и
в
в
и
в и
и
p
-
и
г г
б
. .
*, . .
Х
Х
Х
Х
Х
бХ
г
г
, 107, 79017
бХ
( 28.07.2015; online 20.10.2015)
p-
є (жжжЮг в
є
-г в
г б цl p-Si в
б б
’є б .
в в : - б б б
б .
PACS numbers: 61.72.Hh, 61.72.Lk, 61.72.Uf, 68.35.Dv, 72.20.Jv, 73.20.Hb, 73.40.Sx, 73.40.Qv, 78.60.Fi
*
kushlykmarik@gmail.com
1.
є
в
в
б
в
г
є
-
в
є
б
'
г
в
є
б
б
в
г
є
є
є (
Юб
в
[ж-3].
в
є
б
в
[4]б
б
в
(жгз-1.6
Юб
є
в
г
в
б
ж (
1,54
Юб
г
б
б
зе
б
б
в
в
г
в
є
г
б
б
'є
б
б б
б
г
є
в
[5, 6].
[7]
б
ж
з (
ж
1,54
б
з
жбйзЮ
єб
є
в
г
б
йке
700 °
Siб
оее ° б
є
в
жг
є
в
p
-Si
в
(
Ю
г
2.
’Є
І
Si
p
-
в
г
(
7
3
4
Ю
(
-жеЮб
є
в
є
(жжжЮ
є
в
N
d
10
2 – 2г
в
[8].
(и
10
6 – 2Ю
в
в
мее
в
[9]г
жеее
б
жк
ж-
в
,
,
в
Ю
Ю
и . 1 – цl i чi п
Ю р
Ю цl-Si-Bi – є
-б
в
(
Юб
в
же
– 4г
в
(жжжЮ
320 °
в
жке÷250
б
жк
д б
в
(
г ж
).
в
(
10÷15
гЮ
б
жке-200
б
г
в
ке
б
100
-10
г є
в
эg
3In2Te6[10]
-зе
’
г
в
є
в
б
цl
чi
є
(Є
Юб
є
в
[11]г
ке
же
д
жке÷зее
б
(
г 1
Юб
б
в
є
г
б
є
б
–
б
є
–
«
»г
в
ґ
цl Si
в
в
б
є
в
в
[12]г
є
є
(
цl
в
Ю
–
цl «
»
d
C
/ d
U
в
в
-7-ж «
-ж»г
в
-
г
3.
І
Ь
І
г зг
(
жЮб
є
(жжжЮ
~ 3
10
6 – 2б
(
N
d ≈3
10
6 – 2Ю
(
в
зЮг
в
(
Ю жжйе
(жбжзж
Ю
(
Юп жкйе
(ебнжз
Ю –
жр жйзк
(0,875
Ю –
зр жизе
(ебоий
Ю –
ир
1240
(ж
Ю –
йр
Ю
Ю
и . 2 –
Nd≈ 3106 – 2п -1 – р -2 –
в
б жеее б ж г
Ю – в
0(Юр Ю –
(
г 2
Юб
в
( ж-
й
Юг
в
г
б
,
є
в
ж
в
(
г з Юг
в
б
'
б
в
г
б
в
Є –
г є
б
цl-Si-чi
в
(
N
d ≈ 3
10
6 – 2Ю
б
(
г иб
-зЮ
(
г иб
-1).
Є –
в
-
б
є
в
г
б
:
1, 2, 3, 6, 7, 8гє
в
б
п
4, 9 10.
и . 3 – Є - цl-Si-Bi
( чi цl-« »Ю
(Nd≈ 3106 – 2Юп -2 – в
б
жеее б ж гр -1 –
в
б
-
в
г
б
в
Є
-
в
б
в
б
в
б
ж /
г
в
(
г йЮ (
Юп
1
Ev
+ 0.04
б
2
Ev
+ 0.08
б
3
Ev
+ 0.14
б
4
Ev
+ 0.23
б
5 =
Ev
+ 0.26
б
6
E
– 0.45
б
7
E
– 0.15
,
8
E
– 0.11
б
E
9
Ev
+ 0,31
б
E
10
Ev
+ 0,4
г
и . 4 – в
Si-p в
[13]
в
єб
E
dvE
dcбв
Ev
ъc
б
г
в
[13]б
в
ле
'
в
п
E
dv
Ev
+ еген
E
dc
Ec
– еген г
Ev
+ егзл
б
в
5
г 3б
б
1 [14]гв
-
б
є
в
г
в
6 (
E
– 0.45
Ю
3
б
[14]г
в
є
'
в
б
б –
-
г
б
б
в
б
б
г
в
E
– 0.15
E
– 0.11
-
(V-OЮ
в
б
[15, 16]г
є
жеее
г
(
15
Ю
в
є
г
(
1000
б
t
п
жк
1
Ю
в
є
б
є
є
Ev
+ 0.26
г
в
в
б
б
б
г
г
г зг
ж
г
є
б
г
є
’
ж
c
(
Ec
– 0.08)
E
5
(
Ev
+ егзлЮб
в
є
в
-г
-
Є
в
б
в
в
б
Si(
p
).
г 5
є
в
є
(
цlЮ –
ж
цl-
–
зг
є
цl
цl-
г
в
б
цl-
в
є
б
8(
г 5,
-жб зЮг
в
є
є
(
г кб
-и
г иб
-зЮг
є
(
цlЮ
в
4 9г
б
цl-
3б
г
[12]
б
цl
p-Si
б
в
ґ
цl
Si (
23 %Ю б
в
б
’є
г
в
г
в
в
є
(
1- 6Юв
7 8 (г йб
– жб зЮб
.
