Modelo Charge-Sheet
para MOSFET
Preliminares
Concentraçãode portadores no semicondutor intrínseco
ic B EE kT ic El ét ron s n N e cos vi B EE kT iv Bur a p N e ii pn Concentração de portadores no semicondutor extrínseco 0 Fc B EE kT c Elétrons n N e 0 cos vF B EE kT v Bura p N e 00 pn
Relações importantes 0 F c Fi i c i c Fi Fi BB B B B EE EE E E E E E E EE kT kT k T kT kT cc c i nN e N e N e e n e 0 v F v i iF v F iF iF BB B B B E E EE E E EE E E E E kT kT kT kT kT vc v i pN e N e N e e p e
Lei da ação das massas
22 00 Fi i F BB EE E E kT kT ii i i i i np n e p e n p n p
Semicondutor tipo P
Dopantes: Boro (B), Gálio (Ga) e Índio (In) A N conc en traç ão de ac eitadore s 0 iF iF BB EE EE kT kT Ai i pN p e n e iF F EE q Potencial de Fermi F e potencial térmico T 0.026 27 o B T kT Và te m pe ra tu ra de C q 0 F T Ai pN n e F T iA nN e 2 00 i np n 2 0 F T A nN e MOSFET de Canal N
Análisepreliminar com estrutura
de 3 terminais MB MG MC P otenciais de contato
Diagrama de bandas de energia com V
CB
=0 e V
GB
Tensão e banda plana V FB s FB MG MB ox V 0 0 FB MG MB ox Q V C 0 FB MB M G ox Q V C ox ox ox C capac itância por unidade de área t 0 Q carga por unidade de área
Polarização com V GB e V CB diferentes de zero Os potenciais de contato MB e MC
anulam o potencial de junção
pn+ GB GB F B VV V
Densidade de
cargas
em
uma certa posição
y
A yq p y n y N Condição de contorno em y
0 A qp n N 00 0 A pn N 00 0 A np p N Próximo à região de gate, os elétrons são atraídos pelo contato n+ e, portanto, a concentr ação é regida pela energia de F ermi do contato. Mais afastado do gate, a energia de Fermi do substrato comanda a concentração. 0 Fp i F BT EE kT ii nn e n e 2 0 FF TT iA A nN e n N e
Fn i FC B F C B Fn i F BB B B B EE q y q V qy q V qy EE q y kT kT kT kT k T ii i A n y ne ne ne N e e
2 CB F T Vy A ny N e
iF p i F p BB B T Eq y E E E qy y kT kT kT ii A py n e n e e N e Equação de Poisson E E 2 E Aplicando a equação de Poisson uni dimensional ao substrato
2 2 A ss qp y n y N yy y
2 2 2 CB F TT Vy y A AA ss qN e N e N yy y
2 2 2 1 CB F TT Vy y A s y qN ee y Como resolver a equação diferencial?
2 2 2 2 dy dy d y d dy dy dy dy
2 2 2 222 2 CB F TT Vy y A s yy y y y qN ee yy y y y
2 2 2 22 2 2 CB F TT Vy y A s yy yy y y y qN dy e e dy yy y y y
22 22 2 CB F C B F TT T T VV y y A TT T T s y qN ee e e y yy
0 y
0
2 2 2 2 CB F CB F TT T Vy Vy A TT T T s y qN ee e y y
2 2 2 CB F CB F TT T Vy Vy A TT T T s y qN ee e y y Definindo s = (0) como o potencialde superfície, o campo elétrico na interface é:
22 2 CB F s C B F s TT T VV A s TT T T s s qN Ee e e Na inversão s CB F V e F T portanto: 2 2 CB F s T V A s Ts s qN Ee Pela lei de Gauss
0 c s s s y Q EA A dy
cc s s s QQ E A 2 2 CB F s T V cs A T s Qq N e Aproximação Charge-Sheet As ca rg as QI na camada de inversão concentr am-se praticamente na super fície, enquanto o resto Q B distribui-se ao longo do substrato numa camada de depleção, com densidade qN A e comprimento dB . Para calcular Q B , basta conhecer o campo elétrico logo após a camada de inversão. A queda de potencial através da camada de inversão é desprezível, devido à espessura muito fina. Equação de Poisson
