А А - А JOURNAL OF NANO- AND ELECTRONIC PHYSICS
6№ 4, 04026(4cc) (2014) Vol. 6 No 4, 04026(4pp) (2014)
2077-6772/2014/6(4)04026(4) 04026-1 2014
в фа а в в в ч Ag-Ge
г г б г г б г г *
Х ХХ Х ХВг гХ бХ гХ бХйбХл1еззХ бХ
Э жмгелгзежйр online 29.11.2014)
цg-ьe в
-
г в
г б в
– 100 б
г б б
ебн г
ч вы ва: б цg-Geб г
PACS numbers: 64.70.kd, 64.75.Bc, 73.61.At
*
в в в
г в
б б в
. в
, в
, г
г б в
в
.
в
б
[1] [2].
в
б в
г , б ex
situ б -
в
. б
в б б в б в
б
г в
in situ , г г б
в
[3-6].
б insitu
г
б in situ ,
в
в
[4, 5], в
в
б
.
в
в
б
, в
–
. in situ в
в
в
[6, 7].
б в
в
. б в
[6],
г б
б
в
г
2.
в
в
б Ag-Ge г
в
« » в
б
г
зйгк г % Ge
651 шг в
огл г% в
б
егж г%г б
в
[8].
г г , г г , г г г А - . . 6, 04026 (2014)
04026-2 ж·же– 7 г г .
( г 1)г
г
г в
- б
550 ° г
б в
б в
.
в
г в
100 б в
1,5-7 б
2-9 г %. в
жее б в
в
.
. 1– п 1 –
б з – б и – б
4 – б к –
в в г
- в
ж · – 1.
- б в
± 5 г в
± 0.1 г в
в
-б в
г в
10 б
б в
[9].
3.
гз
в
жее г б в
в
Э )
йке г зке
в
г кее в
,
550 г
б в
, б б
[10].
Ge
Agг , . 2
Ag ,
3 (й г % Ge). б зее
Ag-Ge в
г в
в
б
в
г в
,
275 г в
[6].
Ge, в
Ag, в
г
Ge Ag в
б б
380 в
б г г б
б
г в Ag-Ge
б в
г
. 2– в
Ag Э□) ьeЭй г %) / Ag
( п ▲– б ● – р п
∆– б ○ – )г –
100
в в
б зее б
в
Ag-Ge. б
б
- б
… г А - . . 6, 04026 (2014)
04026-3 в
б
-.
б в
в
Ag-Ge.
Ag-Ge
г б
Ag-(й г % Ge) 380 .
в
Ge. г 3
г б
б
б в
г
,
[6] б
, в
цg-Geг
0,8 г в
б б
б
в
[11].
. 3– цg-Ge [8].
○ –
б
б в
в
г
б
.
, in situ в
. б
б б
в
б г
Determination of Solid State Solubility of the Components in the Ag-Ge Film System
A.A. Minenkov, S.I. Bogatyrenko, A.P. Kryshtal
V.N. Karazin Kharkiv National University, 4, Svobody Sq., 61022 Kharkov, Ukraine
The efficiency of determination of solid state solubility of the components in the system with an eutec-tic type of interaction (Ag-Ge) by means of measuring the sample electrical resistance during thermal cy-cling has been shown. Film systems were formed in a vacuum by sequential condensation of components. The solubility curve of germanium in silver, obtained from the study of the samples with silver film thick-ness of 100 nm, is in good agreement with available literature data. The activation energy of grain-boundary diffusion has been estimated as 0,8 eV.
Keywords: Thin films, Ag-Ge system, Mutual solubility.
ач в фа ч в в в в Ag-Ge
г г є б гІг б г г
Х ХХ Х ХВг гХ бХ гХ бХйбХл1еззХ бХ
цg-ьe
- в
є г
г б в
– 100 б г в
б б ебн г
г г , г г , г г г А - . . 6, 04026 (2014)
04026-4
1. г г , Х Х Х
яХ ( гп п 1944).
2. г г б г г б г г б г г б
г г , А Х 280 No 4, 858 (1985).
3. G. Dehm, J.M. Howe, J. Zweck. In-situ Electron Microscopy: Applications in Physics, Chemistry and Materials Science (John Wiley & Sons: 2012).
4. . . , 84 № 9, 113 (2014)
(S.I. Bogatyrenko, Tech. Phys.59, 1374 (2014)).
5. A.P. Kryshtal, S.I. Bogatyrenko, R.V. Sukhov, A.A. Minenkov. Appl. Phys. A116, 1891 (2014).
6. A.A. Minenkov, S.I. Bogatyrenko, R.V. Sukhov, A.P. Kryshtal, Phys. Solid State56 No 4, 823 (2014). 7. S.I. Bogatyrenko, N.T. Gladkikh, A.P. ѐryshtal’б цгLг
Sam-sonik, V.N. Sukhov, Phys. Met. Metallogr. 109 No 3, 255
(2010).
8. H. Okamoto, Desk Handbook. Phase Diagrams for Binary Alloys (ASM International: 2000).
9. Thin Films: Interdiffusion and Reactions (Ed. by J. Poate, K. Tu, J. Mayer) (Wiley: New York: 1978).
10. J. Petersen, S.G. Mayr, J. Appl. Phys.103, 023520 (2008).
11. г . , Э Х я яХ Х Х ё
