Использование Общероссийского математического портала Math- Net.Ru подразумевает, что вы прочитали и согласны с пользователь- ским соглашением

Math-Net.Ru

Общероссийский математический портал

Опечатки и исправления (ФТП. 1990. Т. 24. В. 4.

С. 610–630), Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 6, 1153

Использование Общероссийского математического портала Math- Net.Ru подразумевает, что вы прочитали и согласны с пользователь- ским соглашением

http://www.mathnet.ru/rus/agreement Параметры загрузки:

IP: 118.70.116.132

6 ноября 2022 г., 08:27:15

гашение фотопроводимости в амор­

фном гидрированном к р е м н и и , слабо легированном бором . . • 1143 Крещук A . M . , Лауре Е . П . , Н о в и к о в

С. В . , Савельев И . Г . , Семашко Е . М . , С т о в п о в о й М . А . , Шик А . Я . Инвертированная г е т е р о с т р у к т у р а I n P / I n^{0 > 5 3}G a^{( K 4 7}A s д л я нолевого

транзистора 1145 Памяти О л е г а Вячеславовича Снитко 1HS

Quenching of Photoconduction in Amorphous Hydrogenated Silicon

L i g h t l y Doped by Boron 1143 Kreshchuk A . M . , Laurs E . P . , Novi-

kov S. V . , S a v e l ' e v I . G . , Semashko E . M . , Stovpovoi M. A . , S h i k A . Ya.

I n P / I n⁰.^{5 3}G a⁽, .^{4 7}A s Inverted Hetero- structure for the Field-Effect Tran­

sistor 1145 In tliз memory of Oleg V j a c h e s l a v o v i c h

S n i t k o 1148

О П Е Ч А Т К И И I J C U P A I U K I I H H ( Ф Т И . 1990. T. 24. B. 4. C. 6 1 0 - 6 3 0 )

С т р . Н а п е ч а т а н о С л е д у е т ч и т а т ь

612 (рис. 2) п н

615 (рис. 3) I^{4 1}]

п

» (рис. 4)

н

616 (рис. 5)

Н. Н.

п. н. п

617 (рис. 6)

п

61S (рис. _»)

н

620 (рис. 11) [«] ^[42]

» (рис. 12)

н Н

621 (рис. 13) _[5 31 ^[54]

» (рис. 14) _[8 4J [ 5 5 ,

622 (рис. 15) _Iм]

н

623 (рис. 16) [^{б 0}], [•*] _{Г ] ,}

н

» (рис. 17) ^{[47] [48J}

» ( р и с 18) _•Г1 ^[62]

626 ( р и с 19)

н

» ( р и с 20)

н ^п

627 ( р и с 21)

п н

» ( р и с 22)

н н

628 ( р и с 23) _Г2]

п