Nesta sec¸ ˜ao ser ˜ao compilados os par ˆametros j ´a obtidos durante o desen- volvimento do trabalho e calculando os componentes do reator. O procedimento para o projeto baseou-se na ordem sugerida em Lopes (2014), comec¸ando pela modela- gem da carga e definic¸ ˜ao de par ˆametros b ´asicos de entrada, o projeto dos filtros, do comando auto-oscilante e ent ˜ao o circuito de disparo. Os par ˆametros iniciais s ˜ao apre- sentados na Tabela 1. Os componentes das pontes retificadoras foram considerados ideais.
Tabela 1: Par ˆametros iniciais
Par ˆametro Valor
Tens ˜ao de entrada (Vin) 127VRM S Frequ ˆencia da rede (f ) 60Hz Ondulac¸ ˜ao da tens ˜ao de barramento (∆Vbus%) 5%
Ondulac¸ ˜ao da tens ˜ao de sa´ıda (∆Vout%) 1% Frequ ˆencia de chaveamento (fs) 35kHz
Rendimento estimado (η) 0, 8
A tens ˜ao de barramento pode ser aproximada dado pela Equac¸ ˜ao 65:
Vbus = Vin∗ √
2 = 179, 6V (65)
O procedimento de modelagem da carga foi exposto na Sec¸ ˜ao 2.3 e os par ˆametros obtidos podem ser vistos na Tabela 2.
Tabela 2: Par ˆametros da
associac¸ ˜ao s ´erie de 8 LEDs
Par ˆametro Valor
Tens ˜ao m ´edia de sa´ıda (Vout) 25, 464V Pot ˆencia dissipada (Po) 15, 276W Corrente m ´edia de operac¸ ˜ao (Imed) 0, 6A
Corrente m ´axima suportada 1A Resist ˆencia equivalente (RLED) 42, 433Ω Resist ˆencia equivalente CA (Rca) 34, 395Ω
4.1 Par ˆametros calculados 51 As equac¸ ˜oes que s ˜ao utilizadas para calcular os par ˆametros necess ´arios para projetar o filtro podem ser encontradas na Subsec¸ ˜ao 3.4.2 e os resultados na Tabela 3.
Tabela 3: Par ˆametros para cal- cular componentes do filtro ressonante
Par ˆametro Valor
Pot ˆencia de entrada no reator (Pin) 19W Aproximac¸ ˜ao fundamental (Vef) 80, 851V Constante de transfer ˆencia de pot ˆencia (kt) 0, 08
Fator de qualidade (Qo) 0, 5
A pot ˆencia utilizada para projetar o filtro capacitivo de baixa frequ ˆencia ´e raz ˜ao entre a pot ˆencia de sa´ıda do reator e sua efici ˆencia estimada. O fator de qua- lidade baixo se justifica pela tend ˆencia do LED mudar suas caracter´ısticas el ´etricas com variac¸ ˜ao de temperatura. Como o diodo esquenta enquanto est ´a operando ´e per- tinente utilizar um Qo adequado para que o filtro seja pouco sens´ıvel a mudanc¸as na carga. Para esse fator de qualidade, a func¸ ˜ao transfer ˆencia do filtro ´e dada pela Figura 28. 0 1 10 4 2 10 4 3 10 4 0 50 100 150 126.998 7.973 Vo ω( ) 40 10 3 159.155 35 10 3 ω 2π
Figura 28: Gr ´afico da tens ˜ao de sa´ıda do filtro em func¸ ˜ao da frequ ˆencia de operac¸ ˜ao.
4.1 Par ˆametros calculados 52 A = 6, 9097 −6, 9097 0, 1447 −0, 1447 (66)
Como discutido na Subsec¸ ˜ao 3.4.2, para que o filtro atue com ZVS o valor escolhido deve ser 0,1447. Com A definido, os componentes do filtro ressonante podem ser calculados e seus valores s ˜ao expostos na Tabela 4.
