ĐỀ THI TRẮC NGHIỆM MÔN KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ1

(1)

ĐỀ THI TRẮC NGHIỆM MÔN KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ

1. khi BJT dẫn bão hòa thì VCE xấp xỉ bằng:

A. 0.7V B. 0.2V C. VCC D. VB

2. Hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại dùng transistor có công thức:

A. Vvào

/V

ra

B. V

ra

/V

vào

C. V

C

/V

B

D. V

C

/V

E

3. mạch khuếch đại dùng BJT với cách mắc mạch nào thì tín hiệu ra sẽ ngược pha với tín hiệu vào:

A. Mạch Emitter chung (EC) B. Mạch Collector chung (CC)

C. Mạch Base chung (BC) D. cả B và C

4. mạch khuếch đại dùng BJT với cách mắc mạch nào thì tín hiệu ra sẽ cùng pha với tín hiệu vào:

A. Mạch Emitter chung (EC) B. Mạch Collector chung (CC)

C. Mạch Base chung (BC) D. cả B và C

5. khi mạch khuếch đại bằng BJT được phân cực để hoạt động ở chế độ A thì: A. tiếp giáp B-E được phân cực thuận và tiếp giáp B-C được phân cực thuận

B. tiếp giáp B-E được phân cực thuận và tiếp giáp B-C được phân cực ngược

C. tiếp giáp B-E được phân cực ngược và tiếp giáp B-C được phân cực thuận D. tiếp giáp B-E được phân cực ngược và tiếp giáp B-C được phân cực ngược 6. hồi tiếp âm có đặc điểm sau:

A. tín hiệu hồi tiếp cùng pha với tín hiệu vào B. tín hiệu hồi tiếp ngược pha với tín hiệu vào

C. được dùng để ổn định chế độ công tác (DC) và ổn định các tham số của bộ khếch đại

D. cả A và C

7. hồi tiếp dương có đặc điểm sau:

A. tín hiệu hồi tiếp cùng pha với tín hiệu vào và để tạo dao động

B. tín hiệu hồi tiếp ngược pha với tín hiệu vào

C. được dùng để ổn định chế độ công tác (DC) và ổn định các tham số của bộ khếch đại D. cả A và C

8. mạch điện của bộ khuếch đại có hồi tiếp có đặc điểm: tín hiệu hồi tiếp đưa về đầu vào nối tiếp với nguồn tín hiệu ban đầu và tỷ lệ với điện áp ở đầu ra, vậy nó thuộc loại hồi tiếp nào:

(2)

A. hồi tiếp nối tiếp-dòng điện B. hồi tiếp song song-điện áp

C. hồi tiếp nối tiếp-điện áp D. hồi tiếp song song-dòng điện

9. cho sơ đồ khối của bộ khuếch đại có hồi tiếp âm như hình sau thì hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp K’_=X r/Xv có công thức theo K và Kht như sau: Hình 1 A. K. Kht B. 1+K. Kht C. Kht K. 1 1 + D. 1+K.Kht K

10. hồi tiếp âm sẽ cho hệ số khuếch đại như thế nào so với hệ số khuếch đại của mạch không có hồi tiếp:

A. giảm B. tăng C. không đổi D. tất cả đều sai

11. độ sâu hồi tiếp (g) của mạch khuếch đại có hồi tiếp âm có công thức:

a. g=K. Kht B. g=1+K. Kht c. g=1 d. Kht K. 1 1 + = g

12. ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến trở kháng vào, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. hồi tiếp âm nối tiếp điện áp làm tăng trở kháng vào của phần mạch nằm trong vòng hồi tiếp là g lần

B. hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện làm tăng trở kháng vào của phần mạch nằm trong vòng hồi tiếp là g lần

C. hồi tiếp âm song song làm giảm trở kháng vào của phần mạch nằm trong vòng hồi tiếp g lần

D. cả a,b,c

13. ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng ra, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. hồi tiếp âm song song làm giảm trở kháng ra của phần mạch nằm trong vòng hồi tiếp g lần B. hồi tiếp âm điện áp làm giảm trở kháng ra của phần mạch nằm trong vòng hồi tiếp g lần C. hồi tiếp dòng điện làm tăng trở kháng ra của phần mạch nằm trong vòng hồi tiếp g lần

D. cả b và c

14. với mạch hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện thì trở kháng vào và trở kháng ra thay đổi thế nào: A. trở kháng vào giảm g lần và trở kháng ra tăng g lần

(3)

