Além da amostra com pads/eletrodos de fonte e dreno de TiN, estão sendo fabricados outros dispositivos com a mesma arquitetura, entretanto com metais de contato diferente e com espessura de óxido maior, de 10 nm (deste trabalho) para 60 nm de TiO2. O aumento na espessura do dielétrico de porta veio de motivações de outros trabalhos de desenvolvimento de dispositivos com dielétricos espessos (CÉSAR, 2014), que são usados para detecção de pH de soluções químicas e do elemento chumbo em água.
As Figuras 5.1 são imagens obtidas por MEV de amostras com eletrodos de fonte/dreno e pad de porta de Au (Figura 5.1(a, b)) e de Al (Figura 5.2(c, d)). Vale salientar que estes metais foram usados pois, o Al foi empregado nos dispositivos do (CÉSAR, 2014) e de Au nos GraFETs fabricados para o projeto de pós-doutorado da Dr. Aline Pascon (PASCON, 2017). Como se pode observar pelas imagens, a corrosão do canal de grafeno foi de excelência nos contornos, conseguindo definir estruturas com 724,6 nm de largura W dos micros fitas em paralelo. Novamente, as imagens mostram que o processo de transferência do grafeno e definição dos canais com litografia e corrosão por plasma,
desenvolvido nas teses de SILVA, 2015 e PASCON, 2016 são efetivos para obter estruturas complexas baseadas em micro fitas paralelas. Estes dispositivos não apresentaram respostas elétricas satisfatórias, pois a tensão de porta não conseguia modular a passagem de corrente entre fonte e dreno e todas as curvas IDS x VDS ficaram sobrepostas. A razão para isto é a espessura de 60 nm do TiO2 de porta, que resulta em capacitância de porta baixa, com baixa capacidade de controle da passagem de corrente no canal de grafeno. Assim, novos dispositivos estão sendo fabricados com espessura de TiO2 de 10 nm e o estudos destes dispositivos ficarão para trabalhos futuros.
Figura 5.1: Análise MEV de amostras em: (a) e (b) Au e em: (c) e d) Al.
Como nas nossas estruturas de GraFET, a estrutura de porta do tipo back-gate fica por cima do substrato de SiO2/Si, foi iniciada também a construção de transistores baseados em grafeno sobre vidro, ao invés de substrato de SiO2/Si. A Figura 5.2 (a) apresenta uma fotografia (extraída por câmera de celular) da lâmina de vidro gravada com
as estruturas e a Figura 5.1(b) apresenta, por meio do microscópio ótico, as estruturas (porta, fonte e dreno) construídas sobre o vidro. A Figura 3.3, no capítulo 3, mostra as imagens de microscopia óptica de dois GraFETs fabricados sobre vidro em detalhes. O processo de fabricação desses dispositivos é semelhante aos GraFETs construídos sobre Si/SiO2. A ideia, no futuro é poder fabricar os GraFETs, além do vidro, sobre polímeros e/ou tecidos para aplicações vestíveis.
Figura 5.2: Imagens de microscopia ótico GraFETs em substrato de vidro. (a) estruturas gravadas. (b) Imagem de um GraFET através.
Em resumo, os trabalhos futuros estão baseados em otimizar a fabricação dos GraFETs com vários materiais (TiO2, SiO2, TiN, Al, Au) e substratos de Si, de vidro, de polímeros e de tecido.
R
EFERÊNCIAS
BARTOLOMEO, A. D. et al. Graphene field effect transistors with niobium contacts and asymmetric transfer characteristics. Nanotechnology, v. 26, n. 47, p. 475202, 2015.
BERGER, C. Electronic Confinement and Coherence in Patterned Epitaxial Graphene.
Science, v. 312, n. 5777, p. 1191–1196, 26 maio 2006.
BLAKE, P. et al. Making graphene visible. Applied Physics Letters, v. 91, n. 6, p. 063124, 6 ago. 2007.
CANÇADO, L. G. et al. Quantifying defects in graphene via Raman spectroscopy at different excitation energies. Nano letters, v. 11, n. 8, p. 3190–3196, 2011.
CASTRO, M. O. DE. Síntese de grafeno pelo método CVD. 2011.
CASTRO NETO, A. H. et al. The electronic properties of graphene. Reviews of Modern
Physics, v. 81, n. 1, p. 109–162, 14 jan. 2009.