Tabela 4: Componentes para o filtro ressonante e filtros capa- citivos
Par ˆametro Valor
Capacitor s ´erie (C) 1, 827µF Indutor s ´erie (L) 540, 351µH Capacitor de retificac¸ ˜ao em baixa frequ ˆencia 101, 2µF
Capacitor de retificac¸ ˜ao em alta frequ ˆencia 2, 2µF
A pr ´oxima etapa projetada ´e a do circuito de comando auto-oscilante. De acordo com o m ´etodo empregado na Subsec¸ ˜ao 3.4.4, os par ˆametros necess ´arios para calcular as indut ˆancias e n ´umero de espiras do TC s ˜ao dispostas na Tabela 5.
Tabela 5: Par ˆametros para
o projeto do comando auto- oscilante
Par ˆametro Valor
Indut ˆancia total do secund ´ario (Lms) 591, 449µH Relac¸ ˜ao de transformac¸ ˜ao (n) 0, 13
Pot ˆencia do diodo zener (Pz) 0, 5W Tens ˜ao do diodo zener (Vz) 12V
A indut ˆancia do secund ´ario do TC ´e dada pela equac¸ ˜ao 30. A indut ˆancia magnetizante do prim ´ario do TC pode ser calculada a partir de (67). A Tabela 6 mostra os valores das indut ˆancias do TC utilizado no circuito de comando.
Lmp= n2Lms (67)
Em seguida ´e necess ´ario avaliar a exist ˆencia de oscilac¸ ˜ao autossustentada atrav ´es da CEEN e das Equac¸ ˜oes (28) e (23). O local onde a curva de Im(G(i · ω)) corta o eixo real na Figura 29 ´e o ponto de intersecc¸ ˜ao da reta −1/N e G(jω), ponto este que corresponde ao valor que G(jω) opera em 35kHz.
4.1 Par ˆametros calculados 53
Tabela 6: Indut ˆancias do TC
Par ˆametro Valor
Indut ˆancia do prim ´ario do TC Lmp 9, 991µH Indut ˆancia do secund ´ario do TC Lms1 e Lms2 295, 724µH
3 103 2103 1103 0 2 104 1 104 1 10 4 2 10 4 0.0002 0.0002 Im Gf 1i ω( ( )) Im Gf 1i 2( ( π fs )) 0 0.003 Re Gf 1i ω( ( )) Re Gf 1i 2 ( ( π fs ))
Figura 29: CEEN para o reator projetado.
Com os valores dos elementos indutivos, ´e preciso realizar o projeto f´ısico dos componentes magn ´eticos, utilizando as metodologias apresentadas na subsec¸ ˜ao 3.4.5, os resultados s ˜ao expostos na Tabela 7.
Tabela 7: Par ˆametros f´ısicos dos componentes magn ´eticos
Indutor N ´ucleo Modelo do n ´ucleo N ´umero de espiras Bitola
Indutor ressonante Duplo E 25/10/6 56 24 AWG
Prim ´ario do TC Toroidal 10/5/6,5 3 24 AWG
Secund ´arios do TC Toroidal 10/5/6,5 12 28 AWG
A ´ultima etapa a ser calculada ´e o circuito de disparo, que foi projetado atrav ´es das considerac¸ ˜oes feitas na Subsec¸ ˜ao 3.4.6.
Tabela 8: Componentes do cir- cuito de comando
Par ˆametro Valor Tens ˜ao de disparo Vdis 28V
Tempo de disparo 20 ciclos de operac¸ ˜ao Capacitor CQ 100nF
4.2 Simulac¸ ˜ao 54 4.2 SIMULAC¸ ˜AO
A partir dos valores projetados, o circuito foi implementado em simulac¸ ˜ao no software OrCad 17.2 Lite, podendo ser visto na na Figura 30.
0 D53 D1N4007 295.72u C3 100n D58 MUR810 D56 MUR810 295.72u Dbreak D45 D51 D1N4007 D55 D04AZ12 Cs5 2.2u M23 IRF840 Cs3 101.187u D22 D04AZ12 D50 D1N4007 L1 530.4u D57 MUR810 D52 D1N4007 CT 10u D23 D04AZ12 X1 DB3G1 K K1 COUPLING = 0.999999 K_Linear D47 MUR810 Rq2 42.433 M22 IRF840 V1 VAMPL = 179.61 Rq1 330k D54 D04AZ12 Cs4 1.83u
Figura 30: Circuito simulado pelo software Or- Cad.
