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Circuitos com Múltiplos TBJ. Prof. Dr. Ulisses Chemin Netto ET74C Eletrônica 1

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Academic year: 2022

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(1)

Circuitos com Múltiplos TBJ

(2)

Objetivo da Aula

 Conhecer duas principais topologias para circuitos contendo mais de um transistor bipolar de junção operando na região de amplificação.

(3)

Conteúdo Programático

 Configuração Darlington;

 Configuração Cascode.

(4)

Construção de Conhecimento esperado

 Familiarizar-se com os circuitos mais comuns utilizados com múltiplos transistores e observar que os métodos de análise desenvolvidos anteriormente se aplicam a este caso.

(5)

TBJ como Amplificador

 Condição a ser satisfeita

Modo Junção Base-

Emissor Junção Coletor-

Base Comportamento

Corte Reversa Reversa Chave Aberta

Saturação Direta Direta Chave Fechada

Ativo Direta Reversa Amplificador

(6)

Exemplo de Amplificador com Dois Estágios

Possui dois estágios;

Polarização por divisor de tensão

Acoplamento entre estágios

Obter maiores valores de ganho.

(7)

Estágios de Amplificação – Idéia Geral

 Estágio de entrada:

Alta resistência → Diminuir a atenuação do sinal a ser amplificado;

 Estágio de Saída:

Baixa resistência → evitar perdas no ganho para resistência de cargas de baixo valor.

(8)

Exemplo de Amplificador com Dois Estágios

Considerando apenas a polarização CC;

Existem dois arranjos separados, os quais podem ser analisados a partir da metodologia apresentada anteriormente.

(9)

Exemplo de Amplificador com Dois Estágios

A tensão de saída de coletor de um estágio é diretamente alimentada na base do próximo estágio via um capacitor de acoplamento CC;

Existem outras formas de acoplamento.

Direta – Melhor desempenho para baixas frequências, contudo, um estágio pode influenciar no ponto quiescente do outro;

O capacitor de acoplamento é escolhido de forma a bloquear os sinais CC (evitar influencia de um sinal cc sobre a polarização) entre os estágios e atuar como um curto- circuito para o sinal CA.

O desempenho para baixar frequências não é bom devido ao incremento da reatância capacitiva, a qual implica em reduções do ganho.

(10)

Conexão Darlington

 Consiste em uma ligação cascata de transistores na configuração emissor comum. Nessa situação a corrente de base do segundo transistor vem do emissor do primeiro transistor.

Característica:

Alta impedância de entrada visto pelo transistor Q1.

𝑍𝑍𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒(𝑏𝑏𝑏𝑏𝑏𝑏𝑒𝑒) = 𝛽𝛽𝑅𝑅𝐸𝐸 Alto valor de β.

(11)

Conexão Darlington

 Consiste em uma ligação cascata de transistores na configuração emissor comum. Nessa situação a corrente de base do segundo transistor vem do emissor do primeiro transistor. β Possui ordem de grandeza do milhar.

(12)

Conexão Darlington

 Exemplo de folha de dados de um transistor darlington encapsulado

(13)

Conexão Darlington

 Análise CC

(14)

Conexão Darlington

 Análise CC

Considerar os capacitores abertos

(15)

Conexão Darlington

 Análise CC

Assumir β1 para o primeiro transistor e β2 para os segundo.

A corrente de base para o segundo transistor é:

𝐼𝐼𝐵𝐵2 = 𝐼𝐼𝐸𝐸1 = 𝛽𝛽1 + 1 𝐼𝐼𝐵𝐵1 (1)

(16)

Conexão Darlington

 Análise CC

A corrente no emissor para o segundo transistor é:

Substituindo (1) em (2)

𝐼𝐼𝐸𝐸2 = 𝛽𝛽2 + 1 𝐼𝐼𝐵𝐵2 2

𝐼𝐼𝐸𝐸2 = 𝛽𝛽2 + 1 𝛽𝛽1 + 1 𝐼𝐼𝐵𝐵1(3)

(17)

Conexão Darlington

 Análise CC

Assumindo que β>> 1 se obtém o β líquido dessa configuração

Ou seja, é o mesmo que um amplificador de estágio único com

𝛽𝛽𝐷𝐷 = 𝛽𝛽1𝛽𝛽2 (4)

(18)

Conexão Darlington

 Análise CC

Determinando a corrente de base para o transistor 1;

Escrevendo a equação para a malha de entrada:

−𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐵𝐵𝐼𝐼𝐵𝐵1 + 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐸𝐸1 + 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐸𝐸2 + 𝐼𝐼𝐸𝐸2𝑅𝑅𝐸𝐸 = 0 5 Substituindo (3) em (5) :

(19)

Conexão Darlington

 Análise CC

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐵𝐵𝐼𝐼𝐵𝐵1 + 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐸𝐸1 + 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐸𝐸2 + (𝛽𝛽2 + 1)𝐼𝐼𝐵𝐵2𝑅𝑅𝐸𝐸 = 0 6 Substituindo (1) em (6) :

Substituindo (4) em (7):

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐵𝐵𝐼𝐼𝐵𝐵1 + 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐸𝐸1 + 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐸𝐸2 + (𝛽𝛽2 + 1)(𝛽𝛽1 + 1)𝐼𝐼𝐵𝐵1𝑅𝑅𝐸𝐸 = 0 7

