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[PDF] Top 20 Propriedades de pontos quânticos de InP/GaAs

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Propriedades de pontos quânticos de InP/GaAs

Propriedades de pontos quânticos de InP/GaAs

... de InP crescidos sobre o substrato de GaAs (InP/GaAs) com emissão em torno de 0,9 ...suas propriedades estruturais e, particularmente, ópticas, uma vez que ele exibe uma interface com ... See full document

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Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs

Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs

... de InP/GaAs nas propriedades ópticas de pontos quânticos auto-organizados, crescidos por epitaxia de feixe químico, no modo ...os pontos quânticos de ... See full document

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Propriedades ópticas de pontos quânticos semicondutores de InAs/GaAs

Propriedades ópticas de pontos quânticos semicondutores de InAs/GaAs

... Pontos quânticos semicondutores (QDs) têm atraído considerável interesse do ponto de vista fundamental e tecnológico e tem sido extensivamente estudado em aspectos que envolvem suas propriedades ... See full document

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Propriedades ópticas de pontos quânticos empilhados de InAs/GaAs

Propriedades ópticas de pontos quânticos empilhados de InAs/GaAs

... dos pontos quânticos - do inglês: quantum dots (QDs) - devido a suas possibilidades de aplicação, suas propriedades estruturais e a estrutura eletrônica dos portadores de cargas ...apresenta ... See full document

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Propriedades eletrônicas de pontos quânticos de InAs1-xPx sobre GaAs

Propriedades eletrônicas de pontos quânticos de InAs1-xPx sobre GaAs

... [r] ... See full document

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Propriedades ótica e estrutural de pontos quânticos de InP embebidos em InGaP

Propriedades ótica e estrutural de pontos quânticos de InP embebidos em InGaP

... de grandeza na densidade para um aumento extremamente pequeno na quantidade de material depositado. Apesar de os processos de crescimento desses pontos de lnAs, assim[r] ... See full document

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Propriedades ópticas de pontos quânticos empilhados de InP/GaAs

Propriedades ópticas de pontos quânticos empilhados de InP/GaAs

... dos pontos quânticos induzidos pela tensão criada na formação desses QDs ...de GaAs nas ilhas de InAs suaviza o perfil de confinamento das cargas e aumenta os níveis de energia nos QDs, aumentando ... See full document

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Propriedades ópticas de pontos quânticos semicondutores tipo II

Propriedades ópticas de pontos quânticos semicondutores tipo II

... of GaAs overgrowth of InAs/GaAs 共001兲 islands, although a previous study performed under nominally similar conditions reported that GaAs-cap-adatoms are efficiently driven away from the InAs islands ... See full document

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Propriedades ópticas e elétricas de pontos quânticos semicondutores de InAs

Propriedades ópticas e elétricas de pontos quânticos semicondutores de InAs

... em pontos n˜ao cobertos em estru- turas semelhantes `a que estamos estudando, mas com diferentes n´ umeros de camadas crescidas, mostraram um gradual aumento no tamanho dos pontos quˆanticos de InAs quando ... See full document

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Influência de uma pressão biaxial externa nas propriedades ópticas de poços quânticos de GaAs/AlGaAs

Influência de uma pressão biaxial externa nas propriedades ópticas de poços quânticos de GaAs/AlGaAs

... External pressure has been frequently used to investigate semiconductor properties. The application of such stress on heterostructures is a powerful tool to change their electronic structure, leading to a con- trolled ... See full document

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Espectroscopia óptica de pontos quânticos de InAs auto-construídos em matriz de GaAs

Espectroscopia óptica de pontos quânticos de InAs auto-construídos em matriz de GaAs

... evidenciado propriedades importantíssimas que são conseqüência da manifestação de inúmeros fenômenos quânticos que, atraem a atenção e o interesse científico no que se relaciona `a pesquisa básica e, pelas ... See full document

