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REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUÉE
Caractérisations structurale et optique de bicouches Cd1-yZnyS/CuPc :
mise
enévidence d’un effet photovoltaïque
M. A. Ben
Said (*),
S.Belgacem,
M. Dachraoui(**),
R. Bennaceur et H. BouchrihaLaboratoire de Physique de la Matière Condensée, Faculté des Sciences de Tunis, Campus Universitaire, 1060 Tunis, Tunisie
(*) Département de
Physique.
Ecole Normale Supérieure de Bizerte, Tunisie(**)
Département de Chimie. Faculté des Sciences de Tunis, Tunisie(Reçu le 4 mars 1985, révisé les 25 novembre 1985 et 7 mars 1986, accepté le 8 avril 1986)
Résumé. 2014 Nous avons étudié les propriétés structurales et optiques de bicouches de sulfure mixte de cadmium et de zinc
(Cd1-yZnyS)
et dephtalocyanine
de cuivre (CuPc) afin de réaliser une hétérojonctionCd1 -yZnyS/CuPc susceptible
d’être utilisée en conversionphotovoltaïque.
L’étude par microscopie électronique àbalayage
et par rayons X des couches deCd1-yZnyS
nous apermis
d’atteindre leur morphologie et d’optimiser leur compositionen vue d’une meilleure cristallinité. L’étude optique de ces couches a
permis
de déterminer leur largeur de bandeinterdite
Eg
ainsi que son évolution en fonction de la concentration en zinc (2,45 eVEg
2,55 eV). Les mêmesétudes menées sur les couches de CuPc ont montré leur bonne
homogénéité
et leur structure unidimensionnelle et ontpermis
de mesurer leur indice de réfraction, leurpermittivité (03B5~
= 5,42) et leurlargeur
de bande interdite(1,64 eV). Enfin l’étude des
caractéristiques
I-V sur des cellules formées de ces bicouchesdisposées
entre deuxcontacts d’or et
d’oxyde
d’étain dopé au fluor(SnO2 : F/Cd1-yZnyS/CuPc/Au)
met en évidence un effet photo-voltaïque
à faible rendement de conversion énergétique (~ ~ 0,06 %).Abstract. 2014 We have studied structural and optical properties of
bilayers
formed with mixed zinc and cadmium sulfide(Cd1-yZnyS)
and of copperphtalocyanine
(CuPc) in order to realize aCd1-yZnyS/CuPc heterojunction
which could be used in
photovoltaic
conversion. Scanning electronmicroscopy
and X ray studies ofCd1-yZnyS
layers allowed us to reach their
morphology
and to optimize their composition in sight of a bettercristallinity.
Optical study of these layers permit the determination of their band gap
Eg
and its evolution as a function of zinc concentration (2.45 eVEg
2.55 eV). The same studies performed on CuPc layers show a goodhomogeneity
and a unidimensionnal structure and allowed to measure the refraction index, the
permittivity (03B5~
= 5.42) and theband gap (1.64 eV).
Finally,
the I-V characteristics studies of the cells using thesebilayers
between metallic contacts of gold and fluordoped
tin oxide(SnO2 : F/Cd1-yZnyS/CuPc/Au)
exhibit a photovoltaic effect with a weak energy conversionefficiency
(~ ~ 0,06 %).Revue Phys. Appl. 21 ( 1986) 407-415 JUILLET 1986,
Classification Physics Abstracts
72.40 - 71.35
1. Introduction
L’objet
de ce travail est la mise en évidence d’un effetphotovoltaïque
dans une cellule mixte formée par lajuxtaposition
d’une couche de sulfure mixte de cad- mium et de zinc(Cd1_yZnyS)
et d’un semiconducteurorganique (CuPc) disposés
en couches minces entre deux contacts conducteurs.Le choix de cette structure est motivé par le fait que les deux matériaux
pris
individuellement ne seprêtent
pas efficacement à la conversionphotovol- taïque :
eneffet,
la couche de sulfure mixte de cad- mium et de zinc bienqu’ayant
de bonnespropriétés
de
transport [1] est,
à cause de salarge
bandeinterdite, transparente
dans le visible.Inversement,
laphtalo- cyanine
decuivre,
tout en ayant une forteabsorption
Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:01986002107040700
dans le
visible,
est caractérisée par une faible mobilité de porteurs decharges [2].
