by electromigrating two parallel Al constrictions forming a superconducting quantum interferometer device (SQUID) and map the asymmetric reduction of the critical current of the weak links.

Fig. 1. Tilted angle scanning electron microscopy images of the virgin (left) and after electro-annealing (right) Nb con-striction

Coherent dynamics of a superconductor

Assuming that f(Ȧ) complex frequency contour of the ral can be exposed as the int oscillations that we can obtain further to the exci rder parameter.

Magn in fer

L. Vadim

Mel'nikov

The energy of the domain wall in the F/S bilayer is higher than in the single ferromagnetic film due to the Meissner screening effect. This may make it possible to stabilize the skyrmion with artificial nanostructuring of the superconducting layer.

Fig. 2. The dependence of dE/dR vs. the skyrmion radius R in the F/S systems. The parameters of the calculation are Ȝ=45 nm, R 0 =200 nm, h s =100 nm, (a) h f =1.5 nm, and (b) h f =5 nm

Sign in ato

Hall ef n BSC

Sy estimated with respect to Eq.°( vertical line shows the fit of ze supertranslation persists above t. Initiative ( ted at Har. ERC PGS prog f Science, U.S. No. desc0012 Emergent Sup earch Center f y, Office of rted by US ce, Basic Ene. ngineering D sis of experim cience Foun. de and outside observe the sign n)=1;.

Fig. 2. The H BSCCO samp Blue region sh bols show the Sign reversal p

Quantum algorithms implementation on noisy quantum computers: from digital modeling

We have shown that the quantum machines we used are able to reproduce some important aspects of the system dynamics that arise from the character of the initial conditions. However, we suggested and implemented certain tricks that enabled us to mitigate and partially suppress hardware errors.

Ʉɜɚɧɬɨɜɵɣɪɚɡɦɟɪɧɵɣɷɮɮɟɤɬ

Ɏɚɡɨɜɵɟ ɫɨɨɬɧɨɲɟɧɢɹ ɜ ɞɜɨɣɧɵɯ

2] СИНИС СИНИС СИНИС СИНИС ɪɤɢ ɧɨɣ ɩɟɬɥ ), анонимность, окружающая среда ɤɚɦɢ ɬɨɱɤɚɯ rFmax( )L | рарккос(танх)л. Ɋɢɫ(a) Энергия примеси как функция ri в случае немагнитной примеси. б) Решения уравнения D↑(E)=0 в случае магнитной примеси.

Сравнительные продукты При выбранных параметрах (время выхода фононов в подложку Wesc=0,05W0, соотношение электронной и фононной теплоемкостей 0,6 при T=Tc и W0=1000 пс [5]), температуре и магнитном поле , ток Iq= 0,42 Idep (Idep – ток пропаривания при определенной температуре).

Ɂɚɜɢɫɢɦɨɫɬɶ ɤɪɢɬɢɱɟɫɤɨɣ ɬɟɦɩɟɪɚɬɭɪɵ Tc ɨɬ ɭɝɥɚ Į ɦɟɠɞɭ ɧɚɦɚɝɧɢɱɟɧɧɨ S1/F1/F2 (ɫɩɥɨɲɧɚɹ ɥɢɧɢɹ), S1/F1/N/F2 (ɤɨɪɨɬɤɢɟ ɩɭɧɤɬ) ɢɪ- ɧɵɟ ɥɢɧɢɢ) ɢ S1/F1/S2/F2 ɫɬɪɭ ɤɬɭɪɵ (ɞɥɢɧɧɵɟ ɩɭɧɤɬɢɪɧɵɟ ɥɢɧɢɢ). Ɂɚɜɢɫɢɦɨɫɬɶ ɤɪɢɬɢɱɟɫɤɨɣ ɬɟɦɩɟɪɚɬɭɪɵ Tc ɨɬ ɭɝɥɚ Į ɦɟɠɞɭ ɧɚɦɚɝɧɢɱɟɧɧɨ S1/F2 (ɫɩɥɨɲɧɚɹ ɥɢɧɢɢ F ɫɥɨɟɜ S1/F1/F2) F1/S2/F2 ɫɬɪɭɤɬɭɪɵ (ɞɥɢɧɧɵɟ ɩɭɧɤɬɢɪɧɵɟ ɥɢɧ ɥɢɧ ɢɢ).

Ⱦɢɧɚɦɢɱɟɫɤɢɟ ɪɟɠɢɦɵ ɜ ɨɞɧɨɦɟɪɧɨɣ ɰɟɩɨɱɤɟ ɞɠɨɡɟɮɫɨɧɨɜɫɤɢɯ ɤɨɧɬɚɤɬɨɜ

saya ɨɜ. ɡ [

- ɧɢɹ, ɤɚɤ ɧɚ Ɋ ɢ ɫ. Влияние сверхпроводящих флуктуаций на сопротивление между проводящими слоями может иметь даже противоположный знак [4], но во многих экспериментах, например, в высокотемпературных сверхпроводниках FeSe [1] (см. рис. 1), YBa2Cu4O8 [5] в органических сверхпроводниках (TMTSF)2PF6 [6], (TMTSF)2ClO4[7] и E-(BEDT-TTF)2I3 наблюдается противоположная ситуация: выше.

