Capítulo 4 – Propriedades dos filmes finos de óxido de índio e zinco
4.10. Conclusões
Ao longo deste capítulo foi analisada a influência dos diferentes parâmetros de processamento e pós-processamento nas propriedades dos filmes depositados. No que diz respeito à razão de crescimento dos filmes observou-se que a composição do alvo cerâmico (%In=In/(In+Zn) at%), a percentagem de O2 na mistura Ar+O2 (%O2), a pressão de deposição (Pdep) e a potência r.f.
aplicada (Prf), são parâmetros que podem ser controlados por forma a alterar a razão de
crescimento dos filmes. No que diz respeito às propriedades estruturais, com os óxidos de In2O3 e ZnO observou-se uma estrutura cristalina quando depositados pelo processo pulverização catódica de radiofrequência assistida por magnetrão à temperatura ambiente. Com o recozimento destes filmes observou-se um aumento do tamanho das cristalites e, consequentemente, da cristalinidade dos filmes. Por sua vez, os filmes de IZO apresentam, independentemente dos parâmetros de deposição utilizados, uma estrutura amorfa à temperatura ambiente. Ao serem recozidos, os filmes de IZO cristalizam, estando a sua cristalização directamente relacionada com a composição dos alvos da seguinte forma: os filmes depositados com uma %In entre os 50 e os 77 % exibem uma estrutura amorfa estável quando são recozidos ao ar numa gama de temperaturas entre os 150 e os 500 ºC. Mediante o aumento da %In para 83 % observa-se com o recozimento dos filmes a 500 ºC a formação de uma fase cristalina identificada como cúbica do In2O3. Um posterior aumento da %In para 93 % resulta num decréscimo da temperatura para valores próximos dos 300 ºC, que mesmo assim é superior à temperatura de cristalização (140~170 ºC) observada em filmes de ITO amorfos. Deste modo podemos concluir que os filmes de IZO nas condições estudadas apresentam uma estrutura amorfa com uma elevada estabilidade térmica, estando essa estabilidade relacionada com concentração de In (a temperatura de cristalização aumenta com a redução da %In nos filmes, ou seja com o aumento da concentração de Zn).
A análise morfológica dos filmes revelou a existência de uma relação directa entre os parâmetros de processamento/pós-processamento e a morfologia dos filmes. No que diz respeito aos filmes de In2O3 e ZnO, as suas estruturas cristalinas reflectem-se numa superfície rugosa
(rRMS>1,5 nm) a qual representa uma desvantagem em diversas aplicações optoelectrónicas. O
recozimento destes filmes traduz-se num aumento da rRMS devido ao crescimento dos grãos,
validando deste modo os resultados obtidos pela análise estrutural. Por sua vez, a morfologia dos filmes de IZO é principalmente afectada pela Pdep e pela Prf, tendo sido possível estabelecer as
condições que permitem a obtenção de uma superfície pouco rugosa (rRMS=0,61 nm) necessária aos
OLEDs.[138] De um modo geral, observou-se para baixas pressões (Pdep=0,10 Pa) e elevadas
densidades de potência (Prf>1,65 W cm-2) o aumento da rugosidade devido à formação de defeitos
na superfície dos filmes. Por último, e em perfeita consonância com as observações realizadas pelas propriedades estruturais, verificou-se que as alterações na superfície dos filmes são compatíveis com as temperaturas de cristalização dos filmes que por sua vez se encontra relacionadas com a concentração de In.
Da análise composicional dos filmes, designadamente da relação entre os catiões metálicos, foi possível verificar-se que as tendências observadas nos alvos são também verificadas nos filmes depositados. No que diz respeito aos outros parâmetros de deposição, nomeadamente à %O2, observou-se que a sua variação não tem influência na relação entre os catiões (In:Zn) dos filmes. Em relação à Prf, observou-se que no intervalo analisado a sua variação permite, tal como no caso
da %O2, a manutenção da relação entre os catiões do alvo nos filmes depositados. Para baixas Pdep
verificou-se um ligeiro aumento da concentração de In nos filmes em relação ao alvo. Por último, a análise da evolução do O2 dos filmes com uma %In=83 % permitiu comprovar a libertação de O2 com o recozimento, sendo mais evidente a temperaturas na ordem dos 500 ºC que, como visto pelas propriedades estruturais, se encontra na gama de temperaturas de cristalização dos filmes.