L’association de ces deux matériauxpourrait
donc donner lieu à un meilleur effetphotovoltaïque.
Afin d’évaluer les
possibilités
d’utilisation de cesbicouches dans la conversion
photovoltaïque,
nousavons étudié les
propriétés
structurales etoptiques
descouches individuelles et de la bicouche. Ces études
nous ont
permis
de contrôler à la fois le mode de fabri- cation de ces matériaux et d’en déduire desparamètres importants
pour la caractérisationphotovoltaïque.
Dans cette
étude,
nous avons limité la concentration y en zinc à l’intervalle0 y 0,2;
pour des teneursplus élevées,
les couches deCd1_yZnyS
deviennentinhomogènes
et très rugueuses,présentant
ainsi unemauvaise
qualité optique.
2.
Techniques
d’élaboration.2.1 COUCHE DU SULFURE MIXTE DE CADMIUM ET DE zINC. - Les couches
Cl, - ZnyS
ont étépréparées
par
pulvérisation
réactive sans air[3]
sur un substratchauffé en verre ordinaire
(25
mm x 20 mm x3
mm)
d’une solution contenant des sels de cadmium et de zinc et uncomposé
soufré. A la différence de lapulvérisation classique [4],
iln’y
a pas de gazqui
accompagne
l’aérosol;
lapulvérisation
se faisantdirectement à l’aide d’un
pistolet
àpeinture (type wagner).
Pour la formation des
couches,
la solution àpulvé-
riser est
obtenue,
dans lesproportions désirées,
àpartir
des solutions mères(0,4 M) préalablement
chauffées à 60 OC de thiourée
(SC(NH2)2),
de chlorure de cadmium(CdCl2)
et de chlorure de zinc(ZnC’2).
La réaction
globale
de formation des couches surle substrat est :
La
température
de substrat est stabilisée à 420 °C et le débit depulvérisation
est de l’ordre de 20ml/min.
Les couches étudiées ont une
épaisseur
variant de 1 ymà 4 03BCm.
2.2 COUCHE DE PHTALOCYANINE DE CUIVRE. - Les couches minces de
phtalocyanine
de cuivre sontpré- parées
parévaporation thermique
sous vide(10- 6 torr)
à
partir
duproduit
enpoudre
très pur. Elles sontdéposées
soit directement sur du verre soit sur la couche deCd1 - yZnyS.
Elles ont uneépaisseur
variantde
0,2
gm à 1 03BCm.2.3 RÉALISATION DE LA STRUCTURE PHOTOVOLTAÎQUE.
- Pour la réalisation de la cellule
photovoltaïque,
ondépose
par la mêmetechnique
depulvérisation
unecouche
transparente
et conductrice(0,5 gm) d’oxyde
d’étain
dopé
au fluor(Sno2 : F)
sur du verre ordinaireservant comme contact avant. Cette couche constitue
le substrat de la bicouche
Cd1-yZnyS/CuPc.
Unecouche mince d’or
(700 A)
estdéposée
en dernièreétape
parévaporation thermique
sous vide( 10 - 6 torr)
constituant ainsi le contact arrière de la
photopile (Fig. 1).
Fig. 1. - Vue de la cellule CdS/CuPc. (a) Vue de profil;
(b) Vue de face.
[View of CdS/CuPc
cell; (a) Side View; (b) FrontView.]
3. Caractérisation structurale des couches.
3.1 COUCHES DE
Cd 1 _ yZnyS.
