CHAPITRE IV APPLICATION À UN DISPOSITIF 3D
IV.1. Présentation générale et contexte
IV.1.3. Méthodologie d’optimisation des matériaux
L’optimisation des matériaux dans cette étude est décomposée en deux parties. Une première se focalise sur les couches minces déposées en face avant (les niveaux damascènes et la couche de passivation) sur substrat épais. L’objectif étant d’obtenir des plaques suffisamment planes pour ne créer aucune difficulté durant la fabrication.
Une fois les couches optimisées dans cet objectif, la deuxième partie intervient après amincissement du substrat. Celle-ci vise à déposer en face arrière les matériaux adéquats afin de compenser en température la déformation due aux matériaux de la face avant, compte tenu de l’épaisseur fine du substrat. L’objectif ici étant d’assurer qu’à l’échelle de la puce, les interposeurs ne soit pas sujets à une trop grande déformation qui induirait un mauvais report de puces.
Le choix des matériaux est déjà déterminé par les autres fonctions (conductrices, isolantes, stables, …) qu’ils doivent accomplir. Nous intervenons au niveau des conditions de dépôt de ces derniers et de leur épaisseur, afin d’optimiser la distribution de contrainte dans le système
Puce Puce
± 20µm
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133 complet. Dans ce cas précis, les couches déposées en face avant sont pour la majeure partie réalisée par CVD assistée par plasma. Pour faire varier les déformations intrinsèques, les paramètres modifiables sont la fréquence d’excitation du plasma dans la chambre de procédé, la pression ou le débit des gaz précurseurs.
IV.1.3.1. Optimisation des dépôts réalisés en face avant
Nous souhaitons optimiser les couches des procédés damascènes et de passivation afin de minimiser la déformation des plaques après chaque procédé. Une étude précédente a montré que le remplissage cuivre des lignes de TSV n’avait qu’une influence mineure sur la déformation à l’échelle de la plaque. Nous nous concentrons donc uniquement sur les dépôts des couches des niveaux damascène et de passivation, sans prise en compte des étapes de remplissage en cuivre des TSV.
Principalement, deux matériaux constituent la face avant des plaques : le nitrure de silicium SiN et l’oxyde de silicium SiO2. Une première couche de SiO2 est déposée par oxydation sur les plaques afin d’isoler les TSV. Les autres couches de SiO2 sont déposées par voie chimique (CVD), tout comme le SiN utilisé dans les niveaux damascènes et la couche de passivation. Le tableau suivant résume les caractéristiques invariables des différents dépôts.
Matériau Température de dépôt (°C)
Contrainte
@RT* de… Fonction SiO2 {1fav} 1100 compression Isolation des TSV
SiN {1fav} 400 tension Diélectriques
damascènes
SiO2{2fav} 400 compression
SiN {2fav} 350 tension Passivation
*@RT : à température ambiante
Tableau IV.1. Caractéristiques des matériaux déposés en face avant
L’empilement à optimiser en face avant est présenté en Figure IV.4. Par souci de confidentialité, nous ne détaillons pas les valeurs d’épaisseurs mises en jeu.
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134 Figure IV.4. Empilement de la face avant à optimiser
Les matériaux et épaisseurs ont été fixés par rapport à l’empilement fonctionnel réalisé sur plaques de 200 mm de diamètre. Ceux-ci ont été choisis afin que la déformation apportée par une couche soit compensée par le dépôt de la couche supérieure, à la contrainte inverse. Nous avons conservé l’empilement des niveaux damascènes et choisi de modifier les paramètres de dépôt des couches de passivation afin de diminuer la déformation résultante.
La majeure partie des couches déposées en face arrière subissent une contrainte de compression à température ambiante. Nous pouvons donc prédire qu’une fois déposées, elles auront tendance à diminuer la flèche des plaques, voire à changer leur concavité. Si nous faisons en sorte d’avoir une courbure quasi nulle en fin d’intégration de la face avant, elle ne pourra plus être minimisée une fois la face arrière intégrée, d’autant plus que le substrat est aminci. L’idée est donc de conserver une flèche positive acceptable à température ambiante après intégration de la face avant, pour qu’une fois les couches de la face arrière intégrées et le substrat aminci, la courbure de plaque conserve un niveau tolérable (<100 µm).