CASTRO NETO, A. H. The carbon new age. Materials Today, v. 13, n. 3, p. 12–17, mar. 2010.
CÉAR, R. R. et al. Electrolyte-Insulator-Semiconductor field effect device for pH
detecting. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Anais... In: 2014 29TH SYMPOSIUM ON MICROELECTRONICS TECHNOLOGY
AND DEVICES (SBMICRO). set. 2014
CÉSAR, R. R. Desenvolvimento de transistor de efeito de campo sensível a íon (ISFET) para detecção de chumbo. 2014.
CHEN, X. et al. A cost effective 32nm high-K/ metal gate CMOS technology for low
power applications with single-metal/gate-first process. 2008 Symposium on VLSI
Technology. Anais... In: 2008 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY. Honolulu, HI, USA: IEEE, jun. 2008Disponível em: <http://ieeexplore.ieee.org/document/4588573/>. Acesso em: 6 mar. 2019
CHEN, X.; ZHANG, L.; CHEN, S. Large area CVD growth of graphene. Synthetic
Metals, Reviews of Current Advances in Graphene Science and Technology. v. 210, p. 95–
CHEN, X.-D. et al. High-quality and efficient transfer of large-area graphene films onto different substrates. Carbon, v. 56, p. 271–278, 1 maio 2013.
CINTI, S. et al. Efforts, Challenges, and Future Perspectives of Graphene-Based (Bio)sensors for Biomedical Applications. In: Graphene Bioelectronics. [s.l.] Elsevier, 2018. p. 133–150.
DERKSEN, J.; SANGJUN HAN; JUNG-HOON CHUN. Extrusion-spin coating: an
efficient photoresist coating process for wafers. 1999 IEEE International Symposium on
Semiconductor Manufacturing Conference Proceedings (Cat No.99CH36314). Anais... In:
1999 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTOR
MANUFACTURING CONFERENCE PROCEEDINGS. Santa Clara, CA, USA: IEEE, 1999Disponível em: <http://ieeexplore.ieee.org/document/808782/>. Acesso em: 6 mar. 2019
DIMIEV, A. M.; TOUR, J. M. Mechanism of Graphene Oxide Formation. ACS Nano, v. 8, n. 3, p. 3060–3068, 25 mar. 2014.
FERRARI, A. C. et al. Raman Spectrum of Graphene and Graphene Layers. Physical
Review Letters, v. 97, n. 18, p. 187401, 30 out. 2006.
FERRARI, A. C.; BASKO, D. M. Raman spectroscopy as a versatile tool for studying the properties of graphene. Nature Nanotechnology, v. 8, n. 4, p. 235–246, abr. 2013.
FRANSSILA, S. Introduction to Microfabrication: Franssila/Introduction to
Microfabrication. Chichester, UK: John Wiley & Sons, Ltd, 2010.
FU, W. et al. Biosensing near the neutrality point of graphene. Science Advances, v. 3, n. 10, p. e1701247, 1 out. 2017.
GEIM, A. K.; NOVOSELOV, K. S. The rise of graphene. Nature Materials, v. 6, n. 3, p. 183–191, mar. 2007.
GUPTA CHATTERJEE, S. et al. Graphene–metal oxide nanohybrids for toxic gas sensor: A review. Sensors and Actuators B: Chemical, v. 221, p. 1170–1181, dez. 2015.
HADDAD, P.-A.; FLANDRE, D.; RASKIN, J.-P. Intrinsic rectification in common-gated graphene field-effect transistors. Nano Energy, v. 43, p. 37–46, 1 jan. 2018.
HASLAM, C. et al. Chemical Vapour Deposition Graphene Field-Effect Transistors for Detection of Human Chorionic Gonadotropin Cancer Risk Biomarker. 15 dez. 2017. HSU, A. et al. Impact of Graphene Interface Quality on Contact Resistance and RF Device Performance. IEEE Electron Device Letters, v. 32, n. 8, p. 1008–1010, ago. 2011.
HUANG, H. et al. Epitaxial growth of graphene on silicon carbide (SiC). In: Graphene. [s.l.] Elsevier, 2014. p. 3–26.
HUMMERS, W. S.; OFFEMAN, R. E. Preparation of Graphitic Oxide. Journal of the
American Chemical Society, v. 80, n. 6, p. 1339–1339, mar. 1958.
IANNACCONE, G. et al. Quantum engineering of transistors based on 2D materials heterostructures. Nature Nanotechnology, v. 13, n. 3, p. 183–191, mar. 2018.