О микроскопических механизмах спаривания в купратных ВТСП

Как для дырочного сверхпроводника Bi2Sr2CaCu2O8+d, так и для электронного Pr0.89LaCe0.11CuO4 оказался доминирующим механизм спиновых флуктуаций [9,8]. Но тогда в энергии квазичастиц Боголюбова /см.

Ɂɚɪɹɞɨɜɵɣ ɪɚɡɛɚɥɚɧɫ ɜ ɫɢɫɬɟɦɟ

1 ɇɚ ɜɟɪɯɧɟɣ ɧɚ ɜɨɥɶɬ-ɚɦ ɫɬɭɩɟɧɶɤɚ ɜɨɡɧɢɤɚɸɳɢ ɭɫɥɨɨɢɣ [ ɫɥɟ ɫɬɭɩɟ ɩɭɧɤɬɢɪɧɵɦ.

Ʉɨɝɟɪɟɧɬɧɨɟ ɢɡɥɭɱɟɧɢɟ ɛɨɥɶɲɢɯ ɦɚɫɫɢɜɨɜ ɞɠɨɡɟɮɫɨɧɨɜɫɤɢɯ ɤɨɧɬɚɤɬɨɜ

1 a).ɉɨ ɡɧɚɱɟɧɢɹɦ ɤɨɦɩɥɟɤɫɧɵɯ ɚɦɩɥɢɬɭɞ ɬɨɤɨɜ ɜ ɩɪɨɜɨ- ɞɚɯ A Br, r, ɰɟɧɬɪɚɥɶɧ ɨɦ ɢ ɛɨɤɨɜɵɯ, ɦɨɠɧɨ ɜɨɫɫɬɚ- ɧɨɜɢɬɶ ɦɨɞɨɜɵɣ ɫɨɫɬɚɜ ɬɨɤɚ, ɩɪɟɞɫɬɚɜɢɜ ɟɝ ɨ ɜ ɜɢɞɟ ɫɭɩɟɪɩɨɡɢɰɢɢ ɚɧɬɟɧɧɨɣ ɦɨɞɵ \ A 1,1,1T ɢ ɫɢɦ- ɦɟɬɪɢɱɧɨɣ ɦɨɞɵ ɥɢɧɢɢ \ LS 1, 2,1 ,T. Ⱦɥɹ ɬɪɟɯɩɪɨɜɨɞɧɨɣ ɥɢɧɢɢ ɫ ɞɜɭɦɹ ɚɤɬɢɜɧɵɦɢ ɩɪɨ- ɜɨɞɚɦɢ ɪɚɫɩɪɟɞɟɥɟɧɢ ɟ ɬɨɤɨɜ ɩɪɟɞɫɬɚɜɥɹɟɬɫɹ ɜ ɜɢɞɟ ɫɭɩɟɪɩɨɡɢɰɢɢ ɬɪɟɯ ɦɨɞ, ɚɧɬɟɧɧɨɣ ɦɨɞɵ.

1. ɫ ɬɨɧɤɨɣ ɩɥɟɧɤɨɣ NbN. ɱɬɨ ɫ ɬɢ. ɍ N/Al - NbN - NbN/Al. ȼ ɨɬɞɟɥɶɧɵɯ SN ɦɨɫɬɢɤɚɯ ɜɟɪɯɧɢɣ ɫɥɨɣ ɧɟ ɭɞɚɥɹɥɫɹɹ ɢ ɷɬɬ ɩɨɥɶɡɨɜɚɥɢɫɶ ɤɚɤ ɤɨɧɬɪɨɥɶɧɒɟ.

Ⱦɢɧɚɦɢɤɚ ɢ ɜɨɥɶɬ-ɚɦɩɟɪɧɵɟ ɯɚɪɚɤɬɟɪɢɫɬɢɤɢ Ɏɢ-0 ɩɟɪɟɯɨɞɚ

Ранее мы провели исследования и обнаружили высокопроводящую область на границе раздела гетероструктуры Ba0.8Sr0.2TiO3/LaMnO3. Наконец, удалось создать гетероструктуры Ba0.8Sr0.2TiO3/La2CuO4 и обнаружить сверхпроводящее состояние на границе раздела такой гетероструктуры [10].

Практический сверхпроводниковый

Спектр поглощения в оптическом резонаторе: (а) – спираль NbN, (б) – спираль α-Mo3Si; На вставках показаны схемы слоистых оптических резонаторов. Зависимости квантовой эффективности в диапазоне длин волн 405-1550 нм и темновой скорости счета от тока смещения образцов: (б) – спираль NbN, (г) – спираль α-Mo3Si.

