А А - А JOURNAL OF NANO- AND ELECTRONIC PHYSICS
8№ 2, 02017(4cc) (2016) Vol. 8 No 2, 02017(4pp) (2016)
2077-6772/2016/8(2)02017(4) 02017-1 2016
Х ч Х Х Х Х ч Х
Іг г є б г г б гІг б г г
а а а а а Ш а, , а а
( 12.02.2016; – 13.06.2016; online 21.06.2016)
в
Эмм-293) . б в
’
б
г г б
є п в
єб є г
ч Х п , б в
б .
DOI: 10.21272/jnep.8(2).02017 PACS numbers: 68.60.Bs, 81.05.uf
1.
в
є в
в
б ,
б б
б б в
б г в
« » в
б в
Э
- Юб
б г
є в
в
б б в
г
б в
є в
R в
R: R R + Rk [ж]г б в
R Rk, в
б в
г в
є г
’є є в
б є
R г є
є б
в
є б б в
c/a є 103-105 [1].
є в
в
г б в
в
є є в
в
г
є [2-4], в
є г б
Э б Ю г
в в
є г
2. Х Х Х
Х Х в
Ч Х Х Х Х
Ч Х
’є
Э Юб
Э
d002 0.340 б
Lb 30 б
є p 103))
г
Эа)
в
в
(77-293)° є
1.2 г
ж
а( Ю г
є б
(77-293)° є в
п
а є мгй10– 6
зои° ого10– 6 мм° .
б є ’є в
є б
Іг г ІЄ , г г І . . А - . . 8, 02017 (2016)
02017-2
50 100 150 200 250 300
6 7 8 9 10 11 12
a*106, м*м
T, K
г 1 – а( Ю
0 500 1000
0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
3
2 1
a*10 5
, м*м
, М а
г 2– а( )
п
№ 1б (1), Э2),
№ 2, Э3)
п № 1
1.2 Э жЮб в
Э зЮг №з
б в
Э иЮг
є б
его б
б в
жгз є в
а ие%г в
є в
а( Юп еги в
а є б
єб є в
г з и б є
г и
жгз Э
Ю
Э Юг
є б
1.2
є б є б
зг в
є б
б г б
50 100 150 200 250 300
7 8 9 10 11 12
4 3
2
1 a*106, м*м
T, K
г 3 – а( Ю в
п
(1), 1.2 б
(2), Э3),
(4)
є в
иее зее є 300-200 ~ 0.004 – 1.
зее 200-77 в
є егеез – 1г в
є
є б в
г б в
є в
г
є в
зее в
г
єг в
є
200 є б
б г
3. Х Х
Ч Х Х Х
Х Ч Х
[5-7]б в
в
в є
г б
в
Эзиее° Юб є ,
,
[7]г
в
Lph є ~ 10– 7
г
~ 10– 8 б б в
г
б
б в
в
І І І І І … . А - . . 8, 02017 (2016)
02017-3
1
2
* * / b
n n p p
n p
e L
m v m v
(1)
n, p – б m*n, p
vn, p в
б Lb– в
г б
є ,
в
є Lb Lpur, Ld, Lphб Lpur
в
б Ld– в
г в
б
є г
б в
в
[8-10].
є C/Cp ~ 210– 11 – 1б C –
, –
, p – [10]. б
~ 1.2
~ 0.008 . б в
є d002 0.340
d002 0.332 б є б
є в
Э Юг в
б б
в
б є
~ 0.002 г
б є в
-
-[11],
п
2 2 2 *
2
2 cos / 2
E k m (2)
2
* 2
0 1 0
4
2 / / cos
3
m a (3)
а0 – б а0 0.246 б
0 – - в
б 1– є
б 2–
є
г ЭзЮ Э3Юб б
є EF (4/3)2б в п
2 2 20 1 2 0
4 / 3 ( / ) ( / ) d
S a (4)
в є
є 12/02г б
,
б (2)
Э3Юг
жгл б
а0
г
є б 0 б
б
г [12] в
г в
2б
20 0.0196 б
егн 28 0.0225 б
г
п F0 0.026 б в
егн F8 0.030 г б
г б
є
220г е
0.8 є
0.0392 егейке г
є [12]
г в
б в
2
є г в
2
п 2/20p б 2 – в
б 20 – в
2 б p – в
б 1.8510– 10 – 1г є
є
2б
б
F жгз г в
б п 212 1.2210– 3 б 12 2.4410– 3 б
F12 1.6310– 3 г б в
жгз в
в
б
б
20 % г
б є
г є зб в
жгз є ~ ие%б
є г в
б б
б в
~ ж г
б
в
Іг г ІЄ , г г І . . А - . . 8, 02017 (2016)
02017-4
б в
в
.