O primeiro resultado a ser analisado ´e a ondulac¸ ˜ao na ponte retificadora de entrada. Caso a ondulac¸ ˜ao seja muito grande, diversas aproximac¸ ˜oes que foram assumidas n ˜ao ser ˜ao v ´alidas e o filtro capacitivo deve ser ajustado.
Time 172.0ms 176.0ms 180.0ms 184.0ms 188.0ms 192.0ms V(D51:2,0) 168V 170V 172V 174V 176V 178V
Figura 31: Gr ´afico simulado da ondulac¸ ˜ao de tens ˜ao da ponte retificadora projetada.
4.2 Simulac¸ ˜ao 55 A amplitude de ondulac¸ ˜ao resultante ´e de 10, 2V e a tens ˜ao m ´edia de bar- ramento ´e de 173V , resultando em uma ondulac¸ ˜ao de 6%, como pode ser visto na Figura 32. A Figura 32 representa as formas de onda de tens ˜ao e corrente de entrada no reator. Time 368.0ms 376.0ms 384.0ms 392.0ms AVG(-W(V1))*10 V(D51:1,D52:1) -I(V1)*100 -200 -100 -0 100 200
Figura 32: Gr ´afico de tens ˜ao, corrente e pot ˆencia m ´edia de entrada no reator. Corrente com fator de escala 100, pot ˆencia m ´edia com fa- tor de escala 10.
A corrente de entrada possui grande distorc¸ ˜ao devido filtro capacitivo da ponte retificadora em baixa frequ ˆencia. O valor de pico da corrente ´e 2A e o valor eficaz ´e 351, 16mA. A pot ˆencia m ´edia de entrada ´e 17W .
A Figura 33 mostra a corrente pela chave S1e a tens ˜ao entre dreno − source nesta chave. ´E poss´ıvel observar que a chave entra em conduc¸ ˜ao com tens ˜ao nula, caracterizando o ZVS.
4.2 Simulac¸ ˜ao 56 Time 127.08ms 127.10ms 127.12ms 127.14ms 127.16ms V(M23:d,M23:s) I(M23:d)*100 -100.0 0 100.0 179.1
Figura 33: Gr ´afico de tens ˜ao dreno-source e corrente do MOSFET. Corrente com fator de es- cala 100.
A Figura 34 mostra a tens ˜ao de chaveamento nos terminais gate-source. Devido a alta frequ ˆencia, os degraus de tens ˜ao n ˜ao apresentam grande influ ˆencia no funcionamento da chave, mas ´e poss´ıvel observar que a onda entregue ao filtro ressonante n ˜ao ´e perfeitamente quadrada por conta dos degraus na chave.
Time 174.0600ms 174.1000ms 174.1400ms V(D51:2,CT2:2) V(CT2:1,CT2:2)*10 -100.0 0 100.0 191.9
Figura 34: Gr ´afico de tens ˜ao gate-source e tens ˜ao dreno-source. Tens ˜ao gate-source com fator de escala 10.
A Figura 35 mostra as curvas de tens ˜ao e corrente no resistor equivalente do LED.
4.2 Simulac¸ ˜ao 57 Time 164ms 168ms 172ms 176ms 180ms 184ms 188ms 192ms V(D48:2,D46:1) -I(Rq2)*40 22 24 26 28
Figura 35: Gr ´afico de tens ˜ao e corrente na carga resistiva equivalente. Corrente com fator de es- cala 40. Time 173.7ms 173.8ms 173.9ms 174.0ms 174.1ms -I(Rq2) 590.00mA 600.00mA 610.00mA 616.81mA
Figura 36: Oscilac¸ ˜ao de alta frequ ˆencia na cor- rente de sa´ıda.
A frequ ˆencia de oscilac¸ ˜ao observada na Figura 35 ´e de 120 Hz, causada pela oscilac¸ ˜ao na tens ˜ao de barramento. A oscilac¸ ˜ao de alta frequ ˆencia, de 62kHz, pode ser observada na Figura 36 e ´e resultado da etapa de retificac¸ ˜ao em alta frequ ˆencia.