2 2 A s s y qN y
2 00 2 A s qN yy y
0 dB
0 s
2 0 2 A s s qN dB dB yd B 0
E 2 A s s qN dB E dB BA ss QA qN dB E AA 2 A As ss AqN dB qN dB A dB 2s s A dB qN 2 2 s B AA s A s s A Q A qN dB AqN A qN qN 2 B As s Qq N Conhecendo a carga total no substrato e a de depleção, podemos calcular as cargas na camada de inversão CI B QQ Q IC B QQ Q 2 2 CB F s T V Is A T s s Qq N e
GC QQ GB ox s V GC GB s s ox ox QQ V CC 2 2 CB F s T V sA GB T s s ox qN Ve C 2 2 CB F s T V sA GB F B T s s ox qN VV e C Potencial de superfície em função de V GB Inversão Forte Inversão Fraca 2 2 CB F s T V Is A T s s Qq N e
Densidade d e cargas n a região d e inversão forte Na região de inversão for te o potencial de super fície satura em s = 0 +V CB e a camada de inversão torna-s e ex tremamente condutiva, funcionando como a segunda placa do capacitor de gate. GB ox s V 0 s CB V 0 GB ox C B VV 00 GI B G B CB CB ox ox QQ Q VV V CC 0 22 B As s A s C B Qq N qN V
00 2 As Io x G B C B C B ox qN QC V V V C
00 2 As Io x G B F B C B C B ox qN QC V V V V C
00 Io x G B F B C B C B QC V V V V 2 A s ox qN C Algumas definições
00 T B F B CB CB VV V V
Io x G B T B QC V V TT B C B VV V 00 TF B C B VV V 0 0 CB TT V VV 00 0 TF B VV
00 0 TT C B VV V
00 0 TB T C B C B VV V V Densidade d e cargas n a região d e inversão fraca 2 CB F s T V Ts e 2 2 CB F s T V Is A T s s Qq N e 2 F CB s F C B VV 2 2 CB F s T V sA GB F B T s s ox qN VV e C GB FB s s VV 2 21 CB F s T V T Is A s s s e Qq N 2 21 2 CB F s T V T Is A s s s e Qq N 2 2 CB F s T V sA IT s qN Qe Expandindo V GB em torno de s =2 F +V CB até o termo de primeira ordem 22 1 2 22 GB FB F C B F CB s F C B FC B VV V V V V 22 2 1 22 GB FB F C B F CB sF C B FC B VV V V V V
22 1 22 22 GB F B F C B F C B T FC B VV V V V sA IT FC B qN Qe V
22 GB M T VV n sA IT FC B qN Qe V
22 M FB F C B F CB VV V V 1 22 FC B n V T ipos de corrente no canal 1 -C orrente de deriva I DS1 provocada
pelo movimento de cargas devido
ao
campo elétrico 2
-C
orrente de difusão I
DS2
provocada pelo gradiente de
concentração de cargas 12 D SD S D S I II Corrente total
Corrente de deriva (drift) vE II dQ Q dA Q W dy 1 DS I I I dQ dy I QW QW v Q W E dt dt 1 DS I I QW E 1 s DS I d IW Q dy
Corrente de difusão
, T x y J y
2 0 , I DS T T xy dQ IJ dS W dx W yd y
Corrente total I DS 12 D SD S D S I II s I DS T d dQ IW Q W dy dy D SI s T I I dy WQ d W dQ 00 0 sI sI LQ L L D SI s T I Q I dy W Q d W dQ
0 0 s s L DS I s T I I IL W Q d W Q L Q
0 0 s s L DS I s T I I WW IQ d Q L Q LL
1 0 s s L D SI s W I Qd L
2 0 DS T I I W IQ L Q L Precisamos de uma equação que relacion e Q ’ I com o potencial de superfície par a calcularmos a integral em I DS1GB ox s V IB GB s ox QQ V C 2 BA s s Qq N 2 As I GB s s ox ox qN Q V CC I GB F B s s ox Q VV C
I ox GB F B s s QC V V
1 00 ss ss LL D SI s ox G B F B s s s WW I Qd C V V d LL
33 22 22 1 12 00 0 23 DS ox G B F B s s s s s s W IC V V L L L L
2 0 DS T I I W IQ L Q L
I ox GB FB s s QC V V
