ü Configuração Darlington
A principal função desta configuração é conseguir alta impedância de entrada e alto ganho de corrente.
O arranjo desta configuração é conectar dois transistores do mesmo tipo de maneira que se o ganho de corrente de um transistor for β
1e o do outro for β
2então o ganho de corrente do arranjo será igual a
βD= β
1.β
2. A conecção Darlington atua como um novo dispositivo, cujo ganho de corrente é o produto dos ganhos individuais. A figura abaixo mostra esta configuração.
Obs: 1) Esta configuração pode ser feita também com transistores PNP.
2) Como o transistor Q
1opera com baixas corrente, e comumente encontrado na prática um resistor entre a base e o emissor de Q
2, assim β
1não é reduzido.
A figura abaixo fornece as especificações de data sheets para um par Darlington típico.
Tipo 2N999 – Transistor Darlington NPN
Parâmetro Condições de teste Mim. Max.
V
BEI
C= 100mA 1,8V h
FE(β
D)
I
C= 10mA I
C= 100mA
4000
7000 70.000
β
1β
2βD
=
β1.
β2I
BI
CβD
= I
C/ I
BQ1
Q2
QD
I
BI
CPodemos representar esta conexão da mesma forma que fazemos para um transitor.Para isto, considere a figura abaixo e vamos determinar a sua impedância de entrada, a sua tranresistência (r
ed= v
be/i
ccom v
ce= 0), o seu ganho de corrente AC (β
d= i
c/i
ecom
v
ce= 0) e sua impedância de saída (r
0d).
Utilizando o modelo do transistor para determinar inicialmente o ganho de corrente AC (β
d) e a transresistência do par . Então,
vbe
ie
ic
vce
Q1
Q2
vbe
ie= ie1/β1
ic = ie2 + ie1 - ic1
vce = 0
β2re2 re2
r02 β1re1 re1
r01
ie2/β2
Q1
Q2
ie2
ie1
ie1/β1
ic1
ic2 = 0
ie2/β2 = (1+1/β1). ie1 – ic1
ic1 = β2re2 /(β2re2+r01). (1+1/β1). ie1
βd
=?
r
ed=?
r
0d=?
vbe
ie
ic
vce
QD
βdred red r0d B
C
E
Da figura temos, a corrente de entrada é dada por:
i
e= i
e1/β
1(104)
A corrente i
c1é igual a corrente que sai do emissor de Q
1( (1+1/β
1). i
e1) dividida pelo divisor resistivo r
01e β
2r
e2então,
i
c1= β
2r
e2/( β
2r
e2+r
01). (1+1/ β
1). i
e1(105)
Esta equação pode ser bem aproximada usando o fato de que:
β
2r
e2=β
2V
T/I
C2mas
I
C2=β
2DCI
B2= β
2DCI
E1≈ β
2DCI
C1≈ β
2I
C1logo
β
2r
e2≈ V
T/I
C1= r
e1(106) Substituindo (106) em (105) resulta,
i
c1≈ r
e1/(r
e1+r
01). (1+1/β
1). i
e1i
c1≈ r
e1/r
0 1.i
e1(107)
A corrente de base de Q
2é dada por:
i
e2/β
2= (1+1/β
1). i
e1– i
c1i
e2≈ β
2i
e1– β
2i
c1(108)
Substituindo (107) em (108) resulta,
i
e2≈ β
2(1- r
e1/r
0 1).i
e1≈ β
2i
e1(109)
A corrente de saída é dada por:
i
c= i
e2+ i
e1- i
c1(110)
Substituindo (107)e (109) em (110) resulta,
i
c≈ β
2i
e1+ i
e1- r
e1/r
0 1.i
e1= (β
2+ 1 - r
e1/r
0 1).i
e1i
c≈ β
2.i
e1(111)
Substituindo (104) em (111) resulta,
β
d= i
c/ i
e≈ β
1. β
2(112)
Para determinar a transresistência (r
ed) nos reportamos novamente a figura anterior. Assim, da malha base de Q
1ao emissor de Q
2temos,
v
be≈ r
e1i
e1+ r
e2i
e2(113)
Substituindo (106) e (109) em (113) resulta,
v
be= r
e1i
e1+ r
e1i
e1= 2 r
e1i
e1= 2 β
2r
e2i
e1(114)
Substituindo (111) em (114) resulta, v
be≈ 2r
e2i
centão
r
ed= v
be/ i
c≈ 2r
e2(115)
Para determinar a impedância de saída (r
0d) nos reportamos agora a figura abaixo.
