Новые электронные явления и материалы [Текст]: Тезисы докладов XXIII Уральской международной зимней школы по физике полупроводников (Екатеринбург, 17-22 февраля 2020 г.) / [отв. Электронные свойства низкоразмерных систем. Структуры и свойства полупроводников с примесями переходных элементов.
Информация для участников
Расписание работы школы
Information for participants
Schedule
Metal racks with magnets will be provided for the poster session in a size suitable for placing A0 size posters either vertically or horizontally.
Перерыв кофе брейк
Общая фотография Перерыв обед
Перерыв ужин
Перерыв кофе-брейк
Перерыв обед Экскурсия
Ужин
Перерыв обед
Председатель Горный Игорь Викторович Якунин М.В. nInSb/InAlSb в наклонных магнитных полях 9:00–9:30 Быков А.А. Л–30 Многоподзонный магнитотранспорт в селективно легированных квантовых ямах n-GaAs с латеральными сверхрешеточными барьерами AlAs/GaAs. Л–3 Особенности АС-проводимости в структурах n-GaAs/AlGaAs с широкой квантовой проводимостью. Л–12 Магнито-межподзонные колебания в сильных спин-орбитальных структурах. проводимость гетероструктур InGaAs/GaAs Неверов В.Н. Шубников де Гаас в квантовой яме HgTe с.
Товарищеский ужин
NM-5 Nonlocal terahertz photoconductivity in structures based on topological phase. invited) NM-26 The paramagnetic Maisner effect in. guest) NM-6 Electronic structure and properties of a.
Сoffee break
Supper
Dinner Excursion
NM–14 Effect of disorder on the quantization of the irregular Hall conductance of a two-dimensional topological insulator. NM–28 The effect of high pressure on the electrophysical properties of the Dirac 3D Cd3As2 semimetal with MnAs nanogranules Tikhomirova G. NM–17 Transport phenomena and phase transitions in graphite at.
Dinner
Banquet
T–7 Effect of high magnetic fields on tetragonal lattice instability of cobalt doped mercury. invited) NM–11 Higgs modes in superconductivity. Structure and magnetic properties of the thin film Co2CrSi and Co2NiSi Heusler alloys.
Электронные
Electron properties of Low-Dimensional Systems
Перенос Джозефсоновского тока поверхностными L–2 состояниями топологических Вейлевских
Если построить энергетическую диаграмму уровней Ландау для первой структуры, то мы увидим, что в области полей 0,5 Т < В^ < 1,5 Тл наблюдаются 4 серии колебаний ШдГ: 1-я серия колебаний связана с переходами электронов из Ландау уровни в подзоне AS на уровни подзоны S с разными номерами, 2-й с переходами от уровней подзоны S к уровням подзоны AS с теми же номерами. Была развита теория, показывающая, что пересечения уровней Ландау из разных подзон могут быть связаны не только с изменением щели DSAS от B||, но и с разными зависимостями от циклотронных энергий в S и AS подзонах B || в зоне Б|| < 2 Тл, причем циклотронная энергия в S-подзоне уменьшается, а в AS-подзоне возрастает с ростом B||.
Плазмонный интерферометр на основе графена как L–4 детектор терагерцового излучения
Measurement-induced steering of quantum systems L–6
В полупроводниковых гетероструктурах InGaAs/GaAs с одинарными и двойными квантовыми ямами (КЯ) InGaAs в широком диапазоне температур T ≅ (10÷60) К обнаружен диэлектрический характер температурной зависимости проводимости dσ(T))/dT >0. , за счет значительного (линейного после Т) увеличения подвижности носителей заряда. Последнее соотношение реализуется в исследованных структурах с общей концентрацией n ≅ 2 1011 см–2 при Ncross ≅ 1 1011 см–2 для InGaAs (из 20% InAs), что позволяет наблюдать диэлектрическое поведение σ(T)).
Электрические домены и туннелирование электро- L–8 нов в сверхрешетках
Анизотропия рассеяния в квантовой яме hgTe (013) L–9
L–10 wide-band-gap nanorods with heterostructures
Two types of NW morphology, which appeared in the same growth process, were observed and correlated with the polarity of the upper part of the NWs. This observation was also confirmed by direct IV measurements of individual nanowires with both top surface polarities. As a second example, we describe a successful attempt to grow ZnO nanorods with axial ZnO/(Zn,Mg)O heterostructures using a two-step growth method: the ZnO nanorods are prepared by a hydrothermal method, the axial heterostructures are applied to the top surfaces of the nanorods by an MBE process.