- Lamicroanalyse
des couches minces de
Cd1 - yZnyS déposées
sur verrea été réalisée à l’aide d’une microsonde de
Castaing (1 - Y) (JSMU 3)
munie d’unsystème d’analyse
des rayons X en
dispersion d’énergie.
Cetteanalyse
amontré que la
concentration y
en zinc des couches minces est inférieure à laconcentration y
de la solu- tion àpulvériser (Tableau I).
Ce résultat est en accordTableau I. -
Comparaison
descompositions
y en zinc dans la solution et dans lacouche,
valeurs des para- mètres de réseau(a, c)
et de lalargeur
L despics
d’orien-tation pour
diflérentes compositions
y(Cd1_yZnyS).
[Comparison
of Zncomposition
in the solution and in thelayer,
latticeparameters (a, c)
values and width L of thepics
orientation for differentcompositions
y( Cd1 - yZnyS). ]
avec celui
publié
par Bube et al.[5].
L’écart relatif entre y(solide)
et y(solution)
sembledépendre
essen-tiellement de la
technique
utilisée.Nous avons
également
étudié lamorphologie
descouches par
microscopie électronique
àbalayage (JSM 35).
On remarque(Fig. 2)
que pour les faibles concentrations de zinc la croissance des couches est colonnaire et la taille desgrains
est voisine de 1 gm, et pour des concentrationsplus
élevées(y
=0,17)
lataille des
grains
diminue et la structure colonnairedisparaît.
Ces résultats sontproches
de ceux observéssur des couches obtenues par
pulvérisation
pneuma-tique [6].
Fig. 2. - Micrographies par
balayage
des couches deCd, - yZnYS.
A. Balayage en surface = a (CdS, e = 2 gm);b (Cdo,sZno,2S, e
= 4nm); B. Balayage en tranche = a (CdS; e = 2 pm) ;b(Cdo,8Zno,2S, e
= 4 gm).[Scanning
micrographs ofCd! - yZnyS
layers. A. Scanningof the surface = a (CdS, e = 2 lim),
b (Cd,.8ZnO.2S, e
=4 gm); B. Scanning of the slice = a (CdS, e = 2 um) ;
b(CdogZno.2S,
e = 403BCm).]
Enfin on a étudié la structure
cristallographique
des couches par diffraction des rayons X en utilisant
un diffractomètre à source de cobalt dont la raie d’émission Ka a une
longueur
d’onde À =1,79202 A.
On constate que la couche mince de sulfure de cad- mium cristallise sous sa forme
allotropique hexago-
nale
(type Wurtzite)
avec une orientationpréféren-
tielle
(002),
la formecubique
à faces centrées étant absente. L’introduction du zinc ne modifie pas cette structurejusqu’à
desconcentrations y
=0,4,
au-delà de cette limite la cristallinité et l’adhérence des couches deviennent mauvaises. Par ailleurs la hauteur despics
de l’orientation
(002)
diminuelorsque
laproportion
en zinc augmente, inversement la
largeur
à mi-hauteurL de ces
pics
croîtquasi-linéairement
avec cette con-centration
(Tableau I).
Lesparamètres
de réseau a et cdiminuent
lorsque
la concentration en zinc augmente.Cette variation est conforme à la loi
théorique
deVégard
relative aux solutions solides[7, 8].
3.2 COUCHES DE CuPc. - La
figure
3(a
etb)
montreles
micrographies
obtenues parmicroscopie
électro-nique
àbalayage
d’une couche dephtalocyanine analysée
en surface et en volume. On y observe unebonne
homogénéité
et une croissance enaiguille caractéristique
d’une structure unidimensionnelledéjà
propre au cristal
[9].
Cette structure est conforme àce
qui
a étédéjà
observé[10]
parmicroscopie
élec-tronique
à transmission où on observait une structureen couches
régulières
etéquidistantes évoquant
unordre local et une
symétrie
unidimensionnelle.3. 3 BIcoucHs
Cd1_yZnyS/CuPc.