Assim, da malha base de Q
1ao emissor de Q
2temos,
iy = ic1 - ie1 + ie2
ix = ic1 - ie1 + ie2 + i02
vx
β2re2 re2 r02 β1re1 re1
r01
ie2 /β2
Q1
Q2
ie2
ie1
ie1/β1
ic1
ic1 = (1+1/β1). ie1 + ie2/β2
vb ≈ re1 / 2r01 .vx
r0d = vx /ix
r0d = r02 //ry
ry = vx /iy
ry
ie2
i02
i02
vb
β2re2≈re1
Da figura temos
v
b= [r
e1//β
1r
e1//β
2r
e2]/[ r
e1//β
1r
e1//β
2r
e2+ r
01].v
xcomo β
2r
e2≈ r
e1e r
01>> r
e1v
b≈ r
e1/2r
01.v
x(116)
Agora as correntes i
e1, i
e2e i
c1podem ser facilmente obtidas
i
e1= v
b/ r
e1= v
x/2r
01e (117)
i
e2= β
2v
b/β
2r
e2= β
2v
b/r
e1= β
2i
e1(118)
e, finalmente
i
c1= (v
x-v
b)/r
01= (1- r
e1/2r
01) v
x/r
01≈ v
x/r
01(119)
temos ainda que,
i
y= i
c1- i
e1+ i
e2= i
c1+(β
2- 1)i
e1i
y= v
x/r
01+(β
2- 1) v
x/2r
01i
y= v
x/r
01(1+(β
2- 1)/2) ≈ v
x2β
2/r
01Mas β
2/r
01= β
2I
C1/V
A≈ I
C2/ V
A=1/r
02então i
y= v
x2/r
02e
r
y= v
x/ i
y= r
02/2 e portanto
r
0d= r
y//r
02= r
02/2 // r
02r
0d=2/3. r
02(120)
Portanto esta conexão de dois transitores pode ser substituindo por um transitor
como mostrado abaixo.
Na prática a mais presente das aplicações com esta conecção é o amplificador seguidor de emissor, já que, o que se deseja é o alto ganho de corrente. Para exemplificar isto vamos resolver o exercício abaixo.
Exercício:
Para o circuito seguidor de emissor abaixo, determine a) Z
ie Z
0b) A
ve A
ivbe
ie
ic
vce
Q1
Q2
βd
= β
1β2r
ed= 2r
e2r
0d= 2/3r
02vbe
ie
ic
vce
QD
βdred red r0d B
C
E
ve
ie
i0
VCC =18V
Q1
Q2
B
C
E
RE
390Ω RB
3,3M
C2
1uF
v0
C1
.1uF
βD = β2β1 =8000 VBE = 1,6V
Zi
Z0
ib
1) Análise DC
Da malha base emissor temos,
I
B= (V
CC– V
BE)/[R
B+( β
D+1)R
E] = (18V – 1,6V)/[3,3M Ω +(8000+1)390 Ω ]
≈ 16,7V /[3,3MΩ +3,12MΩ] =16,7V /6,42MΩ ≈ 2,6µA A corrente de coletor é dada por:
I
E≈ I
C= β
DI
B= 20,8mA
r
ed=2r
e2=2V
T/ I
C=52mV /20,8mA ≈ 2,6Ω
2) Análise AC
a) A impedância de entrada é dada por:
Z
i= R
B//(β
D+1) (R
E+r
ed) = 3,3MΩ //3,12MΩ ≈ 1,6 M Ω b) A impedância de saída (v
e=0) é dada por:
Z
0= r
0d//R
E//r
ed≈ r
ed≈ 2,6Ω
c) O ganho de tensão é dado (desprezando r
0d) por:
A
v= R
E/( R
E+ r
ed) = 390/392,6 = 0.993
d) O ganho de corrente pode ser facilmente determinado. Da figura temos, i
b= R
B/(R
B+(β
D+1)R
E) i
eentão
i
0=β
Di
b= β
DR
B/(R
B+(β
D+1)R
E) logo
A
i≈ β
DR
B/(R
B+β
DR
E) = 8000.3,3MΩ /(6,42MΩ) ≈ 4112
≈RE
ü Configuração Par realimentado (Quasi-Darlington)
A principal função desta configuração é conseguir alta impedância de entrada e alto ganho de corrente principalmente como um dispositivo complementar ao Darlington NPN .
