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Configuração Darlington

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Academic year: 2021

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(1)

ü Configuração Darlington

A principal função desta configuração é conseguir alta impedância de entrada e alto ganho de corrente.

O arranjo desta configuração é conectar dois transistores do mesmo tipo de maneira que se o ganho de corrente de um transistor for β

1

e o do outro for β

2

então o ganho de corrente do arranjo será igual a

βD

= β

1

2

. A conecção Darlington atua como um novo dispositivo, cujo ganho de corrente é o produto dos ganhos individuais. A figura abaixo mostra esta configuração.

Obs: 1) Esta configuração pode ser feita também com transistores PNP.

2) Como o transistor Q

1

opera com baixas corrente, e comumente encontrado na prática um resistor entre a base e o emissor de Q

2

, assim β

1

não é reduzido.

A figura abaixo fornece as especificações de data sheets para um par Darlington típico.

Tipo 2N999 – Transistor Darlington NPN

Parâmetro Condições de teste Mim. Max.

V

BE

I

C

= 100mA 1,8V h

FE

D

)

I

C

= 10mA I

C

= 100mA

4000

7000 70.000

β

1

β

2

βD

=

β1

.

β2

I

B

I

C

βD

= I

C

/ I

B

Q1

Q2

QD

I

B

I

C

(2)

Podemos representar esta conexão da mesma forma que fazemos para um transitor.Para isto, considere a figura abaixo e vamos determinar a sua impedância de entrada, a sua tranresistência (r

ed

= v

be

/i

c

com v

ce

= 0), o seu ganho de corrente AC (β

d

= i

c

/i

e

com

v

ce

= 0) e sua impedância de saída (r

0d

).

Utilizando o modelo do transistor para determinar inicialmente o ganho de corrente AC (β

d

) e a transresistência do par . Então,

vbe

ie

ic

vce

Q1

Q2

vbe

ie= ie1/β1

ic = ie2 + ie1 - ic1

vce = 0

β2re2 re2

r02 β1re1 re1

r01

ie2/β2

Q1

Q2

ie2

ie1

ie1/β1

ic1

ic2 = 0

ie2/β2 = (1+1/β1). ie1 – ic1

ic1 = β2re2 /(β2re2+r01). (1+1/β1). ie1

βd

=?

r

ed

=?

r

0d

=?

vbe

ie

ic

vce

QD

βdred red r0d B

C

E

(3)

Da figura temos, a corrente de entrada é dada por:

i

e

= i

e1

1

(104)

A corrente i

c1

é igual a corrente que sai do emissor de Q

1

( (1+1/β

1

). i

e1

) dividida pelo divisor resistivo r

01

e β

2

r

e2

então,

i

c1

= β

2

r

e2

/( β

2

r

e2

+r

01

). (1+1/ β

1

). i

e1

(105)

Esta equação pode ser bem aproximada usando o fato de que:

β

2

r

e2

2

V

T

/I

C2

mas

I

C2

2DC

I

B2

= β

2DC

I

E1

≈ β

2DC

I

C1

≈ β

2

I

C1

logo

β

2

r

e2

≈ V

T

/I

C1

= r

e1

(106) Substituindo (106) em (105) resulta,

i

c1

≈ r

e1

/(r

e1

+r

01

). (1+1/β

1

). i

e1

i

c1

≈ r

e1

/r

0 1

.i

e1

(107)

A corrente de base de Q

2

é dada por:

i

e2

2

= (1+1/β

1

). i

e1

– i

c1

i

e2

≈ β

2

i

e1

– β

2

i

c1

(108)

Substituindo (107) em (108) resulta,

i

e2

≈ β

2

(1- r

e1

/r

0 1

).i

e1

≈ β

2

i

e1

(109)

A corrente de saída é dada por:

i

c

= i

e2

+ i

e1

- i

c1

(110)

Substituindo (107)e (109) em (110) resulta,

i

c

≈ β

2

i

e1

+ i

e1

- r

e1

/r

0 1

.i

e1

=

2

+ 1 - r

e1

/r

0 1

).i

e1

i

c

β

2

.i

e1

(111)

