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Estudo de transistores de porta tripla de corpo

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Academic year: 2017

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Figura 1  – Distribuição das cargas de depleção em transistores de tecnologia MOS (a) e de  tecnologia SOI totalmente depletado (b) em relação ao comprimento do canal 12
Figura 4  – Curva I D  versus V G  indicando as curvas A: Inclinação de sublimiar normal; B:
Figura 5  – Curva I D  versus V G  de um MOSFET de canal tipo-n indicando o efeito GIDL 18
Figura 6  – Densidade espectral do ruído normalizado pela corrente de dreno ao quadrado (Sid/I D 2
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