B. trở kháng vào giảm g lần và trở kháng ra giảm g lần

C. trở kháng vào tăng g lần và trở kháng ra tăng g lần

D. trở kháng vào tăng g lần và trở kháng ra giảm g lần 15. với mạch hình 2 sau thuộc loai hồi tiếp nào:

Hình 2 A. hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện

B. hồi tiếp âm song song dòng điện

C. hồi tiếp âm song song điện áp

D. hồi tiếp âm nối tiếp điện áp

16. mạch sau ở hình 3 thuộc loại hồi tiếp nào: a. hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện

b. hồi tiếp âm song song dòng điện c. hồi tiếp âm song song điện áp d. hồi tiếp âm nối tiếp điện áp

Hình 3 17. mạch sau ở hình 4 thuộc loại hồi tiếp nào:

(4)

a. hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện b. hồi tiếp âm song song dòng điện c. hồi tiếp âm nối tiếp điện áp

d. A,B,C đều sai

Hình 4 18. mạch sau ở hình 5 thuộc loại hồi tiếp nào: a. hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện xoay chiều b. hồi tiếp âm song song dòng điện xoay chiều c. hồi tiếp âm song song dòng điện một chiều

d. hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện một chiều

Hình 5

19. mạch khuếch đại dùng BJT ở hình 2 mắc theo loại nào:

a. Emitter chung (EC) B. Collector chung (CC) C. Base chung (EC) D. cả A, B,C đều sai

(5)

20. mạch khuếch đại dùng BJT ở hình 3 mắc theo loại nào: a. Emitter chung (EC) B. Collector chung (CC)

C. Base chung (EC) D. cả A, B, C đều sai

21. Thành phần nào trong mạch ở hình 3 giữ vai trò hồi tiếp:

A. R1 B. R2 C. cả R1 và R2 D. Cả A, B, C đều sai

22. hệ số hồi tiếp Kht=Xht/Xr của mạch trong hình 3 được xác định có trị tuyệt đối là:

A. 0 B. 1 C. 1/R2 D. R2

A. RE B. RC C. RB D. Cả A, B, C đều sai

24. hệ số hồi tiếp Kht=Xht/Xr của mạch trong hình 5 khi hồi tiếp một chiều được xác định có trị

tuyệt đối là:

A. RE B. 1 C. 1/RE D. 0

A. R1 B. R2 C. cả R1 và R2 D. Cả A, B, C đều sai

26. hệ số hồi tiếp Kht=Xht/Xr của mạch trong hình 2 được xác định có trị tuyệt đối là:

A. R1 B. 1 C. 1/R1 D. 0

27.Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến mạch khuếch đại như sau, phát biểu nào sau đây đúng: A. Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp ổn định hơn khi không có hồi tiếp

B. hồi tiếp âm tăng dải tần của bộ khuếch đại và tăng méo phi tuyến C. hồi tiếp âm tăng dải tần của bộ khuếch đại

D. cả A, C

28. Thực chất của việc ổn định điểm làm việc của mạch khuếch đại dùng BJT là làm cho điểm làm việc không phụ thuộc vào:

A. nhiệt độ B. β (=IC/IB) C. Nguồn cung cấp D. A và B, C đều đúng

29. nếu β thay đổi thì sự thiếu ổn định của điểm làm việc trong mạch khuếch đại dùng BJT như thế nào?

A. VCE thay đổi B. IC thay đổi C. IE thay đổi D. A, B, C đều đúng

(6)

A. trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp

B. trở kháng vào thấp và trở kháng ra cao C. trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng RC

D. ngoài cac trường hợp trên

31. hệ số khuếch đại điện áp của mạch Collector chung (CC):

A. lớn hơn 1 B. bằng 1 C. nhỏ hơn 1 D. bằng β 32. loại mắc mạch BJT nào dùng cho khuếch đại công suất:

A. BC B. CC. C. EC D. cả A, B, C

33. hệ số khuếch đại công suất được xác định theo công thức:

A. Ku.Ki B. βKu C. βKi D. tất cả đều sai

Với Ku là hệ số khuếch đại điện áp, Ki là hệ số khuếch đại dòng điện 34. cấu hình Base chung (BC) có đặc điểm:

A. trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp

B. trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng RC C. trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng RC

D. ngoài cac trường hợp trên

35. hệ số khuếch đại dòng điện của mạch Base chung (BC):

A. lớn hơn 1 B. bằng 1 C. nhỏ hơn 1 một ít D. bằng β 36. cấu hình Emitter chung (EC) có đặc điểm:

(7)

B. trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng RC khi rce của tiếp giáp C-E rất lớn C. trở kháng vào trung bình và trở kháng ra bằng RC

D. ngoài các trường hợp trên

37. khi BJT mắc theo kiểu BC thì mạch có khả năng cung cấp:

A. hệ số khuếch đại điện áp và công suất

B. hệ số khuếch đại dòng điện và công suất

C. hệ số khuếch đại điện áp, dòng điện và công suất D. chỉ có hệ số khuếch đại điện áp

38. khi BJT mắc theo kiểu CC thì mạch có khả năng cung cấp: A. hệ số khuếch đại điện áp và công suất

B. hệ số khuếch đại dòng điện và công suất

C. hệ số khuếch đại điện áp, dòng điện và công suất D. chỉ có hệ số khuếch đại điện áp

39. khi BJT mắc theo kiểu EC thì mạch có khả năng cung cấp: A. hệ số khuếch đại điện áp và công suất

B. hệ số khuếch đại dòng điện và công suất

C. hệ số khuếch đại điện áp, dòng điện và công suất

D. chỉ có hệ số khuếch đại điện áp

40. Các tụ C1, C2 trong hình 2 có nhiệm vụ gì:

(8)

B. thoát hồi tiếp xoay chiều

C. ngăn cách tín hiệu xoay chiều với nguồn cung cấp một chiều

D. A,B, C đều đúng

41. RE trong hình 5 có nhiệm vụ gì:

A. ổn định điểm làm việc B. hồi tiếp âm dòng điện một chiều

C. A, B đều sai D. A,B đều đúng

42. tụ CE trong hình 5 có nhiệm vụ gì:

A. ổn định điểm làm việc B. thoát hồi tiếp xoay chiều

C. ngăn cách tín hiệu xoay chiều với nguồn cung cấp một chiều D. A,B, C đều đúng

43. phương pháp bù nhiệt để ổn định điểm làm việc trong các sơ đồ ổn định phi tuyến, người ta có thể dùng Diode và transistor (cùng loại bán dẫn) để bù nhiệt cho nhau vì:

A. Diode và transistor có tham số phụ thuộc vào nhiệt độ

B. đặc tính nhiệt của điện áp B-E và điện áp trên diode như nhau C. VBE, VD có chiều ngược nhau theo sự thay đổi của nhiệt độ D. cả A, B, C

44. ở hình 6, kiểu hồi tiếp sử dụng trong mạch là: A. hồi tiếp nối tiếp điện áp xoay chiều

B. hồi tiếp song song điện áp một chiều

C. hồi tiếp song song điện áp một chiều D. ngoài các đáp án trên

(9)

Hình 6

45. thành phần nào đóng vai trò hồi tiếp đối với tín hiệu một chiều trong mạch ở hình 4:

A. R1 B. R2 C. R3 D. Không có

46. thành phần nào đóng vai trò hồi tiếp đối với tín hiệu một chiều trong mạch ở hình 6:

A. R1 B. R2 C. R3 D. Cả A và B

47. khi vẽ sơ đồ tương đương đối với tín hiệu xoay chiều của mạch khuếch tín hệu nhỏ dùng transistor, ta thực hiện:

A. Ngắn mạch các tụ

B. giữ nguyên các nguồn cung cấp một chiều C. thiết lập các nguồn cung cấp một chiều về 0V

(10)

Hình 7 48. Ở chế độ tĩnh, dòng IB của mạch ở hình 7 được xác định theo công thức: A. E B BE CC B R R V V I + − = _B. E B BE CC B R R V V I β + − ≈ C. E B BE CC B R R V V I ) 1 ( +β + − = _{D. Cả B,C đều đúng} 49. Ở chế độ tĩnh, VC của mạch ở hình 7 được xác định theo công thức:

A. VCC-IBRB B. VCC-ICRC C.VCC-IERE D. A,B,C đều sai

50. Xác định chế độ tĩnh của mạch ở hình 7 với RB=470KΩ, Rc=2.2KΩ, RE=2.2KΩ, VCC=20V

và β=100.