-L’analyse
envolume par M.E.B. d’une bicouche
Cd1_yZnyS/CuPc
réalisée sur un substrat
(Fig. 3c)
montre une bonneadhérence de la couche de
phtalocyanine
surCd, -yZnyS,
les deux couches conservant leurmorpho- logie
individuelle. Néanmoins on observe unelégère pénétration
de l’or dans la couche de CuPc.Fig. 3. -
Micrographies
parbalayage :
(a) en surfaced’une couche de CuPc (e = 0,7 pm) ; (b) en tranche d’une couche de CuPc (e = 0,7 03BCm) ; (c) en tranche d’une bicouche CdS/CuPc (3,5 pm/0,7 gm).
[Scanning
micrographs : (a) Scanning of the surface of CuPc layer (0.7 gm); (b) Scanning of the slice of CuPc layer (0.7 gm); (c) Scanning of the slice of CdS/CuPcbilayer
(3.5 um/0.703BCm).]
4. Caractérisation
optique
des couches.4.1 MODE OPÉRATOIRE. - Les spectres de transmis- sion
T(À.)
et de réflexionR(Â)
des différentescouches,
déposées
sur verre, ont été effectuées en incidence normale au moyen d’unspectrophotomètre
« Beck-man UV 5240 »
équipé
d’unesphère intégratrice (Acta
UV520) qui permet
de tenir compte de la diffu- sion de la lumière par les couches. Les mesures deT(À)
et
Jazz)
ont été effectuées à latempérature
ambiantedans un domaine
spectral
s’étendant de0,4
à2,5
g et en prenant commeréférence,
l’air pour la transmis- sion et le sulfate debaryum (BaS04)
pour la réflexion.L’analyse
de cesspectres permet
enprincipe
d’at-teindre l’indice de réfraction
n(À)
descouches,
leurcoefficient d’extinction
k(03BB),
leur coefficientd’absorp-
tion
03B1(03BB),
leur constantediélectrique
Boo’ leurépaisseur
e et la
largeur
de leur bande interditeE. [11 ].
Ainsi pour des
épaisseurs
de couches où le coeffi- cient de réflexionR( À)
et le coefficient de transmissionT( À) présentent
des oscillationsinterférentielles,
il estpossible
d’atteindre lesparamètres optiques
àl’aide
de formules
simples [12]
en seplaçant
dans desrégions gouvernées
par un mécanismeparticulier d’absorp-
tion : .
e
Région d’absorption
moyenne : Dans larégion d’absorption
moyenne(n’ » k2)
etlorsque
l’indicede
réfraction n.
du substrat est inférieur à l’indice de réfraction n de lacouche,
la réflexion à l’interface couche-substrat estnégligeable
et onpeut
écrire(no
= 1(air) ; ks
=0).
où
e
Région
de faibleabsorption :
dans cetterégion (oee 0,1),
l’indice de réfraction de la couche mince varie très peu avec lalongueur
d’onde( 2013 = 2013
=0 )
et sa valeur
approximative
est donnée par :L’épaisseur
de la couche est alors reliée à cet indice par la relation :RM
étant la valeur du coefficient de réflexion à unmaximum de
R(À.)
et N est un nombre entier déter- minant l’ordre d’interférence à lalongueur
d’ondeoù R est maximum.
e
Région
oùl’absorption
est dominée par les por- teurs libres : dans cetterégion (0)2 . -r2
>1)
la relation dedispersion prend
la forme :r étant le temps moyen de collision des
porteurs libres,
cv et 03C9p les
pulsations
de la lumière excitatrice et duplasma,
800 la constantediélectrique
du matériau.Enfin,
dans le cas d’un semi-conducteur à gap direct lalargeur
interdite est reliée au coefficientd’absorp-
tion par
[13] :
où B est une constante.