Dans ce point de vue, la variation de courbure en température n’intervient pas dans l’optimisation des conditions de dépôts des couches de la face avant. Or, les puces sont amenées à être reportées sur l’interposeur à une température plus élevée que la température ambiante. Il est donc nécessaire de déterminer le comportement en température des interposeurs, et de choisir les matériaux et couches afin de minimiser la variation de courbure en température également. La deuxième partie de la méthodologie consiste à adapter les couches de la face arrière dans cet objectif.
IV.1.3.2. Compensation de la déformation en température par la face arrière
Les matériaux de la face avant sont optimisés afin de minimiser la déformation de la plaque après chaque procédé et chaque retour à température ambiante. Malgré la faible courbure obtenue pour cette température, les matériaux ainsi intégrés peuvent cependant induire une variation importante en température, qu’il faut pouvoir compenser. Ce sont les matériaux intégrés en face arrière qui permettront de remplir cet objectif.
Substrat Si – 775 µm SiO2 {1fav}
SiO2 {2fav}
SiO2 {2fav}
SiN {1fav}
SiN {1fav}
SiN {1fav}
SiN {1fav}
SiO2 {2fav} SiN {2fav} PASSIVATION NIVEAUX DAMASCÈNES ISOLATION TSV
?
?
~ µm
~ µm
~ µm
~ nm
~ nm
~ nm
~ nm
~ nm
SiO2 {2fav}
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135 L’idée consiste donc à évaluer la déformation en température induite par la face avant seule, afin de considérer ce comportement comme référence pour la face arrière. Si les matériaux intégrés en face arrière aboutissent à la même variation de courbure en température, alors la déformation générée par la face avant est compensée pour toute température, à l’ambiante comme à celle de report des puces sur les interposeurs.
La Figure IV.5 ci-contre illustre qualitativement cette idée : elle représente la variation de courbure d’un interposeur en fonction de la température. La configuration de gauche présente le cas où la courbure à température ambiante a été maîtrisée par la face avant pour conserver un niveau tolérable, et maîtrisée également à température de report des puces grâce à l’intégration de la face arrière. La configuration de droite représente le cas où la courbure est certes tolérable à température ambiante grâce à la face avant mais trop grande à celle du report des puces. Les couches de la face arrière n’ont pas permis de limiter la déformation en température apportée par la face avant, voire l’a amplifiée.
Figure IV.5. Comportement en température d’un interposeur correctement (à g.) ou non (à dr.) optimisé
Les différents empilements que nous étudions pour l’intégration en face arrière sont les suivants :
Figure IV.6. Empilement de la face arrière à optimiser
Pour passiver la face arrière, l’utilisation d’une couche polymère est envisagée. Ce matériau au comportement viscoélastique fait l’objet d’une étude spécifique en section 0. Les caractéristiques des différents matériaux à considérer pour l’activation de la face arrière sont résumées dans le Tableau IV.2. Ces matériaux sont appelés SiO2 par commodité et sont déposés sous différentes conditions en termes de gaz précurseurs.
Température Courbure
interposeur
Trep
Tamb Tamb
Trep
Température Courbure
interposeur
PASSIVATION Substrat – 80 µm
Polymère
REDISTRIBUTION ET ISOLATION DES CONTACTS FACE ARRIERE SiO2 {1far} ou {2far}
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136 Matériau Température
de dépôt (°C)
Contrainte
@RT* de… Fonction
SiO2 {1far} 150 compression Redistribution et isolation des contacts face arrière
SiO2 {2far} 150 compression
Polymère 20 tension Passivation
*@RT : à température ambiante
Tableau IV.2. Caractéristiques des matériaux déposés en face arrière
Contrairement à la face avant, l’épaisseur de chacun des matériaux est ajustable. Les parties qui suivent présentent les résultats obtenus par l’application de la méthodologie décrite au chapitre III.