A. IC=1mA, VCE=7,732V B. IC= 2.788mA , VCE= 3.53V C. IC=2.788mA, VCE=7,732V D. Ngoài các đáp án trên

51. cho các sơ đồ tương đương sau, hình nào là sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại EC của hình 7:

A. hình 8 B. Hình 9 C. Hình 10 D. A, B, C đều sai

(11)

Hình 10 Hình 11

Hình 12 hình 13

52. Giá trị của re của mạch ở hình 7 là: với các thông số giống như trên (RB=470KΩ, Rc=2.2KΩ,

RE=2.2KΩ, VCC=20V và β=100):

A. 9.3Ω B. 15.3Ω C. 12Ω D. Ngoài các đáp án trên

53. Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 7, trở kháng vào của mạch là:

A. RB//ZB B. RC//ZB C. RB//RE D. A, B, C đều sai

Với ZB=βre+(1+β)RE

54. trở kháng ra của mạch khuếch đại dùng transistor được xác định khi: A. tín hiệu vào (vin) khác 0 B. Tín hiệu vào vin bằng 0

C. Tín hiệu ra vin bằng 0 D. Cả B và C

55. Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 7, trở kháng RA của mạch là: (nếu giả thiết rce vô cùng lớn)

(12)

A. RC//RE B. RC C. RC//ZB D. Ngoài các đáp án trên

56. hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại hình 7 được xác định có trị tuyệt đối: với RE>>re

A. RC/re B. RC/RE C. RC/(RE+re) D. B và C đều đúng

57. hãy tìm tỷ số giữa dòng Ib và dòng điện vào (Ib/Iin)theo sơ đồ tương đương của mạch hình 7:

A. β B. B B B Z R R + C. B B B R Z R + D. ngoài các đáp án trên 58. Hệ số khuếch đại dòng điện của mạch khuếch đại hình 7 được xác định có trị tuyệt đối:

A. B B B Z R R + β _B.β _C. B B B Z R R + D. A, B,C đều sai

59. mạch khuếch đại ở hình 7 với các thông số cho ở trên (RB=470KΩ, Rc=2.2KΩ, RE=2.2KΩ,

VCC=20V và β=100) có trở kháng vào là: Nếu giả thiết bỏ qua re

A. 149.9 KΩ B. 0 C. 2.2KΩ D. ngoài các đáp án trên

VCC=20V và β=100) có trở kháng ra là: nếu giả thiết rce vô cùng lớn

A. 149.9 KΩ B. 470KΩ C. 2.2KΩ D. ngoài các đáp án trên 61. mạch khuếch đại ở hình 7 với các thông số cho ở trên (RB=470KΩ, Rc=2.2KΩ, RE=2.2KΩ,

VCC=20V và β=100) có trị tuyệt đối của hệ số khuếch đại điện áp là: với RE>>re

A. 1 B. 100 C. 50 D. ngoài các đáp án trên

(13)

A. 68.1 B. 100 C. 1 D. ngoài các đáp án trên 63. Mạch khuếch đại ở hình 7 với các thông số cho ở trên (RB=470KΩ, Rc=2.2KΩ, RE=2.2KΩ,

VCC=20V và β=100) có hệ số khuếch đại công suất (với RE>>re):

A. 68.1 B. 100 C. 1 D. ngoài các đáp án trên

64. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ ở hình 5 có sơ đồ tương đương đối với tín hiệu xoay chiều theo hình nào:

A. hình 8 B. Hình 9 C. Hình 10 D. A, B, C đều sai

65. Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 5, trở kháng vào của mạch là: A. RB//ZB B. RB//βre C. RB//RE D. A, B, C đều sai

67. hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại hình 5 được xác định có trị tuyệt đối: (với rce vô cùng lớn)

A. RC/re B. RC/RE C. RC/(RE+re) D. B và C đều đúng

68. hãy tìm tỷ số giữa dòng Ib và dòng điện vào (Ib/Iin) theo sơ đồ tương đương của mạch hình 5:

A. β B. e B B r R R β + C. B B B R Z R + D. ngoài các đáp án trên 69. Hệ số khuếch đại dòng điện của mạch khuếch đại hình 5 được xác định có trị tuyệt đối:

(14)

Giả thiết rằng rce vô cùng lớn và RB>>βre A. e B B r R R β β + B.β C. B B B Z R R + D. A, B đều đúng

70. Xác định chế độ tĩnh của mạch khuếch đại ở hình 5 với RB=470KΩ, Rc=2.2KΩ, RE=2.2KΩ,

VCC=20V và β=100.

