[PDF] Top 20 Propriedades ópticas de pontos quânticos empilhados de InP/GaAs

... de pontos quânticos auto-formados, o substrato e a camada epitaxial têm parâmetros de rede a e, em alguns casos, estruturas cristalinas ...de pontos quânticos ... See full document

... de InP/GaAs nas propriedades ópticas de pontos quânticos auto-organizados, crescidos por epitaxia de feixe químico, no modo ...os pontos quânticos de ... See full document

... Uma técnica importante de crescimento de semicondutores é a Epitaxia por Feixe Molecular (MBE) que possibilita crescer diferentes tipos de materiais e heteroestruturas que podem ser aplicados na produção de equipamentos ... See full document

... Pontos quânticos semicondutores (QDs) têm atraído considerável interesse do ponto de vista fundamental e tecnológico e tem sido extensivamente estudado em aspectos que envolvem suas propriedades ... See full document

... External pressure has been frequently used to investigate semiconductor properties. The application of such stress on heterostructures is a powerful tool to change their electronic structure, leading to a con- trolled ... See full document

... de InP crescidos sobre o substrato de GaAs (InP/GaAs) com emissão em torno de 0,9 ...suas propriedades estruturais e, particularmente, ópticas, uma vez que ele exibe uma ... See full document

... Figure 2 shows the results of ␮ PL measurements corre- sponding to a small energy range of the broad QD emission band. On top of a broad emission band similar to those shown in Fig. 1, the ␮ PL spectra present several ... See full document

... em pontos n˜ao cobertos em estru- turas semelhantes `a que estamos estudando, mas com diferentes n´ umeros de camadas crescidas, mostraram um gradual aumento no tamanho dos pontos quˆanticos de InAs quando ... See full document

... Para encontrar os autoestados e as autoenergias dessa heteroestrutura pode se usar a aproxima¸c˜ ao da fun¸c˜ ao envelope (AFE) [22]. Na AFE, ´ e resolvida um equa¸c˜ ao de Schr¨ odinger simplificada, aproximado a fun¸c˜ ... See full document

... Much of the research on GaMnAs is on bulk materials or in heterostructures where both Mn and holes are in the same spatial region. These systems allow a high ferromagnetic Curie temperature due to the strong interaction ... See full document

... caracterizações ópticas foram realiza- das em onze amostras de QDs de CdSe de tamanhos distintos, as quais foram retiradas de uma mesma síntese em intervalos de tempo diferentes, como detalhado na seção ... See full document

... second set, the InAsP insertion time is longer, 10, 20 and 40 s, while the Au-NPs size was only 5 nm. The optical emission associated to InAsP layer is close to the InP gap energy, indicating thin InAsP layer and, ... See full document

... suas propriedades ópticas podem ser alteradas através da modelação das propriedades da heteroestrutura (espessura da camada quântica, da mistura nas interfaces…) ... See full document

... [r] ... See full document

... fios quânticos, não está inteiramente confinada no interior dos fios quânticos, penetrando na barreira de ...fios quânticos de forma radiativa como na barreira de forma não ... See full document

... as propriedades eletrˆonicas dos materiais semicondutores atrav´es do processo de dopagem, onde s˜ao adicionados certas impurezas em quantidades controladas aos ... See full document

... envolvendo pontos quânticos sofreu um aumento ...de pontos quânticos semicondutores em duas grandes áreas: (a) Pontos quânticos em matriz vítrea e orgânica e (b) pontos ... See full document

... A anàlise desses parâmetros em função da temperatura de nucleação (substrato no início do crescimento) mostrou que os resultados seguem o modelo de tensão ténnica, no qual [r] ... See full document

... Outras condições reacionais deverão ser testadas para avaliar melhor as propriedades ópticas desses nanocristais de CdSe-AMP. Porém a metodologia desenvolvida mostra-se eficiente para a obtenção de PQ’s de ... See full document

... Na primeira parte deste trabalho, buscou-se na literatura por artigos que relatassem a síntese hot injection de pontos quânticos dos tipos II-VI e IV-VI (CdS, CdSe, PbS, PbSe e ZnSe). A base de dados foi ... See full document