• Nenhum resultado encontrado

Caractérisations structurale et optique de bicouches Cd1-yZnyS/CuPc :

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2023

Share "Caractérisations structurale et optique de bicouches Cd1-yZnyS/CuPc :"

Copied!
9
0
0

Texto

(1)

407

REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUÉE

Caractérisations structurale et optique de bicouches Cd1-yZnyS/CuPc :

mise

en

évidence d’un effet photovoltaïque

M. A. Ben

Said (*),

S.

Belgacem,

M. Dachraoui

(**),

R. Bennaceur et H. Bouchriha

Laboratoire de Physique de la Matière Condensée, Faculté des Sciences de Tunis, Campus Universitaire, 1060 Tunis, Tunisie

(*) Département de

Physique.

Ecole Normale Supérieure de Bizerte, Tunisie

(**)

Département de Chimie. Faculté des Sciences de Tunis, Tunisie

(Reçu le 4 mars 1985, révisé les 25 novembre 1985 et 7 mars 1986, accepté le 8 avril 1986)

Résumé. 2014 Nous avons étudié les propriétés structurales et optiques de bicouches de sulfure mixte de cadmium et de zinc

(Cd1-yZnyS)

et de

phtalocyanine

de cuivre (CuPc) afin de réaliser une hétérojonction

Cd1 -yZnyS/CuPc susceptible

d’être utilisée en conversion

photovoltaïque.

L’étude par microscopie électronique à

balayage

et par rayons X des couches de

Cd1-yZnyS

nous a

permis

d’atteindre leur morphologie et d’optimiser leur composition

en vue d’une meilleure cristallinité. L’étude optique de ces couches a

permis

de déterminer leur largeur de bande

interdite

Eg

ainsi que son évolution en fonction de la concentration en zinc (2,45 eV

Eg

2,55 eV). Les mêmes

études menées sur les couches de CuPc ont montré leur bonne

homogénéité

et leur structure unidimensionnelle et ont

permis

de mesurer leur indice de réfraction, leur

permittivité (03B5~

= 5,42) et leur

largeur

de bande interdite

(1,64 eV). Enfin l’étude des

caractéristiques

I-V sur des cellules formées de ces bicouches

disposées

entre deux

contacts d’or et

d’oxyde

d’étain dopé au fluor

(SnO2 : F/Cd1-yZnyS/CuPc/Au)

met en évidence un effet photo-

voltaïque

à faible rendement de conversion énergétique (~ ~ 0,06 %).

Abstract. 2014 We have studied structural and optical properties of

bilayers

formed with mixed zinc and cadmium sulfide

(Cd1-yZnyS)

and of copper

phtalocyanine

(CuPc) in order to realize a

Cd1-yZnyS/CuPc heterojunction

which could be used in

photovoltaic

conversion. Scanning electron

microscopy

and X ray studies of

Cd1-yZnyS

layers allowed us to reach their

morphology

and to optimize their composition in sight of a better

cristallinity.

Optical study of these layers permit the determination of their band gap

Eg

and its evolution as a function of zinc concentration (2.45 eV

Eg

2.55 eV). The same studies performed on CuPc layers show a good

homogeneity

and a unidimensionnal structure and allowed to measure the refraction index, the

permittivity (03B5~

= 5.42) and the

band gap (1.64 eV).

Finally,

the I-V characteristics studies of the cells using these

bilayers

between metallic contacts of gold and fluor

doped

tin oxide

(SnO2 : F/Cd1-yZnyS/CuPc/Au)

exhibit a photovoltaic effect with a weak energy conversion

efficiency

(~ ~ 0,06 %).

Revue Phys. Appl. 21 ( 1986) 407-415 JUILLET 1986,

Classification Physics Abstracts

72.40 - 71.35

1. Introduction

L’objet

de ce travail est la mise en évidence d’un effet

photovoltaïque

dans une cellule mixte formée par la

juxtaposition

d’une couche de sulfure mixte de cad- mium et de zinc

(Cd1_yZnyS)

et d’un semiconducteur

organique (CuPc) disposés

en couches minces entre deux contacts conducteurs.

Le choix de cette structure est motivé par le fait que les deux matériaux

pris

individuellement ne se

prêtent

pas efficacement à la conversion

photovol- taïque :

en

effet,

la couche de sulfure mixte de cad- mium et de zinc bien

qu’ayant

de bonnes

propriétés

de

transport [1] est,

à cause de sa

large

bande

interdite, transparente

dans le visible.