Ɉɞɧɚɤɨ ɜ ɷɬɨɦ ɫɥɭɱɚɟ ɎɎɅɈ ɫɨɫɬɨɹɧɢɟ ɫɭɳɟɫɬɜɭɟɬ ɜ ɛɨɥɟɟ ɭɡɤɨɣ ɨɛɥɚɫ ɬɢ ɬɨɥ- ɳɢɧ dF ɢɡ-ɡɚ ɤɨɧɤɭɪɟɧɰɢɢ ɫ ʌ-ɫɨɫɬɨɹɧɢɟɦ (ɫɦ. Ɉɫɨɛɟɧɧɨ ɪɟɡɤɢɦ ɢɡɦɟ ɧɟɧɢɟ /-1 ɛɭɞɟɬ ɜ ɫɥɭɱɚɟ ɩɟɪɟɯɨɞɚ ɢɡ ɎɎɅɈ ɫɨɫɬɨɹɧɢɹ, ɤɨɝɞɚ /-1 ɦɟɧɹɟɬɫɹ ɨ ɬ ɧɭɥɟɜɨɝɨ ɞɨ ɤɨɧɟɱɧɨɝɨ ɡɧɚɱɟɧɢɹ .

Ɋɟɡɭɥɶɬɚɬɵ ɢɡɦɟɪɟɧɢɹ ɩɥɨɬɧɨɫɬɢ ɤɪɢɬɢɱɟɫɤɨɝɨ ɬɨɫɤɞɨɨɧ ɩɟɪɟɯɨɞɨɜ ɪɚɡɥɢɱɧɨɣ ɞɥɢɧɵ ɢ ɤɨɧ- ɬɪɨɥɶɧɵɯ ɦɨɫɬɢɩɨɜ, ɧɟ ɛɢɤɪɢɫɬɚɥɥɢɱɟ- ɫɤɨɣ ɝɪɚɧɢɰɵ ɩɪɢ 77 Ʉ: d - ɬɨɥɳɢɧɚ YBCO, w - ɚɲɨɢɚɚɚɢɚ ɢ ɞɥɢɧɚ ɩɟɪɟɯɨɞɚ, Ic - ɤɪɢɬɢɱɟɫɤɢɣ ɬɨɤ, Jc - ɩɥɨɬɧɨɫɬɶ ɨɨɬɬɬɬ .

Ʌɚɪɤɢɧɚ-Ɉɜɱɢɧɧɢɤɨɜɚ-Ɏɭɥɶɞɟ-Ɏɟɪɪɟɥɥɚ ɜ ɫɜɟɪɯɩɪɨɜɨɞɹɳɢɯ ɝɢɛɪɢɞɧɵɯ ɫɬɪɭɤɬɭɪɚɯ

Это означает, что минимальная энергия ͧ௚௔௣௧௛ = E электронных и дырочных центров, связанных в димере EH, должна быть существенно меньше 0,9 эВ, что указывает на нестабильность родительских купратов по отношению к переносу заряда с образованием стабильных EH-димеров. димеры. Увеличение концентрации димеров ЕН, сопровождающееся резким снижением энергии связи электронных и дырочных центров, приводит к их разрушению с образованием своеобразной, высококоррелированной ЕН-жидкости для электронов-дырок.

egwu ɦɨɳɧɨɫɬɢ ɜɯɨɞɧɨɝɨ ɫɢɝɧɚɚ ɩɪɢ ɬɟɦɩɪɚɬɭɪɯɚ ɨɛɪɚɡɰɚ ɪɚɪɢɪɪɚ ɪɚɦɢ) 1. 400 ɦɄ (ɪɢɫ. 2ɜ). - ɚɹ ɞɢɷɥɤɬɪɢɱɫɤɚɹ ɩɪɨɧɢɰɚɟɦɨɫɬɖɞɢ- ɧɚɤɨɜɨ ɡɚɨɪɫɢɳɪɨ] ɝɨ ɫɢɝɧɚɥɚ ɤɚɤ ɬɚɤ ɢ ɞɥɹ ɥɢɧɢɢ ɩɟɪɟɞɚ ɱɢ.

Role of correlated hopping in localization and non-ergodicity in disordered systems

This method is based on the principles of localization - delocalization both in coordinate space and in moment space. These are the models with translation invariant (TI) long-range hopping terms which allow applying the principles mentioned above in both coordinate and moment spaces by completing their phase diagrams.

Сверхпроводящий ток в гибридных меза- структурах с прослойкой из иридата,

Цифрами указаны номера ступенек Шапиро на зависимости RD(V), полученных при воздействии электромагнитного излучения на частоте 50 ГГц, Т=4,2 К. Оценка величины 2-й гармоники I2 на фазовой зависимости сверхпроводящего тока I =I1sinM+I2sin2M, полученная из анализа экспериментальных колебательных функций ступеней Шапиро с n/m=1 и ½, дала значение I2/I1|0,3.