A tens ˜ao m ´edia de sa´ıda ´e de 25, 21V , sua oscilac¸ ˜ao ´e de 5, 5V , sendo a tens ˜ao m ´axima de 28, 181V . A corrente m ´edia ´e de 594mA, sua oscilac¸ ˜ao ´e de 129, 25mA, sendo a Corrente m ´axima de 664, 137mA. A pot ˆencia m ´edia de sa´ıda ´e de
4.3 Implementac¸ ˜ao 58 14, 92W. A Figura 37 mostra a oscilac¸ ˜ao de pot ˆencia entregue ao LED.
Time 164.000ms 172.000ms 180.000ms 186.554ms W(Rq2) 12W 14W 16W 18W
Figura 37: Gr ´afico de pot ˆencia m ´edia na carga resistiva equivalente.
4.3 IMPLEMENTAC¸ ˜AO
A implementac¸ ˜ao do circuito foi realizada levando em considerac¸ ˜ao o com- portamento apresentado nos dados extra´ıdos da simulac¸ ˜ao. A Tabela 9 apresenta os componentes utilizados para construir o reator.
Tabela 9: Componentes utiliza- dos para implementar o reator
Componente Valor/Modelo Cbus 100µF Cf iltro ressonante 0, 33µF, 0, 47µF , 1µF Cq 100µF Cout 2, 2µF D5 BYT 11 Dr1−r4 n4007 Dr5−r8 UF4007 Dz1−z4 1N759 DIAC DB3 Lf iltro ressonante 526, 4µH Rq 33kΩ S1 e S2 IRF840 T C LP/LS1/LS2 12µH/330µH/330µH
4.3 Implementac¸ ˜ao 59 dos tr ˆes capacitores listados. O TC foi constru´ıdo a partir de um n ´ucleo toroidal de um reator de l ˆampada fluorescente. Devido a falta de acesso ao n ´ucleo projetado, os valores de indut ˆancia do TC implementado apresentaram discrep ˆancia ao calculado.
Assim como na simulac¸ ˜ao, o primeiro par ˆametro a ser analisado ´e a ondulac¸ ˜ao de tens ˜ao na ponte retificadora, Figura 38.
Figura 38: Ondulac¸ ˜ao na ponte retificadora de baixa frequ ˆencia.
A ondulac¸ ˜ao no retificador ´e de 8, 80V , pr ´oximo ao resultado da simulac¸ ˜ao, resultando em uma tens ˜ao m ´edia de 175, 21V com 5% de ondulac¸ ˜ao, assim como definido no inicio da sec¸ ˜ao 4.1.
Para visualizar que o circuito est ´a chaveando com ZVS, foram realizadas medic¸ ˜oes na tens ˜ao dreno − source e na corrente do MOSFET, Figura 39.
4.3 Implementac¸ ˜ao 60
Figura 39: Gr ´afico de tens ˜ao dreno-source e corrente do MOSFET.
O comando do circuito pode ser observado na Figura 40. A frequ ˆencia est ´a abaixo do projetado e existe uma distorc¸ ˜ao na tens ˜ao de chaveamento. O primeiro fen ˆomeno pode ser explicado pela indut ˆancia do TC ser maior do que o projetado, reduzindo a frequ ˆencia do chaveamento. O segundo fen ˆomeno ´e causado pela res- son ˆancia entre o filtro capacitivo de alta frequ ˆencia e o prim ´ario do TC, por ´em, n ˜ao afetou o ciclo tarefa da onda de tens ˜ao na entrada do filtro, como pode ser observado na Figura 39.
Figura 40: Gr ´afico da tens ˜ao de comando dos MOSFETs.
A corrente no filtro ressonante, que pode ser um limitante para alguns com- ponentes, pode ser observada na Figura 41. A forma de onda da corrente ser quase triangular ´e resultado do baixo fator de qualidade (Q0).
4.3 Implementac¸ ˜ao 61
Figura 41: Gr ´afico de corrente do filtro resso- nante.
