Эндоскопия и ВРТ
1
0
0
Texto
Documentos relacionados
Из сравнения спектров видно, что в результате легирования РЗИструктур GaAs/AlGaAs, как и в случае структур InGaN/GaN типа B, присутствует сдвиг линии ФЛ при сохранении формы и величины