2 00 DS ox T s s s s W IC L L L
33 22 22 1 2 2 20 12 12 00 0 23 00 00 DB F s T SB F s T DS ox G B F B s s s s s s DS ox T s s s s VL GB F B T s s V GB F B T s s DS DS DS W IC V V L L L L W IC L L L VV e L L VV e II I O conjunto de equações abaixo
representa o modelo completo, mas só tem
solução
Exemplo: Processo AMS0.35 0.026 T 0. 44 F 3 4.55 10 ox C 2 4.758 10 0.645
Limites da região de inversão
fraca com V SB =0 2 F sF GB F B s s VV 0.12 0.5 GB V
Correntes de
difusão
e
deriva
Na região de inversão
fraca domina a corr
ente de difusão, enquanto na inversão forte
3 2 2 12 , 23 GB ox GB FB T T gV x C V V x x x x Simetria entre dreno e source Definindo Podemos escrever
,, DS GB DB GB SB W Ig V V g V V L Aproximaçõespara a inversão forte
1 D SD S I I
0 0 s SB V
0 s DB LV
33 22 22 00 0 12 23 D S ox G B FB D B SB DB SB DB SB W I C V V VV VV V V L
33 2 22 00 0 12 2 23 DS ox GS SB F B D S DS D S SB DS SB SB W IC V V V V V V V V V V L Modelo referenciado ao source GB
GS SB VV V D BD S SB VV V
33 2 22 00 0 12 23 DS ox GS F B DS DS D S SB SB W IC V V V V V V V L Aproximação de segunda ordem em torno de V DS
2 2 00 0 12 3 3 23 2 8 DS DS ox GS F B D S D S SB DS SB V W IC V V V V V V L V
2 00 0 1 1 2 2 D So x G S F B SB D S D S SB W IC V V V V V L V
2 00 0 2 1 2 D So x G S T D S D S TF B SB SB W IC V V V V L VV V V Na região de triodo Na região de saturação
2 00 0 2 1 2 ox DS GS T TF B SB SB GS T DS sa t C W IV V L VV V V VV V Aproximações
para a inversão fraca referenciado ao source
2 D SD S I I
2 0 DS T I I W IQ L Q L
2 0 2 sS B F T V sA IT s qN Qe
2 2 sD B F T V sA IT s qN QL e
2 01 0 I DS T I I QL W IQ LQ 2 2 2 1 2 sS B F SB D B TT VV V sA DS T s qN W Ie e L s só depende de V GBGB FB s s VV Expandindo V GB em torno de s =2 F +V SB até o termo de primeira ordem
22 1 22 2 2 1 22 GB SB F F B F SB SB DB T FS B T VV V V VV V sA DS T FS B qN W Ie e LV
22 1 2 22 G B FB F SB F SB s F SB FS B VV V V V V 22 2 1 22 GB FB F SB F SB sF SB FS B VV V V V V
2 2 1 22 GS M DS TT VV V n sA DS T FS B qN W Ie e LV 22 M FF B F SB VV V 1 22 FS B n V Parâmetros 10 -3 23 19 10 11 1.06 10 cm 1. 38 10 1. 6 10 1.036 10 3.453 10 300.5K i B s ox nom n k q T BSIM3
6 ,0 10 0.0259 ln 0.5983 22 2 A F FBn p T H F F As ox ox ox ox NN C H NCH VV qN C C t 17 -3 0 2 0 3 NM OS 2.611 10 cm 0.497 4. 758 10 0. 44 0.988 4.558 10 0.645 TH F FB ox NCH VV V VV C 16 -3 0 2 0 3 PMO S 9. 24 10 cm 0.6915 1.482 10 0.413 0.496 4.453 10 0. 393 TH F FB ox NCH VV V VV C AMS 0.35 – 3.3VModelo EKV
Equação Básica da Corrente 0 F T i nn e
, , Fn i B EE q x y kT i nx y n e
, , F B Vy x y kT q i nx y n e
, 0 , T Vy q x y nx y n e
, , F TT Vy x y i nx y n e e
, di f T nx y Jq y Densidade de Corrente de Drift Densidade de Corrente de Difusão
(, ) , drif t dx y Jq n x y dy Elemento de Corrente de Drift Elemento de Corrente de Difusão
(, ) , drift dx y dI qW n x y dx dy
, dif T nx y dI qW dx y Densidade de Corrente To tal Elemento de Corrente To tal
,, , drif t dif J xy J x y J xy
, (, ) ,, DS T nx y xy dI x y qWdx n x y yy Fazendo a substituição