As formas de onda na entrada do reator comparada `a sa´ıda para a carga podem ser vistas na Figura 42. A alta distorc¸ ˜ao harm ˆonica observada na simulac¸ ˜ao se repetiu nas medic¸ ˜oes, contudo, a correc¸ ˜ao de fator de pot ˆencia n ˜ao ´e obrigat ´oria por norma na faixa de pot ˆencia do driver implementado. A pot ˆencia entregue ao reator ´e de 16, 3W , sendo calculada pelo oscilosc ´opio a partir da m ´edia do produto entre a tens ˜ao e corrente de entrada.
Figura 42: Gr ´afico de tens ˜ao e corrente de alimentac¸ ˜ao do reator e da carga.
A figura 43 mostra a corrente e tens ˜ao na associac¸ ˜ao de LEDs, assim como sua pot ˆencia. A efici ˆencia el ´etrica do reator implementado ´e de 79,75%.
4.3 Implementac¸ ˜ao 62
Figura 43: Gr ´afico de tens ˜ao, corrente e pot ˆencia nos LEDs.
A corrente m ´edia no LED, ap ´os o seu aquecimento, estabilizou em 540mA, 90% da corrente m ´edia projetada. O seu ´ındice de modulac¸ ˜ao (IM%) ´e de 13,28%. Para as componentes de alta frequ ˆencia, o driver atende todas as recomendac¸ ˜oes da norma IEEE Std 1789-2015. Para a frequ ˆencia de 120Hz causada pelo ondulac¸ ˜ao no barramento, esse ´ındice atende a recomendac¸ ˜ao 2 e 3, mas n ˜ao atende a recomendac¸ ˜ao 1 apresentadas na sec¸ ˜ao 2.4.
5 CONCLUS ˜AO
O Cap´ıtulo 1 apresentou o contexto atual e perspectivas futuras do mercado de LEDs. Foram tamb ´em apresentados alguns dos desafios presentes na implementac¸ ˜ao da tecnologia LED e a import ˆancia do desenvolvimento e pesquisa de drivers para este tipo de fonte de iluminac¸ ˜ao artificial.
No Cap´ıtulo 2 foi realizado uma breve revis ˜ao hist ´orica dos LEDs e apre- sentado o fen ˆomeno f´ısico que rege seu funcionamento. O modelo el ´etrico e m ´etodo para obter seus par ˆametros tamb ´em foram demonstrados, aplicando no caso particu- lar do LED de pot ˆencia utilizado nesse trabalho, o LED BRIDGELUX modelo PEANUT de 3W . O conceito de flicker tamb ´em foi introduzido neste capitulo, exibindo a tr´ıplice de recomendac¸ ˜oes da norma IEEE Std 1789-2015 para evitar este fen ˆomeno.
No Cap´ıtulo 3, o reator eletr ˆonico auto-oscilante foi explorado inicialmente atrav ´es de uma breve introduc¸ ˜ao hist ´orica e elucidac¸ ˜ao de seu principio de funciona- mento. As ferramentas utilizadas em seu projeto foram demonstradas com destaque aos t ´opicos: resistor equivalente CA, metodologia de projeto parametrizado, func¸ ˜ao descritiva e o crit ´erio de estabilidade de Nyquist.
Os resultados calculados, simulados e implementados est ˜ao presentes no Cap´ıtulo 4. ´E poss´ıvel observar que houveram distinc¸ ˜oes dos valores projetados e os obtidos em laborat ´orio. Algumas considerac¸ ˜oes que podem ser feitas para refinar o projeto s ˜ao: queda de tens ˜ao dos diodos da ponte retificadora, calcular o valor real da tens ˜ao m ´edia de barramento e medir os par ˆametros dos LEDs associados em laborat ´orio.
Apesar dos problemas encontrados, o objetivo de projetar e implementar um reator eletr ˆonico auto-oscilante para acionar LEDs foi alcanc¸ado.
Com relac¸ ˜ao aos objetivos previstos na sec¸ ˜ao 1.2:
O m ´etodo para modelar uma carga resistiva equivalente a um LED alimen- tado por uma ponte retificadora de alta frequ ˆencia com filtro capacitivo ´e mostrado na sec¸ ˜ao 2.3 e subsec¸ ˜ao 3.4.1. Essa modelagem permitiu simplificac¸ ˜oes matem ´aticas importantes para o c ´alculo dos componentes do reator.