A. IC=1mA, VCE=7,732V B. IC= 2.788mA , VCE= 3.53V C. IC=2.788mA, VCE=7,732V D. Ngoài các đáp án trên

VCC=20V và β=100) có trở kháng vào xấp xỉ bằng (Nếu giả thiết RB>>βre)

A. 470KΩ B. 930Ω C. 2.2KΩ D. ngoài các đáp án trên

VCC=20V và β=100) có trở kháng ra xấp xỉ bằng (giả thiết rce =50KΩ)

A. 470KΩ B. 50KΩ C. 2.107KΩ D. ngoài các đáp án trên

VCC=20V và β=100) có trị tuyệt đối của hệ số khuếch đại điện áp là: (nếu rce vô cùng lớn)

A. 1 B. 100 C. 236.56 D. ngoài các đáp án trên

VCC=20V và β=100) có hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ (nếu rce vô cùng lớn, RB>>βre):

A. 68.1 B. 100 C. 1 D. ngoài các đáp án trên

(15)

76. Xác định chế độ tĩnh của mạch khuếch đại ở hình 4 với RB=470KΩ, Rc=2.2KΩ, VCC=20V và

β=100.

A. IC=4.106A, VCE=10,97V B. IC= 4.106mA , VCE= 10,97V C. IC=2.788mA, VCE=7,732V D. Ngoài các đáp án trên

A. hình 8 B. Hình 9 C. Hình 10 D. A, B, C đều sai

78. Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 4, trở kháng vào của mạch là: A. RB//ZB B. RB//βre C. RB//RE D. A, B, C đều sai

81. Hệ số khuếch đại dòng điện của mạch khuếch đại hình 4 được xác định có trị tuyệt đối:

A. e B B r R R β β + B.βre C. B B B Z R R + D. A, B,C đều sai

(16)

82. mạch khuếch đại ở hình 4 với các thông số cho ở trên (RB=470KΩ, Rc=2.2KΩ, VCC=20V và

β=100) có trở kháng vào xấp xỉ bằng (Nếu giả thiết RB>>βre)

A. 470KΩ B. 930Ω C. 2.2KΩ D. ngoài các đáp án trên

β=100) có trở kháng ra xấp xỉ bằng (giả thiết rce vô cùng lớn)

A. 470KΩ B. 2.5KΩ C. 2.2KΩ D. ngoài các đáp án trên

β=100) có trị tuyệt đối của hệ số khuếch đại điện áp là: (nếu rce vô cùng lớn)

A. 1 B. 347.5 C. 100 D. ngoài các đáp án trên

β=100) có hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ (nếu rce vô cùng lớn, RB>>βre):

A. 68.1 B. 633 C. 1 D. ngoài các đáp án trên

86. Cho mạch khuếch đại ở hình 14, xác định chế độ tĩnh của mạch với R1=56KΩ, R2=39KΩ,

Rc=1KΩ, RE=600Ω, VCC=9V và β=100.

A. IC=3.6mA, VCE=3.2V B. IC=3.6A, VCE=3.2V

(17)

Hình 14 hình 15

87. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ ở hình 14 có sơ đồ tương đương đối với tín hiệu xoay chiều theo hình nào, giả thiết RB=R1//R2

A. hình 8 B. Hình 9 C. Hình 10 D. Hình 11

88. Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 14, trở kháng vào của mạch là: A. R1//R2//βre B. R1//R2//re C. R1//R2//RE D. A, B, C đều sai

89. Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 14, trở kháng RA của mạch là: (giả thiết rce vô cùng lớn)

A. RC//RE B. RC C. RC//rce D. B và C đều đúng

91. mạch khuếch đại ở hình 14 với các thông số cho ở trên (R1=56KΩ, R2=39KΩ, Rc=1KΩ,

RE=600Ω, VCC=9V và β=100) có trở kháng vào xấp xỉ bằng (giả thiết RB>>βre)

(18)

RE=600Ω, VCC=9V và β=100) có trở kháng ra xấp xỉ bằng (giả thiết rce vô cùng lớn)

A. 470KΩ B. 2.5KΩ C. 1KΩ D. ngoài các đáp án trên

RE=600Ω, VCC=9V và β=100) có trị tuyệt đối của hệ số khuếch đại điện áp là: (nếu rce vô cùng

lớn)

A. 138,9 B. 347.5 C. 100 D. ngoài các đáp án trên

RE=600Ω, VCC=9V và β=100) có hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ (nếu rce vô cùng lớn,

RB>>βre):

A. 138,9 B. 100 C. 1 D. ngoài các đáp án trên

95. Cho mạch khuếch đại ở hình 15, xác định chế độ tĩnh của mạch với R1=56KΩ, R2=39KΩ,

Rc=1KΩ, RE=600Ω, VCC=9V và β=100.