Substituindo (104) em (111) resulta,

β

d

= i

c

/ i

e

β

1

. β

2

(112)

(4)

Para determinar a transresistência (r

ed

) nos reportamos novamente a figura anterior. Assim, da malha base de Q

1

ao emissor de Q

2

temos,

v

be

≈ r

e1

i

e1

+ r

e2

i

e2

(113)

Substituindo (106) e (109) em (113) resulta,

v

be

= r

e1

i

e1

+ r

e1

i

e1

= 2 r

e1

i

e1

= 2 β

2

r

e2

i

e1

(114)

Substituindo (111) em (114) resulta, v

be

≈ 2r

e2

i

c

então

r

ed

= v

be

/ i

c

≈ 2r

e2

(115)

Para determinar a impedância de saída (r

0d

) nos reportamos agora a figura abaixo.

Assim, da malha base de Q

1

ao emissor de Q

2

temos,

iy = ic1 - ie1 + ie2

ix = ic1 - ie1 + ie2 + i02

vx

β2re2 re2 r02 β1re1 re1

r01

ie2 /β2

Q1

Q2

ie2

ie1

ie1/β1

ic1

ic1 = (1+1/β1). ie1 + ie2/β2

vb ≈ re1 / 2r01 .vx

r0d = vx /ix

r0d = r02 //ry

ry = vx /iy

ry

ie2

i02

i02

vb

β2re2re1

(5)

Da figura temos

v

b

= [r

e1

//β

1

r

e1

//β

2

r

e2

]/[ r

e1

//β

1

r

e1

//β

2

r

e2

+ r

01

].v

x

como β

2

r

e2

≈ r

e1

e r

01

>> r

e1

v

b

≈ r

e1

/2r

01

.v

x

(116)

Agora as correntes i

e1

, i

e2

e i

c1

podem ser facilmente obtidas

i

e1

= v

b

/ r

e1

= v

x

/2r

01

e (117)

i

e2

= β

2

v

b

2

r

e2

= β

2

v

b

/r

e1

= β

2

i

e1

(118)

e, finalmente

i

c1

= (v

x

-v

b

)/r

01

= (1- r

e1

/2r

01

) v

x

/r

01

≈ v

x

/r

01

(119)

temos ainda que,

i

y

= i

c1

- i

e1

+ i

e2

= i

c1

+(β

2

- 1)i

e1

i

y

= v

x

/r

01

+(β

2

- 1) v

x

/2r

01

i

y

= v

x

/r

01

(1+(β

2

- 1)/2) ≈ v

x

2

/r

01

Mas β

2

/r

01

= β

2

I

C1

/V

A

≈ I

C2

/ V

A

=1/r

02

então i

y

= v

x

2/r

02

e

r

y

= v

x

/ i

y

= r

02

/2 e portanto

r

0d

= r

y

//r

02

= r

02

/2 // r

02

r

0d

=2/3. r

02

(120)

Portanto esta conexão de dois transitores pode ser substituindo por um transitor

como mostrado abaixo.

(6)

Na prática a mais presente das aplicações com esta conecção é o amplificador seguidor de emissor, já que, o que se deseja é o alto ganho de corrente. Para exemplificar isto vamos resolver o exercício abaixo.

Exercício:

Para o circuito seguidor de emissor abaixo, determine a) Z

i

e Z

0

b) A

v

e A

i

vbe

ie

ic

vce

Q1

Q2

βd

= β

1β2

r

ed

= 2r

e2

r

0d

= 2/3r

02

vbe

ie

ic

vce

QD

βdred red r0d B

C

E

ve

ie

i0

VCC =18V

Q1

Q2

B

C

E

RE

390Ω RB

3,3M

C2

1uF

v0

C1

.1uF

βD = β2β1 =8000 VBE = 1,6V

Zi

Z0

ib

(7)

1) Análise DC

Da malha base emissor temos,

I

B

= (V

CC

– V

BE

)/[R

B

+( β

D

+1)R

E

] = (18V – 1,6V)/[3,3M +(8000+1)390 ]