5 Conclus ˜ao 64 na Subsec¸ ˜ao 3.4.2, assim como foram apresentadas as caracter´ısticas do filtro LC. A escolha dessa topologia de filtro foi justificada pela facilidade de modelagem e atender o requisito de possuir caracter´ıstica de passa-baixas. As ferramentas apresentadas nesse trabalho podem ser utilizadas para estudar o comportamento e desempenho de diferentes filtros ressonantes na construc¸ ˜ao de REAOs para LEDs.
O circuito de comando foi apresentado na Subsec¸ ˜ao 3.4.4 e o de disparo na Subsec¸ ˜ao 3.4.6. Esse projeto demonstra que ´e poss´ıvel utilizar REAOs para o acionamento de LEDs, mesmo com a sensibilidade do circuito de comando `a variac¸ ˜oes dos par ˆametros da carga. Mostra tamb ´em que as ferramentas de projeto utilizadas para l ˆampadas fluorescentes s ˜ao v ´alidas para l ˆampadas LED.
A implementac¸ ˜ao do prot ´otipo foi abordada no Capitulo 4. As maiores di- ficuldades desse trabalho est ˜ao associadas a implementac¸ ˜ao do prot ´otipo, principal- mente para atingir valores exatos utilizando n ´ucleos magn ´eticos e devido a n ˜ao ideali- dade dos componentes utilizados. Por conta das aproximac¸ ˜oes consideradas, alguns par ˆametros el ´etricos desejados para alimentar os LEDs n ˜ao foram alcanc¸ados, como a pot ˆencia na carga.
Outra dificuldade est ´a atrelada ao fato de haver pouca pesquisa relacio- nada a implementac¸ ˜ao de REAO para acionamento LEDs, isso acarreta em pouco material relacionado a problemas de implementac¸ ˜ao e otimizac¸ ˜oes que poderiam ter sido implementadas nesse trabalho.
65
REFER ˆENCIAS
ACH ˜AO, Carla D. C. L.An ´alise da estrutura de consumo de energia pelo setor re- sidencial brasileiro. [S.l.]: Tese (Mestrado) - Universidade Federal do Rio de Janeiro,
2003.
AZEVEDO, In ˆes Lima; MORGAN, M. Granger; MORGAN, Fritz. The transition to solid-state lighting. [S.l.]: IEEE, 2009.
BARBI, Ivo.Projeto fis´ıco de indutores e transformadores. [S.l.]: UFSC, 2002.
BENDER, Vitor Cristiano.Metodologia de projeto eletrot ´ermico de LEDs aplicada ao desenvolvimento de sistemas de iluminac¸ ˜ao publica. [S.l.]: Tese (Mestrado) -
Universidade Federal de Santa Maria, 2012.
CAMPONOGARA, Douglas.Desenvolvimento de topologias com reduc¸ ˜ao do pro- cessamento redundante de energia para acionamento de LEDs. [S.l.]: Tese (Dou-
torado) - Universidade Federal de Santa Maria, 2015.
COSETIN, Marcelo Rafael. An ´alise e desenvolvimento de sistema eletr ˆonico de iluminac¸ ˜ao com LEDs de pot ˆencia empregando conversor ressonante e indutor vari ´avel. [S.l.]: Tese (Doutorado) - Universidade Federal de Santa Maria, 2015.
DILAURA, David L.; HOUSER, Kevin W.; MISTRICK, Richard G.; STEFFY, Gary R.
The lighting handbook. [S.l.]: Illuminating Engineering Society, 2011.
DOE, U.S. Department of Energy.Energy Savings Forecast of Solid-State Lighting in General Illumination Applications. [s.n.], 2014. Dispon´ıvel em: <https://energy-
.gov/>.
DOE, U.S. Department of Energy. Solid-State Lighting R and D Plan. [s.n.], 2015.
Dispon´ıvel em: <https://energy.gov/>.
DUR ˜AO, Walter Alves; WINDMOLLER, Cl ´audia Carvalhinho.A Quest ˜ao do Merc ´urio em L ˆampadas Fluorescentes. [S.l.]: QNEsc, 2008.