IANNAZZO, M. et al. CVD graphene-FET based cascode circuits: A design
exploration and fabrication towards intrinsic gain enhancement. 2016 46th European
Solid-State Device Research Conference (ESSDERC). Anais... In: ESSDERC 2016 - 46TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE. Lausanne,
Switzerland: IEEE, set. 2016Disponível em:
<http://ieeexplore.ieee.org/document/7599631/>. Acesso em: 25 fev. 2019
ITO, H. et al. Lift-off photoresists for advanced IC packaging metal paternning. 2015 16th International Conference on Electronic Packaging Technology (ICEPT). Anais... In: 2015 16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONIC PACKAGING TECHNOLOGY (ICEPT). Changsha, China: IEEE, ago. 2015Disponível em: <http://ieeexplore.ieee.org/document/7236829/>. Acesso em: 6 mar. 2019
JAYASENA, B.; SUBBIAH, S. A novel mechanical cleavage method for synthesizing few- layer graphenes. Nanoscale Research Letters, v. 6, n. 1, dez. 2011.
JUSTINO, C. I. L. et al. Graphene based sensors and biosensors. TrAC Trends in
Analytical Chemistry, v. 91, p. 53–66, jun. 2017.
KAPLAS, T. et al. Transfer and patterning of chemical vapor deposited graphene by a multifunctional polymer film. Applied Physics Letters, v. 112, n. 7, p. 073107, 12 fev. 2018.
KELLY, P. J.; ARNELL, R. D. Magnetron sputtering: a review of recent developments and applications. Vacuum, v. 56, n. 3, p. 159–172, mar. 2000.
KHAN, H. N.; HOUNSHELL, D. A.; FUCHS, E. R. H. Science and research policy at the end of Moore’s law. Nature Electronics, v. 1, n. 1, p. 14–21, jan. 2018.
KIKUCHI, Y. et al. Capability of 70 nm pattern replication in x-ray lithography. Digest of Papers Microprocesses and Nanotechnology 2000. 2000 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (IEEE Cat. No.00EX387). Anais... In: DIGEST OF PAPERS MICROPROCESSES AND NANOTECHNOLOGY 2000. 2000 INTERNATIONAL MICROPROCESSES AND NANOTECHNOLOGY CONFERENCE. Tokyo, Japan: Japan Soc. Appl. Phys, 2000Disponível em: <http://ieeexplore.ieee.org/document/872622/>. Acesso em: 6 mar. 2019
LATTUATI-DERIEUX, A. et al. Analysis of a varnish applied by Nicéphore Niépce to make a print used for photographic purpose transparent. Journal of Cultural Heritage, v. 11, n. 4, p. 477–481, out. 2010.
LEONHARDT, A. et al. Ga+ focused ion beam lithography as a viable alternative for multiple fin field effect transistor prototyping. Journal of Vacuum Science & Technology
B, v. 34, n. 6, p. 06KA03, 1 nov. 2016.
LI, X. et al. Large-Area Synthesis of High-Quality and Uniform Graphene Films on Copper Foils. Science, v. 324, n. 5932, p. 1312–1314, 5 jun. 2009.
LI, X.; COLOMBO, L.; RUOFF, R. S. Synthesis of Graphene Films on Copper Foils by Chemical Vapor Deposition. Advanced Materials, v. 28, n. 29, p. 6247–6252, 2016. LIMA, L. P. B. Metal gate work function engineering for future CMOS technology nodes = Engenharia da função trabalho de eletrodo de porta metálicos para futuros nós tecnológicos da tecnologia CMOS. 2015.
LIU, W. et al. Chemical vapor deposition of large area few layer graphene on Si catalyzed with nickel films. Thin Solid Films, v. 518, n. 6, p. S128–S132, jan. 2010.
MACKIN, C.; MCVAY, E.; PALACIOS, T. Frequency Response of Graphene Electrolyte- Gated Field-Effect Transistors. Sensors, v. 18, n. 2, p. 494, 7 fev. 2018.
MADOU, M. J. Fundamentals of Microfabrication : The Science of Miniaturization,
Second Edition. [s.l.] CRC Press, 2018.
MALARKEY, E. B.; PARPURA, V. Carbon nanotubes in neuroscience. In: Brain Edema
XIV. [s.l.] Springer, 2010. p. 337–341.
MCALLISTER, M. J. et al. Single Sheet Functionalized Graphene by Oxidation and Thermal Expansion of Graphite. Chemistry of Materials, v. 19, n. 18, p. 4396–4404, set. 2007.