Pela caracterização eléctrica dos filmes verificou-se ser possível optimizar as propriedades eléctricas dos filmes de IZO através dos parâmetros de processamento e pós-processamento. De facto, dependendo da aplicação, por exemplo como eléctrodo transparente em OLEDs, ou como material semicondutor em TFTs, podem-se ajustar os parâmetros de deposição para que os filmes apresentem a requerida por essas aplicações, ~10-4
e ~10-1 Ω cm, respectivamente. Dos parâmetros de deposição, a variação da %In assim como a %O2 demonstraram ter uma grande
influência na criação de lacunas de O2, que por sua vez se encontra relacionada com a N dos filmes. Relativamente aos parâmetros de pós-processamento, de um modo geral o recozimento realizado em vácuo resulta na diminuição da dos filmes, enquanto a utilização de ar se traduz num aumento da . Foi ainda possível verificar-se que existem diversos mecanismos a dominar a H e que esta se
encontra relacionada com a N apresentado contudo valores elevados (~40 cm2 V-1s-1, dependendo das condições de processamento), tendo em conta a sua estrutura amorfa. Pela análise da relação entre a N e a H dos filmes verificou-se a existência de diversas tendências, nomeadamente o
aumento da H com o incremento da N de ~10 17
para ~1020 cm-3, tendo sido alcançado um valor máximo nessa região. Dentro desta gama de N, mais especificamente entre 1018-1019 cm-3, os resultados demonstraram que a H é termicamente activada. Para N>10
19
cm-3 a dispersão assistida por fonões é o principal mecanismo a afectar a H com o qual é atingido o valor o máximo de H.
Após este máximo a H diminui com o incremento de N de 10 20
até ~1021 cm-3 por um processo de dispersão por fonões aliado ao mecanismo de dispersão por impurezas ionizadas, sendo que este último se torna mais evidente para N>≈ 5x1020 cm-3.
No que diz respeito à função trabalho () dos filmes, verificou-se que os diferentes parâmetros de processamento/pós-processamento estudados podem ser utilizados para alterar o seu valor entre os 4,70 e os 5,14 eV. Verificou-se que a N é o principal parâmetro a afectar a , tendo-se observado uma relação inversamente proporcional de com N2/3
que se encontra de acordo com a deslocação no nível de Fermi.
O estudo das propriedades ópticas dos filmes de IZO permitiu observar qual a influência de cada parâmetro de processamento e pós-processamento nessas mesmas propriedades. Com o aumento da %In nos filmes verificou-se o decréscimo da TMIVP, que se encontra relacionado com o aumento de N pela deslocação de p para comprimentos de onda mais baixos. Adicionalmente, observou-se um aumento do Eopt que por sua vez se encontra relacionado com a deslocação do
nível de Fermi para o interior da banda de condução, tendo sido verificado o efeito de Burstein- Moss. Em relação à influência da %O2 observou-se o efeito contrário ao observado para a %In, isto
é, com o aumento da %O2 constatou-se o aumento da TMIVP e o decréscimo do Eopt. De referir que
a TMV para estes dois parâmetros se manteve acima dos 80 %, com excepção dos filmes depositados com uma %O2=0 % onde decresceu para os 76 %. Em relação à influência da Prf e da
Pdep, observaram-se alterações mais significativas na TMIVP e no Eopt, em consonância com as