в
є
Si – SiO2
в
[17]г
є
б
б
э, H
+, H2
г
в
є
в
б
в
б
цl (
г кб
-иЮг
є
в
(
3Ю
г
10
б
є
[18, 19]
є
в
(Si
I + SiIЮб
б
в
г
в
в
г
є
и й
в
є
’
Ec
→
E
3 (Ev
+ егжйЮ
Ec
→
E
4 (Ev
+ егзиЮб
є
в
є
в
г
[3]
в
б
щи
щй є
в
ле
в
г
б
б
щи
є
щйг
и . 5–Є - в
п -1 –
-б цl-« »р -2 – - б
цl- р -3 – - б
цl-
T 1000 шб ж
г 5
в
цl
«
»
цl-
(
-
г жЮг
б
б
в
б
є
б
є
б
цlг
в
-
в
[12].
4.
б
в
-Siб
в
б
в
г
в
є
б
б
б
в
б
в
г
б
в
б
г
в
в
б
г
в
б
є
г
б
(
в
Юб
б
в
г
и
в
и
ии в
и
и
и в
ы
и
и
p
-
и
г г
б
. .
, . .
Х
Х
Х
Х
Х
б
гХ
гХ
Х1ембХмое1мХ
бХ
p- (жжжЮг в
-г
г б цl
p-Si б б в
б г
вы в : - б б
б б г
About the Nature of Electroluminescence Centers in Plastically Deformed Crystals
of
p
-type Silicon
B.V. Pavlyk, M.O. Kushlyk, D.P. Slobodzyan
Ivan Franko National University of Lviv, 107, Tarnavskyi Str., 79017 Lviv, Ukraine
The paper describes research of dislocation electroluminescence of single crystal p-type silicon with a high concentration of dislocations on the surface (111). It is shown the reaction of the luminescence spectra and capac-itive-modulation spectra of samples after high-temperature annealing in an atmosphere of flowing oxygen. The analysis of the results lets us to establish the nature of recombination centers and their reorganization under high-temperature annealing. It is shown that deposition of Al film on the substrate p-Si leads to the formation of strain capacity and the localization of defects in the surface layer that corresponds to luminescence centers.
Keywords: p-type silicon, Dislocation electroluminescence, Recombination centers, Plastic deformation, High-temperature annealing.
І
1. г г б г г б г г , Х Э
23, 651 (1976) (N.A. Drozdov, A.A. Patrin, V.D. Tkachev, JETP Lett.23 No 11, 651 (1976)).
2. R. Sauer, Ch. Kisielowski-Kemmerich, H. Alexander, Phys. Rev. Lett.57, 1472 (1986).
3. N.A Sobolev, Semiconductors44 No 1, 1 (2010).
4. V. Kveder, M. Badylevich, W. Schroter, M. Seibt, E. Steinman, A. Izotov, phys. status solidi (a) 202 No 5, 901 (2005).
5. A.N. Tereshchenko, E.A Steinman, A.A. Mazilkin, Phys. Solid State53 No 2, 369 (2011).
6. N.A. Sobolev, B.Ya. Ber, A.M. ъmel’yanovб цгігKovarskiĭб E.I. Shek, Semiconductors41 No 3, 285 (2007).
7. E.A. Steinman, A.A. Mazilkin, Phys. Solid State47 No 1, 5 (2005).
8. г г б г г б г г б г г б
г г , 11 No 3, 675 (2010) (B.V. Pavlyk, R.I. Didyk, Y.A. Shykoryak, A.P. Shtabalyuk, M.O. Kushlyk, Phys. Chem. Solid State11 No 3, 675 (2010)).
9. г г б г г б г г б г г ,
г г б г г б г г , г 86829
бХ Хье1NиденбХHе1Lз1диззгХ гХ1еге1гзе1йбХ
Х№1(B.V. Pavlyk, R.I. Didyk, Y.A. Shykoryak, R.M. Lys, A.S. Hrypa, D.P. Slobodzyan, M.O. Kushlyk, Pat. 86829 Ukrayina, MPK G01N3/08, H01L21/322. opubl. 10.01.2014, Byul No 1).
10. г б Х Х Ч Х в
гХ . 303, 81 (2006) (I.I Herman, Naukovyy visnyk Chernivetskoho universytetu. Fizyka. Elektronika303, 81 (2006)).
11.B.V. Pavlyk, D.P. Slobodzyan, M.O. Kushlyk, Semiconduc-tors 46 No 8, 993 (2012).
12. г . б г г б г г б г г б
г г б г г , 58 № 8, 742 (2013) (B.V. Pavlyk, M.O. Kushlyk, R.I. Didyk, Y.A. Shykoryak, D.P. Slobodzyan, B.Ya. Kulyk, Ukr. J. Phys. 58 No 8 742 (2013)).
13.V. Kveder, T. Sekiguchi, K. Sumino, Phys. Rev. B 51
No 23, 16721 (1995).
14.D. Cavalcoli, A. Cavallini. phys. status solidi (c) 4 No 8, 2871 (2007).
15. г г б 81 No 5, 13 (2012) (A.P. Dolgolenko, VANT81 No 5, 13 (2012)).
16. г г б г . б г . б Х Х
Х ( п : 1997)
(V.M. Babich, N.I. Bletskan, Ye.F. Venger, Kislorod v monokristallakh kremniya (Kiyev: Interpres LTD: 1997)). 17.O.V. Aleksandrov, Semiconductors48 No 4, 505 (2014). 18.V.V. Lukjanitsa, Semiconductors37 No 4, 404 (2003). 19.N.A. Sobolev, A.S. Loshachenko, D.S. Poloskin, E.I. Shek,