б б в
є п
єб
є г
Electrical Conductivity of Fine Crystalline Graphite under the Influence of the Hydrostatic Pressure
I.V. Ovsiienko, L.Yu. Matzui, O.I. Prokopov, O.V. Zhuravkov
Taras Shevchenko National University of Kyiv, Kyiv, Ukraine
It was investigated the influence of hydrostatic pressure on the electrical conductivity of crystalline graphite in temperature range (77-293) K.It was revealed that the reducing of electrical resistivity in spec-imens of fine crystalline graphite under the action of hydrostatic pressure is due to increasing of overlap between valence and conduction bands that leads to increase of the concentration of free charge carriers. The change of the overlap of valence and conduction bands was estimated. It is shown the decrease of the distance between the graphite layers under pressure is irreversible process, when load is remove the elec-tric resistance increases slightly, but does not acquire the initial value.
Keywords: Fine crystalline pyrolytic graphite, Mechanical load, Electrical conductivity, Fermi energy.
Х ч Х Х
Х Х ч Х
г г б г г б г г б г г
а а а а а Ш , , а а
Эмм-293) Kг б в
в
б
г
г б в
п б
г
ч Х п , б
б .
Х
1. . . , а в
а а ( : : 1990)
(A.I. Lutkov, Teplovyye i elektricheskiye svoystva uglerod-nykh materialov (Moskva: Metallurgiya: 1990)).
2. Bingbing Liu, B. Sundqvist, O. Andersson, T. Wa Êgberg, E.B. Nyeanchi, X.-M. Zhu, Guangtian Zou, Solid State Commun. 118, 31 (2001).
3. R. Falconi, J.A. Azamar, R. Escudero, Solid State Com-mun. 129, 569 (2004).
4. M.V. Kondrin, V.V. Brazhkin, A.A. Pronin, A.G. Lyapin, A.V. Sidorov, V.I. Bugakov, S.V. Popova, V.L. Solozhenko
JETP Lett. 88, 54 (2008).
5. . . , . . , В в
, я: - а а а , № 1,
342 (1999) (L.Yu. Matsuy, V.M. Kotsyuba, Visnyk Ky-yivsʹkoho univer-sytetu, Seriya: Fizyko-matematychni nauky, No 1, 342 (1999)).
6. L.Yu. Matzui, L.L. Vovchenko, S.V. Litvinenko, A.N. Kotsuba, Inorg. Mater.34, 1222 (1988).
7. Іг г є г г б г г , В
а а а а а а
( п п 2009) (I.V. Ovsiyenko
L.L. Vovchenko, L.Yu. Matsuy, Vuhletsevi materialy ta in-terkalʹovani spoluky na yikh osnovi (Kyiv: Naukova dumka: 2009)).
8. O.E. Andersson, B. Sundqvist, Sol. Stat. Commun. 65, 735 (1988).
9. S. Matsuzaki, T. Kyouda, M. Arimitsu, M. Sano, Synthetic Met. 34, 359 (1989).
10.O.E. Anderson, M. Lelaurain, J-F. Marêchéб Eг McRae, B. Sundqvist, Synthetic Met. 34, 187 (1989).
11.J.-C. Charlier, J.-P. Michenaud, X. Gonze, Phys. Rev. B 46, 4531 (1992).
12. . . , . . , а Э 5, 141
