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Heteroestruturas semicondutoras

Propriedades estáticas e dinâmicas de portadores em heteroestruturas semicondutoras.

Propriedades estáticas e dinâmicas de portadores em heteroestruturas semicondutoras.

... das heteroestruturas semicondutoras [1], tornou-se crescente o estudo tanto teórico como experimental das propriedades ópticas e de transporte dos compostos semicondutores do grupo III-V e, mais ...

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Propriedades de transporte de spins polarizados em heteroestruturas semicondutoras

Propriedades de transporte de spins polarizados em heteroestruturas semicondutoras

... emissor quanto no coletor) para logo em seguida aplicar um campo elétrico. O campo elétrico deforma o per…l do potencial, fazendo com que a corrente ‡uísse entre os dois eletrodos. Tal experimento foi o primeiro a ...

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Acoplamento spin-órbita inter-subbanda em heteroestruturas semicondutoras

Acoplamento spin-órbita inter-subbanda em heteroestruturas semicondutoras

... O valor da constante de acoplamento calculado varia substancialmente com a densidade de portadores, podendo ser mesmo anulada, controlando-se a densidade de portadores atrav´es da aplica¸c˜ao de campos el´etricos ...

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Estudo experimental de efeitos de spin em heteroestruturas semicondutoras

Estudo experimental de efeitos de spin em heteroestruturas semicondutoras

... em heteroestruturas semicondutoras de dupla, ou múltiplas barreiras conhecidos como diodos de tunelamento ressonante (DTR) têm demonstrado possibilidades interessantes para aplicações destes sistemas à ...

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Aceleração do cálculo de autovalores usando CUDA : uma aplicação em heteroestruturas semicondutoras

Aceleração do cálculo de autovalores usando CUDA : uma aplicação em heteroestruturas semicondutoras

... estruturas semicondutoras heterogêneas feitas de dois ou mais semicondutores diferentes [3], de tal forma que a região de transição ou interface dos diferentes materiais desempenha um papel essencial na ação de ...

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Propriedades óticas e de transporte em heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs Daniel Henrique Rodrigues

Propriedades óticas e de transporte em heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs Daniel Henrique Rodrigues

... em heteroestruturas magnéticas semicondutoras pode ser estimada oticamente tanto por meio da separação Zeeman quanto através do red shift apresentado pela banda de emissão originada pela recombinação ...

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Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs

Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs

... de heteroestruturas permitiu a obtenção de diversos tipos de dispositivos semicondutores, entre eles temos o diodo de dupla barreira com QD’s situados no interior do ...

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Magneto-transporte e ferromagnetismo Hall em heteroestruturas semicondutoras mag...

Magneto-transporte e ferromagnetismo Hall em heteroestruturas semicondutoras mag...

... estruturas semicondutoras em que a distribuição de impurezas magnéticas (Mn) restringe-se a alguns arranjos bidimensionais (monocamadas) regularmente espaçados entre ...

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Estudo da oxidação de AlAs em heteroestruturas semicondutoras

Estudo da oxidação de AlAs em heteroestruturas semicondutoras

... Pela an´alise das figuras observa-se a inexistˆencia de alum´ınio fora das mesas com exce¸c˜ao da amostra BH-2KI-09b. Portanto, temos uma confirma¸c˜ao de que a corros˜ao qu´ımica expˆos totalmente as ...

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Geração de corrente spin polarizada em heteroestruturas dopadas com impurezas magnéticas

Geração de corrente spin polarizada em heteroestruturas dopadas com impurezas magnéticas

... em heteroestruturas semicondutoras, no qual ocorre o confinamento do el´etron em estados discretos de energias na dire¸c˜ao de crescimento da amostra e a regra de sele¸c˜ao para as poss´ıveis transi¸c˜oes ...

98

Estudo de propriedades estruturais e óticas de heteroestruturas formadas com materiais bidimensionais

Estudo de propriedades estruturais e óticas de heteroestruturas formadas com materiais bidimensionais

... Grande parte do desenvolvimento tecnológico que surgiu da física do estado sólido tem sua origem na fabricação de heteroestruturas semicondutoras. Atualmente, tais estruturas são o objeto de investigação de ...

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Projeto e construção de um sistema de vácuo dedicado a técnica SIMS

Projeto e construção de um sistema de vácuo dedicado a técnica SIMS

... urn sistema de vacuo dedicado a tecnica de Espectrometria de Massa do ion Secundario (SIMS),.. a ser utilizado na caracterizayao estrutural de heteroestruturas semicondutoras.[r] ...

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Propriedades de Transporte Lateral de Portadores e Energia em Heteroestruturas Dopadas de Poços e Pontos Quânticos

Propriedades de Transporte Lateral de Portadores e Energia em Heteroestruturas Dopadas de Poços e Pontos Quânticos

... Para que um conjunto de equações de taxa acopladas descreva adequadamente a dinâmica de portadores em heteroestruturas semicondutoras, alguns cuidados devem ser tomados. Em se tratando de uma teoria de ...

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Propriedades eletrônicas de estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade

Propriedades eletrônicas de estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade

... novas heteroestruturas capazes de conter um gás de elétrons quase-unidimensional (Q1D) ou quase-zero-dimensional (QZD) têm sido fabricadas com muito sucesso e ...Essas heteroestruturas são comumente ...

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Propriedades eletrônicas da matéria topológica: heteroestruturas e efeitos da rotação

Propriedades eletrônicas da matéria topológica: heteroestruturas e efeitos da rotação

... O espectro de energia que foi obtido aqui difere do espectro obtido para um isolante topológico esférico na presença de um campo magnético uniforme que foi obtido anteriormente, não fican[r] ...

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Estudo dos processos fotofísicos em heteroestruturas orgânicas que utilizam chaveamento...

Estudo dos processos fotofísicos em heteroestruturas orgânicas que utilizam chaveamento...

... A novidade deste trabalho está na possibilidade da variação espectral da banda de absorção do azocromóforo BY, frente ao espectro de emissão do PPV, o que nos garante um controle sobre os processos de transferência de ...

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Magneto-éxcitons em super-redes semicondutoras de InGaAs/InAlAs

Magneto-éxcitons em super-redes semicondutoras de InGaAs/InAlAs

... Para T > 30 K, utilizamos um ajuste sem o termo de energia de ligação dos éxcitons na região de campos magnéticos intensos, o que resultou em valores próximos aos encontrados a baix[r] ...

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