O arranjo desta configuração é conectar dois transistores de tipos diferentes de maneira que se o ganho de corrente de um transistor for β
1e o do outro for β
2então o ganho de corrente do arranjo será igual a
β12=
β1.β
2. O par realimentado funciona muito bem como um arranjo PNP –NPN para ser equivalmete a um transistor PNP de alto ganho de corrente. A figura abaixo mostra esta configuração.
Par PNP-NPN
Par NPN-PNP
Obs: Analisaremos somente a conexão NPN-PNP, mas todos os resultados se aplica ao outra conexão.
β
Pβ
NβPN
= β
P.β
NI
BI
C βPN= I
C/ I
Bβ
Nβ
PβNP
= β
N.β
PI
BI
CβNP
= I
C/ I
BQ
PQ
NQ
PNQ
NPI
CI
BI
BI
CQ
PQ
NNovamente, podemos representar esta conexão da mesma forma que fazemos para um transitor.Para isto, considere a figura abaixo e vamos determinar a sua impedância de entrada, a sua tranresistência (r
ep= v
be/i
ccom v
ce= 0), o seu ganho de corrente AC (β
n= i
c/i
ecom
v
ce= 0) e sua impedância de saída (r
0p).
Utilizando o modelo do transistor para determinar inicialmente o ganho de corrente AC (β
np) e a transresistência do par . Então,
vbe
ie
ic
vbe
ie= ien/βn
ic = iep + iep /βp vce = 0
βprep rep r0p
βnren ren r0n
iep/βp
QN
iep
ien
ien/βn
icn
icp = 0
iep/βp = ien – icn
icn= βprep /(βprep+r0n). ien
βnp
= ? r
enp=?
r
0np=?
vbe
ie
ic
vce
QNP
βnprenp renp
r0np B
βN
βP
vce
E C
B
E C
Q
PQ
NQP
βprep≈ ren
Da figura temos, a corrente de entrada é dada por:
i
e= i
en/β
n(121)
A corrente i
cné igual a corrente que sai do emissor de Q
N(i
en) dividida pelo divisor resistivo r
0ne β
pr
epentão,
i
cn= β
pr
ep/(β
pr
ep+r
0n). i
en(122)
Esta equação pode ser bem aproximada usando o fato de que:
β
pr
ep=β
pV
T/I
CPmas
I
CP=β
2DCI
BP= β
2DCI
EN≈ β
2DCI
CN≈ β
pI
CNlogo
β
pr
ep≈ V
T/I
CN= r
en(123) Substituindo (123) em (122) resulta,
i
cn≈ r
en/(r
en+r
0n). i
eni
cn≈ r
en/r
0 n.i
en(124)
A corrente de base de Q
Pé dada por:
i
ep/β
p= i
en– i
cni
ep= β
pi
en– β
pi
cn(125)
Substituindo (124) em (125) resulta,
i
ep≈ β
p(1- r
en/r
0 n).i
en≈ β
pi
en(126)
A corrente de saída é dada por:
i
c= i
ep(1+1/ β
p) ≈ i
ep(127)
Substituindo (126) em (127) e em seguida (121) resulta,
i
c≈ β
pi
en=
β
p.β
ni
e(128)
Logo
β
np= i
c/ i
e≈ β
n.β
p(129)
Para determinar a transresistência (r
enp) nos reportamos novamente a figura anterior. Assim, da malha base emissor de Q
ntemos,
v
be= β
nr
eni
e(130)
Substituindo (128) e (130) em (113) resulta,
v
be≈ r
en/ β
pi
c(131)
Mas de (123) r
en≈ β
pr
epentão,
r
enp= v
e/ i
c≈ r
ep(132)
Isto é, a transresistência da conexão é igual a tranresistência do transistor PNP, e portanto só depende da corrente de polarização deste.
