UDC 621.315.592
INFLUENCE OF TECHNOLOGICAL FEATURES ON THE PROPERTIES OF PHOTOELECTRIC TRANSDUCERS
О.Y. Nyebesnyuk, Z.А. Nikonova, S.О. Ivanchikov, А.О. Nikonova, O.O. Zahoda, M. Salam Alaik
ГКpШrШгСвО SЭКЭО EЧРТЧООrТЧР AМКНОmв
Technological features of heterostructures SnO2 | Zn2O3 – SiOx – nSi – n+Si are empirically examined, the methodology and modes of their production are analyzed. The technology of production of contact systems Al-Cu-Si is elaborated, their
parameters are investigated and their tests are performed. It is proved that the application of such contact systems will increase the efficiency of photoelectric appliances due to simplicity of technological process and cheap materials, that will lead to the reduction of cost price of the product.
Keywords: solar elements, heterostructures, photoelectric transducer.
OЧО ШП ЭСО mКУШr КТms ТЧ ЭСО ОЧРТЧООrТЧР ШП sШХКr ОХОmОЧЭs Тs ТЧМrОКsТЧР ЭСОТr ОППТМТОЧМв. Д2, 5, 6]. TСО prШЛХОm ШП ТЧМrОКsТЧР ШП PET sОЧsТЭТvТЭв МКЧ ЛО sШХvОН Лв mОКЧs ШП МСШШsТЧР ШП СОЭОrШsЭrЮМЭЮrО SNS (sОmТМШЧНЮМЭШr – ЧШЧМШЧНЮМЭШr – sОmТМШЧНЮМЭШr), ЭСКЭ МШЧsЭТЭЮЭОs ТЭs ПЮЧНКmОЧЭКХs, КЧН Лв mОКЧs ШП КppХТМКЭТШЧ ШП СТРС-qЮКХТЭв МШЧЭКМЭ sвsЭОms Д1].
FШr ЭСО prШНЮМЭТШЧ ШП PET ЭСО КЮЭСШrs sОХОМЭОН ЭСО СОЭОrШsЭrЮМЭЮrОs SЧO2 е ГЧ2O3 – SТOб – ЧSТ – Ч+SТ, аСТМС аОrО mКНО Лв ЭСО mОЭСШН ШП pЮХvОrТгКЭТШЧ
ШП ЭСО sШХЮЭТШЧ mКНО ШЧ sТХТМШЧ ОpТЭКбТКХ sЭrЮМЭЮrО, СОКЭОН ЭШ ЭСО ЭОmpОrКЭЮrО ШП
ЭСТМФЧОss ШП ЭСО ШбТНО ХКвОr ШП 80 0А. TСО КppХТМКЭТШЧ ШП СОЭОrШ-ЭrКЧsТЭТШЧs sТРЧТПТМКЧЭХв НТmТЧТsСОs ЭСО ОбpКЧsО ШП ОХОМЭrТМ ОЧОrРв ШП PET НЮО ЭШ ЭСОТr sЮrПКМО rОМШmЛТЧКЭТШЧ, ТЧМrОКsО ШП sОЧsТЭТvТЭв ТЧ ЭСО “vТШХОЭ” rКЧРО ШП ЭСО spОМЭrЮm, аСОrО pСШЭШЧs' ОЧОrРв Тs СТРС, КЧН аТНОЧТЧР ШП spОМЭrЮm sОЧsТЭТvТЭв. BОsТНОs, ЭСО sЭrЮМЭЮrОs ШП sОmТМШЧНЮМЭШr- ЧШЧМШЧНЮМЭШr – sОmТМШЧНЮМЭШr ЭвpО КrО mКrФОН Лв ЭСО sТmpХТМТЭв ШП ЭОМСЧШХШРв, ХШа-ЭОmpОrКЭЮrО prШМОssОs rОqЮТrОН КЧН ЭСОТr СТРС prШНЮМЭТvТЭв.
EбpОrТmОЧЭКХХв prШvОН ЭСКЭ ШЧО ШП ЭСО аКвs ШП ТЧМrОКsТЧР ЭСО ОППТМТОЧМв ШП PET prШНЮМЭТШЧ Тs ЭСО ТmprШvОmОЧЭ ШП ЭСО ЭОМСЧШХШРв ШП МШЧЭКМЭ sвsЭОms (CS) prШМОssТЧР Д3, 4].
TСО КЮЭСШrs ОХКЛШrКЭОН ЭСО МШЧЭКМЭ sвsЭОm AХ-CЮ-SТ, аСТМС Тs mКrФОН Лв ТЧМrОКsОН sЭКЛТХТЭв ЭШ ОХОМЭrШ-mТРrКЭТШЧ КЧН аСТМС prОvОЧЭs sТХТМШЧ ОrШsТШЧ ТЧ МШЧЭКМЭ аТЧНШаs sТmЮХЭКЧОШЮsХв. TСО ПЮЧМЭТШЧ ШП ЭСО ЛКМФТЧР аКs НШЧО Лв sТХТМШЧ pХКЭОs ШП ЧЧ+ – ЭвpО аТЭС rОsТsЭТvТЭв 0,5-5 OСm·sm. TСО pХКЭОs' НТКmОЭОr аКs 76 mm, ЭСОТr аТНЭС - 500 µm.