Ʉɪɢɬɢɱɟɫɤɢɣ ɬɨɤ Ic ɫɬɪɭɤɬɭɪɵ Ⱥ-S1 Al-Cu/Fe-Al ɜ Iinj ɩɪɢ ɬɟɦɩɟɪɚɬɭɪɟ 0,3 Ʉ. ɋɩɢɧɨɜɚɹ ɢɧɠɟɤɰɢɹ ɨɤɚɡɵɜɚɟɬ ɜɥɢɹɧɢɟ ɬɚɤɨɟ ɢ ɧɚɨɨɟ ɢ ɹɳɢɟ ɫɜɨɣɫɬɜɚ ɢɫɫɥɟɞɭɟɦɵɯ ɫɬɪɭɤɬɭɪ SNFS.

Ɍɟɦɩɪɪɚɭɪɧɵɡɡɚɢɢɢɦɨɫɬɢ ɫɨɩɪɨɬɢ ɫɨɩɪɨɬɢɜɥɟɧɢɹ, ɡɦɟ- ɪɟɧɨɝɨ ɩɪɢ 10.

1 ɩɨɤɚɡɚɧɚ ɬɟɦɩɟɪɚɬɭɪɧɚɹ ɡɚɜɢɫɢɦɨɫɬɶ ɦɨɳɧɨɫɬɢ ɬɪɟɬɶɟɣ ɝɚɪɦɨɧɢɤɢ SN ɫɬɪɭɤɬɭɪ MoN/Al ɩɪɢ ɪɚɡɥɢɱɧɵɯ ɋȼɑ ɦɨɳɧɨɫɬɹɯ ɩɪɢ ɬɨɥɳɢɧɟ ɫɥɨɹ ɚɥɸɦɢɧɢɹ 100 ɧɦ. Ɍɟɦɩɟɪɚɬɭɪɧɚɹ ɡɚɜɢɫɢɦɨɫɬɶ ɦɨɳɧɨɫɬɢ ɬɪɟɬɶɟɣ ɝɚɪɦɨɧɢɤɢ ɜ ɪɚɡɥɢɱɧɵɯ ɦɚɝɧɢɬɧɵɯ ɩɨɥɹɯ SN ɫɬɪɭɤɬɭɪɵ MoN/Al ɩɪɢ ɬɨɥɳɢɧɟ ɫɥɨɹ ɚɥɸɦɢɧɢɹ 100 ɧɦ.

2(a). V 4, ɯɩɪɨɜɨɞɹɳɟɝɨ ɬɨɤɚ ɢ ɭɦɟɧɶɲɟɧɢɸ ɞɢɮɮɟɪɟɧɰɟɪɟɧɰɟɢɢɥɨɬɫɫɨɥɥɨɧɫɨɨɥɨɧɫɨɧɥɨɧɫɨɥɥɨɧɫɨɥɥɨɧɫɨɥɥɨɧɫɨɥɥɨɧɫ ɹ.

Ɋɟɠɢɦ ɛɟɝɭɳɢɯ ɜɨɥɧ ɜ YBaCuO ɞɠɨɡɟɮɫɨɧɨɜɫɤɨɦ ɝɟɧɟɪɚɬɨɪɟ

(2) можно вычислить свободную мощность G с Вы можете установить значение вашего устройства на уровень U настройки T > 0. Возникла проблема с работой устройства. На рис. 1 показано поведение log10(R/RN) в зависимости от температуры при больших значениях вихревой ядерной энергии H>Hc, а на рис. 1 показано поведение log10(R/RN) в зависимости от температуры при большие значения вихревой ядерной энергии H>Hc.

Ɋɟɲɟɧɢɟ ɞɚɧɧɨɝɨ ɭɪɚɜɧɟɧɢɹ ɨɬɧɨɫɢɬɟɥɶɧɨ Tc ɩɪɢ ɪɚɡɥɢ Q ɯ ɫɨɫɬɨɹɧɢɣ (ɪɢɫ. 3). a ɜɢɫɢɦɨɫɬɢ ɨɬ ɩɚɪɚɦɟɬ- ɪɨɜ, ɮɚɡɨɜɵɟ ɩɟɪɟɨɨɞɵ ɤɚɤ ɨ ɪɨɞɚ.

Ⱥɧɨɦɚɥɶɧɨɟ ɦɚɝɧɢɬɨɫɨɩɪɨɬɢɜɥɟɧɢɟ

Ȼɵɫɬɪɨɟ ɩɪɟɨɛɪɚɡɨɜɚɧɢɟ ɧɚ ɤɪɚɹɯ ɩɟɪɟɤɪɵɜɚɸɳɢɯ- ɫɹ ɨɛɥɚɫɬɟɣ ɧɨɪɦɚɥ ɶɧɨɝɨ ɬɨɤɚ, ɩɪɨɬɟɤɚɸɳɟɝɨ ɜ Ni- NW, ɜ ɫɟɪɯɬɨɤ ɜ Nb-ɲɜɭɧɬɟ ɢɟɟɟɬ ɜɚɠɧɵɟ ɩɨɫɥɟɞ - ɫɬɜɢɹ ɞɥɹ ɦɚɝɧɢɬɨɬɪɚɧɫɩɨɪɬɧɵɯ ɫɜɨɣɫɬɜ ɭɫɬɪɨɣɫɬɜɚ.