Inversement,

la

phtalo- cyanine

de

cuivre,

tout en ayant une forte

absorption

Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:01986002107040700

(2)

dans le

visible,

est caractérisée par une faible mobilité de porteurs de

charges [2].

L’association de ces deux matériaux

pourrait

donc donner lieu à un meilleur effet

photovoltaïque.

Afin d’évaluer les

possibilités

d’utilisation de ces

bicouches dans la conversion

photovoltaïque,

nous

avons étudié les

propriétés

structurales et

optiques

des

couches individuelles et de la bicouche. Ces études

nous ont

permis

de contrôler à la fois le mode de fabri- cation de ces matériaux et d’en déduire des

paramètres importants

pour la caractérisation

photovoltaïque.

Dans cette

étude,

nous avons limité la concentration y en zinc à l’intervalle

0 y 0,2;

pour des teneurs

plus élevées,

les couches de

Cd1_yZnyS

deviennent

inhomogènes

et très rugueuses,

présentant

ainsi une

mauvaise

qualité optique.

2.

Techniques

d’élaboration.

2.1 COUCHE DU SULFURE MIXTE DE CADMIUM ET DE zINC. - Les couches

Cl, - ZnyS

ont été

préparées

par

pulvérisation

réactive sans air

[3]

sur un substrat

chauffé en verre ordinaire

(25

mm x 20 mm x

3

mm)

d’une solution contenant des sels de cadmium et de zinc et un

composé

soufré. A la différence de la

pulvérisation classique [4],

il

n’y

a pas de gaz

qui

accompagne

l’aérosol;

la

pulvérisation

se faisant

directement à l’aide d’un

pistolet

à

peinture (type wagner).

Pour la formation des

couches,

la solution à

pulvé-

riser est

obtenue,

dans les

proportions désirées,

à

partir

des solutions mères

(0,4 M) préalablement

chauffées à 60 OC de thiourée

(SC(NH2)2),

de chlorure de cadmium

(CdCl2)

et de chlorure de zinc

(ZnC’2).

La réaction

globale

de formation des couches sur

le substrat est :

La

température

de substrat est stabilisée à 420 °C et le débit de

pulvérisation

est de l’ordre de 20

ml/min.

Les couches étudiées ont une

épaisseur

variant de 1 ym

à 4 03BCm.

2.2 COUCHE DE PHTALOCYANINE DE CUIVRE. - Les couches minces de

phtalocyanine

de cuivre sont

pré- parées

par

évaporation thermique

sous vide

(10- 6 torr)

à

partir

du

produit

en

poudre

très pur. Elles sont

déposées

soit directement sur du verre soit sur la couche de

Cd1 - yZnyS.

Elles ont une

épaisseur

variant

de

0,2

gm à 1 03BCm.

2.3 RÉALISATION DE LA STRUCTURE PHOTOVOLTAÎQUE.

- Pour la réalisation de la cellule

photovoltaïque,

on

dépose

par la même

technique

de

pulvérisation

une

couche

transparente

et conductrice

(0,5 gm) d’oxyde

d’étain

dopé

au fluor

(Sno2 : F)

sur du verre ordinaire

servant comme contact avant. Cette couche constitue

le substrat de la bicouche

Cd1-yZnyS/CuPc.

Une

couche mince d’or

(700 A)

est

déposée

en dernière

étape

par

évaporation thermique

sous vide

( 10 - 6 torr)

constituant ainsi le contact arrière de la

photopile (Fig. 1).

Fig. 1. - Vue de la cellule CdS/CuPc. (a) Vue de profil;

(b) Vue de face.

[View of CdS/CuPc

cell; (a) Side View; (b) Front

View.]

3. Caractérisation structurale des couches.

3.1 COUCHES DE

Cd 1 _ yZnyS.

- La

microanalyse

des couches minces de

Cd1 - yZnyS déposées

sur verre

a été réalisée à l’aide d’une microsonde de

Castaing (1 - Y) (JSMU 3)

munie d’un

système d’analyse

des rayons X en

dispersion d’énergie.

Cette

analyse

a

montré que la

concentration y

en zinc des couches minces est inférieure à la

concentration y

de la solu- tion à

pulvériser (Tableau I).

Ce résultat est en accord

Tableau I. -

Comparaison

des

compositions

y en zinc dans la solution et dans la

couche,

valeurs des para- mètres de réseau

(a, c)

et de la

largeur

L des

pics

d’orien-

tation pour

diflérentes compositions

y

(Cd1_yZnyS).