A. IC=3.6mA, VCE=3.2V B. IC=3.6A, VCE=3.2V

C. IC=1mA, VCE=3.2V D. Ngoài các đáp án trên

A. hình 8 B. Hình 9 C. Hình 10 D. Hình 11

97. Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 15, trở kháng vào của mạch là: A. R1//R2//βre B. R1//R2//re C. R1//R2//ZB D. A, B, C đều sai Với ZB=βre+(1+β)RE

(19)

A. RC//RE B. RC C. RC//re D. B và C đều đúng

99. hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại hình 15 được xác định có trị tuyệt đối: (với rce vô cùng lớn, RE>>re)

A. RC/re B. RC/RE C. RC/(RE+re) D. B và C đều đúng

RE=600Ω, VCC=9V và β=100) có trở kháng vào xấp xỉ bằng (giả thiết RB>>βre)

A. 56KΩ B. 1KΩ C. 16.68KΩ D. ngoài các đáp án trên

RE=600Ω, VCC=9V và β=100) có trở kháng ra xấp xỉ bằng (giả thiết rce vô cùng lớn)

A. 470KΩ B. 2.5KΩ C. 1KΩ D. ngoài các đáp án trên

RE=600Ω, VCC=9V và β=100) có trị tuyệt đối của hệ số khuếch đại điện áp là: (nếu rce vô cùng

lớn, RE>>re)

A. 138,9 B. 1.67 C. 100 D. ngoài các đáp án trên

RE=600Ω, VCC=9V và β=100) có hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ (nếu rce vô cùng lớn,

RB>>βre):

A. 1.67 B. 100 C. 1 D. ngoài các đáp án trên

104. Cho mạch khuếch đại ở hình 16, xác định chế độ tĩnh của mạch với RB=180KΩ,

Rc=2.7KΩ, RE=1KΩ, VCC=9V và β=100.

A. IC=1.5A, VCE=3.45V B. IC=1.5mA, VCE=3.45V C. IC=1μA, VCE=3.2V D. Ngoài các đáp án trên

(20)

Hình 16 hình 17

Hình 18

A. hình 11 B. Hình 12 C. Hình 17 D. Đáp án khác

A. RC//RB B. RC C. RC//re D. B và C đều đúng

(21)

(với rce vô cùng lớn, RE>>re)

108. hệ số khuếch đại dòng điện của mạch khuếch đại hình 16 được xác định có trị tuyệt đối: (với rce vô cùng lớn, RE>>re) A. RC/re B. RC/RE C. C B B R R R β + D. Đáp án khác

109. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ ở hình 18 có sơ đồ tương đương đối với tín hiệu xoay chiều

theo hình nào, giả thiết RB=R1//R2

A. hình 11 B. Hình 12 C. Hình 13 D. Đáp án khác

A. RE//RB B. RE C. RE//re D. B và C đều đúng

111. Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 18, trở kháng vào của mạch là: (giả thiết rce vô cùng lớn)

A. RB//ZB B. RE C. RB//re D. Đáp án khác

112. hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại hình 18 được xác định có trị tuyệt đối xấp xỉ: (với rce vô cùng lớn, RE>>re)

A. RC/re B. RC/RE C. 1 D. B và C đều đúng

(22)

(với rce vô cùng lớn, RE>>re) A. RC/re B. RC/RE C. B B B Z R R + D. Đáp án khác

114. trong mạch phân cực phân áp ở hình, tại sao điện áp tại điểm nối R1 và R2 được xem là độc

lập với dòng Base IB của BJT.

A. dòng Base không chạy qua R1 và R2

B. dòng Base nhỏ so với dòng chạy qua R1 và R2

C. chỉ có dòng Emitter ảnh hưởng đến dòng chạy qua R1 và R2

D. tất cả đều sai

115. tại sao cần phải xác định trở kháng vào của mỗi tầng trong bộ khuếch đại nhiều tầng. A. Do trở kháng vào của toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng

B. hệ số khuếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo C. Do trở kháng vào của một tầng là điện trở tải của tầng trước

D. B và C đều đúng

116. hệ số khuếch đại điện áp của toàn mạch khuếch đại nhiều tầng sẽ bằng với: A. tích hệ số khuếch đại điện áp của mỗi tầng

B. hệ số khuếch đại điện ápcủa tầng đầu tiên

C. tổng hệ số khuếch đại điện của mỗi tầng nếu hệ số khuếch đại tính theo đơn vị dB

D. A và C đều đúng

(23)

A. tổng trở kháng vào của mỗi tầng B. Tích trở kháng vào của mỗi tầng

C. trở kháng vào của tầng đầu tiên

D. trở kháng vào của tầng cuối cùng

118. trở kháng ra của toàn bộ mạch khuếch đại nhiều tầng được xác định: A. tổng trở kháng ra của mỗi tầng