, 0 , T Vy q x y nx y n e
, (, ) ,, DS T nx y xy dI x y qW dx n x y yy
, 0 , 0 (, ) , T T Vy q x y Vy q x y DS T ne xy dI x y qWdx n e yy
, 0 , (, ) 1 1 , T Vy q x y DS T TT Vy x y xy dI x y qWdxn e yy y
,, DS Vy dI x y qW n x y dx y Integrando em x
0 , DS i Vy Vy Iy qW n x y dx W Q y yy
I DS
é constante ao longo do canal
DS i I dy W Q y dV y
00 D S VL V L DS i VV I dy WQ V y dV y
Charge-Based Model
0 D S VL V DS i VV W I QV y dV y L
D S V DS i V W I Qd V L
DD SS VV ii DS ox ox ox VV QQ W I Cd V dV LC C
A
integral que define a corrente pode ser dividida
em duas partes SD ii D SF R ox ox VV QQ I dV dV I I CC
É a co rr en te D ir et a É a corrent e R ev ers a S D i F ox V i R ox V Q Id V C Q Id V C
Onde Modos de Operação
Sa tur aç ão D ir eta S at uração R ev ers a T riodo D ir eto T riodo R ev er so FR FR FR FR II II II II
Aproximação para a Densidade de Cargas no Canal Uma vez conhecida a densidade de cargas Q i ’ no canal, a co rrente no canal fica totalmente deter minada. Mas para tal, é necessário realizar algumas apr oximações para a carga, de forma a viabilizar a integral que define a corrente. Equação que descreve a densidade de car gas de inversão no canal em função da tensão de gate e do potencial de superfície
IT B T B ss I ox G T B TB F B s s Io x G F B s s QQ y V V y yQ C V V VV QC V V A relação entr e VTB e s é quase linear . O parâmetro p é o potencial de pinch-of f, onde Q’ i =0 ou seja, V G =V TB .Cálculo do coeficiente angular da reta 1 2 TB s s V n Considerando n constante em toda gama de s , podemos linearizar a função V TB ( s )
GT B TB G p s ps VV nV V n
I ox G T B I ox s p QC V V Q nC
2Fs T V Io x T s s I ss QC e QQ y y VV y Mas Q ’ i também possui uma dependência com o potencial de canal V(y)Fazendo a substituição
I I ox s p s p ox Q Qn C nC 2Fs T V I ox T s s QC e 2 I pF ox T Q V nC II io x T p p ox ox QQ QC e nC nC Resolvendo a equação para 2 2 ln ln 2 2 pF p T II I I T ox T ox ox T T ox T V n QQ Q Q nC n C nC C
2 p F V Aplicando as normalizações 2 ˆ ˆ I i es p es p T ox T T T Q q Q Qn C V v
22 ˆ ˆˆ 2 2 ln ln 2 ˆˆ ˆ ˆ 22 ln 22 ˆ ln 2 ˆˆ pF i i i p i pF i i sh sh i p i nn vq q q q vq q v nn vq q Pode-se desprezar q’ i na expressão de v sh
2 ˆ ˆˆ 2 2 ln ln ˆ p Fi i p n vq q
ˆ ˆ 22 ln 2 ˆ ln ˆ p Fi i sh sh p vq q v n v Definindo ˆ ˆ 2 p pF sh vv
ˆ ˆ 22 ln p Fi i sh vq q v
2l n ii p qq v v Regiões d e O peração 1 i q 1 i q 1 i q Inversão Fraca p vv i qe Inversão Moderada Inversão Forte 2 p i vv q Estimativa para V p eV T0 Na região de inversão forte
00 0 00 0 0 2 Io x G T TF B F QC V V V V VV Pela aproximação da inversão forte pelo m odelo EKV 2 p i vv q
Io x p Qn C V V Desnormalizando Fazendo V=0
0 0 Io x G T ox p QC V V nC V 0 GT p VV V n Determinação de ∅
I ox G F B s s QC V V Na inversão for te, o potencial de superfície praticamente não var ia, sendo limitado ao valor ∅ , onde ∅ é ligeiramente m aior que 2∅ e V é o potencial de canal. Fazendo a tensão de pinch-of f igual a zero implica em fazer ∅ . Tomemos a equação da carga em função do potencial de superfície e a definição da tensão de pinch-of f. ˆ ˆ 2 p pF sh vv