[Comparison

of Zn

composition

in the solution and in the

layer,

lattice

parameters (a, c)

values and width L of the

pics

orientation for different

compositions

y( Cd1 - yZnyS). ]

(3)

avec celui

publié

par Bube et al.

[5].

L’écart relatif entre y

(solide)

et y

(solution)

semble

dépendre

essen-

tiellement de la

technique

utilisée.

Nous avons

également

étudié la

morphologie

des

couches par

microscopie électronique

à

balayage (JSM 35).

On remarque

(Fig. 2)

que pour les faibles concentrations de zinc la croissance des couches est colonnaire et la taille des

grains

est voisine de 1 gm, et pour des concentrations

plus

élevées

(y

=

0,17)

la

taille des

grains

diminue et la structure colonnaire

disparaît.

Ces résultats sont

proches

de ceux observés

sur des couches obtenues par

pulvérisation

pneuma-

tique [6].

Fig. 2. - Micrographies par

balayage

des couches de

Cd, - yZnYS.

A. Balayage en surface = a (CdS, e = 2 gm);

b (Cdo,sZno,2S, e

= 4nm); B. Balayage en tranche = a (CdS; e = 2 pm) ;

b(Cdo,8Zno,2S, e

= 4 gm).

[Scanning

micrographs of

Cd! - yZnyS

layers. A. Scanning

of the surface = a (CdS, e = 2 lim),

b (Cd,.8ZnO.2S, e

=

4 gm); B. Scanning of the slice = a (CdS, e = 2 um) ;

b(CdogZno.2S,

e = 4

03BCm).]

Enfin on a étudié la structure

cristallographique

des couches par diffraction des rayons X en utilisant

un diffractomètre à source de cobalt dont la raie d’émission Ka a une

longueur

d’onde À =

1,79202 A.

On constate que la couche mince de sulfure de cad- mium cristallise sous sa forme

allotropique hexago-

nale

(type Wurtzite)

avec une orientation

préféren-

tielle

(002),

la forme

cubique

à faces centrées étant absente. L’introduction du zinc ne modifie pas cette structure

jusqu’à

des

concentrations y

=

0,4,

au-delà de cette limite la cristallinité et l’adhérence des couches deviennent mauvaises. Par ailleurs la hauteur des

pics

de l’orientation

(002)

diminue

lorsque

la

proportion

en zinc augmente, inversement la

largeur

à mi-hauteur

L de ces

pics

croît

quasi-linéairement

avec cette con-

centration

(Tableau I).

Les

paramètres

de réseau a et c

diminuent

lorsque

la concentration en zinc augmente.

Cette variation est conforme à la loi

théorique

de

Végard

relative aux solutions solides

[7, 8].

3.2 COUCHES DE CuPc. - La

figure

3

(a

et

b)

montre

les

micrographies

obtenues par

microscopie

électro-

nique

à

balayage

d’une couche de

phtalocyanine analysée

en surface et en volume. On y observe une

bonne

homogénéité

et une croissance en

aiguille caractéristique

d’une structure unidimensionnelle

déjà

propre au cristal

[9].

Cette structure est conforme à

ce

qui

a été

déjà

observé

[10]

par

microscopie

élec-

tronique

à transmission où on observait une structure

en couches

régulières

et

équidistantes évoquant

un

ordre local et une

symétrie

unidimensionnelle.

3. 3 BIcoucHs

Cd1_yZnyS/CuPc.

-

L’analyse

en

volume par M.E.B. d’une bicouche

Cd1_yZnyS/CuPc

réalisée sur un substrat

(Fig. 3c)

montre une bonne

adhérence de la couche de

phtalocyanine

sur

Cd, -yZnyS,

les deux couches conservant leur

morpho- logie

individuelle. Néanmoins on observe une

légère pénétration

de l’or dans la couche de CuPc.

Fig. 3. -

Micrographies

par

balayage :

(a) en surface

d’une couche de CuPc (e = 0,7 pm) ; (b) en tranche d’une couche de CuPc (e = 0,7 03BCm) ; (c) en tranche d’une bicouche CdS/CuPc (3,5 pm/0,7 gm).

[Scanning

micrographs : (a) Scanning of the surface of CuPc layer (0.7 gm); (b) Scanning of the slice of CuPc layer (0.7 gm); (c) Scanning of the slice of CdS/CuPc

bilayer

(3.5 um/0.7

03BCm).]