≈ 16,7V /[3,3MΩ +3,12MΩ] =16,7V /6,42MΩ ≈ 2,6µA A corrente de coletor é dada por:

I

E

≈ I

C

= β

D

I

B

= 20,8mA

r

ed

=2r

e2

=2V

T

/ I

C

=52mV /20,8mA ≈ 2,6Ω

2) Análise AC

a) A impedância de entrada é dada por:

Z

i

= R

B

//(β

D

+1) (R

E

+r

ed

) = 3,3MΩ //3,12MΩ ≈ 1,6 M Ω b) A impedância de saída (v

e

=0) é dada por:

Z

0

= r

0d

//R

E

//r

ed

≈ r

ed

≈ 2,6Ω

c) O ganho de tensão é dado (desprezando r

0d

) por:

A

v

= R

E

/( R

E

+ r

ed

) = 390/392,6 = 0.993

d) O ganho de corrente pode ser facilmente determinado. Da figura temos, i

b

= R

B

/(R

B

+(β

D

+1)R

E

) i

e

então

i

0

D

i

b

= β

D

R

B

/(R

B

+(β

D

+1)R

E

) logo

A

i

≈ β

D

R

B

/(R

B

D

R

E

) = 8000.3,3MΩ /(6,42MΩ) ≈ 4112

≈RE

(8)

ü Configuração Par realimentado (Quasi-Darlington)

A principal função desta configuração é conseguir alta impedância de entrada e alto ganho de corrente principalmente como um dispositivo complementar ao Darlington NPN .

O arranjo desta configuração é conectar dois transistores de tipos diferentes de maneira que se o ganho de corrente de um transistor for β

1

e o do outro for β

2

então o ganho de corrente do arranjo será igual a

β12

=

β1

2

. O par realimentado funciona muito bem como um arranjo PNP –NPN para ser equivalmete a um transistor PNP de alto ganho de corrente. A figura abaixo mostra esta configuração.

Par PNP-NPN

Par NPN-PNP

Obs: Analisaremos somente a conexão NPN-PNP, mas todos os resultados se aplica ao outra conexão.

β

P

β

N

βPN

= β

P

N

I

B

I

C βPN

= I

C

/ I

B

β

N

β

P

βNP

= β

N

P

I

B

I

C

βNP

= I

C

/ I

B

Q

P

Q

N

Q

PN

Q

NP

I

C

I

B

I

B

I

C

Q

P

Q

N

(9)

Novamente, podemos representar esta conexão da mesma forma que fazemos para um transitor.Para isto, considere a figura abaixo e vamos determinar a sua impedância de entrada, a sua tranresistência (r

ep

= v

be

/i

c

com v

ce

= 0), o seu ganho de corrente AC

n

= i

c

/i

e

com

v

ce

= 0) e sua impedância de saída (r

0p

).

Utilizando o modelo do transistor para determinar inicialmente o ganho de corrente AC (β

np

) e a transresistência do par . Então,

vbe

ie

ic

vbe

ie= ien/βn

ic = iep + iep /βp vce = 0

βprep rep r0p

βnren ren r0n

iep/βp

QN

iep

ien

ien/βn

icn

icp = 0

iepp = ien – icn

icn= βprep /(βprep+r0n). ien

βnp

= ? r

enp

=?

r

0np

=?

vbe

ie

ic

vce

QNP

βnprenp renp

r0np B

βN

βP

vce

E C

B

E C

Q

P

Q

N

QP

βprep ren

(10)

Da figura temos, a corrente de entrada é dada por:

i

e

= i

en

n

(121)

A corrente i

cn

é igual a corrente que sai do emissor de Q

N

(i

en

) dividida pelo divisor resistivo r

0n

e β

p

r

ep

então,

i

cn

= β

p

r

ep

/(β

p

r

ep

+r

0n

). i

en

(122)

Esta equação pode ser bem aproximada usando o fato de que:

β

p

r

ep

p

V

T

/I

CP

mas

I

CP

2DC

I

BP

= β

2DC

I

EN

≈ β

2DC

I

CN

≈ β

p

I

CN

logo

β

p

r

ep

V

T

/I

CN

= r

en

(123) Substituindo (123) em (122) resulta,

i

cn

≈ r

en

/(r

en

+r

0n

). i

en

i

cn

≈ r

en

/r

0 n

.i

en

(124)

A corrente de base de Q

P

é dada por:

i

ep

p

= i

en

– i

cn

i

ep

= β

p

i

en

– β

p

i

cn

(125)

Substituindo (124) em (125) resulta,

i

ep

≈ β

p

(1- r

en

/r

0 n

).i

en

≈ β

p

i

en

(126)

A corrente de saída é dada por:

i

c

= i

ep

(1+1/ β

p

) i

ep

(127)

Substituindo (126) em (127) e em seguida (121) resulta,

i

c

≈ β

p

i

en

=

β

p.

β

n

i

e

(128)

Logo

β

np

= i

c

/ i

e

≈ β

n

p

(129)

(11)

Para determinar a transresistência (r

enp

) nos reportamos novamente a figura anterior. Assim, da malha base emissor de Q

n

temos,

v

be

= β

n

r

en

i

e

(130)

Substituindo (128) e (130) em (113) resulta,

v

be

r

en

/ β

p

i

c

(131)

Mas de (123) r

en

≈ β

p

r

ep

então,

r

enp

= v

e

/ i

c

≈ r

ep

(132)

Isto é, a transresistência da conexão é igual a tranresistência do transistor PNP, e portanto só depende da corrente de polarização deste.

v Obs: Note que a transresistência é o dobro da conexão Darlington para as mesma condições de polarização.

Para determinar a impedância de saída (r

0np

) nos reportamos agora a figura abaixo.

Assim, da malha base de Q

1

ao emissor de Q

2

temos,

r0np = vx /ix

r0np = r0p //ry

ry = vx /iy

ix = iep + iep /βp + icp

vx

βprep rep

r0p

βnren ren r0n

iep/βp

QN

iep

ien

icp

icn = iep/β QP

βprep ren

iy = iep + iep /βp

ry

vb

(12)

Da figura temos

i

ep

p

= v

x

/(β

p

r

ep

+ r

0n

)

como β

p

r

ep

≈ r

en

e r

0n

>> r

en

i

ep

p

≈ v

x

/r

0n

(133)

Agora a corrente i

ep

pode ser facilmente obtida

i

ep

≈ β

p

v

x

/r

0n

(134)

Temos Ainda,

i

y

= i

ep

(1+ 1/β

p

) ≈ i

ep

(135)

Substituindo (134) em (135) resulta,

i

y

≈ β

p

v

x

/r

0n

Mas β

p

/r

0n

= β

p

I

CN

/V

A

≈ I

CP

/ V

A

=1/ r

0p

então i

y

= v

x

1/r

0p

e

r

y

= v

x

/ i

y

r

02

e portanto (136)

r

0np

= r

y

//r

02

= r

02

// r

02

r

0np

≈ r

02

/2 (137)

Obs: Note que a impedância de saída é igual a metade da impedância de saída do transistor PNP, e assim maior do que a conexão Darlington para as mesma condições de polarização.

Portanto esta conexão de dois transitores pode ser substituindo por um transitor

como mostrado abaixo.

(13)

Na prática é comum uma variação da configuração Par realimentado, como mostra a figura abaixo.O objetivo do resistor R

P

é de estabelecer uma corrente de polarização relativamente precisa no transistor Q

N.

É deixado como exercício para o aluno mostrar que nesta configuração os parâmetros equivalentes agora são dados por:

β

np

≈ β

n

β’

p

, r

enp

≈ k /β’

p

. r

ep

, r

0np

≈ r

0p

k’ /(k’ +1) Onde β’

p

= β

p

. R

P

/(R

P

p

r

ep

) e k = I

CP

/I

CN

Sendo que I

CP

e I

CN

são as correntes de polarização que passa por Q

P

e Q

N

, respectivamente.