alterações verificadas com os dois parâmetros anteriores. Por sua vez, no que se refere à influência da ds observou-se o aparecimento de franjas de interferência, assim como um decréscimo da TMIVP
e um aumento do Eopt com o incremento da ds dos filmes. As diferentes condições de recozimento
estudadas também tiveram uma influência significativa nas propriedades ópticas dos filmes. No caso dos filmes recozidos com diferentes %In corroborou-se que as variações observadas na TMV se encontram relacionadas com a atmosfera de recozimento e também com as alterações estruturais verificadas nos filmes. No que diz respeito à TMIVP verificou-se o seu decrescimento com o aumento da Trec quando o recozimento é realizado em vácuo, e que a mesma aumenta ou se
mantém praticamente inalterada (para os filmes depositados com uma %In de 50 e 100 %) quando o recozimento é efectuado ao ar. Em relação à variação do Eopt observou-se de um modo geral que
existe uma relação com a N sendo observado o efeito de Burstein-Moss, com excepção dos filmes depositados com %In≥93 % onde os resultados sugerem a existência de outro mecanismo a influenciar o Eopt. Em relação aos filmes recozidos com diferentes %O2 também se observa uma
relação directa entre a N e a variação da TMIVP e do Eopt. De um modo geral, quando o recozimento
é realizado em vácuo o número de lacunas de O2 aumenta, o que se traduz num decréscimo da TMIVP e num aumento do Eopt. O efeito inverso ocorre quando o recozimento é efectuado ao ar devido à compensação dessas lacunas. Por último, através da análise por elipsometria foi possível descrever a função dieléctrica dos filmes de IZO através do modelo de Tauc Lorentz e de Drude. Pelos parâmetros obtidos pelo modelo de Drude, foi possível determinar-se a m* dos filmes de IZO
em 0,32m0 para além de se ter determinado a Nopt e a opt, que apresentam uma boa concordância
com os valores obtidos pela caracterização eléctrica.
Pela utilização da figura de mérito definida por Haacke aliada às outras propriedades exibidas pelos filmes, nomeadamente a estabilidade térmica e a baixa rugosidade superficial, foram seleccionadas as condições de processamento em que os filmes apresentaram as melhores características. dos filmes de IZO. (%In=83 %; %O2=0,65 %; Pdep=0,20 Pa; Prf=1,65 W cm
-2
; ds=200
nm) Por último, pelo estudo comparativo realizado entre os filmes de IZO depositados sobre um substrato rígido e flexível e os filmes de ITO comercialmente disponíveis, foi possível confirmar que os filmes de IZO depositados a baixas temperaturas apresentam propriedades equiparáveis às dos filmes de ITO depositados a temperaturas mais elevadas.
4.11. Referências
[1] Handbook of Transparent Conductors, Berlin: Springer-Verlag, 2010
[2] Sputtering by Particle Bombardment I - Physical Sputtering of single-element solids. Berlin: Springer-Verlag, 1981
[3] Mattox D Handbook of Physical Vapor Deposition (PVD) Processing. Kidlington: Elsevier, 2010
[4] Taylor M "Indium Zinc Oxide Thin Films: A Novel family of transparent conducting oxides" Material Science. Colorado: Colorado School of Mines 2005.
[5] Barquinha P "Transparent Oxide Thin-Film Transistors: production, characterization and integration". Lisboa: Universidade Nova de Lisboa 2010.