(20)

Conexão Darlington

 Análise CC

Resolvendo para IB1:

Definindo:

Então:

𝐼𝐼𝐵𝐵1 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐸𝐸1 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐸𝐸2 𝑅𝑅𝐵𝐵 + 𝛽𝛽𝐷𝐷𝑅𝑅𝐸𝐸 9 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐸𝐸𝐷𝐷 = 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐸𝐸1 + 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐸𝐸2 10

𝐼𝐼𝐵𝐵1 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐸𝐸𝐷𝐷

11

(21)

Conexão Darlington

 Análise CC

Como está operando na região ativa (amplificador):

A tensão CC no terminal do emissor:

𝐼𝐼𝐶𝐶2 ≅ 𝐼𝐼𝐸𝐸2 = 𝛽𝛽𝐷𝐷𝐼𝐼𝐵𝐵1 12

𝑉𝑉𝐸𝐸2 = 𝐼𝐼𝐸𝐸2 × 𝑅𝑅𝐸𝐸 13

(22)

Conexão Darlington

 Análise CC

A tensão no coletor:

A tensão de saída:

Impedância de entrada vista por Q1:

𝑉𝑉𝐶𝐶2 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 14

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐸𝐸2 = 𝑉𝑉𝐶𝐶2 − 𝑉𝑉𝐸𝐸2 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐸𝐸2 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐸𝐸2 (15)

𝑍𝑍 = 𝛽𝛽𝑅𝑅

(23)

Conexão Cascode

Emissor comumBase

Alta impedância de entrada e boa operação em altas frequências.

(24)

Conexão Cascode –

Visto de outra forma

Emissor

comumBase

(25)

Conexão Cascode

 Análise CC

Considerar os capacitores

abertos

(26)

Conexão Cascode

 Análise CC

Assumir a seguinte condição:

Dessa forma aplicando a regra do divisor de tensão obtém-se as tensões nas bases de Q1 e Q2:

𝐼𝐼𝑅𝑅1 ≅ 𝐼𝐼𝑅𝑅2 ≅ 𝐼𝐼𝑅𝑅3 ≫ 𝐼𝐼𝐵𝐵1 𝑜𝑜𝑜𝑜 𝐼𝐼𝐵𝐵2

(27)

Conexão Cascode

 Análise CC

Determinação de VB1 e VB2:

𝑉𝑉𝐵𝐵1 = 𝑅𝑅3

𝑅𝑅1 + 𝑅𝑅2 + 𝑅𝑅3 × 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 𝑉𝑉𝐵𝐵2 = 𝑅𝑅2 + 𝑅𝑅3

𝑅𝑅1 + 𝑅𝑅2 + 𝑅𝑅3 × 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶

(28)

Conexão Cascode

 Análise CC

Determinação de VE1 e VE2:

𝑉𝑉𝐸𝐸1 = 𝑉𝑉𝐵𝐵1 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐸𝐸1

𝑉𝑉𝐸𝐸2 = 𝑉𝑉𝐵𝐵2 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐸𝐸2 = 𝑉𝑉𝐶𝐶1

(29)

Conexão Cascode

 Análise CC

Determinação das correntes de coletor:

A tensão VC2 :

𝐼𝐼𝐶𝐶1 ≅ 𝐼𝐼𝐸𝐸1 ≅ 𝐼𝐼𝐶𝐶2≅ 𝐼𝐼𝐸𝐸2 = 𝑉𝑉𝐵𝐵1 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐸𝐸1 𝑅𝑅𝐸𝐸

𝑉𝑉𝐶𝐶2 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶2𝑅𝑅𝐶𝐶

(30)

Conexão Cascode

 Análise CC

A corrente através dos resistores de polarização:

As correntes de base IB1 e IB2 :

𝐼𝐼𝑅𝑅1 ≅ 𝐼𝐼𝑅𝑅2 ≅ 𝐼𝐼𝑅𝑅3= 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶

𝑅𝑅1 + 𝑅𝑅2 + 𝑅𝑅3

𝐼𝐼𝐵𝐵1 = 𝐼𝐼𝐶𝐶1

𝛽𝛽1 𝐼𝐼𝐵𝐵2 = 𝐼𝐼𝐶𝐶2 𝛽𝛽2

(31)

Referências Utilizadas

BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson education do Brasil, 2013.

SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth C.. Microeletrônica. 5ed. São Paulo:

Pearson Prentice Hall, 2007.

MALVINO, Albert Paul. Eletrônica. 4. ed. São Paulo: Makron, c1997.

2v.

Floyd, Thomas L.; Electronic Devices (Conventional Flow Version). 7th Edition. Prentice-Hall, Inc., USA, 2004.

ROSA, Marcelo. Notas de Aula – Eletrônica 1. Curitiba: UTFPR, 2013.

(32)

Obrigado pela Atenção!

Prof. Dr. Ulisses Chemin Netto – ucnetto@utfpr.edu.br

Departamento Acadêmico de Eletrotécnica – DAELT – (41)3310-4626 Av. Sete de Setembro, 3165 - Bloco D – Rebouças - CEP 80230-901

Curitiba - PR - Brasil

Referências

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