Note que se R

B

=∞ então β’

p

= β

p

e k = I

C2

/I

C1

= β

p

(k’=1) e portanto, β

np

≈ β

n

β

p

, r

enp

r

ep

e r

0np

r

0p

/2

O efeito de R

P

é de diminui os valores de β

np,

r

enp

e r

0np

.(k’ é sempre menor ou igual a 1).

βnp

= β

nβp

r

enp

= r

ep

r

0np

= r

0p

vbe

vbe

ie

ic

B βN

vce

E C

Q

P

Q

N ie

ic

vce

QNP

βnprenp renp

r0np B

E C

ie

ic

B βN

vce

E C

Q

P

Q

N

βnp

≈ β

nβ’p

r

enp

= k’r

ep

r

0np

= k’/(k’+1)r

0p

R

P

ICN VBE /RP

Onde

β’pp . RP/(RPp rep) k = ICP /ICN

k’ = k/β’p

βP

βN

k'

ICP

ICN

(14)

A corrente de polarização (coletor) do transistor Q

N

será dada por:

I

CN

= V

BE

/R

P

+ I

CP

P

Onde I

C2

é A corrente de polarização do transistor Q

P

. Na prática I

CP

é tipicamente 10.I

CN

(k =10) então,

I

CN

V

BE

/R

P

Comumente uma das aplicações com esta conecção é o amplificador seguidor de emissor, devido o seu alto ganho de corrente. Outra aplicação é como amplicador emissor comum. Para exemplificar vamos resolver os exercícios abaixo.

Exercício 1:

Para o circuito seguidor de emissor abaixo, determine c) Z

i

e Z

0

d) A

v

e A

i

1) Análise DC

Da malha base emissor temos,

I

BN

= (V

CC

– V

BE

)/[R

B

+(β

NP

+1)R

E

] = (18V – 0,7)/[2MΩ +(140*180)75Ω]

≈ 17,3V /[2MΩ +1,89MΩ] =17,3V /3,89MΩ ≈ 4,45µA

ve

ie

i0

VCC =18V

B

E

RE

75 RB

2M

C2

1uF

v0

C1

.1uF

βN =140

βNP =140*180 =25,2k βP =180

Zi

Z0

ib βN

C

Q

P

Q

N

βN

βNP

ZB

(15)

A corrente de coletor de Q

N

é dada por:

I

EN

≈ I

CN

= β

N

I

B

= 140 * 4,45µA =0,62mA Só para verificação temos,

r

en

= V

T

/ I

CN

=26mV /0,62mA ≈ 41,9Ω A corrente de coletor de Q

P

é dada por:

I

EP

≈ I

CP

= β

P

I

CN

= 180 * 0,62mA ≈ 112mA e

r

enp

= r

ep

= V

T

/ I

CP

=26mV /112mA ≈ 0,23Ω

2) Análise AC

a) A impedância de entrada é dada (desprezando r

0np

) por:

Z

i

= R

B

//[(β

np

+1) R

E

np

r

enp

] ≈ 2MΩ //1,89MΩ ≈ 974k Ω b) A impedância de saída (v

e

=0) é dada por:

Z

0

= r

0np

//R

E

//r

enp

//β

np

r

ep

≈ r

ep

≈ 0,23Ω

c) O ganho de tensão é dado (desprezando r

0np

) por:

A

v

= R

E

/( R

E

+ r

enp

) = 75 /( 75 +0,23 ) 0.997

d) O ganho de corrente pode ser facilmente determinado. Da figura temos, i

b

= R

B

/(R

B

+Z

B

) i

e

então

i

0

np

i

b

= β

np

R

B

/(R

B

+ Z

B

) logo

A

i

≈ β

np

R

B

/(R

B

+ Z

B

) = 25,2k*2MΩ /(3,89MΩ) ≈ 12,95k (<β

np

)

βnp

Z

B

(16)

Exercício 2:

Para o circuito amplificador emissor comum com o par quasi-darlington abaixo, determine.

a) Z

i

e Z

0

b) A

v

e A

i

1) Análise DC

Antes de mais nada é importante notar que:

a) a corrente de transistor Q

N

já está definida pelo resistor R

P

e a tensão V

BE

de Q

P

; b) que a soma das corrente que passa nos dois transistores é definida pelo o potencial do terminal de emissor e o resistor R