Ʉɚɠɞɚɹ ɢɡ ɞɟɜɹɬɢ ɚɦɩɥɢɬɭɞ , ɫɥɨɠɧɵɦ ɨɛɪɚ- ɡɨɦ ɡɚɜɢɫɢɬ ɨɬ 13-ɬɢ ɩɚɪɚ ɦɟɬɪɨɜ ɫɢɫɬɟɦɵ, ɜɯɨɞɹ- ɳɢɯ ɜ ɩɨɥɧɵɣ ɝɚɦɢɥɶɬɨɧɢɚɧ.

Amwa (T) (T) ɵ: ɜ ɢɧɬɟɪ- ɜɚɥɟ ɬɟɦɩɟɪɚɬɭɪ ɨɬ Tc ɞɨ ~150K ɚɦɩɡɢɡɪɟ ɜɟɪɯ. - ɟ,

Ɇɢɤɪɨɜɨɥɧɨɜɵɣ ɨɬɤɥɢɤ ɬɨɧɤɨɩɥɟɧɨɱɧɵɯ SN ɫɬɪɭɤɬɭɪ ɫ ɛɨɥɶɲɨɣ ɪɚɡɧɨɫɬɶɸ

2, ɩɨ ɢɡɦɟɪɟɧɢɹɦ ɜɡɚɢɦɧɨɣ ɢɧ- ɞɭɤɰɢɢ, ɨɛɪɚɬɧɚɹ ɝɥɪɨɢɧɧɧɨɢɧ ɹ ɦɚɝɧɢɬ- ɧɨɝɨ ɩɨɥɹ 1/Oeff ɪɚɫɬɟɬ ɩɪɢ ɭɜɟɥɢɱɟɧɢɢ ɬɨɥɨɢɧɢɧɧ ɧɤɢ, ɱɬɨ ɧɚɢɛɨɥɟɟ ɡɚɦɟɬɧɨ ɩɪɢ ɭɦɟɧɶɲɟɧɢɢ ɬɟɦɩɟɪɚɬɭɩɟɪɚɬɭɟɟɧɶɲɟɧɢɢ Ʉɚɱɟɫɬɜɟɧɧɨ, ɢɡɦɟɪɟɧɢɹ ɩɨɤɚɡɵɜɚɸɬ, ɱɬɨ ɝɥɭɛɢɧɚɨɢɨɧɧɦɦɢɧ ɢɬɧɨɝɨ ɩɨɥɹ ɭɦɟɧɶɲɚɟɬɫɹ ɫ ɪɨɫɬɨɦ ɬɨɥɳɢɧɵ ɩɥɟɧɤɢ, ɨɢɦɦɦɨɧ ɢɹ ɜɢɞɚ f0(T) = A + B / (1 - T/Tc), ɯɨɪɨɲɨ ɨɩɢɫɵɜɚɸɳɚɹ.

CuO2 CuO2 - ɞɚ ɜɞɨɥɶ ɨɫɢ ɫ ɨɩɪɟɞɟɥɹɸɬ ɡɜɚ ɬɧɨɟ ɬɭɧ - ɧɟɥɢɪɨɜɚɡɢɢɢɢ ɬɟɪɦɢɱɟɫɤɹ ɚɤɬɢɜɚɰɢɹɹ) ɪɟɪɢɪɹɪɪɪɪɪɪɪɪɪɪɪ] (Kẹ) ɪɪɪɪɪɪɪɪɪɪɪɪɪɪ] ()) B = 1 ɤɨɬɨɪɨɟ ɦɟɧɶ- ɲɟ ɟɪɯɧɝɨ ɤɪɢɬɢɟɫɤɨɝɨ ɩɨɥɹ ɜɷɬɨɦ ɡɡɢɢɢ.

Влияние стартового состава загрузки

Заметное улучшение структуры кристаллов Bi2Sr2CaCu2O8+δ, выращенных с избытком Bi, может быть связано с тем, что избыток Bi действует как растворитель.

Ɉɞɧɚɤɨ ɧɟɨɛɯɨɞɢɦɨ ɡɚɦɟɬɢɬɶ; ɱɬ Bi2Sr2CaCu2O8 ɢɪɨɜɚɧɢɢ ɷɬɨɣ ɮɚɡɵ ɪɚɫɬɺɬ.

Ɏɢɡɢɤɚ ɜɵɫɨɤɨɬɟɦɩɟɪɚɬɭɪɧɵɯ ɫɜɟɪɯɩɪɨɜɨɞɧɢɤɨɜ

Stephanowich, Theory of heavy fermion compounds; Theory of strongly correlated Fermi systems // Springer Series in Solid-State Sciences, Vol.