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Caracterização das propriedades ópticas e de spin de poços quânticos de InGaAsN/GaAs

Caracterização das propriedades ópticas e de spin de poços quânticos de InGaAsN/GaAs

... Para encontrar os autoestados e as autoenergias dessa heteroestrutura pode se usar a aproxima¸c˜ ao da fun¸c˜ ao envelope (AFE) [22]. Na AFE, ´ e resolvida um equa¸c˜ ao de Schr¨ odinger simplificada, aproximado a fun¸c˜ ... See full document

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Gap direto-indireto em poços quânticos de camadas tensionadas de InGaAs/InP

Gap direto-indireto em poços quânticos de camadas tensionadas de InGaAs/InP

... modulation-doped QW’s. By varying the Ga concentration, the biaxial tensile strain in the QW layer can be increased leading to drastic changes in the band structure of this sys- tem, mainly in the valence band ... See full document

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Relaxação do spin em poços quânticos de InGaAs/GaAs dopados com Mn

Relaxação do spin em poços quânticos de InGaAs/GaAs dopados com Mn

... O resultado mais marcante é que o tempo de vida diminui fortemente com o aumento da quantidade de Mn na amostra. No caso das amostras com Q = 0.27 ML e Q = 0.40 ML, os tempos obtidos nos decaimentos não são mais ... See full document

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Relaxação de spin de portadores de carga em poços quânticos de GaAs/AlGaAs

Relaxação de spin de portadores de carga em poços quânticos de GaAs/AlGaAs

... de propriedades opticas (GPO) desde 1995 [ 46 ; 47 ] , e foi parte de tema de tese de doutorado de Adriana Triques [ 48 ] , onde foi estudado a relaxac~ao de spin numa amostra de poco qu^antico assimetrico de ... See full document

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Otimização de propriedades físicas de pontos quânticos e nanopartículas de semicondutores por inteligência artificial e planejamento experimental

Otimização de propriedades físicas de pontos quânticos e nanopartículas de semicondutores por inteligência artificial e planejamento experimental

... Para que se possa criar uma base de dados de sínteses, relizar experimentos é uma etapa indispensável. Neste etapa trabalho, buscou-se por alternativas não somente ao uso de semicondutores baseados em cádmio e chumbo, ... See full document

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Fotoluminescência em fios quânticos cilíndricos de GaAs - (Ga,Al)As

Fotoluminescência em fios quânticos cilíndricos de GaAs - (Ga,Al)As

... Os diferentes tempos de vida de elétrons de condução à temperatura ambiente são apresentados na figura 5.4 para um QWW de GaAs-(Ga, Al)As e para uma razão fixa das taxas de [r] ... See full document

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Síntese eletroquímica de pontos quânticos

Síntese eletroquímica de pontos quânticos

... Neste contexto, decidiu-se estudar o efeito dos cátions monovalentes de metais alcalinos (Li + , Na + e K + ) para verificar a mudança no crescimento e nas propriedades luminescentes com a troca do cátion na ... See full document

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Medidas de propriedades não lineares resolvidas no tempo em vidros dopados com pontos quânticos semicondutores

Medidas de propriedades não lineares resolvidas no tempo em vidros dopados com pontos quânticos semicondutores

... fotoluminescência (PL) para observar alguma anomalia na emissão. No experimento de PL iluminamos a amostra com uma energia bem maior que a energia da primeira transição óptica e fazemos uma varredura (coletando a luz ... See full document

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Propriedades de Transporte Lateral de Portadores e Energia em Heteroestruturas Dopadas de Poços e Pontos Quânticos

Propriedades de Transporte Lateral de Portadores e Energia em Heteroestruturas Dopadas de Poços e Pontos Quânticos

... envolvendo pontos quânticos sofreu um aumento ...de pontos quânticos semicondutores em duas grandes áreas: (a) Pontos quânticos em matriz vítrea e orgânica e (b) pontos ... See full document

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