v Obs: Note que a transresistência é o dobro da conexão Darlington para as mesma condições de polarização.
Para determinar a impedância de saída (r
0np) nos reportamos agora a figura abaixo.
Assim, da malha base de Q
1ao emissor de Q
2temos,
r0np = vx /ix
r0np = r0p //ry
ry = vx /iy
ix = iep + iep /βp + icp
vx
βprep rep
r0p
βnren ren r0n
iep/βp
QN
iep
ien
icp
icn = iep/β QP
βprep≈ ren
iy = iep + iep /βp
ry
vb
Da figura temos
i
ep/β
p= v
x/(β
pr
ep+ r
0n)
como β
pr
ep≈ r
ene r
0n>> r
eni
ep/β
p≈ v
x/r
0n(133)
Agora a corrente i
eppode ser facilmente obtida
i
ep≈ β
pv
x/r
0n(134)
Temos Ainda,
i
y= i
ep(1+ 1/β
p) ≈ i
ep(135)
Substituindo (134) em (135) resulta,
i
y≈ β
pv
x/r
0nMas β
p/r
0n= β
pI
CN/V
A≈ I
CP/ V
A=1/ r
0pentão i
y= v
x1/r
0pe
r
y= v
x/ i
y≈ r
02e portanto (136)
r
0np= r
y//r
02= r
02// r
02r
0np≈ r
02/2 (137)
Obs: Note que a impedância de saída é igual a metade da impedância de saída do transistor PNP, e assim maior do que a conexão Darlington para as mesma condições de polarização.
Portanto esta conexão de dois transitores pode ser substituindo por um transitor
como mostrado abaixo.
Na prática é comum uma variação da configuração Par realimentado, como mostra a figura abaixo.O objetivo do resistor R
Pé de estabelecer uma corrente de polarização relativamente precisa no transistor Q
N.É deixado como exercício para o aluno mostrar que nesta configuração os parâmetros equivalentes agora são dados por:
β
np≈ β
nβ’
p, r
enp≈ k /β’
p. r
ep, r
0np≈ r
0pk’ /(k’ +1) Onde β’
p= β
p. R
P/(R
P+β
pr
ep) e k = I
CP/I
CNSendo que I
CPe I
CNsão as correntes de polarização que passa por Q
Pe Q
N, respectivamente.
Note que se R
B=∞ então β’
p= β
pe k = I
C2/I
C1= β
p(k’=1) e portanto, β
np≈ β
nβ
p, r
enp≈ r
epe r
0np≈
r
0p/2
O efeito de R
Pé de diminui os valores de β
np,r
enpe r
0np.(k’ é sempre menor ou igual a 1).