OЧ МШrrОspШЧНТЧР ЛКЭМСОs ШП pХКЭОs ЭСО ХКвОrs ШП AХ, AХ-CЮ (2%) AХ-CЮ (2%) – SТ (1%) 0,8 µm ЭСТМФ аОrО pЮХvОrТгОН. ImmОНТКЭОХв ЛОПШrО ЭСО sОНТmОЧЭКЭТШЧ ЭСО pХКЭОs аОrО pШХТsСОН ТЧ ЭСО sШХЮЭТШЧ ШП HF (МШЧМОЧЭrКЭОН) ПШr 30 sОМШЧНs, КПЭОr ЭСО ОЭМСТЧР ЭСОв аОrО аКsСОН ТЧ К СШЭ КЧН ЭСО ТЧ К МШХН НТsЭТХХОН аКЭОr, ТЧ КХМШСШХ КЧН НrТОН Юp ТЧ ЭСО ЭСОrmШsЭКЭ. AПЭОr ЭСКЭ ЭСО pХКЭОs аОrО pЮЭ ТЧЭШ ЭСО МКmОrК ШП ЭСО vКМЮЮm pЮХvОrТгКЭТШЧ НОvТМО. TСО ТЧЭОrvКХ ЛОЭаООЧ ЭСО prШМОssТЧРs КЧН ХШКНТЧРs ШП ЭСО МКmОrК аКs 30 mТЧЮЭОs. AПЭОr ЭСО ПШrmКЭТШЧ ШП ЭСО КНУЮsЭОН ЭШpШХШРв ШП mОЭКХХТгКЭТШЧ, ЭСО pХКЭОs аОrО ОбpШsОН ЭШ ЧТЭrШРОЧ ЛЮrЧТЧР аТЭС ЭСО ЭОmpОrКЭЮrО ШП 450º НЮrТЧР 15 mТЧЮЭОs КЧН ЭСО prШЭОМЭТvО МШКЭ ШП SТO2 ШП 0,9 µm ЭСТМФ аКs КppХТОН. IЭ аКs ПШХХШаОН Лв ЭСО ШбТНО rОmШvКХ ПrШm ЭСО ОбМrОЭТvО РrШЮЧНs КЧН ЭСО spХТЭЭТЧР ТЧЭШ sОpКrКЭО МrвsЭКХs аКs МШmpХОЭОН. TСО qЮКХТЭв ЭОsЭ ШП ТЧsЭrЮmОЧЭ sЭrЮМЭЮrОs аКs СОХН Лв mОКЧs ШП mОКsЮrТЧР ШП МШЧЭКМЭ rОsТsЭКЧМО ШП МШЧЭКМЭ sвsЭОms. TСО КmШЮЧЭ ШП rОsТsЭТvТЭв ρ ПШr МШЧЭКМЭs AХ-CЮ-SТ аКs (0,76-1.52) 10-6 OСm·sm2.
КПЭОr 150, 500, 750 КЧН 1000 СШЮrs ШП ОбpШsЮrО. TСО НОpОЧНОЧМО ШП ЧШrmКХТгОН МШЧЭКМЭ rОsТsЭКЧМО R(Э)/R(0) ШЧ ЭСО НЮrКЭТШЧ ШП ОбpШsЮrО ПШr CЮ-SТ (РrКpС 1), AХ-CЮ (РrКpС 2) КЧН AХ (РrКpС 3) mОЭКХХТгКЭТШЧ Тs prШvТНОН ТЧ ЭСО PТМЭЮrО 1.
1 – ПШr AХ-CЮ-SТ; 2 – ПШr AХ-CЮ; 3 – ПШr AХ
Picture 1 — The dependence of normalized contact resistance on the duration of exposure
TСО КЧКХвsТs ШП ЭСО sЭКЛТХТЭв ШП МШЧЭКМЭ sвsЭОms ЛОПШrО ОХОМЭrШ-mТРrКЭТШЧ 0
0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2
0 200 400 600 800 1000
R(t)/R(0), Ohm·sm2
t, hrs 1
2
НОmШЧsЭrКЭОН, ЭСКЭ ЭСО AХ-CЮ-SТ sвsЭОms НТН ЧШЭ prШvО КЧв rОПЮsКХ ОТЭСОr ТЧ ЭСО prШМОss ШП ОбpШsЮrО ЭШ ЭСО ЭОmpОrКЭЮrО ШП 150º , Шr ТЧ ЭСО МШЮrsО ШП ОХОМЭrШ-mТРrКЭТШЧ ЭОsЭs, аСОrОКs ПШr ЭСО sЭrЮМЭЮrОs AХ КЧН AХ-CЮ К sТРЧТПТМКЧЭ qЮКЧЭТЭв ШП rОПЮsОs аКs ШЛsОrvОН. TСЮs, КПЭОr 1000 СШЮrs ШП ОбpШsЮrО ЭШ ЭСО ЭОmpОrКЭЮrО ШП 150º 2 ШП 15 AХ sЭrЮМЭЮrОs КЧН 2 ШП 15 AХ-CЮ sЭrЮМЭЮrОs НОmШЧsЭrКЭОН rОПЮsОs. As К rОsЮХЭ ШП ОХОМЭrШ -mТРrКЭТШЧ ЭОsЭs НЮrТЧР 256 СШЮrs аТЭС ЭСО ЭОmpОrКЭЮrО ШП 215 ЭСОrО аОrО 14 rОПЮsКХs (аТЭС 20 ЭОsЭОН sЭrЮМЭЮrОs) ПШr AХ КЧН 7 rОПЮsКХs ПШr AХ-CЮ.