B. Tích trở kháng ra của mỗi tầng C. trở kháng ra của tầng đầu tiên

D. trở kháng ra của tầng cuối cùng

119. một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là: A. các tụ ghép cho phép mạch khuếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC

B. các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mỗi tầng độc lập nhau

C. các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở Emitter nên làm tăng hệ số khuếch đại D. B và C đều đúng

119. một trong những nhược điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là:

A. không truyền đạt được tín hiệu có tần số thấp

B. Làm suy giảm hệ số khuếch đại

C. Mạch phân cực trong mỗi tầng ảnh hưởng lẫn nhau D. tất cả đều sai

(24)

120. các mạch khuếch đại ghép trực tiếp có ưu điểm hơn so với mạch khuếch đại ghép RC là chúng có thể khuếch đại: A. Các mức tín hiệu lớn hơn B. Các mức tín hiệu nhỏ hơn C. Các tín hiệu tần số cao D. Các tín hiệu tần số thấp

121. trong thực tế các mạch khuếch đại ghép trực tiếp có thể dễ bị ảnh hưởng bởi vấn đề: A. Về độ bão hòa

B. Về trở kháng C. Về độ trôi DC D. Về hệ số khuếch đại

122. một trong những nhược điểm chính của việc sử dụng ghép biến áp giữa các tầng là: A. Có kích thước và trọng lượng lớn

B. giảm biên độ tín hiệu ở vùng tần số rất cao C. không hoàn toàn cách điện

D. cả A và B

123. Cho mạch khuếch đại ghép RC như hình 19, trị tuyệt đối của hệ số khuếch đại điện áp của tầng thứ nhất được xác định: nếu giả thiết R9>>re(Q2), rce của các transistor vô cùng lớn.

A. R3/re(Q1) B. ) 1 ( 8 7 3//( // ) Q e r R R R C.R3/R5 D. Tất cả đều sai

(25)

Hình 19 hình 20

124. Cho mạch khuếch đại ghép RC như hình 19, hệ số khuếch đại điện áp của toàn mạch được xác định: nếu giả thiết R9>>re(Q2), rce của các transistor vô cùng lớn.

A. R3/re(Q1) B. ) 1 ( 8 7 3//( // ) Q e r R R R x 9 8 //( ) R R R L C.R3/R5 D. Tất cả đều sai

125. mạch khuếch đại Kaskode có đặc điểm:

A. gồm hai tầng khuếch đại mắc nối tiếp: EC và BC

B. gồm hai tầng nối tiếp: một tầng CC và BC

C. có hệ số khuếch đại điện áp bằng hệ số khuếch đại BC D. B và C đều đúng

126. cho hình 20, Q1 có β1=150, Q2 có β2=100 thì dòng mối quan hệ giữa IE2 của Q2 và IB1 của

Q1 như thế nào.

A. IE2=15000IB1 B. IE2=150IB1 C. IE2=100IB1 D. Đáp án khác

127. Mạch khuếch đại Darlington có đặc điểm: A. Có trở kháng vào lớn

(26)

C. Hệ số khuếch đại điện áp lớn

D. cả A và B

128. Mạch khuếch đại vi sai có đặc điểm: A. Có hai đầu vào và hai đầu ra

B. Mạch giảm được hiện tượng trôi đối với khuếch đại tín hiệu một chiều C. nếu mạch hoàn toàn đối xứng thì mạch khử trôi hoàn toàn

D. cả A, B và C

129. phát biểu nào sau đây là đúng, với mạch khuếch đại vi sai đảm bảo yêu cầu phải có: A. hệ số nén tín hiệu đồng pha lớn

B. hệ số khuếch đại vi sai lớn C. hệ số khuếch đại đồng pha nhỏ

D. tất cả đều đúng

130. mạch khuếch đai vi sai như hình 21, BJT T3 đóng vai trò gì trong mạch: A. giảm hệ số khuếch đại đồng pha

B. tăng hệ số nén tín hiệu đồng pha C. nguồn dòng

D. cả A,B,C

131. Với chế độ tĩnh, dòng IE của T1 và T2 được xác định:

(27)

Hình 21 hình 22 hình 23

132. hệ số khuếch đại vi sai của mạch ở hình 21 là:

A. 44.25 B. 88.5 C. 1 D. Đáp án khác

133. VCE ở chế độ tĩnh của T1 và T2 ở hình 21 được xác định: giả thiết khi chưa có tín hiệu vào,

các chân B của T1, T2 được nối mass, VCC=6V, β=100

A. 0.7V B. 5.55V C. 2V D. Đáp án khác

134. bộ khuếch đại chọn lọc có đặc điểm:

A. khuếch đại tín hiệu trong một dải tần chọn lọc B. nén tín hiệu ngoài dải tần chọn lọc

C. tải là một mạch cộng hưởng hay mạch lọc

D. cả A, B, C

135. biện pháp mở rộng dải tần của bộ khuếch đại là A. giảm tần số giới hạn dưới

B. tăng tần số giới hạn trên C. dùng mạch hồi tiếp âm

D. cả A,B,C đều đúng

136. tần số giới hạn trên của bộ khuếch đại dải rộng được xác định bởi các yếu tố nào: A. điện trở tải

B. các tụ điện mắc song song với tải C. trở kháng ra

(28)

137. với tầng khuếch đại công suất, các transistor khuếch đại tín hiệu lớn có đặc tính làm việc: A. làm việc trong miền tuyến tính

B. không làm việc trong miền tuyến tính

C. có thể dùng sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ để xét bộ khuếch đại D. B và C đều đúng

138. với tầng khuếch đại công suất, chế độ A có đặc điểm: A. khuếch đại cả hai nửa chu kỳ của tín hiệu vào

B. méo xuyên tâm

C. hiệu suất lớn nhất là 25%

D. cả A và C đều đúng

139. với tầng khuếch đại công suất, chế độ B có đặc điểm: A. méo xuyên tâm

B. hiệu suất cao

C. khuếch đại nửa chu kỳ của tín hiệu vào

D. A, B, C đều đúng

140. Méo xuyên tâm trong tầng khuếch đại công suất xuất hiện do: A. Do điện áp phân cực ban đầu

B. Do không có điện áp phân cực ban đầu

C. Do mỗi transistor của tầng đẩy kéo chỉ làm việc ở một nửa chu kỳ tín hiệu D. A, B, C đều sai

141. Với tầng khuếch đại công suất, chế độ B có đặc điểm:

A. hiệu suất cao

B. méo nhỏ

C. khuếch đại tín hiệu ra lớn hơn nửa hình sin D. tất cả đều sai

142. với sơ đồ đẩy kéo ở hình 22 thì phát biểu nào sau đây là sai: A. ở nửa chu kỳ dương đầu, T2 dẫn, T1 tắt

B. ở nửa chu kỳ âm sau, T2 tắt, T1 tắt

C. T3 có nhiệm vụ đảo pha tín hiệu đưa vào T1 D. cả B và C

(29)

143. với sơ đồ đẩy kéo ở hình 23 thì phát biểu nào sau đây là đúng: A. ở nửa chu kỳ dương đầu, T2 dẫn, T1 tắt

B. ở nửa chu kỳ âm sau, T2 tắt, T1 dẫn

C. hai nửa chu kỳ tín hiệu được tổng hợp trên Rt D. cả A, B, C đều đúng

144. với sơ đồ đẩy kéo ở hình 23 thì hai diode D1, D2 có nhiệm vụ: A. đảo pha tín hiệu đưa vào T1

B. tạo điện áp phân cực ban đầu cho T1, T2 C. giảm méo xuyên tâm

D. B và C đều đúng

145. theo tính chất hồi tiếp, phát biểu nào sau đây đúng: A. Hồi tiếp âm làm giảm nhỏ điện áp đầu vào

B. Hồi dương làm giảm nhỏ điện áp đầu vào C. Hồi tiếp âm để ổn định điểm làm việc tĩnh

D. A và C đều đúng

146. cho mạch khuếch đại dùng FET ở hình 24, VGS được xác định:

A. -RSID B. RSID C. 0V D. Đáp án khác

(30)

Hình 27 Hình 28

147. cho mạch khuếch đại dùng FET ở hình 24, VGS được xác định:

A. -RSID B. –VGG C. 0V D. Đáp án khác

148. Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ của FET ở hình 27 là sơ đồ tương đương của mạch nào sau đây:

A. hình 24 với Ri=RG B. Hình 25 với Ri=RG

C. Hình 26 với Ri=R1 //R2 D. Cả B và C

149. Trị tuyệt đối của Hệ số khuếch đại điện áp của mạch ở hình 25 là:

A. gm(RD//rd) B. gm C. (RD//rd) D. Đáp án khác

150. Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ của FET ở hình 28 là sơ đồ tương đương của mạch nào sau đây:

A. hình 24 B. Hình 25

C. Hình 26 với RG=R1 //R2 D. Cả B và C

Trưởng khoa Người ra đề