А Х А
-
А ХJ
OURNAL OFN
ANO-
ANDE
LECTRONICP
HYSICS5
№
4, 04072(4cc) (2013)
Vol.
5
No 4, 04072(4pp) (2013)
2077-6772/2013/5(4)04072(4)
04072-1
2013
І
. .
*Х а
а
Х
Х а аХ
а а,Х
гХ
а
а
а
, 50, 79005
,Х
а а
( ж1.09.2013; online 31.01.2014)
в
не-370 г в
г в
б г в
б є в
б є в
г
: б б б в
б .
PACS numbers: 73.63. – b, 73.50.Gr
*
iolenych@gmail.com
1.
’
в
г
є
в
є
в
г
є
є
Э
Юп
в
б
в
в
[1].
в
в
[2-4],
в
є
в
г
є
в
[5-7]
б
є
г
в
Э
Ю
SiO2
в
б
в
[8].
є
в
є б
є
є
в
Э
б
в
,
Юг
б
’є
в
б
–
в
є
[8, 9].
в
г
2.
в
є
йее
б
є
ЭжееЮ
й
.5
·
в
’є
HF : C2H5OH 1 :
жг
в
в
зк
д
2б
–
20
г
б
в
б
в
кее
[1, 10]
г
є
в
40
.
в
Э
Ю
Selmi
-102.
б
Э
г
1).
в
к
10
г
–
Si
в
оке
зе
г
є
в
г
б
є
в
в
3
в
г
б
в
в
б
г
в
б
же
– 3г
г
г
в
І
. .
.
А-
.
. 5
, 04072 (2013)
04072-2
г 1 –– Si
не
име
г
в
егж
д г
в
є
г
ж
г
в
м
-30
г
в
L-
,
C-,
R-
м
-
жз
ж
г
зке
г
в
Э
Ю
в
Э
U
5
Ю
г
в
ике
.
3.
Ь
Х
є
в
г
в
б
г
в
Эж
Ю
в
не
-370
в
G
в
Э
г
зЮг
в
в
б
в
г
в
G(T)
г
в
ж
г
G
(
T
)
в
г 2 – Эж Ю
ЭжЮ ЭзЮ
г 3–
ЭжЮ ЭзЮ ж
80-140
б жйе
-190
жое
-370
Э
г
3).
в
є
в
в
г
в
в
б
в
в
б
[
11
]г
в
в
є
п
1 4 0
( )
T
exp
T
T
,
0 3
16
F
T
kg l
,k
–
б
l
–
б
g
F–
в
г
в
l
n
R
–
1 /
T
1/4г
4.
в
не
-140
Э
г
г
йб
жЮ
б
в
І
…
г
А-
.
.
5
, 04072 (2013)
04072-3
г 4– ЭжЮ ЭзЮ
г
[12
]
б
+
-Si
б
в
жже
-200
г
в
б
г
-
б
б
в
г
в
в
п
жйе
-190
190-370
г
в
в
не
-270
Э
г
г
йб
зЮг
’
Э
Юб
в
в
SiO2
б
є
є
в
[
8].
б
в
б
є
в
Э
Юг
в
в
в
.
в
п
в
б
в
в
Э
г
5).
в
в
жзе
-130
г
б
в
[13]
г
г
л
в
g
(
E
)
б
в
в
г
г 5 –
ЭжЮ ЭзЮ
г 6 –
Э Ю Э Ю
є
в
б
б
’
г
є
б
в
егз
-0.3, 0.4-
егк егл
-0.8
г
в
в
0.2-0.3
0.6-0.8
Э
г
г
6).
SiO2
в
б
егз
-0.3
є
в
+
[14].
І
б
в
0.6-0.8
’
в
Si
–
SiO2.
б
в
І
І
. .
.
А-
.
. 5
, 04072 (2013)
04072-4
І
б
’
Si-H
x(
x
1, 2, 3)
в
б
’
Si-O.
4.
в
в
.
в
в
(80-140
Ю
в
в
г
в
зме
б
в
є
в
.
в
в
g
(
E
Ю
в
егз
-0.3, 0.4-
егк
0.6-0.8
г
б
’
в
.
ы
. .
Х а
а
Х
Х а аХ
а
,Х гХ
а
а
а
, 50, 79005
,Х
а а
не-370 г
г в
б в
г б
в
б г
ы : б б б
б .
Influence of Thermal Oxidation on Processes of Charge Carrier Transfer in Porous Silicon
I.B. Olenych
Ivan Franko National University of Lviv, 50, Dragomanov Str., 79005 Lviv, Ukraine
The temperature dependences of the electrical conductivity of porous silicon and thermally oxidized po-rous silicon in the modes of direct and alternating currents in the temperature range of 80-370 K are in-vestigated. The results are analyzed within the model of disordered semiconductors and the mechanisms of charge transfer are determined. Based on the spectra of thermally stimulated depolarization, the localized electron states which influence the electric transport properties of porous silicon are found. It is shown that thermal oxidation leads to the change in the occupation density of states in different energy ranges and expansion of the temperature range, in which hopping conductivity mechanism of porous silicon is realized.
Keywords: Porous silicon, Thermal oxidation, Mechanisms of conductivity, Thermally Stimulated Depo-larization, Charge traps.
1. A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott, J. Appl. Phys.82, 909 (1997).
2. O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi, Surf. Sci. Rep.38, 1 (2000). 3. A.A. Filios, S.S. Hefner, R. Tsu, J. Vac. Sci. Technol. B14,
3431 (1996).
4. Properties of porous silicon (Ed. L. Canham) (London: INSPEC: 1997).
5. B. Urbach, E. Axelrod, A. Sa’ar, Phys. Rev. B 75, 205330
(2007).
6. Іг г б г г б гІг є б
г г б 13, 1011 (2012).
7. E.A. Agafonova, N.M. Martyshov, P.A. Forsh, V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov, Semiconductors44, 350
(2010).
8. L.M. Sorokin, L.V. Grigor’ev, A.E. Kalmykov, V.I. Sokolov, Phys. Solid State47, 1365 (2005).
9. D.I. Bilenko, O.Ya. Belobrovaya, E.A. Zharkova, I.B. Mysenko, E.I. Khasina, Semiconductors36, 466 (2002). 10.L.S. Monastyrskii, T.I. Lesiv, I.B. Olenych, Thin Solid Films
343-344, 335 (1999).
11. г б г б Э Х Х Х а в
Х щ а Э п п жонзЮг 12.S.P. Zimin, Semiconductors40, 1350 (2006).
13. г г б г г б а а в
аяХ аяХ яХ Х в
Х Х ( : : 1991).
14. г б г б Іг б В Х гХ