4. Caractérisation

optique

des couches.

4.1 MODE OPÉRATOIRE. - Les spectres de transmis- sion

T(À.)

et de réflexion

R(Â)

des différentes

couches,

(4)

déposées

sur verre, ont été effectuées en incidence normale au moyen d’un

spectrophotomètre

« Beck-

man UV 5240 »

équipé

d’une

sphère intégratrice (Acta

UV

520) qui permet

de tenir compte de la diffu- sion de la lumière par les couches. Les mesures de

T(À)

et

Jazz)

ont été effectuées à la

température

ambiante

dans un domaine

spectral

s’étendant de

0,4

à

2,5

g et en prenant comme

référence,

l’air pour la transmis- sion et le sulfate de

baryum (BaS04)

pour la réflexion.

L’analyse

de ces

spectres permet

en

principe

d’at-

teindre l’indice de réfraction

n(À)

des

couches,

leur

coefficient d’extinction

k(03BB),

leur coefficient

d’absorp-

tion

03B1(03BB),

leur constante

diélectrique

Boo’ leur

épaisseur

e et la

largeur

de leur bande interdite

E. [11 ].

Ainsi pour des

épaisseurs

de couches où le coeffi- cient de réflexion

R( À)

et le coefficient de transmission

T( À) présentent

des oscillations

interférentielles,

il est

possible

d’atteindre les

paramètres optiques

à

l’aide

de formules

simples [12]

en se

plaçant

dans des

régions gouvernées

par un mécanisme

particulier d’absorp-

tion : .

e

Région d’absorption

moyenne : Dans la

région d’absorption

moyenne

(n’ » k2)

et

lorsque

l’indice

de

réfraction n.

du substrat est inférieur à l’indice de réfraction n de la

couche,

la réflexion à l’interface couche-substrat est

négligeable

et on

peut

écrire

(no

= 1

(air) ; ks

=

0).

e

Région

de faible

absorption :

dans cette

région (oee 0,1),

l’indice de réfraction de la couche mince varie très peu avec la

longueur

d’onde

( 2013 = 2013

=

0 )

et sa valeur

approximative

est donnée par :

L’épaisseur

de la couche est alors reliée à cet indice par la relation :

RM

étant la valeur du coefficient de réflexion à un

maximum de

R(À.)

et N est un nombre entier déter- minant l’ordre d’interférence à la

longueur

d’onde

où R est maximum.

e

Région

l’absorption

est dominée par les por- teurs libres : dans cette

région (0)2 . -r2

>

1)

la relation de

dispersion prend

la forme :

r étant le temps moyen de collision des

porteurs libres,

cv et 03C9p les

pulsations

de la lumière excitatrice et du

plasma,

800 la constante

diélectrique

du matériau.

Enfin,

dans le cas d’un semi-conducteur à gap direct la

largeur

interdite est reliée au coefficient

d’absorp-

tion par

[13] :

où B est une constante.

4.2 SPECTRE DE TRANSMISSION ET DE RÉFLEXION. - On

a

représenté

sur les

figures 4, 5, 6,

7 les spectres de transmission et de réflexion

respectivement

de la

couche

d’oxyde d’étain,

de la couche du sulfure de

cadmium,

de la couche de

phtalocyanine

et de l’en-

semble :

- La couche de

Sn02, qui joue

à la fois le rôle de substrat et de contact, est

pratiquement transpa-

rente dans le visible.

- La couche de CdS est

également transparente

dans le visible mais

présente

néanmoins un

grand pouvoir

de diffusion. Dans la

région

de faible

absorp-

tion

T(/L)

et

R(À.)

ne

présentent

pas de

franges

d’inter-

férence à la différence des couches de même

épaisseur préparées

par

évaporation thermique [14].

- Pour la

phtalocyanine

on observe une très faible transmission dans le visible et des

franges

d’interfé-

rences

présentes

aussi bien en transmission

qu’en réflexion,

le

pouvoir

de diffusion est

négligeable

ce

qui

met en évidence

l’homogénéité

de ces couches.

Fig. 4. -

Spectres

de transmission et de réflexion d’une couche mince de

Sn02 :

F (e = 0,5 pm).

[Transmission

and reflection spectra of an

SnO2 :

F layer (e = 0.5

um).]

(5)

Fig. 5. -

Spectres

de transmission et de réflexion d’une couche de CdS (e = 2 um).