E

;

c) se a corrente de base de Q

N

for muito menor que as correntes que passam pelo resistores R

B1

e R

B2

então a tensão na base de Q

N

independe desta.

ve

ie

i0

VCC =18V

B

E

RE

1kΩ RB1

900kΩ

C2

10uF

v0

C1

.1uF

βN =200

βNP =200*100 =20k βP =100

Zi

Z0

ib βN

Q

P C

Q

N

βN

RC

8kΩ

RB2

100k

RP

7kΩ

C3

10uF VB

VE

rop =100kΩ

ZB

(17)

A corrente de coletor do transistor Q

N

(I

CN

) é dada por:

I

CN

= V

BE

/R

P

= 0,7V/7kΩ = 100µA

A corrente de base do transistor Q

N

(I

BN

) é dada por:

I

BN

= I

CN

N

= 100µA /200 =0,5µA

Se calcularmos a corrente que em R

B1

e R

B2

(I

B

) com a base de Q

N

desconectada temos,

I

B

= V

CC

/(R

B1

+ R

B2

) = 18V /(900kΩ +100kΩ)= 18µ A

Que muito menor que a corrente de I

BN

. Portanto, se desconectarmos a base de Q

N

, a tensão nesta praticamente não mudará. Em outra palavras a corrente de base de Q

N

pode ser desconsiderada. (isto é equivalente a dizer que Z

B

>> R

B1

//R

B2

) Portanto a tensão na base de Q

N

pode ser calculada por:

V

B

≈ V

CC

R

B2

/(R

B1

+ R

B2

) = 18V*100kΩ /(900kΩ +100kΩ) =1,8V E a tensão no emissor de Q

N

V

E

= V

B

- V

BE

= 1,8V – 0,7V = 1,1V

A corrente que passa pelo resistor R

E

é agora determinada I

E

= V

E

/R

E

= 1,1V /1kΩ = 1,1mA

Assim corrente de coletor de Q

P

(I

CP

) é dada por:

I

CP

= I

E

- I

CN

= 1,1mA – 0,1mA =1mA

2) Análise AC Da análise anterior

r

ep

=V

T

/ I

CP

=26mV /1mA =26

Temos ainda,

β’

p

p

. R

P

/(R

P

p

r

ep

) = 100*7kΩ /(7kΩ +2,6kΩ ) ≈ 73

k = I

CP

/I

CN

= 1mA / 0.1mA = 10 e k’ = k / β

p

= 10 /73 0,13

(18)

Logo

β

np

≈ β

n

β’

p

=200*73 =14,6k r

enp

= k’r

ep

= 0,13*26 ≈ 3,4Ω

r

0np

= k’/(k’+1)r

0p

= 0,13/(0,13+1)*100kΩ ≈ 11,5kΩ a) A impedância de entrada é dada por:

Z

i

= R

B1

//R

B2

//[β

np

r

enp

] ≈ 900kΩ //100kΩ //(14,6k*3,4Ω ) ≈ 32k Ω b) A impedância de saída (v

e

=0) é dada por:

Z

0

= //R

C

= 11,5kΩ //8kΩ ≈ 4,7kΩ c) O ganho de tensão é dado por:

A

v

= - Z

0

/ r

enp

= - 4,7kΩ /3,4Ω ≈ -1.382

d) O ganho de corrente pode ser facilmente determinado.

i

b

= R

B

/(R

B

+Z

B

) i

e

= 90kΩ /142kΩ i

e

= 0,64i

e

(divisor de corrente R

B

e Z

B

)

i

0

= r

0np

/( r

0np

+R

C

np

i

b

=11,5kΩ /(11,5kΩ +8 kΩ) β

np

i

b

= 0,59β

np

i

b

(divisor de corrente

r

onp

e R

C

) logo

A

i

= i

0

/ i

e

= 0,59*β

np

0,64 = 0,59*14,6* 0,64 ≈ 5,51k Z

B

R

B

Referências

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