βnp
= β
nβpr
enp= r
epr
0np= r
0pvbe
vbe
ie
ic
B βN
vce
E C
Q
PQ
N ieic
vce
QNP
βnprenp renp
r0np B
E C
ie
ic
B βN
vce
E C
Q
PQ
Nβnp
≈ β
nβ’pr
enp= k’r
epr
0np= k’/(k’+1)r
0pR
PICN ≈ VBE /RP
Onde
β’p =βp . RP/(RP+βp rep) k = ICP /ICN
k’ = k/β’p
βP
βN
k'
ICP
ICN
A corrente de polarização (coletor) do transistor Q
Nserá dada por:
I
CN= V
BE/R
P+ I
CP/β
POnde I
C2é A corrente de polarização do transistor Q
P. Na prática I
CPé tipicamente 10.I
CN(k =10) então,
I
CN≈ V
BE/R
PComumente uma das aplicações com esta conecção é o amplificador seguidor de emissor, devido o seu alto ganho de corrente. Outra aplicação é como amplicador emissor comum. Para exemplificar vamos resolver os exercícios abaixo.
Exercício 1:
Para o circuito seguidor de emissor abaixo, determine c) Z
ie Z
0d) A
ve A
i1) Análise DC
Da malha base emissor temos,
I
BN= (V
CC– V
BE)/[R
B+(β
NP+1)R
E] = (18V – 0,7)/[2MΩ +(140*180)75Ω]
≈ 17,3V /[2MΩ +1,89MΩ] =17,3V /3,89MΩ ≈ 4,45µA
ve
ie
i0
VCC =18V
B
E
RE
75Ω RB
2MΩ
C2
1uF
v0
C1
.1uF
βN =140
βNP =140*180 =25,2k βP =180
Zi
Z0
ib βN
C
Q
PQ
NβN
≈
βNPZB
A corrente de coletor de Q
Né dada por:
I
EN≈ I
CN= β
NI
B= 140 * 4,45µA =0,62mA Só para verificação temos,
r
en= V
T/ I
CN=26mV /0,62mA ≈ 41,9Ω A corrente de coletor de Q
Pé dada por:
I
EP≈ I
CP= β
PI
CN= 180 * 0,62mA ≈ 112mA e
r
enp= r
ep= V
T/ I
CP=26mV /112mA ≈ 0,23Ω
2) Análise AC
a) A impedância de entrada é dada (desprezando r
0np) por:
Z
i= R
B//[(β
np+1) R
E+β
npr
enp] ≈ 2MΩ //1,89MΩ ≈ 974k Ω b) A impedância de saída (v
e=0) é dada por:
Z
0= r
0np//R
E//r
enp//β
npr
ep≈ r
ep≈ 0,23Ω
c) O ganho de tensão é dado (desprezando r
0np) por:
A
v= R
E/( R
E+ r
enp) = 75 Ω /( 75 Ω +0,23 Ω ) ≈ 0.997
d) O ganho de corrente pode ser facilmente determinado. Da figura temos, i
b= R
B/(R
B+Z
B) i
eentão
i
0=β
npi
b= β
npR
B/(R
B+ Z
B) logo
A
i≈ β
npR
B/(R
B+ Z
B) = 25,2k*2MΩ /(3,89MΩ) ≈ 12,95k (<β
np)
≈
βnpZ
BExercício 2:
Para o circuito amplificador emissor comum com o par quasi-darlington abaixo, determine.
a) Z
ie Z
0b) A
ve A
i1) Análise DC
Antes de mais nada é importante notar que:
a) a corrente de transistor Q
Njá está definida pelo resistor R
Pe a tensão V
BEde Q
P; b) que a soma das corrente que passa nos dois transistores é definida pelo o potencial do terminal de emissor e o resistor R
E;
c) se a corrente de base de Q
Nfor muito menor que as correntes que passam pelo resistores R
B1e R
B2então a tensão na base de Q
Nindepende desta.
ve
ie
i0
VCC =18V
B
E
RE
1kΩ RB1
900kΩ
C2
10uF
v0
C1
.1uF
βN =200
βNP =200*100 =20k βP =100
Zi
Z0
ib βN
Q
P CQ
NβN
RC
8kΩ
RB2
100kΩ
RP
7kΩ
C3
10uF VB
VE
rop =100kΩ
ZB