4.2 SPECTRE DE TRANSMISSION ET DE RÉFLEXION. - On
a
représenté
sur lesfigures 4, 5, 6,
7 les spectres de transmission et de réflexionrespectivement
de lacouche
d’oxyde d’étain,
de la couche du sulfure decadmium,
de la couche dephtalocyanine
et de l’en-semble :
- La couche de
Sn02, qui joue
à la fois le rôle de substrat et de contact, estpratiquement transpa-
rente dans le visible.
- La couche de CdS est
également transparente
dans le visible maisprésente
néanmoins ungrand pouvoir
de diffusion. Dans larégion
de faibleabsorp-
tion
T(/L)
etR(À.)
neprésentent
pas defranges
d’inter-férence à la différence des couches de même
épaisseur préparées
parévaporation thermique [14].
- Pour la
phtalocyanine
on observe une très faible transmission dans le visible et desfranges
d’interfé-rences
présentes
aussi bien en transmissionqu’en réflexion,
lepouvoir
de diffusion estnégligeable
cequi
met en évidencel’homogénéité
de ces couches.Fig. 4. -
Spectres
de transmission et de réflexion d’une couche mince deSn02 :
F (e = 0,5 pm).[Transmission
and reflection spectra of anSnO2 :
F layer (e = 0.5um).]
Fig. 5. -
Spectres
de transmission et de réflexion d’une couche de CdS (e = 2 um).[Transmission
and reflection spectra of a CdS layer (e =2
ém).1
Fis 6. -
Spectres
de transmission et de réflexion d’une couche de CuPc (e = 0,7 pm).[Transmission
and reflection spectra of a CuPc layer (e = 0.7gm).]
- Pour l’ensemble
Sn02/Cdl _yZnyS/CuPc
onremarque que la transmission est faible dans le visible et que le
pouvoir
dediffusion,
élevé pourCdS,
se trouveconsidérablement réduit.
Sur la
figure
8 on areprésenté
lesspectres
de trans- mission confinés à larégion 0,3 gm-0,8
gm des couchesd’oxyde d’étain,
deCdS,
dephtalocyanine
ainsi que lespectre
de l’ensemble. On remarque quel’adjonction
de la
phtalocyanine
compense latransparence
de CdSet rend ainsi la cellule absorbante dans le visible.
Fig. 7. - Spectres de transmission et de réflexion d’une multicouche de
Sn02 : F/CdS/CuPc
(0,5 pm/2 03BCm/0,7 lim).[Transmission
and reflection spectra of aSnO2 :
F/CdS/CuPc multilayer (0.5 pm/2 03BCm/0.7
gm).]
Fig.
8. - Spectres de transmission confinés à la région 0,3 pm-0,8 um des couchesSnO2 :
F (2013’2013), CdS(· · · ·),
CuPc (---) et de l’ensembleSn02 F/CdS/CuPc ( ).
[Transmission
spectra confined in the 0.3 ktm-0.8 pm regionof
layers
ofSnO2 :
F (2013’2013), CdS (e e e e), CuPc(---)
andof
SnO2 : F/CdS/CuPc
( )multilayer.]
4.3 CONSTANTES OPTIQUES ET
ÉLECTRONIQUES
DESCOUCHES.
4. 3 .1 Couche de
Cd1 - yZnyS.
-L’application
desformules
(1)
et(2)
dans larégion d’absorption
moyennenous permet de déterminer le coefficient
d’absorption ce(À)
et d’atteindre ainsi à l’aide de la relation(6)
lalargeur
de la bande interdite ainsi que son évolutionen fonction de la concentration de zinc. Sur la
figure
9on a
représenté
les variations dea2
en fonction del’énergie
hv desphotons
incidents pour les trois con-Fig. 9. - Variation de a2 en fonction de l’énergie hv pour différentes
compositions y
des couches deCd! - yZnyS.
[Variation of a2 as a function of the energy hv for different
compositions of
Cd! - yZnyS
layers.]centrations : y
=0; 0,095
et0,17.