TСО ТЧvОsЭТРКЭТШЧ ШП ЭСО sЮrПКМО mШrpСШХШРв ШП ЭСО ЛШrНОrХТЧО ШП mОЭКХ-sТХТМШЧ, аСТМС аКs ОsЭТmКЭОН Лв mОКЧs ШП sМКЧЧТЧР аТЭС ЭСО СОХp ШП ОХОМЭrШЧТМ mТМrШsМШpО, аКs МШmpХОЭОН Кs аОХХ.
IЧ ЭСО МШЮrsО ШП ЭСО КЧКХвsТs ШП AХ-CЮ-SТ sЭrЮМЭЮrОs ЧОТЭСОr ТЧ ЭСО prШМОss ШП ОбpШsЮrО ЭШ ЭСО ЭОmpОrКЭЮrО ШП 150º , ЧШr ТЧ ЭСО МШЮrsО ШП ОХОМЭrШ-mТРrКЭТШЧ ЭОsЭs, ЭСОrО аОrО ЧШ rОПЮsКХs ШЛsОrvОН, ШЧХв ТЧsТРЧТПТМКЧЭ КmШЮЧЭ ШП sТХТМШЧ prОМТpТЭКЭО аКs ЧШЭТМОН. FШr AХ КЧН AХ-CЮ sЭrЮМЭЮrОs К sТРЧТПТМКЧЭ КmШЮЧЭ ШП rОПЮsКХs КЧН sТХТМШЧ ОrШsТШЧ КrО МСКrКМЭОrТsЭТМ.
IЭ Тs аОХХ ФЧШаЧ, ЭСКЭ ЭСО vКХЮО ШП МШЧЭКМЭ rОsТsЭКЧМО mКТЧХв НОЭОrmТЧОs ЭСО МСКrКМЭОrТsЭТМs ШП pСШЭШОХОМЭrТМ ТЧsЭrЮmОЧЭ sЭrЮМЭЮrОs. TСО vКrТКЭТШЧ ШП ЭСО МШЧЭКМЭ rОsТsЭКЧМО pШТЧЭs ШЮЭ ЭСО ЧОМОssТЭв ШП ЭСШrШЮРС prОpКrКЭТШЧ ШП МШЧЭКМЭ аТЧНШаs ЛОПШrО ЭСО МШЧЭКМЭ. IЭ аКs КХsШ prШvОН, ЭСКЭ МХОКЧТЧР ШП ЭСО ЛКМФТЧРs sЮrПКМО ТЧ ЭСО prШМОssТЧР МКmОrК ШП ЭСО vКМЮЮm НОvТМО ТmmОНТКЭОХв ЛОПШrО ЭСО mОЭКХ МШКЭТЧР sТРЧТПТМКЧЭХв НТmТЧТsСОs ЭСО vКrТКЭТШЧ ШП ЭСО МШЧЭКМЭ rОsТsЭКЧМО. MТЧТmЮm vКХЮО ШП sЮrПКМО rОsТsЭТvТЭв ШП AХ-CЮ-SТ аТЭС ЭСО НОpЭС ШП -Ч ЭrКЧsТЭТШЧ 0, 35 µm аКs 0,76·10-6 OСm·sm2.
Literature:
1. . І. Д .]
є
Д ] // : . . 2011.
10, N 1. . 95-100.
2. Lin Jyi-Tsong. A novel planar-type body-connected FinFET device
fabricated by self-align isolation-last process / Jyi-Tsong Lin, Yu-Che Chang, Yi-Chuen Eng, Hsuan-Hsu Chen // Solid-State and Integrated Circuit Technology. - 2010. - . 1235 - 1237.
3. А. .
/А. . , . . , . .
// V
« 1 », 18 - 20 2011. –
: , 2011. – . 40 – 41.
4. .А.
/ .А. , . .
, А. . //
. – 2007. – № 11(117). – . 148-152. 5. Odinokov V.V. New processing equipment for innovative technologies
micro, nano - and radio electronics. / V.V. Odinokov, G.Ya. Pavlov // Technology and de-signing in the electronic equipment. - 2011. – v. 3 . – PP. 41–43.
6. , . . , . . щ , . . , . .
.
, ( )//
А – . . ., ,
( А),
( );
– . . ., ,
А, ;
А А – . . ., ;
– .
А А – .
А – .
: ( А).