[6] Hartnagel H, Dawar A, Jain K and Jagadish C Semiconducting Transparent Thin Films. London: Institute of Physics Publishing Bristol and Philadelphia, 1995
[7] Ellmer K Journal of Physics D-Applied Physics 2000 33 R17-R32 [8] Saji K J and Jayaraj M K physica status solidi (a) 2008 205 1625-1630
[9] Fortunato E, Pimentel A, Gonçalves A, Marques A and Martins R Thin Solid Films 2006 502 104-107
[10] Moutinho A, Silva M and Cunha M Tecnologia de Vácuo: Universidade Nova de Lisboa, 1980
[11] Assunção V, Fortunato E, Marques A, Águas H, Ferreira I, Costa M E V and Martins R Thin Solid Films 2003 427 401-405
[12] Exarhos G J and Sharma S K Thin Solid Films 1995 270 27-32 [13] Gupta V and Mansingh A 1996 80 1063-1073
[14] Menon R, Gupta V, Tan H H, Sreenivas K and Jagadish C 2011 109 064905 [15] Zhong Lin W Journal of Physics: Condensed Matter 2004 16 R829
[16] Kim K H, Park K C and Ma D Y Journal of Applied Physics 1997 81 7764-7772 [17] Cullity B Ellements of X-Ray Diffraction. Boston: Addison-Wesley, 1956 [18] Kim N H and Kim H W Materials Letters 2004 58 938-943
[19] Adurodija F O, Semple L and Brüning R Thin Solid Films 2005 492 153-157 [20] Bellingham J R and et al. Journal of Physics: Condensed Matter 1990 2 6207 [21] Yaglioglu B, Huang Y J, Yeom H Y and Paine D C Thin Solid Films 2006 496 89-94 [22] Morikawa H and Fujita M Thin Solid Films 2000 359 61-67
[23] Yaglioglu B, Yeom H Y and Paine D C Applied Physics Letters 2005 86 -
[24] Carcia P F, McLean R S, Reilly M H, Li Z G, Pillione L J and Messier R F Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 2003 21 745-751 [25] Joo Hyon N, Seung Yoon R, Sung Jin J, Chang Su K, Sung-Woo S, Rack P D,
Dong-Joo K and Hong Koo B Electron Device Letters, IEEE 2010 31 567-569
[26] Vink T J, Walrave W, Daams J L C, Baarslag P C and van den Meerakker J E A M Thin Solid Films 1995 266 145-151
[27] Park J-O, Lee J-H, Kim J-J, Cho S-H and Cho Y K Thin Solid Films 2005 474 127- 132
[28] Paine D C, Whitson T, Janiac D, Beresford R, Yang C O and Lewis B Journal of Applied Physics 1999 85 8445-8450
[29] Martins R, Barquinha P, Pimentel A, Pereira L and Fortunato E physica status solidi (a) 2005 202 R95-R97
[30] Taylor M P, Readey D W, Teplin C W, van Hest M F A M, Alleman J L, Dabney M S, Gedvilas L M, Keyes B M, To B, Perkins J D and Ginley D S Measurement Science & Technology 2005 16 90-94
[31] Jeong Y, Song K, Jun T, Jeong S and Moon J Thin Solid Films 2011 519 6164-6168 [32] Suresh A, Gollakota P, Wellenius P, Dhawan A and Muth J F Thin Solid Films 2008
516 1326-1329
[33] Chiang H Q, Wager J F, Hoffman R L, Jeong J and Keszler D A Applied Physics Letters 2005 86
[34] Moriga T, Okamoto T, Hiruta K, Fujiwara A, Nakabayashi I and Tominaga K Journal of Solid State Chemistry 2000 155 312-319
[35] Eguchi T, Inoue H, Masuno A, Kita K and Utsuno F Inorganic Chemistry 2010 49 8298-8304
[36] Minami T, Kumagai H, Kakumu T, Takata S and Ishii M Journal of Vacuum Science & Technology a-Vacuum Surfaces and Films 1997 15 1069-1073
[37] Kumar B, Gong H and Akkipeddi R Journal of Applied Physics 2005 97
[38] Lee D-h, Shim S-h, Choi J-s and Yoon K-b Applied Surface Science 2008 254 4650- 4654