Les valeurs deEg
obtenues sont
représentées
sur lafigure
10 où on aporté également
les résultats des travaux effectués sur des couches similairespréparées
parpulvérisation
avecair
[5,15, 16]
et parévaporation thermique [8].
Dans larégion
decomposition
considérées(0 y 0,2)
les valeurs de
Eg
des couchesfabriquées
par les trois méthodes suivent la même loi de variation en fonction de la concentration enzinc,
ces valeurs sont assezvoisines pour une concentration déterminée
(Ta-
bleau
II),
l’écart relativementimportant
pour y = 0 est réduit pour lesplus grandes
concentrations.Tableau II. - Variation de la bande interdite
Eg
enfonction
de lacomposition
y en zinc des couches deCd1 - yZnyS fabriquées
pardifférentes techniques.
[Variation of band-gap
widthEg
as a function of the Zncomposition y
ofCd1 - yZnyS layers
elaborated with differenttechniques.] 1
Fig. 10. - Variation de la largeur interdite
Eg
en fonctionde la composition y des couches de
Cd! - yZnyS. 8
Nos résul-tats : Pulvérisation
chimique
sans air (T, = 420 °C, 1 pm 5e 4 um) ; x Réf. [8] :
évaporation
thermique (p = 3 x 10- 6 torr, e = 0,5 pm) échantillon recuit à 450 °C pendant15 min ; 0 Réf. [5] :
pulvérisation
chimique avec air(T.
= 450 °C, e = 2um); A Ré£ [15] :pulvérisation chimique
avec air (0,5 pm e 10 pm); 1 Réf. [16] :
pulvérisation
chimique avec air(Tg
= 430 °C, e = 5 gm).[Variation of band-gap
widthEg
as a function of the compo-sitiony of the
Cd, - yZnYS
layers. e Our results : air less spray(Ts
= 420 °C, 1 pm e 4 pm) ; x Réf. [8] : thermal evaporation (p = 3 x 10-6 torr, e = 0.5um) annealed sample at 450 °Cduring
15 min) ; 0 Réf. [5] : spray pyrolysiswith air
(Ts
= 450 °C, e= 2nm); A
Réf. [15] : spraypyrolysis
with air (0.5 03BCm e 10 gm); Àà Réf. [16] :spray
pyrolysis
with air(T.
= 430 °C, e = 5um).]
4. 3.2 Couches de
phtalocyanine.
- Pour lesgrandes longueurs
d’onde(À > 1 ym)
la transmission de la couche dephtalocyanine
est forte(Fig. 6)
et sonabsorption
est faible. Dans cetterégion
l’indice de réfraction n estpratiquement indépendant
de lalongueur
d’onde(n ~ 2,05)
comme le montre lafigure
11 où n a été déterminée àpartir
desspectres
de réflexion et des relations(1)
et(3).
Sur la
figure
12 on areprésenté
la variationde n2
en fonction de
À. 2 ;
ladépendance
linéaire conforme à celleprédite
par la relation(5) permet
d’obtenir la valeur de lapermittivité
800 de la couche mince dephtalocyanine qu’on
trouveégale
à5,42.
Dans le domaine du visible la couche est fortement absorbante comme le montre la
figure
13représentant
Fig.
11. - Variation de l’indice de réfraction n en fonction de lalongueur
03BB d’une couche de CuPc.[Variation of the refractive index n as a function of wave-
length
of CuPc layer.]Fig. 12. - Variation de n2 en fonction de À 2 d’une couche de CuPc.
[Variation of n2 as a function of À 2 of a CuPc layer.]
Fig. 13. - Variation du coefficient d’absorption a en fonc-
tion de la longueur d’onde À d’une couche de CuPc. z Nos résultats ; ... Régi [10] ; --- Ré£ [17].