[Transmission

and reflection spectra of a CdS layer (e =

2

ém).1

Fis 6. -

Spectres

de transmission et de réflexion d’une couche de CuPc (e = 0,7 pm).

[Transmission

and reflection spectra of a CuPc layer (e = 0.7

gm).]

- Pour l’ensemble

Sn02/Cdl _yZnyS/CuPc

on

remarque que la transmission est faible dans le visible et que le

pouvoir

de

diffusion,

élevé pour

CdS,

se trouve

considérablement réduit.

Sur la

figure

8 on a

représenté

les

spectres

de trans- mission confinés à la

région 0,3 gm-0,8

gm des couches

d’oxyde d’étain,

de

CdS,

de

phtalocyanine

ainsi que le

spectre

de l’ensemble. On remarque que

l’adjonction

de la

phtalocyanine

compense la

transparence

de CdS

et rend ainsi la cellule absorbante dans le visible.

Fig. 7. - Spectres de transmission et de réflexion d’une multicouche de

Sn02 : F/CdS/CuPc

(0,5 pm/2 03BCm/0,7 lim).

[Transmission

and reflection spectra of a

SnO2 :

F/CdS/

CuPc multilayer (0.5 pm/2 03BCm/0.7

gm).]

Fig.

8. - Spectres de transmission confinés à la région 0,3 pm-0,8 um des couches

SnO2 :

F (2013’2013), CdS

(· · · ·),

CuPc (---) et de l’ensemble

Sn02 F/CdS/CuPc ( ).

[Transmission

spectra confined in the 0.3 ktm-0.8 pm region

of

layers

of

SnO2 :

F (2013’2013), CdS (e e e e), CuPc

(---)

and

of

SnO2 : F/CdS/CuPc

( )

multilayer.]

4.3 CONSTANTES OPTIQUES ET

ÉLECTRONIQUES

DES

COUCHES.

4. 3 .1 Couche de

Cd1 - yZnyS.

-

L’application

des

formules

(1)

et

(2)

dans la

région d’absorption

moyenne

nous permet de déterminer le coefficient

d’absorption ce(À)

et d’atteindre ainsi à l’aide de la relation

(6)

la

largeur

de la bande interdite ainsi que son évolution

en fonction de la concentration de zinc. Sur la

figure

9

on a

représenté

les variations de

a2

en fonction de

l’énergie

hv des

photons

incidents pour les trois con-

(6)

Fig. 9. - Variation de a2 en fonction de l’énergie hv pour différentes

compositions y

des couches de

Cd! - yZnyS.

[Variation of a2 as a function of the energy hv for different

compositions of

Cd! - yZnyS

layers.]

centrations : y

=

0; 0,095

et

0,17.

Les valeurs de

Eg

obtenues sont

représentées

sur la

figure

10 on a

porté également

les résultats des travaux effectués sur des couches similaires

préparées

par

pulvérisation

avec

air

[5,15, 16]

et par

évaporation thermique [8].

Dans la

région

de

composition

considérées

(0 y 0,2)

les valeurs de

Eg

des couches

fabriquées

par les trois méthodes suivent la même loi de variation en fonction de la concentration en

zinc,

ces valeurs sont assez

voisines pour une concentration déterminée

(Ta-

bleau

II),

l’écart relativement

important

pour y = 0 est réduit pour les

plus grandes

concentrations.

Tableau II. - Variation de la bande interdite

Eg

en

fonction

de la

composition

y en zinc des couches de

Cd1 - yZnyS fabriquées

par

différentes techniques.

[Variation of band-gap

width

Eg

as a function of the Zn

composition y

of

Cd1 - yZnyS layers

elaborated with different

techniques.] 1

Fig. 10. - Variation de la largeur interdite

Eg

en fonction

de la composition y des couches de

Cd! - yZnyS. 8

Nos résul-

tats : Pulvérisation

chimique

sans air (T, = 420 °C, 1 pm 5

e 4 um) ; x Réf. [8] :

évaporation

thermique (p = 3 x 10- 6 torr, e = 0,5 pm) échantillon recuit à 450 °C pendant

15 min ; 0 Réf. [5] :

pulvérisation

chimique avec air

(T.

= 450 °C, e = 2um); A Ré£ [15] :

pulvérisation chimique

avec air (0,5 pm e 10 pm); 1 Réf. [16] :

pulvérisation

chimique avec air

(Tg

= 430 °C, e = 5 gm).