[39] Senthilkumar V and Vickraman P Current Applied Physics 2010 10 880-885 [40] Shigesato Y and Paine D C Applied Physics Letters 1993 62 1268-1270 [41] Thilakan P, Minarini C, Loreti S and Terzini E Thin Solid Films 2001 388 34-40 [42] Guillen C and Herrero J Journal of Applied Physics 2007 101 7
[43] Guillén C and Herrero J Thin Solid Films 2006 510 260-264
[44] Taylor M P, Readey D W, van Hest M, Teplin C W, Alleman J L, Dabney M S, Gedvilas L M, Keyes B M, To B, Perkins J D and Ginley D S Advanced Functional Materials 2008 18 3169-3178
[45] Ito N, Sato Y, Song P K, Kaijio A, Inoue K and Shigesato Y Thin Solid Films 2006 496 99-103
[46] Cho J-S, Yoon K H and Koh S-K Thin Solid Films 2000 368 111-115
[47] Shigesato Y, Takaki S and Haranoh T Journal of Applied Physics 1992 71 3356- 3364
[48] Bender M, Gagaoudakis E, Douloufakis E, Natsakou E, Katsarakis N, Cimalla V, Kiriakidis G, Fortunato E, Nunes P, Marques A and Martins R Thin Solid Films 2002 418 45-50
[49] Li H, Liu H, Wang J, Yao S, Cheng X and Boughton R I Materials Letters 2004 58 3630-3633
[50] Zhang Z, Bao C, Yao W, Ma S, Zhang L and Hou S Superlattices and Microstructures 2011 49 644-653
[51] Martins R, Barquinha P, Pimentel A, Pereira L, Fortunato E, Kang D, Song I, Kim C, Park J and Park Y Thin Solid Films 2008 516 1322-1325
[52] Martins R, Almeida P, Barquinha P, Pereira L, Pimentel A, Ferreira I and Fortunato E Journal of Non-Crystalline Solids 2006 352 1471-1474
[53] Jung Y S, Seo J Y, Lee D W and Jeon D Y Thin Solid Films 2003 445 63-71
[54] Terzini E, Thilakan P and Minarini C Materials Science and Engineering B 2000 77 110-114
[55] Lu M S, Pang Z Y, Xiu X W, Dai Y and Han S H Chinese Physics 2007 16 548-552 [56] Shigesato Y and Paine D C Thin Solid Films 1994 238 44-50
[57] Barradas N P, Jeynes C and Webb R P Applied Physics Letters 1997 71 291-293 [58] Holland L Vacuum deposition of thin films, 1956
[59] Ohring M Materials Science of Thin Films, Second Edition. Sussex: Academic Press, 2001
[60] Huang H S, Tung H C, Chiu C H, Hong I T, Chen R Z, Chang J T and Lin H K Thin Solid Films 2010 518 6071-6075
[61] Gehman B L, Jonsson S, Rudolph T, Scherer M, Weigert M and Werner R Thin Solid Films 1992 220 333-336
[62] Gonçalves G, Barquinha P, Raniero L, Martins R and Fortunato E Thin Solid Films 2008 516 1374-1376
[63] Ellmer K Journal of Physics D-Applied Physics 2001 34 3097-3108
[64] Fortunato E, Pimentel A, Pereira L, Gonçalves A, Lavareda G, Águas H, Ferreira I, Carvalho C N and Martins R Journal of Non-Crystalline Solids 2004 338-340 806- 809
[65] De Wit J H W, Van Unen G and Lahey M Journal of Physics and Chemistry of Solids 1977 38 819-824
[66] De Wit J H W Journal of Solid State Chemistry 1977 20 143-148
[67] Leenheer A J, Perkins J D, van Hest M, Berry J J, O'Hayre R P and Ginley D S Physical Review B 2008 77
[68] Walsh A, Da Silva J L F and Wei S-H Chemistry of Materials 2009 21 5119-5124 [69] Walsh A, Da Silva J L F, Yan Y, Al-Jassim M M and Wei S-H Physical Review B
2009 79 073105
[71] Nomura K, Ohta H, Takagi A, Kamiya T, Hirano M and Hosono H Nature 2004 432 488-492
[72] Yasukawa M, Hosono H, Ueda N and Kawazoe H Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters 1995 34 L281-L284