Терагерцовая циклотронная фотопроводимость L–11 в сильно разбалансированной двумерной
Магнето-межподзонные осцилляции в структурах с L–12 сильным спин-орбитальным взаимодействием
Квантовый изолятор в двумерной системе e-h L–13 гибридизованных состояний
Аномальный фазовый сдвиг осцилляций Шубникова L–14 де Гааза в квантовой яме hgTe с инвертированным
Анизотропия ВАх и особенности транспорта L–15 электронов в двумерных квантовых сверхрешетках с
Ионизация акцепторной примеси бора в алмазе L–16 сильным электрическим полем
Мультиканальный транспорт в одиночных L–17 квантовых точечных контактах
L –18 MIRO в сигнале пропускания квантовой ямы
Исследование распределения электронной плотности L–19 в широких квантовых ямах на теллуриде ртути
Тонкая структура уровней ландау и одномерных L–21 токовых состояний в квантовом эффекте холла
Стимулированное ВЧ-полем одномерное квантовое L–22 рассеяние: резонансы и другие особенности
Примесная фотопроводимость квантовых ям L–23 на основе CdhgTe при различных температурах
Новые моды плазмонов в частично L-24 экранированных 2D электронных системах
В данной работе представлены результаты исследования квантового эффекта Холла (КЭХ) в квантовой яме InSb толщиной 21 нм, расположенной между барьерами Al0,1In0,9Sb.
Пиннинг волны зарядовой плотности на подвижных L–26 примесях в квазиодномерных проводниках
Anomalous Nematic States in half-filled Landau Levels L–27
We note, however, that signatures of quantum Hall states with an even denominator have recently been observed in N = 3 LL graphene [6]. Taken together, our findings strongly suggest the formation of a new ground state that prevails over the usual phase of the quantum Hall strip. Part of this work was performed at NHMFL, which is supported by NSF cooperative agreement no.
Антипересечение атомных ступеней L-28 на поверхности кристалла
Сдвиговые токи, вызванные энергетической L–29 релаксацией
Многоподзонный магнетотранспорт L–30
Влияние спейсера на корреляционные ограничения L–31 электронной подвижности при рассеянии на
Emergent chirality L-32
Дираковские фермионы в квантовой яме CdhgTe L–33
Таким образом, оказалось, что квантовая яма толщиной 11,5 нм с содержанием Cd 6% представляет собой высококачественный двумерный топологический изолятор практически критической толщины, подвижность которого в 2-2,5 раза выше, чем у традиционных структур и поэтому перспективна для дальнейшего использования. исследовать. Сравнение нелокального и локального удельного сопротивления в квантовой яме Cd0,06Hg0,94Te толщиной 11,5 нм, имеющей малую щель и v-.
Резонансные суперстолкновения и перенос тепла в L-34 графене
Магнитная восприимчивость кристаллов, T–1 легированных ян-теллеровскими центрами
Примесная магнитная восприимчивость T–3 полупроводников
Использование разбавленных магнитных T–4 полупроводников в качестве элементов спиновых
Исследуемая структура, как и в предыдущем случае, представляла собой светодиод на основе GaAs с квантовой ямой InGaAs. Для уменьшения негативного влияния (In,Fe)Sb на полупроводниковую гетероструктуру между разбавленным слоем магнитного полупроводника и поверхностью светоизлучающей структуры был введен туннельно-тонкий (1 нм) защитный слой MgO. Рабочая температура структур, сформированных инжектором (In,Fe)Sb, составляла 200 К, что мы связываем с тушением электролюминесценции, а не с достижением температуры Кюри разбавленного магнитного полупроводникового слоя.
Ферромагнетизм электронной системы T–5 гибридизированных состояний атомов железа в
Исследования проведены на подложках GaAs, буферных слоях CdTe/ZnTe/GaAs и структурах CdxHg1-xTe/ZnTe/GaAs(Si), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на установке Обь-М. Результаты исследования выявили отклонения углов ϴ, φ от ориентации поверхности (013) на 1-3 градуса для подложек и до 8 градусов для буферных слоев CdTe/ZnTe/GaAs. По-видимому, это связано с тем, что компоненты тензора нелинейной восприимчивости cxyz(w) кристаллической структуры (013)CdxHg1-xTe/CdTe/ZnTe/GaAs существенно превышают по величине аналогичные компоненты тензора в CdTe и GaAs. .
Влияние сильных магнитных полей на T–7 тетрагональную решеточную нестабильность в
Рост поглощения на температурной зависимости при Т<10 К подавлялся и при приложении внешнего магнитного поля напряженностью 15 Тл. На полевых зависимостях модуля упругости обнаружено увеличение как в постоянных полях до 15 Тл, так и в импульсных полях до 40 Тл, насыщение наблюдалось выше 40 Тл. Размер относительного изменения модуля упругости ΔС/С0 (где ΔС=С(Н)–С0, С0=С(0)) при увеличении магнитного поля до 40 Тл составил 4,4∙10-3, что практически совпало со значением размягчения на температурной зависимости в нулевом магнитном поле, которое было равно
Jahn-Teller effect in strontium fluorite doped with T–8 chromium ions studied in ultrasonic experiment
Jahn-Teller effect in strontium fluorite doped with T-8 chromium ions studied in ultrasonic experiment. 3) where a0 is the initial distance between chromium and fluorine, FE and FT are tetragonal and trigonal linear vibronic coupling constants. The Jahn-Teller Effect in Solids." In Solid State Physics vol.20, edited by F.Seitz, D.Turnbull, H.Ehrenreich. Gudkov, et al., Manifestation of the Jahn-Teller effect in elastic moduli of cubic crystals.