[Variation of band-gap

width

Eg

as a function of the compo-

sitiony of the

Cd, - yZnYS

layers. e Our results : air less spray

(Ts

= 420 °C, 1 pm e 4 pm) ; x Réf. [8] : thermal evaporation (p = 3 x 10-6 torr, e = 0.5um) annealed sample at 450 °C

during

15 min) ; 0 Réf. [5] : spray pyrolysis

with air

(Ts

= 450 °C, e

= 2nm); A

Réf. [15] : spray

pyrolysis

with air (0.5 03BCm e 10 gm); Àà Réf. [16] :

spray

pyrolysis

with air

(T.

= 430 °C, e = 5

um).]

4. 3.2 Couches de

phtalocyanine.

- Pour les

grandes longueurs

d’onde

(À > 1 ym)

la transmission de la couche de

phtalocyanine

est forte

(Fig. 6)

et son

absorption

est faible. Dans cette

région

l’indice de réfraction n est

pratiquement indépendant

de la

longueur

d’onde

(n ~ 2,05)

comme le montre la

figure

11 où n a été déterminée à

partir

des

spectres

de réflexion et des relations

(1)

et

(3).

Sur la

figure

12 on a

représenté

la variation

de n2

en fonction de

À. 2 ;

la

dépendance

linéaire conforme à celle

prédite

par la relation

(5) permet

d’obtenir la valeur de la

permittivité

800 de la couche mince de

phtalocyanine qu’on

trouve

égale

à

5,42.

Dans le domaine du visible la couche est fortement absorbante comme le montre la

figure

13

représentant

(7)

Fig.

11. - Variation de l’indice de réfraction n en fonction de la

longueur

03BB d’une couche de CuPc.

[Variation of the refractive index n as a function of wave-

length

of CuPc layer.]

Fig. 12. - Variation de n2 en fonction de À 2 d’une couche de CuPc.

[Variation of n2 as a function of À 2 of a CuPc layer.]

Fig. 13. - Variation du coefficient d’absorption a en fonc-

tion de la longueur d’onde À d’une couche de CuPc. z Nos résultats ; ... Régi [10] ; --- Ré£ [17].

[Variation

of the

absorption

coefficient a as a function of the

wavelength

of a CuPc layer. -·- Our results ; ... · Ref [10] ; --- Ref

[ 17]. ]

Fig. 14. - Variation de oc’ en fonction de l’énergie hv d’une

couche de CuPc.

[Variation

of a2 as a function of the energy h v of CuPc

layer.]

le spectre

d’absorption

déduit des mesures de trans- mission. Ce

spectre

est conforme à celui obtenu direc- tement par Yamamoto

[17]

et Khelifi

[10].

On atteint

ainsi un coefficient

d’absorption

de l’ordre de

105 cm-1

confirmant la

grande absorption

de la couche.

La variation de

a2

en fonction de

l’énergie

hv

(Fig.14)

nous a

permis

d’obtenir la valeur de la

largeur

de bande interdite

Eg

=

1,64

eV.

5. Effet

photovoltaïque.

Nous avons

représenté

sur la

figure

15 un modèle de

bande de

l’hétérojonction CdS/CuPc

à l’obscurité obtenu à l’aide des valeurs de

Eg

déterminées dans ce

travail et d’autres

paramètres reportés

dans la littéra- ture

[18, 19].

On remarque l’existence d’une barrière de

potentiel

de hauteur

0,7 V

à l’interface

CdS(n)/

CuPc(p).

La

présence

de cette barrière ainsi que la bonne

absorption

de la bicouche

CdS/CuPc

dans le

visible

peuvent permettre

en

principe

la manifestation d’un effet

photovoltaïque

dans

l’hétérojonction.

Pour mettre en évidence cet effet nous avons étudié les

caractéristiques

courant-tension de la cellule mixte formée par

l’hétérojonction (Sn02 : F/CdS/

CuPc/Au)

et des cellules individuelles

(Sn02 : F/CdS/

Au) et (Sn02 : F/CuPc/Au).

(8)

Fig. 15. - Modèle de bande proposé de l’hétérojonction CdS/CuPc (obscurité).

[Proposed

band model of a CdS/CuPc

heterojunction (dark).]

Sur la

figure

16

(a, b,

c,

d)

on a tracé

respectivement

les

caractéristiques

1 V à l’obscurité et sous éclaire- ment

(16a, b)

de la cellule mixte ainsi que les carac-

téristiques

1 V sous éclairement des cellules indivi- duelles

(16c, d);

les trois types de cellules étant fabri-

quées

dans les mêmes

conditions,

avec les mêmes

épaisseurs

des contacts et des couches et sont éclairées de la même

façon

avec une lumière solaire d’intensité 100

mW/cm2.