MECA, E. et al. Epitaxial graphene growth and shape dynamics on copper: phase-field modeling and experiments. Nano letters, v. 13, n. 11, p. 5692–5697, 2013.
MIKHAILOV, S. Physics and Applications of Graphene - Experiments. [s.l: s.n.]. NAGASHIO, K.; TORIUMI, A. Density-of-States Limited Contact Resistance in Graphene Field-Effect Transistors. Japanese Journal of Applied Physics, v. 50, n. 7, p. 070108, 20 jul. 2011.
NAYFEH, O. M. Radio-Frequency Transistors Using Chemical-Vapor-Deposited Monolayer Graphene: Performance, Doping, and Transport Effects. IEEE Transactions
on Electron Devices, v. 58, n. 9, p. 2847–2853, set. 2011.
NAYFEH, O. M.; DUBEY, M. Large area CVD monolayer graphene for
nanoelectronics: Device performance and analysis. 2010 International Conference on
Microelectronics. Anais... In: 2010 INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS (ICM). Cairo, Egypt: IEEE, dez. 2010Disponível em: <http://ieeexplore.ieee.org/document/5696125/>. Acesso em: 25 fev. 2019
NOVOSELOV, K. S. et al. Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films. Science, v. 306, n. 5696, p. 666–669, 22 out. 2004.
NOVOSELOV, K. S. et al. Two-dimensional atomic crystals. Proceedings of the National
Academy of Sciences, v. 102, n. 30, p. 10451–10453, 26 jul. 2005.
PAPAGEORGIOU, D. G.; KINLOCH, I. A.; YOUNG, R. J. Mechanical properties of graphene and graphene-based nanocomposites. Progress in Materials Science, v. 90, p. 75–127, out. 2017.
PARVEZ, K. et al. Exfoliation of graphene via wet chemical routes. Synthetic Metals, v. 210, p. 123–132, dez. 2015.
PASCON, A. M. Desenvolvimento de transistores de efeito de campo baseados em eletrodos de Nitreto de Tântalo e em canais de Grafeno transferidos por dieletroforese (DEF) ou por litografia e corrosão seca. 2016.
PASCON, A. M. Obtenção e Caracterização de Transistores de Efeito deCampo
Baseados em Grafeno (GraFET) com Diferentes Eletrodos de Contatos de Fonte e Dreno. Campinas, Brazil: Universidade Estadual de Campinas, 26 jan. 2017.
PASCON, A. M. et al. Experimental and theoretical investigation of the superior contact properties of dielectrophoretically processed graphene and tantalum nitride electrodes.
physica status solidi (b), v. 252, n. 4, p. 765–772, [s.d.].
PETRINI, P. A. Capacitores híbridos ultracompactos para caracterização de sistemas moleculares. 2018.
PHIPPS, C. The Early History of ICs at Texas Instruments: A Personal View. IEEE
Annals of the History of Computing, v. 34, n. 1, p. 37–47, jan. 2012.
Photoresist AZ 5214E Photoresists Micro Chemicals GmbH. Disponível em:
<https://www.microchemicals.com/products/photoresists/az_5214_e.html>. Acesso em: 6 mar. 2019.
PLC, R. Renishaw: Microscópio Raman confocal InVia Qontor. Disponível em: <http://www.renishaw.com.br/pt/microscopio-raman-confocal-invia-qontor--38125>. Acesso em: 10 mar. 2019.
REZZAK, N. et al. Total-ionizing-dose radiation response of 32 nm partially and 45
nm fully-depleted SOI devices. 2012 IEEE International SOI Conference (SOI). Anais...
In: 2012 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE. Napa, CA, USA: IEEE, out. 2012Disponível em: <http://ieeexplore.ieee.org/document/6404374/>. Acesso em: 6 mar. 2019
ROZHKOV, A. V. et al. Electronic properties of graphene-based bilayer systems. Physics
Reports, Electronic properties of graphene-based bilayer systems. v. 648, p. 1–104, 23 ago.
RUFINO, F. C. et al. Field Effect Transistors based on Graphene Micro Wires Defined
by Lithography and Plasma Etching. 2018 33rd Symposium on Microelectronics
Technology and Devices (SBMicro). Anais... In: 2018 33RD SYMPOSIUM ON MICROELECTRONICS TECHNOLOGY AND DEVICES (SBMICRO). ago. 2018
SALVO, P. et al. Graphene-based devices for measuring pH. Sensors and Actuators B:
Chemical, v. 256, p. 976–991, mar. 2018.