[Variation
of theabsorption
coefficient a as a function of thewavelength
of a CuPc layer. -·- Our results ; ... · Ref [10] ; --- Ref[ 17]. ]
Fig. 14. - Variation de oc’ en fonction de l’énergie hv d’une
couche de CuPc.
[Variation
of a2 as a function of the energy h v of CuPclayer.]
le spectre
d’absorption
déduit des mesures de trans- mission. Cespectre
est conforme à celui obtenu direc- tement par Yamamoto[17]
et Khelifi[10].
On atteintainsi un coefficient
d’absorption
de l’ordre de105 cm-1
confirmant lagrande absorption
de la couche.La variation de
a2
en fonction del’énergie
hv(Fig.14)
nous apermis
d’obtenir la valeur de lalargeur
de bande interdite
Eg
=1,64
eV.5. Effet
photovoltaïque.
Nous avons
représenté
sur lafigure
15 un modèle debande de
l’hétérojonction CdS/CuPc
à l’obscurité obtenu à l’aide des valeurs deEg
déterminées dans cetravail et d’autres
paramètres reportés
dans la littéra- ture[18, 19].
On remarque l’existence d’une barrière depotentiel
de hauteur0,7 V
à l’interfaceCdS(n)/
CuPc(p).
Laprésence
de cette barrière ainsi que la bonneabsorption
de la bicoucheCdS/CuPc
dans levisible
peuvent permettre
enprincipe
la manifestation d’un effetphotovoltaïque
dansl’hétérojonction.
Pour mettre en évidence cet effet nous avons étudié les
caractéristiques
courant-tension de la cellule mixte formée parl’hétérojonction (Sn02 : F/CdS/
CuPc/Au)
et des cellules individuelles(Sn02 : F/CdS/
Au) et (Sn02 : F/CuPc/Au).
Fig. 15. - Modèle de bande proposé de l’hétérojonction CdS/CuPc (obscurité).
[Proposed
band model of a CdS/CuPcheterojunction (dark).]
Sur la
figure
16(a, b,
c,d)
on a tracérespectivement
les
caractéristiques
1 V à l’obscurité et sous éclaire- ment(16a, b)
de la cellule mixte ainsi que les carac-téristiques
1 V sous éclairement des cellules indivi- duelles(16c, d);
les trois types de cellules étant fabri-quées
dans les mêmesconditions,
avec les mêmesépaisseurs
des contacts et des couches et sont éclairées de la mêmefaçon
avec une lumière solaire d’intensité 100mW/cm2.
On remarque que la cellule réalisée parl’hétérojonction
estplus performante.
En attribuant aux cellules un schéma
équivalent
àune seule
diode,
le courant I débité sous une tensionappliquée
V est de la forme :Fig. 16. -
Caractéristiques
courant-tension des cellules :a)
SnO2 : F/CdS/CuPc/Au :
à l’obscurité; b)Sn02 : F/CdS/CuPc/Au :
éclairée côtéSn02 :
F; c)Sn02 : F/CdS/
Au : éclairée côté
SnO2 :
F; d)Sn02 :
F/CuPc/Au : éclairéecôté
SnO2 :
F.[I-V Characteristics of the cells. - a)
SnO2 : F/CdS/CuPc/
Au : in darkness ; b)
SnO2 :
F/CdS/CuPc/Au : illuminatedon
SnO2 :
F si de ; c)SnO2 :
F/CdS/Au : illuminated onSn02 :
F side; d)SnO2 :
F/CuPc/Au : illuminated onSn02 :
F side.]où
Iph, Is, l§, Rsh
et A sontrespectivement
lephoto-
courant, le courant de saturation
inverse,
les résis-tances série et shunt et le facteur de
qualité.
Nous avons déterminé ces
paramètres
ainsi que le rendement enénergie
des diverses cellules à l’aide de la méthodedéveloppée
par Charles et al.[20].