On remarque que la cellule réalisée par

l’hétérojonction

est

plus performante.

En attribuant aux cellules un schéma

équivalent

à

une seule

diode,

le courant I débité sous une tension

appliquée

V est de la forme :

Fig. 16. -

Caractéristiques

courant-tension des cellules :

a)

SnO2 : F/CdS/CuPc/Au :

à l’obscurité; b)

Sn02 : F/CdS/CuPc/Au :

éclairée côté

Sn02 :

F; c)

Sn02 : F/CdS/

Au : éclairée côté

SnO2 :

F; d)

Sn02 :

F/CuPc/Au : éclairée

côté

SnO2 :

F.

[I-V Characteristics of the cells. - a)

SnO2 : F/CdS/CuPc/

Au : in darkness ; b)

SnO2 :

F/CdS/CuPc/Au : illuminated

on

SnO2 :

F si de ; c)

SnO2 :

F/CdS/Au : illuminated on

Sn02 :

F side; d)

SnO2 :

F/CuPc/Au : illuminated on

Sn02 :

F side.]

Iph, Is, l§, Rsh

et A sont

respectivement

le

photo-

courant, le courant de saturation

inverse,

les résis-

tances série et shunt et le facteur de

qualité.

Nous avons déterminé ces

paramètres

ainsi que le rendement en

énergie

des diverses cellules à l’aide de la méthode

développée

par Charles et al.

[20].

Les

paramètres

obtenus donnant le meilleur accord avec

l’expérience

sont

reportés

dans le tableau III.

Le

photocourant Iph

de la cellule mixte est nette- ment

supérieur

à celui des cellules individuelles. Cela est dû essentiellement à la meilleure

absorption

de la

bicouche

CdS/CuPc

dans le visible.

Pour les cellules individuelles la valeur du facteur de

qualité

de l’ordre de

1,27

montre que le processus de

transport

par diffusion est

prédominant.

Alors que dans

l’hétérojonction (A

=

1,55)

on assiste en

plus

à une contribution

plus importante

du processus de

génération-recombinaison.

Tableau III. - Paramètres

photovoltaïques

des cellules

Sn02 : F/CdS/Au, Sn02 : F/CuPc/Au

et

Sn02 : F/CdS/

CuPc/Au.

[Photovoltaic parameters

of the

SnO2 : F/CdS/Au, Sn02 : F/CuPc/Au

and

Sn02 : F/CdS/CuPc/Au cells.] ]

(9)

La résistance série de la cellule

mixte,

bien que

plus

faible que celle de la cellule

CdS/Au,

demeure encore

importante

et limite le facteur de forme et par la même le rendement.

La réduction notable de la résistance shunt de la cellule mixte

(300 Q)

montre

qu’il

y a une fuite

impor-

tante

qui pourrait

vraisemblablement être due à la

pénétration

de l’or dans la couche de CuPc. Ce

qui

est

conforme

à ce

qui

a été observé par M.E.B.

(Fig. 3c).

Le rendement de la cellule mixte est

légèrement supérieur

à celui des cellules individuelles et est du même ordre de

grandeur

que celui obtenu par

Loutfy

et al.

[21 ] pour

des structures similaires.

Cependant

ce

rendement

peut

être amélioré

davantage

en réalisant

un meilleur contact

ohmique

et en diminuant les fuites par un recuit

préalable

de la couche de CdS et de la bicouche

CdS/CuPc.

6. Conclusion

En vue de réaliser une structure

photovoltaïque

utili-

sant une

hétérojonction CdZnS/CuPc

nous avons

étudié les

propriétés

structurales et

optiques

des

couches individuelles de sulfure mixte

(CdZnS)

et de

phtalocyanine

de cuivre

(CuPc).

On a montré que la concentration de zinc

joue

un

rôle

important

dans la structure

morphologique

et

qu’une

teneur

critique

de

o,17

ne doit pas être

dépassée

pour obtenir des couches

homogènes

et non rugueuses.

L’adjonction

du colorant

organique qui présente

un gap de

1,64

eV compense la

transparence

du

Cd1 - yZIlyS

dans le visible et rend

l’hétérojonction plus

absorbante dans ce domaine.

Un modèle de bande pour

l’hétérojonction CdS/

CuPc a été

proposé

et a mis en évidence une barrière

de

potentiel

de l’ordre de

0,7

V

propice

à la manifes- tation d’un effet

photovoltaïque.