Ɏɟɪɪɨɦɚɝɧɢɬɧɵɣ ɪɟɡɨɧɚɧɫ ɩɪɨɹɜɥɹɟɬ ɫɟɛɹ ɹɫɧɨ ɧɚ ɫɫɧɦ ɚɥɶɧɨɝɨ ɡɧɚɱɟɧɢɹ ɚɦɩɥɢɬɭɞɵ ɨɫɰɢɥɹɰɢɣ do ɨɬ ɧɚɩɪɹɨɢɤ ɡɚɧɚ ɧɚ ɜɫɬɚɜɤɟ ɤ ɪɢɫ .1. 2. ɚɤɠɟ ɩɪɨɹɜɥɹɟɬɫɹ ɧɚ ɬɨɤɨɜɨɣ ɡɚɜɢɫɢɦɨɫɬɢ ɦɚɤɫɦɦɚɥɨɣ ɡɧɚɱɟɧɢɣ ɚɦ-.

Обсуждение. Данные, полученные методом прямой аппроксимации и с использованием конечномерного масштабирования при n=0, качественно повторяют друг друга. Зависимость критических показателей: а) α от параметров Δ и n, рассчитанных прямым методом; б), в) α и γ соответственно по параметру ∆ при n=0, рассчитанному прямым методом и с использованием теории конечного масштабирования.

Ɇɚɝɧɢɬɧɵɟɧɚɧɨɫɬɪɭɤɬɭɪɵ

Detection of stray fields of magnetic nanoparticles in ferrogels using

Inhomogeneous stray fields of the FG and inhomogeneous magnetic properties of the ribbon are taken into account. FG stray field distribution in the plane of the GMI sensitive element for different distances between the ribbon and the FG.

Fig. 1. Reduce magnetization of the GMI element with a change of the bias field. Insert: the change of the ribbon mag-netization due to the stray fields of FG with different MNPs concentration shielded from the bias magnetic field

Nons ferrom

A. Tatar

Fraerma

We need to find M& k& to calculate the non-reciprocal part of DCS (4). We consider the case when the inhomogeneity of M& r& appears due to random weak anisotropy [6].

Ultrafast spin dynamics

Ɇɚɝɧɢɬɨɪɟɡɨɧɚɧɫɧɵɟ ɫɜɨɣɫɬɜɚ

2 ɩɨɤɚɡɚɧɵ ɪɟɡɭɥɶɬɢɪɭɸɳɢɟ ɡɚɜɢɫɢɦɨɫɬɢ ɩɨɥɨɠɟɧɢɹ ɢ ɲɢɪɢɧɵ ɥɢɧɢɢ ɎɆɊ ɨɬ ɱɚɫɬɨɬɵ ɢ ɭɝɥɚ ɩɪɢɥɨɠɟɧɢɹ ɩɨɥɹ ɨɬɧɨɫɢɬɟɥɶɧɨ ɩɥɨɫɤɨɫɬɢ ɩɥɟɧɤɢ (șH). Ȼɨɥɶɲɚɹ ɲɢɪɢɧɚ ɥɢɧɢɢ ɎɆɊ ɞɥɹ ɩɥɟɧɤɢ ɫ ɧɢɡɤɨɣ ɤɨɧɰɟɧɬɪɚɰɢɟɣ x ɝɥɚɜ- ɧ ɵɦ ɨɛɪɚɡɨɦ ɨɩɪɟɞɟɥɹɟɬɫɹ ɪɚɡɛɪɨɫɨɦ ɥɨɤɚɥɶɧɵɯ ɨɫɟɣ ɚɧɢɡɨɬɪɨɩɢɢ ɜ ɩɥɨɫ ɤɨɫɬɢ ɩɥɟɧɤɢ, ɱɬɨ ɦɨɠɧɨ ɫɜɹɡɚɬɶ ɫ ɮɥɭɤɬɭɚɰɢɹɦɢ ɮɨɪɦɵ ɢ ɩɨɜɟɪɯɧɨɫɬɧɨ ɣ ɚɧɢɡɨɬɪɨɩɢɢ ɨɬɞɟɥɶɧɵɯ ɝɪɚɧɭɥ [1].

Ɏɚɡɚ ɂɦɪɢ-Ɇɚ ɢ ɤɨɷɪɰɢɬɢɜɧɨɟ ɩɨɥɟ

J P V e n 'P EN (15) В случае туннельного барьера на каждой границе ячейки падение электрического потенциала eV N/ значительно превышает химический скачок.

Ƚɟɧɟɪ ɬɨɥɳ

2. ɨɬ ɩɨɬɪɚɱɟɧɧɚɹ ɞɟɥɹɟɦɚɹ ɤɚ ɧɨɣ ɨɬ ɜɯɨɞ ɝɞɟ ɞɥɹ ɫɥɭɱ ɪɨɞɧɨɣ ɧɚɤɚ.