SCHÄFFEL, F. The Atomic Structure of Graphene and Its Few-layer Counterparts. In:
Graphene. [s.l.] Elsevier, 2013. p. 5–59.
SCHWIERZ, F. Graphene Transistors: Status, Prospects, and Problems. Proceedings of
the IEEE, v. 101, n. 7, p. 1567–1584, jul. 2013.
SELVARAJAN, R. S.; HAMZAH, A. A.; MAJLIS, B. Y. Transfer characteristics of
graphene based field effect transistor (GFET) for biosensing application. 2017 IEEE
Regional Symposium on Micro and Nanoelectronics (RSM). Anais... In: 2017 IEEE REGIONAL SYMPOSIUM ON MICRO AND NANOELECTRONICS (RSM). Batu Ferringhi, Penang, Malaysia: IEEE, ago. 2017 Disponível em: <http://ieeexplore.ieee.org/document/8069127/>. Acesso em: 6 mar. 2019
SENEFELDER, A. Senefelder on Lithography: The Classic 1819 Treatise. Mineola, N.Y.: Dover Publications, 2005.
SHEN, H. et al. Biomedical Applications of Graphene. Theranostics, v. 2, n. 3, p. 283– 294, 2012.
SILVA, C. C. C. et al. Wafer-scale Fabrication and Characterization of Chemiresistors
Based on Multiwalled Carbon Nanotubes Networks. . In: 2012 MRS FALL MEETING
& EXHIBIT. Boston, Estados Unidos da América: nov. 2012
SILVA, C. DE C. C. E. Desenvolvimento de biossensores do tipo transistor de efeito de campo a base de grafeno (GraFET) decorados com nanopartículas de ouro aplicados na detecção ultra-sensível de biomarcadores de câncer de mama. 2015.
SOUZA, J. F. DE. Desenvolvimento de materiais e métodos de fabricação de sensores químicos/bioquímicos baseados em silício e nanoestruturas de carbono (ISFET, CNTFET e GraFET) = Development of materials and methods of fabrication of chemical/biochemical sensors based on silicon and carbon nanostructures (ISFET, CNTFET and GraFET). 2012. STANKOVICH, S. et al. Synthesis of graphene-based nanosheets via chemical reduction of exfoliated graphite oxide. Carbon, v. 45, n. 7, p. 1558–1565, jun. 2007.
STOLLER, M. D. et al. Graphene-Based Ultracapacitors. Nano Letters, v. 8, n. 10, p. 3498–3502, 8 out. 2008.
The Nobel Prize in Physics 2010. Disponível em: <https://www.nobelprize.org/prizes/physics/2010/summary/>. Acesso em: 25 fev. 2019.
Universitywafer. Disponível em: <https://order.universitywafer.com/default.aspx?cat=Silicon&diam=100mm>. Acesso em: 13 maio. 2019.
USP. Aula 6 fotolitografia. Disponível em:
<https://edisciplinas.usp.br/pluginfile.php/4365689/mod_resource/content/1/Aula-06- Fotogravacao-2012.pdf>.
VANIN, M. et al. Graphene on metals: A van der Waals density functional study. Physical
Review B, v. 81, n. 8, 23 fev. 2010.
WALLACE, P. R. The Band Theory of Graphite. Physical Review, v. 71, n. 9, p. 622–634, 1 maio 1947.
WANG, Y. et al. Interface Engineering of Layer-by-Layer Stacked Graphene Anodes for High-Performance Organic Solar Cells. Advanced Materials, v. 23, n. 13, p. 1514–1518, 5 abr. 2011.
WANG, Y. et al. Direct optical lithography of functional inorganic nanomaterials. Science, v. 357, n. 6349, p. 385–388, 28 jul. 2017.
WARNER, J. H. et al. Graphene: fundamentals and emergent applications. [s.l.] Newnes, 2012.
WU, Y. et al. 200 GHz Maximum Oscillation Frequency in CVD Graphene Radio Frequency Transistors. ACS Applied Materials & Interfaces, v. 8, n. 39, p. 25645–25649, 5 out. 2016.