EPE, Empresa de Pesquisa Energ ´etica. Demanda de Energia 2050. [S.l.]: Nota
t ´ecnica, 2014.
JU ´AREZ, Mario A.; MART´INEZ, Panfilo R.; V ´AZQUEZ, G.; SOSA, J.M.; VILLANUEVA, I.Design of Self-Oscillating Electronic Ballast for Power LEDs. [S.l.]: IEEE, 2014.
KAR, Asim; KAR, Anuradha.New generation illumination engineering-An overview of recent trends in science and technology. [S.l.]: IEEE, 2014.
LOPES, Juliano de P. Desenvolvimento de metodologia do projeto do reator eletr ˆonico auto-oscilante com entrada universal. [S.l.]: Tese (Mestrado) - Universi-
Refer ˆencias 66 LOPES, Juliano de P. An ´alise e projeto do reator eletr ˆonico auto-oscilante para reconhecimento de l ˆampadas fluorescentes. [S.l.]: Tese (Doutorado) - Universidade
Federal de Santa Maria, 2014.
LOPES, J. DE P.; MENKE, M. F.; VENTURINI, W. A.; BISOGNO, F. E.; SEIDEL, A. R.
Reator Eletr ˆonico Auto-oscilante com Tens ˜ao de Entrada Universal e Correc¸ ˜ao de Fator de Pot ˆencia. [S.l.]: SOBRAEP, 2013.
LUMILEDS. CoB LEDs family. [s.n.], 2017. Dispon´ıvel em: <http://www.lumileds-
.com/>.
MCLYMAN, W. T. Transformer and Inductor Design Handbook. [S.l.]: Marcel Dek-
ker, 2004.
MELO, M.F.; VIZZOTTO, W.D.; MENKE, M. F.; COSTA, M.A. Dalla; SEIDEL, A. R.; ALONSO, J. M.Self-oscillating series-resonant LED driver applied to reduce low- frequency current ripple transmission. [S.l.]: IEEE, 2015.
NASCIMENTO, C. B.; PERIN, A. J.Reatores Eletr ˆonicos de Baixo Custo com Co- mando Auto-oscilante para L ˆampadas T5. [S.l.]: SOBRAEP, 2013.
OSRAM.LUMILUX T5 HE Tubular Fluorescent lamps family. [s.n.], 2017. Dispon´ıvel
em: <https://www.osram.com/corporate/>.
PINHEIRO, Humberto.Fundamentos de Eletr ˆonica de Pot ´encia. [S.l.]: UFSM, 2012.
PINTO, Rafael Adaime.Sistema eletronicos para iluminac¸ ˜ao de exteriores empre- gando diodos emissores de luz (LEDs) alimentandos pela rede el ´etrica e por baterias. [S.l.]: Tese (Doutorado) - Universidade Federal de Santa Maria, 2012.
PONCE, Mario; JU ´AREZ, Mario A.; OSORIO, Rene; OLIVARES, V´ıctor H. Self- Oscillating Ballast with High Power Factor and High Efficiency with no Integrated Circuits. [S.l.]: IEEE, 2004.
PRADO, R. N.; SEIDEL, A. R.; BISOGNO, F. E.; PAV ˜AO, R. K.Self-Oscillating Elec- tronic Ballast Design based on Point of View of Control System. [S.l.]: IEEE, 2001.
SCHUBERT, E. Fredd. Light-Emitting Diodes. [S.l.]: Cambridge University Press,
2003.
SEIDEL, Alysson Raniere. T ´ecnicas de projeto para reator eletr ˆonico auto- oscilante empregando ferramentas de controle. [S.l.]: Tese (Doutorado) - Universi-
dade Federal de Santa Maria, 2004.
TSAO, J.Y. Solid-state lighting: lamps, chips, and materials for tomorrow. [S.l.]:
IEEE Circuits and Devices Magazine, 2004.
VAQUERO, D. G. Supply of Solid State Lamps from the AC mains. Modelling of LED Lamps, study of the integrated Buck-Flyback converter, and Proposal of a new optimised dimming scheme. [S.l.]: Tese (Doutorado) - University of Oviedo,