Optically-Active Centers in Re-Implanted Silica Glass T-9
- Introduction
- Samples and Methods
- Results
- Conclusions
At the same time, the main contribution to overall PL intensity is determined by the band with a maximum of 2.5 eV, which is induced at the Re-related centers. Thermal annealing causes the increase of the intensity of all PL bands and shift of their maximum to the low energy region. Thermal annealing of reimplanted SiO2 leads to an increase of PL yield and shift of the peak positions to the low-energy spectral region.
Показано, что они качественно схожи, но в Pb1-x-ySnxScyTe часть образцов характеризуется проводимостью p-типа, а изменение параметров вдоль стержня происходит в рекордных пределах: на 1,3×1020 см-1. 3 и 430 мэВ соответственно.
Высокотемпературный внутренний ферромагнетизм T–11 в слоях GaAs, сильно легированных Fe
Исследование аномальных эффектов Нернста- T–12 Эттингсгаузена и холла в разбавленных магнитных
Эффект передачи спин-вращательного момента, T–13 как отклик неравновесной системы на внешнее
Модулированные состояния кристаллической T–14 структуры кубических кристаллов полумагнитных
Faculty of the Graduate School of the University at Buffalo, State University of New York (2019).
Спектр комбинационного рассеяния света T–15 и упругие свойства редкоземельных
Lu2SiO5 был исследован как материал с подходящими свойствами для использования в качестве термобарьерного покрытия, поэтому важно прогнозировать значения теплопроводности других оксиортосиликатов. Рассчитанные в данной работе значения коэффициентов для R2SiO5(R) – La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu) показаны на рисунке 2.
Предположив схожее поведение уровня Ni и ранее исследованного уровня Fe [2], предложена энергетическая диаграмма движения резонансного уровня Ni относительно краев энергетических зон с увеличением концентрации олова в сплавах Pb1-xSnxTe. Показано, что в PbTe уровень Ni, скорее всего, расположен в запрещенной зоне, вблизи потолка валентной зоны.
Наблюдение донорных экситонов в спектрах T–17 оптического поглощения и фотолюминесценции
Также исследовалось влияние освещения на парамагнитный резонанс (фотоЭПР) ионов Mn2+ в монокристаллах Zn1-xMnxO при температуре 120 К на частоте 9400 МГц. Этот уровень донорной частицы d5/d4 расположен в валентной зоне и антисвязывающих состояниях DBH (гибрид связи Дангинига), возникающих в результате гибридизации 3d-орбиталей иона Mn2+ с p-орбиталями ближайших ионов O2-, попадает в запретную пропасть. Узкие линии, наблюдаемые в спектрах оптического поглощения и фотолюминесценции кристаллов Zn1-xMnxO, являются проявлением донорных экситонов [(d5+hloc)e], возникающих в результате кулоновского взаимодействия свободного s-электрона и дырки, локализованной на (p +d5) гибридизованные орбитали.
On the other hand, Mn4+ luminescence is also observed although the temperature strongly quenches at about 100 K. Mn2+ ions emit in solids in different spectral regions from near blue to deep red, depending on the strength of the crystal field. For stronger crystal fields, the 2T2 level becomes the first excited state, which does not emit due to strong electron-phonon coupling.
Dynamical charge density fluctuations pervading the NM–1 phase diagram of a Cu-based high-T c superconductor
Dynamic charge density fluctuations traversing the NM-1 phase diagram of a Cu-based high-Tc superconductor.
Anisotropic hall resistivity in electron-doped NM–2 superconductors
Сильные изменения электронных свойств MoTe NM–3 2 после закалки
В твердых растворах Pb1-xSnxTe при x > 0,3 происходит инверсия зон и образуется фаза топологического кристаллического диэлектрика (ТКИ) [1]. Исследование магнитосопротивления планарных структур на основе пленок Pb1-xSnxTe с ферромагнитными (ФМ) контактами (Co, FeCo и FeCoB) показало наличие как локального, так и нелокального спин-клапанного эффекта в зависимости от взаимной ориентации направления внешнего магнитного поля, намагничивающих контактов и протекающего тока (рис. 1). Эффект наблюдался на расстояниях до 100 мкм, что указывает на наличие в исследуемых пленках канала проводимости с необычно большой длиной спиновой диффузии (более 10 мкм) или механизма спиновой поляризации носителей на уровне Pb1-xSnxTe. /FM-интерфейс.