00 Io x G F B QC V V Limite da inversão forte
2 p pF sh VV Desnormalizando 0 00 0 00 2 GT p GT p p F sh VV VV V V V n 0 2 Fs h V 2 ˆ ln ˆ shp n v Da equação de V sh com ∅ Desnormalizando 0 22 ln ln sh T p sh T nn VV
Uma estimativa razoável para V sh é considerar ∅ 2 ∅ dentro da raiz quadrada 0 2 Fs h V 00 2 2l n FT n 00 0 TF B VV , , SD SD ii D SF R ox ox VV i FR ox V QQ I dV dV I I CC Q Id V C
2l n ii p qq v v Determinação das C orrentes de Dreno e Source Conhecendo a equação da corrente e da carga, é possível deter minar as correntes de dreno e source
,, , , , 2 2 2 SD SD SD FR To x i i FR T i ox ox T Vv v I nC q Q I dV dv q dv CC n
, , , , 2 2 SD FR i v FR FR es p es p T iq dv I i I In
Normalizando a corrente Aplicando a derivada implícita à equação da carga
2l n ii p qq v v
2l n p ii vv dq q dv dv 11 21 2 ii i ii dq dq dv dq dv q dv q , , SD FR i v iq dv
1 2 i i dv dq q Aplicando a substituição de variável
, 0 , 21 iS D FR i i q iq dq
, 11 4 2 FR i i q Substituindo q’ i na equação da carga, mas considerando v a tensão nos extremos (source e dreno) Extraindo a carga ,, , 11 4 1 1 4 2l n 22 FR FR p SD ii vv 2 , FR i i iq q
, 2l n ii p S D qq v v
,, , 11 4 ln 1 1 4 ln 2 FR F R p S D ii v v
,, , 1 4 ln 1 1 4 1 ln 2 pS D F R F R vv i i Coeficiente d e Inversão e R egiões de Operação
,, , 1 4 ln 1 1 4 1 ln 2 pS D F R F R vv i i A corrente nor malizada i F,R é também conhecida como coeficiente de inversão, que por definição é:
max , m ax , F R F esp R esp ICi i I I I I Inversão Fraca – IC<<1 Neste caso, o termo logaritmo domina a equação da corrente ,, , 11 4 1 2 FR FR FR ii i
,, , , , , 1 2 ln 2 1 ln 2 2 ln ln p S D FR FR FR FR FR vv i i i i i , , p SD vv FR ie , , 0 pS D DS F R vv FR GT p ii i ie vv v n , , 0 2 2 p SD T DS F R VV FR es p GT p esp T II I II e VV V n In 0, 2 , 2 GT S D T DS F R VV nV n FR T II I In e Inversão Forte – IC>>1 Neste caso, o termo logaritmo é desprezível na equação da corrente ,, , 11 4 FR p S D F R iv v i
2 , , 4 pS D FR vv i
2 , , 0 4 DS F R pS D FR GT p ii i vv i vv v n
2 ,, 0 2 DS F R FR p S D GT p II I n IV V VV V n
2 ,0 , 2 DS F R FR G T S D II I IV V nV n Saturação D ireta 0 0 GT D pG T D D Ss at S VV VV V V nV V V n A saturação direta ocorre a partir do ponto onde a corrente reversa iguala-se a zeroSaturação R eversa 0 0 GT Sp G T S SD sa t D VV VV V V nV V V n A saturação direta ocorre a partir do ponto onde a corrente direta iguala-se a zero Interpolação As regiões de inversão fraca e for te são fáce is de representar analiticamente, pois as aproximações permitidas quando IC >>1 ou IC<<1 levam a equações simples. Entretanto, na região moderada, quando IC 1, não ex iste apr oximação possível. Uma for ma de tentar repres entar todas as regiões de operação numa única equação é a través de interpolação entre as equações da inversão fraca e forte. 2 , , 0 ln 1 ex p 2 pS D FR GT p vv i vv v n 2 , 2 , 0 2l n 1 ex p 2 pS D FR T T GT p VV In VV V n Desnormalizando
Resumo NMOS 0, 2 , 2 GT S D T VV nV n FR T In e