[73] Gonçalves G, Elangovan E, Barquinha P, Pereira L, Martins R and Fortunato E Thin Solid Films 2007 515 8562-8566
[74] Fortunato E, Assunção V, Gonçalves A, Marques A, Águas H, Pereira L, Ferreira I, Vilarinho P and Martins R Thin Solid Films 2004 451-452 443-447
[75] Hye-Ri K, Gun-Hwan L and Dong-Ho K Journal of Physics D: Applied Physics 2011 44 185203
[76] Martins R, Barquinha P, Ferreira I, Pereira L, Goncalves G and Fortunato E Journal of Applied Physics 2007 101
[77] Raebiger H, Lany S and Zunger A Physical Review B 2009 79 [78] Lany S and Zunger A Physical Review Letters 2007 98 045501
[79] Transparent Electronics: From Synthesis to Applications. Sussex: Wiley, 2010 [80] Zhang D H and Ma H L Applied Physics A: Materials Science & Processing
1996 62 487-492
[81] Tseng J-Y, Chen Y-T, Yang M-Y, Wang C-Y, Li P-C, Yu W-C, Hsu Y-F and Wang S- F Thin Solid Films 2009 517 6310-6314
[82] Pearton S J, Lim W, Wang Y L, Ren F, Norton D P, Kravchenko I I and Zavada J M Applied Surface Science 2008 254 2878-2881
[83] Song S, Yang T, Xin Y, Jiang L, Li Y, Pang Z, Lv M and Han S Current Applied Physics 2010 10 452-456
[84] Kim H, Horwitz J S, Kushto G, Pique A, Kafafi Z H, Gilmore C M and Chrisey D B Journal of Applied Physics 2000 88 6021-6025
[85] Fortunato E, Gonçalves A, Assunção V, Marques A, Águas H, Pereira L, amp, x, Ferreira I and Martins R Thin Solid Films 2003 442 121-126
[86] Lee W J, Fang Y K, Ho J J, Chen C Y, Chiou L H, Wang S J, Dai F, Hsieh T, Tsai R Y, Huang D and Ho F C Solid-State Electronics 2002 46 477-480
[87] Major S, Banerjee A and Chopra K L Thin Solid Films 1984 122 31-43
[88] Orton J W, Goldsmith B J, Powell M J and Chapman J A Temperature dependence of intergrain barriers in polycrystalline semiconductor films: AIP, 1980
[89] Lee C, Lee W, Kim H and Kim H W Ceramics International 2008 34 1089-1092 [90] Nakazawa H, Ito Y, Matsumoto E, Adachi K, Aoki N and Ochiai Y Journal of Applied
Physics 2006 100
[91] Barquinha P, Gonçalves G, Pereira L, Martins R and Fortunato E Thin Solid Films 2007 515 8450-8454
[92] Kim S M, Choi H W, Kim K H, Park S J and Yoon H H Journal of the Korean Physical Society 2009 55 1996-2001
[93] Paine D C, Yaglioglu B, Yeom H Y and Beresford R Applied Physics Letters 2006 89 [94] Bellingham J R, Graham M, Adkins C J and Phillips W A Journal of Non-Crystalline
Solids 1991 137-138 519-522
[95] Kuznetsov V L, O’Neil D H, Pepper M and Edwards P P Applied Physics Letters 2010 97 262117
[96] Marcel C, Naghavi N, Couturier G, Salardenne J and Tarascon J M Journal of Applied Physics 2002 91 4291
[97] Nomura K, Kamiya T, Ohta H, Ueda K, Hirano M and Hosono H Applied Physics Letters 2004 85 1993-1995
[98] Hosono H Journal of Non-Crystalline Solids 2006 352 851-858
[99] Takagi A, Nomura K, Ohta H, Yanagi H, Kamiya T, Hirano M and Hosono H Thin Solid Films 2005 486 38-41
[100] Kamiya T, Nomura K and Hosono H Applied Physics Letters 2010 96 [101] Robertson J Thin Solid Films 2008 516 1419-1425
[102] Minami T, Miyata T and Yamamoto T Surface & Coatings Technology 1998 109 583- 587
[103] Fortunato E, Ginley D, Hosono H and Paine D C Mrs Bulletin 2007 32 242-247 [104] Cui J, Wang A, Edleman N L, Ni J, Lee P, Armstrong N R and Marks T J Advanced