Наблюдаемые нетривиальные особенности фототранспорта можно интерпретировать как проявление формирования концевого кирального краевого проводящего канала в топологической фазе сплавов Hg1-xCdxTe.
Electronic structure and properties of a few-layer black NM–6 phosphorus
Термоэлектрические свойства полупроводниковых NM–7 материалов в условиях высокого давления
Терагерцовые резонансы в толстых пленках CdhgTe NM–8
Сверхпроводимость органометаллических фуллеридов NM–9 и смешанных фуллеридов с легкоплавкими сплавами
NM–10 Квантовые эффекты в магнетотранспорте систем
NM–11 Моды хиггса в сверхпроводящих системах
NM–12 Гетероструктуры hgCdTe с квантовыми ямами
Для КЯ HgTe критической толщины (считающейся равной 6,3 нм) при изменении температуры наблюдался переход от инвертированного зонного спектра к неинвертированному. С увеличением толщины одиночные квантовые ямы HgTe проявляют свойства 2D и 3D топологических изоляторов, что наблюдается при изучении гальваномагнитных свойств. Вынужденное излучение в диапазоне длин волн от 6 до 31 мкм обнаружено впервые на выращенных структурах HgTeQW с волноводными слоями.
NM–13 Неквазичастичное описание ВТСП купратов
NM–14 Влияние беспорядка на квантование аномального
В отличие от модели минимального изолятора Черна [3], в которой sxy (2) имеет полуцелое квантованное значение, в рассматриваемом случае квантование холловской проводимости является целым числом sxy = e2/2πћ.
NM–15 Структура и магнитные свойства тонкопленочных
NM–16 Анализ квантовых осцилляций сопротивления
178 Новые явления и материалы На всех образцах обнаружены флуктуации холловского сопротивления ρxy при изменении внешнего магнитного поля в нормальном и смешанном состоянии.
NM–17 Транспорт и фазовые переходы в графите при
NM–18 Фотостимулированные резистивные переключения
NM–19 Высококоэрцитивные ферромагнитные пленки на
Исследуемые пленки CoPt были сформированы на подложке GaAs методом послойного электронно-лучевого испарения мишеней из чистых материалов [4]. При проведении структурных исследований в исходной пленке методами электронно-лучевой микроскопии и рентгеноструктурного анализа в исходной пленке CoPt была обнаружена фаза CoPt-L11, которая обусловливает относительно небольшую перпендикулярную анизотропию намагниченности пленки. Вероятно, после высокотемпературного отжига фаза CoPt-L11 трансформируется в фазу CoPt-L10, вызывая появление перпендикулярной магнитной анизотропии с высоким коэрцитивным полем [5, 6], что приводит к образованию доменов Fe-Mn якорь. Сплав C, в котором изначально отсутствовала перпендикулярная магнитная анизотропия.
NM–20 Фото-ЭДС на поверхности сильнолегированного GaAs
С помощью этой методики измерена зависимость фото-ЭДС на поверхности Cs/p+-GaAs от мощности лазерной накачки при уровне легирования p ≈ 7 · 1018 см-3, что актуально для ОЭС-фотокатодов. Эволюция фото-ЭДС, измеренная при осаждении слоя Cs на поверхность p+-GaAs, сравнивается с данными, полученными ранее методом фотоотражения на специальных структурах UP+ с тонким слоем (≈ 100 нм) незащищенного выращенного очень наверху. легированный p+-GaAs [2].
NM–21 Superconductivity in Thin Layer Dirac Semimetals
The formation of a superconducting phase in the films is confirmed by the characteristic behavior of the temperature and the magnetic field dependence of the resistance of the sample (see Figure 1), as well as by the presence of pronounced plateaus with zero resistance in dV. characteristics /dI. The Hc-Tc plots reveal linear behavior within the intermediate temperature range suggesting the possibility of a non-trivial coupling in the films under investigation.
NM–22 Об открытии фазы полуметалла Вейля в hgSe
190 Новые явления и материалы Исследования выявили следующие магнитотранспортные свойства, характерные для полуметаллов Вейля в HgSe с низкой концентрацией электронов: 1.
NM–23 Диэлектрические свойства титанатов
NM–24 Многократные топологические переходы, вызванные
NM–25 Импульсная терморефлектометрия полупроводников
Установлено, что в отличие от ZnSe:Ni и n-InSb в HgSe при Т = 77 К на зависимости I(t) появляется достаточно глубокий провал в области с отрицательными значениями I(t), с последующей медленной релаксацией сигнала (рис. 1).
NM–27 Электрические и магнитные свойства