Ceci a été confirmé par l’étude de la

caractéristique

I V

qui

montre que l’association de ce colorant à la couche de CdS améliore le rendement de conversion

énergétique.

Les rendements sont encore faibles mais des amélio- rations

importantes peuvent

être

apportées

en faisant

une étude

systématique

des différents

paramètres

de

la cellule :

optimisation

des

épaisseurs

des couches et des contacts,

optimisation

de la concentration en

zinc,

recherche d’autres

types

de contacts et meilleur contrôle de l’interface.

Enfin d’autres

techniques

de caractérisation

(photo- capacitance, réponse spectrale, ...)

sont nécessaires pour mieux

comprendre

le fonctionnement de la cellule et de modéliser son élaboration.

Remerciements.

Nous remercions M. le Professeur Savelli

(U.S.T.L., Montpellier), qui

nous a

encouragé

à

entreprendre

cette étude et nous a

permis

d’effectuer certaines

mesures dans son

laboratoire,

ainsi que Mrs Z.

Fakhfakh et M. Abdelkrim

(Faculté. des

Sciences de

Tunis)

pour leurs collaborations.

Bibliographie [1] BURTON, L. C. and HENCH, T. L., Appl.

Phys.

Lett. 29

(1976) 616.

[2] Cox, G. A. and KNIGHT, P. C., J.

Phys.

C : Solid State

Phys.

7 (1974) 146.

[3]

LEVART, M., THIEBAUT, B. and VEDEL, J., Int. J. Solar

Energy 1

(1983)

451.

[4]

CHAMBERLIN, R. R. and SKARMAN, J., J. Electrochem.

Soc. 113 (1966) 86.

[5] FEIGELSON, R. S., N’DIAYE, A., SHAIW-YIH YIN and

BUBE, R. H., J. Appl.

Phys.

48 (1977) 3162.

[6] BELGACEM, S., Thèse de Doctorat de 3e

cycle,

Mont-

pellier (1981).

[7] CHERIN, P., LIND, E. L. L. and DAVIS, E. A., J. Electro- chem. Soc.

(1970)

233-236.

[8] KANE, W. M., SPRATT, J. P., HERSHINGER, L. W. and KHAN, I. H., J. Electrochem. Soc. 113 (1966) 136.

[9] ROBERTSON, J. M., J. Chem. Soc.

(1935)

615 (1936)

1195.

[10] KHELIFI, M., MEJATTY, M., BERREHAR, J. et BOUCHRIHA, H., Revue Phys.

Appl.

20 (1985) 511.

[11] DENTON, R. E., CAMPBELL, R. D. and TOMLIN, S. G., J. Phys. D 5

(1972)

852.

[12]

HALL, S. F. and FERGUSON, W. F., J. Opt. Soc. Am. 45

(1955) 714.

[13] JOHNSON, E. J., Semicond. Semimetals 3

(1967)

153.

[14]

DIALLO, A. O., Thèse de Doctorat de 3e

cycle,

Mont-

pellier (1981).

[15] RESHAMWALA, N. A., Hsu, W: B. and BURTON, L. C.,

Third E. C. Photovoltaic Solar Energy Confe-

rence, Cannes, p. 787, 27-31 Oct. 1980.

[16] BEROTE, C., COSSEMENT, D., ORBANT DE XIVRY, E. and STREYDIO, J. M., 16th IEEE, San

Diego,

p. 872,

Sept. 1982.

[17] YAMAMOTO, Y., YOSHIMO K. and INUISHI, Y., J.

Phys.

Soc. Japan 47 (1979) 1887.

[18]

WAGNER, H. J. and LOUFTY, R. O., J. Vac. Sci. Technol.

20

(1982)

300.

[19] MILNES, A. G. and FEUCHT, D. L., Heterojunctions and

Metal Semiconductor Junctions

(Academic

Press,

New York) 1972.

[20] CHARLES, J. P., ABDELKRIM, M., MOY, Y. M. and MIALHE, P., Solar Cells 4 (1981) 169.

[21] LOUFTY, R. O., YUH-HAN SHING and KRISH MURTI, D.,

Solar Cells 5 (1982) 331.

Referências

Documentos relacionados

Une réunion mixte rassemblant la Direction du Trésor et des Finances Extérieures relevant du Ministère de l’Economie, des Finances et de la Réforme de l’Administration, le Service