XU, H. et al. Top-Gated Graphene Field-Effect Transistors with High Normalized Transconductance and Designable Dirac Point Voltage. ACS Nano, v. 5, n. 6, p. 5031– 5037, 28 jun. 2011.
YAZDI, G.; IAKIMOV, T.; YAKIMOVA, R. Epitaxial Graphene on SiC: A Review of Growth and Characterization. Crystals, v. 6, n. 5, p. 53, 12 maio 2016.
YI, M.; SHEN, Z. A review on mechanical exfoliation for the scalable production of graphene. Journal of Materials Chemistry A, v. 3, n. 22, p. 11700–11715, 2015.
YOSHIOKA, R. T. Decapagem de fotorresiste por plasma de O2 e SFG e a sua aplicação no processo de fabricação de “air bridger”. 1992.
ZHANG, Y. et al. Comparison of Graphene Growth on Single-Crystalline and Polycrystalline Ni by Chemical Vapor Deposition. The Journal of Physical Chemistry
Letters, v. 1, n. 20, p. 3101–3107, 21 out. 2010.
ZHANG, Y.; ZHANG, L.; ZHOU, C. Review of Chemical Vapor Deposition of Graphene and Related Applications. Accounts of Chemical Research, v. 46, n. 10, p. 2329–2339, 15 out. 2013.
ZHONG, Y. L. et al. Scalable production of graphene via wet chemistry: progress and challenges. Materials Today, v. 18, n. 2, p. 73–78, mar. 2015.
ZHOU, M. et al. Controlled Synthesis of Large-Area and Patterned Electrochemically Reduced Graphene Oxide Films. Chemistry - A European Journal, v. 15, n. 25, p. 6116– 6120, 15 jun. 2009.
ZHOU, W. et al. Fundamentals of Scanning Electron Microscopy (SEM). In: ZHOU, W.; WANG, Z. L. (Eds.). . Scanning Microscopy for Nanotechnology: Techniques and
Applications. New York, NY: Springer New York, 2007. p. 1–40.
ZHU, W. et al. Carrier scattering, mobilities, and electrostatic potential in monolayer, bilayer, and trilayer graphene. Physical Review B, v. 80, n. 23, p. 235402, 2 dez. 2009.
A
NEXO
A:
L
ITOGRAFIA
A litografia é fundamental para a fabricação e desenvolvimento de dispositivos micro e nano eletrônicos. Muitos métodos de miniaturização começam pela litografia, que se trata de uma técnica usada para transferir padrões para uma superfície sólida como lâminas de materiais semicondutores, vidros entre outros (MADOU, 2018).
A palavra litografia vem do grego lithos que significa pedra e gráphein que significa escrita e foi proposta em 1796 por Alois Senefelder quando ele desenvolveu uma técnica de transferência de padrões para um papel através de uma pedra pintada e tratada quimicamente (SENEFELDER, 2005). Com o tratamento químico ele conseguia que os padrões se tornassem hidrofóbicos em algumas áreas e hidrofílicos em outras, assim construindo máscaras para a transferência. Na década de 1820, Nicéphore Niépce fez o primeiro experimento de fotolitografia, ele conseguiu copiar uma impressão em papel oleado colocando-a sobre uma placa de vidro revestida com asfalto e óleo de lavanda. Despois de três horas expostas ao Sol, as áreas desprotegidas à luz ficaram enrijecidas quando comparadas às protegidas, que puderam ser removidas através de um processo químico (LATTUATI-DERIEUX et al., 2010).
Um pouco mais de 100 anos depois do experimento feito por Niépce, a fotolitografia torna-se essencial para a pesquisa tecnológica em dispositivos eletrônicos, onde os padrões com micro e nano estruturas são transferidos para filmes finos (MADOU, 2018). Tornando o processo bidimensional, planar, repetitivo e com maiores possibilidades para a miniaturização dos dispositivos. Além da fotolitografia, existe a litografia por feixe de elétrons, por feixe de íons e por raios-x (KIKUCHI et al., 2000; MADOU, 2018; WANG et al., 2017). A escolha do tipo de litografia vária de acordo com a dimensão das estruturas do projeto (MADOU, 2018).
O processo de fotolitografia envolve um conjunto de passos e ferramentas para seu desenvolvimento, como máscaras de campo claro ou escuro, fotoresiste e técnicas litográficas direta ou indireta. Os próximos tópicos mostrarão, resumidamente quais as
ferramentas utilizadas na fotolitografia que foram necessárias para a realização desse trabalho.