Lesparamètres
obtenus donnant le meilleur accord avecl’expérience
sontreportés
dans le tableau III.Le
photocourant Iph
de la cellule mixte est nette- mentsupérieur
à celui des cellules individuelles. Cela est dû essentiellement à la meilleureabsorption
de labicouche
CdS/CuPc
dans le visible.Pour les cellules individuelles la valeur du facteur de
qualité
de l’ordre de1,27
montre que le processus detransport
par diffusion estprédominant.
Alors que dansl’hétérojonction (A
=1,55)
on assiste enplus
à une contribution
plus importante
du processus degénération-recombinaison.
Tableau III. - Paramètres
photovoltaïques
des cellulesSn02 : F/CdS/Au, Sn02 : F/CuPc/Au
etSn02 : F/CdS/
CuPc/Au.
[Photovoltaic parameters
of theSnO2 : F/CdS/Au, Sn02 : F/CuPc/Au
andSn02 : F/CdS/CuPc/Au cells.] ]
La résistance série de la cellule
mixte,
bien queplus
faible que celle de la cellule
CdS/Au,
demeure encoreimportante
et limite le facteur de forme et par la même le rendement.La réduction notable de la résistance shunt de la cellule mixte
(300 Q)
montrequ’il
y a une fuiteimpor-
tante
qui pourrait
vraisemblablement être due à lapénétration
de l’or dans la couche de CuPc. Cequi
estconforme
à cequi
a été observé par M.E.B.(Fig. 3c).
Le rendement de la cellule mixte est
légèrement supérieur
à celui des cellules individuelles et est du même ordre degrandeur
que celui obtenu parLoutfy
et al.
[21 ] pour
des structures similaires.Cependant
cerendement
peut
être améliorédavantage
en réalisantun meilleur contact
ohmique
et en diminuant les fuites par un recuitpréalable
de la couche de CdS et de la bicoucheCdS/CuPc.
6. Conclusion
En vue de réaliser une structure
photovoltaïque
utili-sant une
hétérojonction CdZnS/CuPc
nous avonsétudié les
propriétés
structurales etoptiques
descouches individuelles de sulfure mixte
(CdZnS)
et dephtalocyanine
de cuivre(CuPc).
On a montré que la concentration de zinc
joue
unrôle
important
dans la structuremorphologique
etqu’une
teneurcritique
deo,17
ne doit pas êtredépassée
pour obtenir des couches
homogènes
et non rugueuses.L’adjonction
du colorantorganique qui présente
un gap de
1,64
eV compense latransparence
duCd1 - yZIlyS
dans le visible et rendl’hétérojonction plus
absorbante dans ce domaine.Un modèle de bande pour
l’hétérojonction CdS/
CuPc a été
proposé
et a mis en évidence une barrièrede
potentiel
de l’ordre de0,7
Vpropice
à la manifes- tation d’un effetphotovoltaïque.
Ceci a été confirmé par l’étude de lacaractéristique
I Vqui
montre que l’association de ce colorant à la couche de CdS améliore le rendement de conversionénergétique.
Les rendements sont encore faibles mais des amélio- rations
importantes peuvent
êtreapportées
en faisantune étude
systématique
des différentsparamètres
dela cellule :
optimisation
desépaisseurs
des couches et des contacts,optimisation
de la concentration enzinc,
recherche d’autres
types
de contacts et meilleur contrôle de l’interface.Enfin d’autres
techniques
de caractérisation(photo- capacitance, réponse spectrale, ...)
sont nécessaires pour mieuxcomprendre
le fonctionnement de la cellule et de modéliser son élaboration.Remerciements.
Nous remercions M. le Professeur Savelli
(U.S.T.L., Montpellier), qui
nous aencouragé
àentreprendre
cette étude et nous a
permis
d’effectuer certainesmesures dans son
laboratoire,
ainsi que Mrs Z.Fakhfakh et M. Abdelkrim
(Faculté. des
Sciences deTunis)
pour leurs collaborations.Bibliographie [1] BURTON, L. C. and HENCH, T. L., Appl.
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