Ⱥɧɨɦɚɥɶɧɵɣ ɷɮɮɟɤɬ ɏɨɥɥɚ

Ⱦɥɹ Eu0,97Gd0,03B6 ɨɛɧɚɪɭɠɟɧɨ ɧɟɨɛɵɱ- ɧɨɟ ɩɨɜɟɞɟɧɢɟ Ⱥɗɏ, ɯɚɪɚɤɬɟɪɢɡɭɟɦɨɝɨ ɩɨɫɬɨɹɧɧɵ- ɦɢ ɡɧɚɱɟɧɢɹɦɢ ɩɚɪɚɦɟɬɪɚ S1 ɢ ɤɨɷɮɮɢɰɢɟɧɬɚ ɏɨɥɥɚ RH ɜ ɲɢɪɨɤɨɣ ɨɤɪɟɫɬɧɨɫɬɢ ɬɨɱɤɢ ɇɟɟɥɹ (Td8 Ʉ, ɜɫɬɚɜɤɚ ɧɚ ɪɢɫ. 1). Ɋɟɡɭɥɶɬɚɬɵ ɢɫɫɥɟɞɨɜɚɧɢɹ ɩɨɡɜɨɥɢɥɢ ɜɵɹɜɢɬɶ ɨɛ- ɳɢɟ ɡɚɤɨɧɨɦɟɪɧɨɫɬɢ ɜ Ⱥɗɏ ɞɥɹ ɦɚɝɧɟɬɢɤɨɜ ɫ ɪɚɡ- ɧɵɦ ɬɢɩɨɦ ɮɪɭɫɬɪɚɰɢɢ ɨɛɦɟɧɧɨɝɨ ɜɡɚɢɦɨɞɟɣ ɫɬɜɢɹ, ɭɤɚɡɵɜɚɸɳɢɟ ɧɚ ɧɟɨɛɯɨɞɢɦɨɫɬɶ ɤɨɪɪɟɤɬɧɨɝɨ ɨɩɢ- ɫɚɧɢɹ ɜɤɥɚɞɚ ɚɫ ɢɦɦɟɬɪɢɱɧɨɝɨ ɪɚɫɫɟɹɧɢɹ ɧɨɫɢɬɟɥɟɣ ɡɚɪɹɞɚ ɜ ɧɟɤɨɥɥɢɧɟɚɪɧɵɯ ɫɩɢɧɨɜɵɯ ɫɬɪɭɤɬɭɪɚɯ.

Ƙarfafawa Ƙarfin Ƙarfi (Ƙara.. 3). Ƙaƙƙarfan Ƙaƙƙarfan Ƙaƙƙarfan Ƙarfafawa. Ƙarfin Ƙarfin Ƙarƙashin Ƙarƙashin Ƙarƙashin Ƙarƙashin Ƙarƙashin Ƙarƙashin Ƙarƙashin Ƙarƙashin Ƙarƙashin Ƙarƙashin Ƙarƙashin Ƙarƙashin Ƙarƙashin Ƙarƙashin Ƙarƙwara ɞɭɜɯ ɧɚɩɪɜɥɧɧɢɣ ɪɚɩɪɨɫɬɚɪɪɨɫɬɚɧɟ- ɧɢɹ ɜɨɥɧ (ɛ)

Ɏɟɪɪ ɦɨɞɢ

12 ɞɢɮɢɰɢɪɨɜɚɧ

Такая анизотропия возникает в пленках Ni вдоль оси однородного одноосного сжатия или растяжения (как, например, при изгибе подложки, на которой размещены магнитные частицы) или при двухосных плоскостных деформациях (сжатие по одной оси и вдоль второй есть растяжение). , как в частицах на поверхности кристалла PMN-PT (011)). Ɋɢɫ (а) Распределение электрического потенциала при подаче на электроды напряжения ±250 В, (б) Распределение компоненты тензора упругих деформаций Sxx в случае внешнего электрического поля, приложенного к пьезоэлектрическому слою.

Ɇɭɥɶ ɜ ɭɥɶ

Ján Šoltý

Ɇɚɝɧɢɬɨɫɬɪɢɤɰɢɨɧɧɵɣɷɮɮɟɤɬ

При этом магнитострикционный эффект в пленках Ni и FeGa имел разные знаки, что соответствует литературным данным. Зависимость петли гистерезиса пленок Co/Pt от степени изгиба подложки для образцов с разной толщиной пленки Pt.

Ɍɭɧɧɟɥɶɧɵɟ ɦɚɝɧɢɬɧɵɟ ɤɨɧɬɚɤɬɵ

Ʌɨɪɟɧɰɟɜɚ ɦɢɤɪɨɫɤɨɩɢɹ

Ɇɧɨɝɨɫɥɨɣɧɵɟ ɫɬɪɭɤɬɭɪɵ Co/Pt. [2,3] 50 ɢ 100 ɧɦ.