[105] Ishida T, Kobayashi H and Nakato Y Journal of Applied Physics 1993 73 4344-4350 [106] Changgang H and et al. Semiconductor Science and Technology 2010 25 045008 [107] Gassenbauer Y and Klein A The Journal of Physical Chemistry B 2006 110 4793-
4801
[108] Chaney J A and Pehrsson P E Applied Surface Science 2001 180 214-226
[109] Harvey S P, Mason T O, Korber C, Gassenbauer Y and Klein A Applied Physics Letters 2008 92
[110] Sato Y, Tokumaru R, Nishimura E, Song P K, Shigesato Y, Utsumi K and Iigusa H Journal of Vacuum Science & Technology A 2005 23 1167-1172
[111] Sato Y, Ashida T, Oka N and Shigesato Y Applied Physics Express 2010 3 [112] Hamberg I and Granqvist C G Journal of Applied Physics 1986 60 R123-R159 [113] Coutts T J, Young D L and Li X N Mrs Bulletin 2000 25 58-65
[114] Naghavi N, Marcel C, Dupont L, Guéry C, Maugy C and Tarascon J M Thin Solid Films 2002 419 160-165
[115] Naghavi N, Marcel C, Dupont L, Rougier A, Leriche J-B and Guery C Journal of Materials Chemistry 2000 10 2315-2319
[116] Li Y L, Lee D Y, Min S R, Cho H N, Kim J S and Chung C W Japanese Journal of Applied Physics 2008 47 6896-6899
[117] Kim S-M, Rim Y-S, Keum M-J and Kim K-H Journal of Electroceramics 2009 23 341- 345
[118] Wen-Fa W and Bi-Shiou C Semiconductor Science and Technology 1996 11 196 [119] Choi K-H, Jeong J-A and Kim H-K Solar Energy Materials and Solar Cells 2010 94
1822-1830
[120] Prathap P, Revathi N, Reddy K T R and Miles R W Thin Solid Films 2009 518 1271- 1274
[121] Major S, Banerjee A and Chopra K L Thin Solid Films 1983 108 333-340
[122] Ramamoorthy K, Kumar K, Chandramohan R and Sankaranarayanan K Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology 2006
126 1-15
[123] Medvedeva J E EPL (Europhysics Letters) 2007 78 57004 [124] Fujiwara H and Kondo M Physical Review B 2005 71 075109
[125] El Rhaleb H, En Naciri A, Dounia R, Johann L, Hakam A and Addou M Thin Solid Films 2004 455-456 384-387
[126] Buchholz D B, Liu J, Marks T J, Zhang M and Chang R P H ACS Applied Materials & Interfaces 2009 1 2147-2153
[127] Clanget R Applied Physics A: Materials Science & Processing 1973 2 247-256 [128] Haacke G Journal of Applied Physics 1976 47 4086-4089
[129] Shinde S S, Shinde P S, Bhosale C H and Rajpure K Y Journal of Physics D-Applied Physics 2008 41
[130] Kim H K and Park Y S Journal of Vacuum Science & Technology A 2010 28 41-47 [131] Joseph B, Manoj P and Vaidyan V Bulletin of Materials Science 2005 28 487-493 [132] Ray S, Banerjee R, Basu N, Batabyal A K and Barua A K Journal of Applied Physics
1983 54 3497-3501
[133] "http://www.idemitsu.com/products/electronic/clear/index.html" consultado em 29/09/2011.
[134] Piliego C, Mazzeo M, Salerno M, Cingolani R, Gigli G and Moro A Applied Physics Letters 2006 89
[135] Garditz C, Winnacker A, Schindler F and Paetzold R Applied Physics Letters 2007 90
[136 "http://www2.dupont.com/Automotive/en_US/products_services/teijinFilms/ consultado em 29/09/2011.
[137] Park Y-S, Kim H-K, Jeong S-W and Cho W-J Thin Solid Films 2010 518 3071-3074 [138] Tak Y-H, Kim K-B, Park H-G, Lee K-H and Lee J-R Thin Solid Films 2002 411 12-16