Ȼɨɥɨɦɟɬɪɢɱɟɫɤɢɣ ɷɮɮɟɤɬ ɜɵɩɪɹɦɥɟɧɢɹ ɫɢɝɧɚɥɚ ɜ ɫɩɢɧɨɜɨɦ ɞɢɨɞɟ ɧɚ ɨɫɧɨɜɟ

Ɇɨɠɧɨ ɨɬɦɟɬɢɬɶ ɧɟɤɨɬɨɪɨɟ ɩɨɜɵɲɟɧɢɟ ɫɨɩɪɨɬɢɜɥɟɧɢɹ ɨɭɭɭɭ ɫɥɨɟɦ Ga2Se3. ɪɟɯɨɞɚɯ ɦɟɬɚɥɥ/Al2O3/Ga2Se3 ɢ Ga2Se3/GaAs. [ ɪɨɥɸɦɢɧɟɫɰɟɧɰɢɢ, ɢɡɦɟɪɟɧɧɵɟ ɩɪɢ 77 Ʉ, ɞɢɨɞɚ ɧɚ ɨɫɧɨɜɟ (ɢɢɟ ɢɢɟ ɢɟ ɵ ɞɥɹ ɞɢɨɞɚ ɧɚ ɨɫɧɨɜɟ p-GaAs (ɤɪɢɜɵɟ 3,4).

Ⱦɥɹ ɩɪɨɜɟɪɤɢ ɞɚɧɧɨɣ ɝɢɩɨɬɟ ɝɢɩɨɬɟ ɦɵ ɨɰɟɧɢɥɢ ɜɪɟɦɹ ɫɩɢɧɨɜɵɯ ɮɥɭɤɬɭɚɰɢɣ ɭ SMB6, ɢɫɩɨɥɶ ɷɤɫɩɟɪɢɦɟɧɬɚɥɶɧɵɟ ɷɤɫɩɟɪɢɦɟɧɬɚɥɶɧɵɟ ɞɚɧɧɵɟ ɲɢɪɢɧɟ ɥɢɧɢɢ ɗɉɋ [6], ɢ ɫɪɚɜɧɢɥɢ ɟɝɨ ɟɝɨ ɫ ɞɚɧɧɵɦɢ [8- 10] ɨ ɜɪɟɦɟɧɢ ɜɪɟɦɟɧɢ ɮɥɭɤɬɭɚɰɢɣ ɮɥɭɤɬɭɚɰɢɣ. Ɉɛɪɚɳɚɟɬ ɧɚ ɫɟɛɹ ɜɧɢɦɚɧɢɟ, ɱɬɨ ɜ ɬɨ ɜɪɟɦɹ ɤɚɤ ɜ ɫɬɨɢɬɬ (ɪɟɦɹ ɡɚɪɹɞɨɜɵɯ ɢ ɫɩɢɧɨɜɵɯ ɮɥɭɤɬɭɚɰɢɣ ɭ SmB6 ɞɨɥɠɧɨ ɨɨɚɚɩɬɚ Sm3+ ɢ Sm2+ ɹɜɥɹɸɬɫɹ ɦɚɝɧɢɬɧɵɦɢ ɢ ɧɟɦɚɝɧɢɬɧɵɦɢ ɫɨɨɬɜɟɩɨɬɢɦɧɫɬɢ ɟɧɬɟ ɧɚɛɥɸɞɚɟɬɫɹ ɪɚɫ- ɯɨɠɞɟɧɢɟ ɧɚ 4-7 ɩɨɪɹɞɤɨɜ ɦɟɩɪɭɦɦɦɦ ɵɯ ɢ ɡɚɪɹɞɨɜɵɯ ɮɥɭɤɬɭɚɰɢɣ (ɡɚ ɢɫɤɥɸɱɟɧɢɟɦ ɨɰɟɧɤɢ, ɜɵɨɨɥɬɧ [8]).

Ɏɚɡɨɜɚɹ ɞɢɚɝɪɚɦɦɚ ɫɤɪɭɱɟɧɧɵɯ ɦɚɝɧɢɬɧɵɯ ɫɨɫɬɨɹɧɢɣ ɜ ɫɜɟɪɯɪɟɲɟɬɤɟ Fe/Gd

Английский язык, русский язык ɧɤɢ Gd(a) ɢ ɫɨ ɫɬɨɪɨɧɵ ɩɥɺɧɤɢ Fe (б). Вид спектра сигнала на частоте накачки на выходных антеннах 2, 3 и 4 при надкритичности накачки С≈31-38дБ в зависимости от напряженности магнитного поля.

ɆɋɆ ɢɫɫɥɟɞɨɜɚɧɢɟ

Ɨ́ꞌɨ́ ꞌví ꞌɨ ɢɥɢ ɫɠɚɢɟ ɱɚɫɬɢ Ni ɡɚɟɬɧɨ ɜɥɢɹɟɬ ɫɨɫɬɨɹɧɢɟ. Ɉɛɥɚɫɬɶ ɞɨɦɟɧɨɜ, ɧɚɦɚɝɧɢɟɧɧɾɵɯ ] ɞɨɦɧɨɜ, ɧɚɦɚɝɧɢɱɧɧɯɯɯ ɧɨɪɨɞɧɨɟɫɨɫɬɨɹɧɢɟ (ɪɢɫ. 3 ɜ, ɝ).